Страницы: 1 2
О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ
В ПРИКАЗ ГТК РОССИИ ОТ 26 ИЮЛЯ 2004 Г. N 796
ПРИКАЗ
ФЕДЕРАЛЬНАЯ ТАМОЖЕННАЯ СЛУЖБА
29 мая 2008 г.
N 631
(Д)
В целях обеспечения выполнения Указа Президента Российской
Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в Указ
Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об утверждении
Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть
использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении
которых осуществляется экспортный контроль" и в Список, утвержденный
этим Указом" (Собрание законодательства Российской Федерации, 2008, N
10 (ч. II), ст. 912) приказываю:
1. Внести в приложение к Приказу ГТК России от 26 июля 2004 г. N
796 "О контроле за экспортом товаров и технологий двойного назначения,
которые могут быть использованы при создании вооружений и военной
техники" изменения согласно приложению к настоящему Приказу.
2. Главному управлению информационных технологий (А.Е. Шашаев),
ГНИВЦ ФТС России (О.П. Пучков) обеспечить внесение изменений в базы
нормативно-справочной информации и программные средства,
эксплуатируемые в ГНИВЦ ФТС России и таможенных органах.
3. Управлению по связям с общественностью (А.В. Смеляков)
обеспечить опубликование настоящего Приказа в официальных изданиях ФТС
России.
4. Начальникам региональных таможенных управлений, таможен
обеспечить доведение положений настоящего Приказа до сведения всех
заинтересованных лиц.
5. Действие настоящего Приказа распространяется на
правоотношения, возникшие со дня вступления в силу Указа Президента
Российской Федерации от 6 марта 2008 г. N 326 "О внесении изменений в
Указ Президента Российской Федерации от 5 мая 2004 г. N 580 "Об
утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые
могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в
отношении которых осуществляется экспортный контроль" и в Список,
утвержденный этим Указом", с 10 июня 2008 г.
6. Контроль за исполнением настоящего Приказа возложить на
заместителя руководителя ФТС России Л.И. Шорникова.
Руководитель
действительный
государственный советник
таможенной службы
Российской Федерации
А.Ю.БЕЛЬЯНИНОВ
29 мая 2008 г.
N 631
Приложение
к Приказу ФТС России
от 29 мая 2008 года
N 631
Приложение
к Указу Президента
Российской Федерации
от 6 марта 2008 г. N 326
ПЕРЕЧЕНЬ
ИЗМЕНЕНИЙ, ВНОСИМЫХ В СПИСОК ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ
ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ
ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ
КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ
1. В разделе 1:
пункт 1.1.2.2 изложить в следующей редакции:
"1.1.2.2. Состоящие из металлической или
углеродной матрицы и любого из следующего:";
в пункте 1.1.4.2:
код ТН ВЭД "6401 91;" исключить;
коды ТН ВЭД "6401 99; 6402 91 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "6401
99 000 0; 6402 91";
в пункте 1.1.4.3 коды ТН ВЭД "9030 10 900 0" и "9030 89 990 0;
9030 90 800 0" заменить кодами ТН ВЭД "9030 10 000 0" и "9030 89 900
0; 9030 90 850 0" соответственно;
в пунктах 1.1.4.3, 3.1.2.3.1 - 3.1.2.3.3 код ТН ВЭД "9030 89 920
0" заменить кодом ТН ВЭД "9030 89 300 0";
в пунктах 1.2.1.1 и 1.2.1.2 код ТН ВЭД "8445 40 000 0" заменить
кодами ТН ВЭД "8445 40 000; 8445 90 000 1";
в пунктах 1.2.1.4.1 и 2.2.1.5 код ТН ВЭД "8456 99 800 0" заменить
кодом ТН ВЭД "8456 90 000 0";
в пунктах 1.2.1.4.1, 2.2.1.5, 3.2.1.5 и 3.2.1.6.2 код ТН ВЭД
"8456 10" заменить кодом ТН ВЭД "8456 10 00";
в пункте 1.2.1.4.3 код ТН ВЭД "8445 90 000 0" заменить кодом ТН
ВЭД "8445 90 000 9";
пункт 1.2.1.6 изложить в следующей редакции:
"1.2.1.6. Оборудование для неразрушающего
контроля, специально разработанное
для композиционных материалов,
такое, как:
1.2.1.6.1. Системы рентгеновской томографии 9022 12 000 0;
для трехмерного обнаружения 9022 19 000 0;
дефектов; 9022 29 000 0
1.2.1.6.2. Установки ультразвуковой 9031 80 380 0";
дефектоскопии с числовым
программным управлением, в
которых перемещения для
позиционирования трансмиттеров
и/или приемников одновременно
координируются и программируются
по четырем или более осям, чтобы
отслеживать трехмерные контуры
обследуемого объекта
в пунктах 1.3.2.1.1 и 1.3.2.2.1 код ТН ВЭД "7502 20 000 0"
заменить кодом ТН ВЭД "7502 20 000 9";
в пунктах 1.3.2.1.2, 1.3.2.2.3, 1.3.4, 9.1.10.1 и 9.1.10.2 коды
ТН ВЭД "8108 90 500 0; 8108 90 700 0" заменить кодами ТН ВЭД "8108 90
500 9; 8108 90 600 9";
в пункте 1.3.2.2.4 коды ТН ВЭД "7608 20 910 0; 7608 20 990 0"
заменить кодами ТН ВЭД "7608 20 810 9; 7608 20 890 9";
в пунктах 1.3.2.2.4 и 1.3.2.4 код ТН ВЭД "7604 29 100 0" заменить
кодом ТН ВЭД "7604 29 100 9";
в пунктах 1.3.2.3.1.1 и 1.3.2.4 код ТН ВЭД "7504 00 000 0"
заменить кодом ТН ВЭД "7504 00 000 9";
в пункте 1.3.2.4:
код ТН ВЭД "8112 92 310 0;" после кода ТН ВЭД "8108 90 500 0;"
исключить, включив его после кода ТН ВЭД "8112 92 390 0;";
коды ТН ВЭД "7505 12 000 0", "7606 12 910 0" и "8108 90 500 0;
8112 92 390 0" заменить кодами ТН ВЭД "7505 12 000 9", "7606 12 910 9"
и "8108 90 500 9; 8112 92 200 9" соответственно;
в пункте 1.3.3.3 код ТН ВЭД "7226 11" заменить кодом ТН ВЭД "7226
11 000 0";
в пункте 1.3.4 код ТН ВЭД "8101 96 000 0;" после кода ТН ВЭД
"8101 95 000 0;" исключить, включив его после кода ТН ВЭД "8101 94 000
0;";
в пунктах 1.3.4, 9.1.10.1 и 9.1.10.2 код ТН ВЭД "8101 95 000 0"
заменить кодом ТН ВЭД "8101 99 100 0";
в пункте 1.3.5:
пункт 1.3.5.1 изложить в следующей редакции:
"1.3.5.1. Проводники из сверхпроводящих 8544";
композиционных материалов,
содержащих одну или несколько
ниобий-титановых нитей, имеющих
все нижеследующее:
а) уложенных в матрицу не из меди
или не на основе меди; и
б) имеющих площадь поперечного
-4
сечения менее 0,28 x 10 кв. мм
(6 мкм в диаметре для нитей
круглого сечения);
в пункте 1.3.5.2:
слово "имеющие" заменить словом "имеющих";
в подпункте "а" слова "(-263,31 ёC), но ниже 24 K (-249,16 ёC);"
заменить словами "(-263,31 ёC); и";
подпункт "б" исключить;
подпункт "в" считать подпунктом "б" и изложить в следующей
редакции:
"б) остающихся в сверхпроводящем
состоянии при температуре 4,2 K
(-268,96 ёC) в магнитном поле,
ориентированном в любых
направлениях, перпендикулярных
продольной оси проводника, и
соответствующем магнитной индукции
12 Т, при пропускании
электрического тока критической
плотностью более 1750 А/кв. мм по
всему сечению проводника;";
дополнить пункт пунктом 1.3.5.3 и техническим примечанием
следующего содержания:
"1.3.5.3. Проводники из сверхпроводящих 8544";
композиционных материалов,
содержащие одну или несколько
сверхпроводящих нитей, остающихся
в сверхпроводящем состоянии при
температуре выше 115 K (-158,16
ёC)
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.3.5 нити могут
быть в виде проволоки, цилиндра,
пленки, ленты или полосы
в подпункте "г" пункта 1.3.6.1.1 после слов "температуре 616 K
(343 град.C)" включить слова "или выше";
в пункте 1.3.6.2.1 код ТН ВЭД "2930 90 700 0" заменить кодом ТН
ВЭД "2930 90 850 0";
в пунктах 1.3.6.4, 3.3.2.1 - 3.3.2.4 код ТН ВЭД "3824 90 990 0"
заменить кодом ТН ВЭД "3824 90 980 9";
в пункт 1.3.8 включить пункт 1.3.8.1 следующего содержания:
"1.3.8.1. Нижеперечисленные вещества:";
примечание к пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4 изложить в следующей
редакции:
"Примечания:
1. По пункту 1.3.8.1
контролируются вещества в жидкой
или твердой форме, в том числе в
виде смол, порошков, гранул,
пленок, листов, лент или полос
2. По пункту 1.3.8.1 не
контролируются неплавкие порошки,
используемые для изготовления форм
литья под давлением или фасонных
форм;";
в пункте 1.3.8.2:
слова "стандартом ISO 75-3 (2004)" заменить словами "стандартом
ISO 75-2 (2004), метод А,";
цифры "1,82" заменить цифрами "1,80";
пункты 1.3.8.3 - 1.3.8.3.4 исключить;
пункты 1.3.8.4 - 1.3.8.6 считать пунктами 1.3.8.3 - 1.3.8.5
соответственно;
в примечании к пункту 1.3.10.2 и в пункте "а" примечания к пункту
1.3.10.5:
после слова "конструкций" включить слово "гражданских";
слова "50 x 90 см" заменить словами "100 см x 100 см";
в пунктах 1.3.10.5, 9.1.10.1 и 9.1.10.2 код ТН ВЭД "3926 90 100
0" заменить кодом ТН ВЭД "3926 90 980 5";
в пункте 1.3.11.4 код ТН ВЭД "2925 20 000 0" заменить кодом ТН
ВЭД "2925 29 000 0";
пункт 1.4 дополнить пунктом 1.4.3 следующего содержания:
"1.4.3. Программное обеспечение,
специально разработанное или
модифицированное, для того чтобы
дать возможность оборудованию
выполнять функции оборудования,
контролируемого по пункту
1.1.4.3";
пункт 1.5.2 дополнить пунктом 1.5.2.7 следующего содержания:
"1.5.2.7. Библиотеки (параметрические
технические базы данных),
специально разработанные или
модифицированные, для того чтобы
дать возможность оборудованию
выполнять функции оборудования,
контролируемого по пункту 1.1.4.3
Техническое примечание.
Для целей пункта 1.5.2.7 под
термином "библиотека"
(параметрическая техническая база
данных) понимается совокупность
технической информации, обращение
к которой может улучшить рабочие
характеристики соответствующего
оборудования или систем";
в пункте 2.1.1.1:
слова "подшипники и неразъемные роликовые подшипники" заменить
словами "и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные
подшипники качения";
коды ТН ВЭД "8482 10 100 0" и "8482 30 000 0; 8482 40 000 0; 8482
50 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "8482 10 100 9" и "8482 30 000 9;
8482 40 000 9; 8482 50 000 9; 8482 91 900 0; 8482 99 000 0"
соответственно;
в пункте 2.1.1.2 код ТН ВЭД "8482 80 000 0" заменить кодами ТН
ВЭД "8482 10 100; 8482 10 900; 8482 30 000; 8482 40 000; 8482 50 000;
8482 80 000 9; 8482 91 900 0; 8482 99 000 0";
в пункте 2.1.1.3 коды ТН ВЭД дополнить кодами ТН ВЭД "8505 11 000
0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0; 8505 90 100 0; 8505 90 900 0" и код
ТН ВЭД "8483 30 100 0" заменить кодом ТН ВЭД "8483 30 380 9";
примечание к пункту 2.2.1.1 изложить в следующей редакции:
"Примечание.
По пункту 2.2.1.1 не
контролируются токарные станки,
специально разработанные для
производства контактных линз,
имеющие все следующие
характеристики:
а) контроллер станка, ограниченный
для применения в
офтальмологических целях и
основанный на программном
обеспечении для частичного
программируемого ввода данных; и
б) отсутствие вакуумного
патрона;";
в пункте 2.2.1.3 код ТН ВЭД "8460 11 000 0" заменить кодом ТН ВЭД
"8460 11 000";
пункт 2.2.2 и техническое примечание к нему изложить в следующей
редакции:
"2.2.2. Станки с числовым программным 8464 20 110 0;
управлением для чистовой обработки 8464 20 190 0;
(финишные станки) асферических 8464 20 950 0;
оптических поверхностей, имеющие 8465 93 000 0";
все следующие характеристики:
а) осуществляющие доводку контура
до менее (лучше) 1,0 мкм;
б) осуществляющие чистовую
обработку до среднеквадратичного
значения шероховатости менее
(лучше) 100 нм;
в) имеющие три или более оси,
которые могут быть совместно
скоординированы для контурного
управления; и
г) использующие любой из следующих
процессов:
магнитореологической чистовой
обработки (МРЧО);
электрореологической чистовой
обработки (ЭРЧО);
чистовой обработки пучком частиц
высокой энергии
Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО
понимается процесс съема
материала, использующий абразивную
магнитную жидкость, вязкость
которой регулируется магнитным
полем. Под ЭРЧО понимается процесс
съема материала, использующий
абразивную жидкость, вязкость
которой регулируется электрическим
полем. Чистовая обработка пучками
высокоэнергетических частиц
использует плазму атомов химически
активных элементов или пучки ионов
для избирательного съема материала
в пункте 2.2.5.2 код ТН ВЭД "8543 19 000 0" заменить кодом ТН ВЭД
"8543 10 000 0";
в пункте 2.2.6 слова "и оборудование" заменить словами ",
оборудование и электронные сборки";
в пункте 2.2.6.2.1:
в конце подпункта "б" слово "или" исключить;
в подпункте "в" слова "в миллиметрах)" заменить словами "в
миллиметрах); или";
дополнить пункт подпунктом "г" следующего содержания:
"г) электронные сборки, специально
разработанные для обеспечения
возможности обратной связи в
системах, контролируемых по
подпункту "в" пункта 2.2.6.2.1";
в примечании слова "без обратной связи с замкнутым или открытым
контуром" заменить словами "с автоматическим управлением,
разработанным для применения техники без обратной связи";
3 -3
в пункте 2.2.8.1 цифры "10 " заменить цифрами "10 ";
в пункте 2.2.9 коды ТН ВЭД "8462 21 100 0; 8462 21 800 0"
заменить кодами ТН ВЭД "8462 21 100; 8462 21 800";
пункты 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.3.2 и примечание к пункту 3.1.1.1.3
изложить в следующей редакции:
"3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, 8542 31 900 1;
микросхемы микроЭВМ, микросхемы 8542 31 900 9;
микроконтроллеров, изготовленные 8542 39 900 9";
на полупроводниковых соединениях и
работающие на тактовой частоте,
превышающей 40 МГц
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает
процессоры цифровых сигналов,
цифровые матричные процессоры и
цифровые сопроцессоры;
в пунктах 3.1.1.1.4, 3.1.1.1.9 и 3.1.1.1.11 код ТН ВЭД "8542 60
000" заменить кодом ТН ВЭД "8542 39 900 9";
в пунктах 3.1.1.1.4 и 3.1.1.1.11 коды ТН ВЭД "8542 21 45; 8542 21
500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 900
1; 8542 31 900 9";
в пункте 3.1.1.1.5:
коды ТН ВЭД "8542 29 600 0; 8542 29 900 9; 8542 60 000 9"
заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5;
8542 39 900 9";
в подпункте "а" слова "50 млн.", "5 млн." и "1 млн." заменить
словами "105 млн.", "10 млн." и "2,5 млн." соответственно;
в пункте 3.1.1.1.7 коды ТН ВЭД "8542 21 690 0; 8542 21 990 0"
заменить кодом ТН ВЭД "8542 39 900 5";
в пункте 3.1.1.1.9 коды ТН ВЭД "8542 21 690 0; 8542 21 990 0;
8542 29" заменить кодами ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39
900 5";
в пункте 3.1.1.2.2:
коды ТН ВЭД "8542 29; 8542 60 000; 8542 70 000 0" заменить кодами
ТН ВЭД "8542 31 900 3; 8542 33 000; 8542 39 900 5; 8543 90 000 1";
в пункте 2 примечаний слова "рабочая частота которых охватывает
более одной полосы частот, указанной в пункте" заменить словами
"номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной
полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта";
в пункте 3.1.1.2.3:
слово "Микроволновые" заменить словами "Дискретные микроволновые";
в примечании слова "изделия, рабочая частота которого охватывает
более одной полосы частот, указанной в пункте" заменить словами
"транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более
чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта";
в пункте 3.1.1.2.4:
в подпункте "е" цифру "3" заменить цифрами "3,2";
включить после названного подпункта техническое примечание к нему
следующего содержания:
"Техническое примечание.
Для усилителей, имеющих
номинальный рабочий диапазон
частот, простирающийся в сторону
уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в
формуле последнего абзаца
подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4
значение наименьшей рабочей
частоты f (ГГц) следует принимать
равным 3,2 ГГц, то есть:
d <= 15/3,2 или в единицах
размерности [(см)
<= (см x ГГц)/ГГц]";
в пункте 2 примечаний слова "изделия, рабочая частота которого
охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте" заменить
словами "изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к
более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д"
пункта";
после примечания к пункту 3.1.1.2.7 включить пункт 3.1.1.2.8
следующего содержания:
"3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания 8540 79 000 0;
(ММП), содержащие, по крайней 8542 31 900 3;
мере, лампу бегущей волны, 8543 70 900 9;
монолитную микроволновую 8543 90 000 1";
интегральную схему и встроенный
электронный стабилизатор
напряжения, имеющие все следующие
характеристики:
а) время включения от выключенного
состояния до полностью
эксплуатационного состояния менее
10 с;
б) физический объем ниже
произведения максимальной
номинальной мощности в ваттах на
10 куб. см/Вт; и
в) мгновенную ширину полосы частот
более одной октавы (f > 2f )
max min
и любое из следующего:
для частот, равных или ниже 18
ГГц, радиочастотную выходную
мощность более 100 Вт; или
частоту выше 18 ГГц
Технические примечания:
1. Для подпункта "а" пункта
3.1.1.2.8 время включения
относится к периоду времени от
полностью выключенного состояния
до полностью эксплуатационного
состояния, то есть оно включает
время готовности ММП
2. Для подпункта "б" пункта
3.1.1.2.8 приводится следующий
пример расчета физического объема
ММП. Для максимальной номинальной
мощности 20 Вт физический объем
определяется как 20 [Вт] x 10
[куб. см/Вт] = 200 [куб. см].
Это значение физического объема
является контрольным показателем и
сравнивается с фактическим
физическим объемом ММП;
в пункте 3.1.1.5:
пункты 3.1.1.5.1 - 3.1.1.5.1.2 и техническое примечание изложить
в следующей редакции:
"3.1.1.5.1. Элементы, такие, как:
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы с плотностью 8506
энергии, превышающей 550 Вт x ч/кг
при температуре 20 ёC;
3.1.1.5.1.2. Вторичные элементы с плотностью 8507";
энергии, превышающей 250 Вт x ч/кг
при температуре 20 ёC
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.1.1.5.1
плотность энергии (Вт x ч/кг)
определяется произведением
номинального напряжения в вольтах
на номинальную емкость в
ампер-часах, поделенным на массу в
килограммах. Если номинальная
емкость не установлена, плотность
энергии определяется произведением
возведенного в квадрат
номинального напряжения в вольтах
на длительность разряда в часах,
поделенным на произведение
сопротивления нагрузки разряда в
омах на массу в килограммах
2. Для целей пункта 3.1.1.5.1
"элемент" определяется как
электрохимическое устройство,
имеющее положительные и
отрицательные электроды и
электролит и являющееся источником
электроэнергии. Он является
основным компоновочным блоком
батареи
3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1
"первичный элемент" определяется
как "элемент", который не
предназначен для заряда каким-либо
другим источником энергии
4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2
"вторичный элемент" определяется
как "элемент", который
предназначен для заряда каким-либо
внешним источником энергии
пункт 3.1.1.5.1.3 исключить;
примечание к пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 изложить в
следующей редакции:
"Примечание.
По пункту 3.1.1.5.1 не
контролируются батареи, включая
батареи, содержащие один
элемент;";
дополнить пункт пунктом 3.1.1.5.4 следующего содержания:
"3.1.1.5.4. Солнечные элементы, сборки 8541 40 900 0";
электрически соединенных элементов
под защитным стеклом, солнечные
панели и солнечные батареи,
пригодные для применения в
космосе, имеющие минимальное
значение среднего КПД элементов
более 20% при рабочей температуре
301 К (28 ёC) под освещением с
поверхностной плотностью потока
излучения 1367 Вт/кв. м при
имитации условий нулевой воздушной
массы (АМО)
Техническое примечание.
АМО (нулевая воздушная масса)
определяется спектральной
плотностью потока солнечного света
за пределами атмосферы при
расстоянии между Землей и Солнцем,
равным одной астрономической
единице (АЕ);
после пункта 3.1.1.6 включить пункт 3.1.1.7 следующего
содержания:
"3.1.1.7. Твердотельные импульсные силовые 8536 50 030 0;
коммутационные тиристорные 8536 50 800 0;
устройства и тиристорные модули, 8541 30 000 9";
использующие методы
электрического, оптического или
электронно-эмиссионного управления
переключением, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) максимальную скорость
нарастания отпирающего тока
(di/dt) более 30 000 А/мкс и
напряжение в закрытом состоянии
более 1100 В; или
б) максимальную скорость
нарастания отпирающего тока
(di/dt) более 2000 А/мкс и все
нижеследующее:
импульсное напряжение в закрытом
состоянии, равное 3000 В или
более; и максимальный ток в
импульсе (ударный ток) более 3000
А
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.7
тиристорный модуль содержит одно
или несколько тиристорных
устройств
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.7 включает:
кремниевые триодные тиристоры;
электрические триггерные
тиристоры; световые триггерные
тиристоры; коммутационные
тиристоры с интегральными
вентилями;
вентильные запираемые тиристоры;
управляемые тиристоры на
МОП-структуре (структуре
металл-оксид-полупроводник);
солидтроны
2. По пункту 3.1.1.7 не
контролируются тиристорные
устройства и тиристорные модули,
интегрированные в оборудование,
разработанное для применения на
железнодорожном транспорте или в
гражданских летательных аппаратах
в пункте 3.1.2.1.1 коды ТН ВЭД "8520 32 500 0; 8520 32 990 0;
8520 39 900 0" и "8521 10 300 0; 8521 10 800 0" заменить кодами ТН ВЭД
"8519 81 540 1; 8519 81 580; 8519 81 900 0" и "8521 10 200 0; 8521 10
950 0" соответственно;
в пунктах 3.1.2.1.1 и 3.1.2.1.6 код ТН ВЭД "8520 90 900 0"
заменить кодом ТН ВЭД "8519 89 900 0";
в пункте 3.1.2.1.3 код ТН ВЭД "8471 70 600 0" заменить кодом ТН
ВЭД "8471 70 800 0";
в пункте 3.1.2.1.6 коды ТН ВЭД "8471 50; 8471 60 100 0; 8471 60
900 0; 8471 70 100 0; 8471 70 510 0; 8471 70 530 0; 8520 90 100 0" и
"8522 90 590 0; 8522 90 930 0; 8522 90 980 0" заменить кодами ТН ВЭД
"8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0;
8519 81 900 0" и "8522 90 400 0; 8522 90 800 0" соответственно;
пункт 3.1.2.2 дополнить примечанием следующего содержания:
"Примечание.
Контрольный статус анализаторов
сигналов, генераторов сигналов,
схемных анализаторов и
микроволновых приемников-тестеров
как функционально законченных
приборов определяется по пункту
3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или
3.1.2.6 соответственно;";
в пунктах 3.1.2.3.1 - 3.1.2.3.3 код ТН ВЭД "9030 83 900 0"
заменить кодом ТН ВЭД "9030 84 000 9";
в пункте 3.1.2.4:
слова "внутренней эталонной частоты" заменить словами
"внутреннего задающего эталонного генератора";
подпункт "в" изложить в следующей редакции:
"в) время переключения с одной
выбранной частоты на другую,
определенное любым из следующего:
менее 10 нс;
менее 100 мкс для любого изменения
частоты, превышающего 1,6 ГГц, в
пределах диапазона синтезированных
частот выше 3,2 ГГц, но не
превышающего 10,6 ГГц;
менее 250 мкс для любого изменения
частоты, превышающего 550 МГц, в
пределах диапазона синтезированных
частот выше 10,6 ГГц, но не
превышающего 31,8 ГГц;
менее 500 мкс для любого изменения
частоты, превышающего 550 МГц, в
пределах диапазона синтезированных
частот выше 31,8 ГГц, но не
превышающего 43,5 ГГц; или
менее 1 мс в пределах диапазона
синтезированных частот,
превышающего 43,5 ГГц; или";
примечание изложить в следующей редакции:
"Примечания:
1. Для целей пункта 3.1.2.4
генераторы сигналов
синтезированных частот включают в
себя генераторы импульсов
произвольной формы и генераторы
функций
2. По пункту 3.1.2.4 не
контролируется аппаратура, в
которой выходная частота создается
либо путем сложения или вычитания
частот с двух или более кварцевых
генераторов, либо путем сложения
или вычитания с последующим
умножением результирующей частоты
Техническое примечание.
Генераторы импульсов произвольной
формы и генераторы функций обычно
определяются частотой выборки
(например, Гвыб./с), которая
преобразовывается в радиочастотную
область посредством коэффициента
Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с
произвольных импульсов имеет
возможность прямого вывода 500 МГц
или при использовании выборки с
запасом по частоте дискретизации
максимальная возможность прямого
вывода пропорционально ниже";
в пункте 3.1.2.5 код ТН ВЭД "9030 40 900 0" заменить кодом ТН ВЭД
"9030 40 000 0";
в пункте 3.1.2.6 код ТН ВЭД "8527 90 980 0" заменить кодом ТН ВЭД
"8517 69 390 0";
в пункте 3.1.3 код ТН ВЭД "8424 89 950 9" заменить кодом ТН ВЭД
"8424 89 000 9";
в пункте 3.2.1:
пункт 3.2.1.1.1 изложить в следующей редакции:
"3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8486 10 000 9";
производство слоя из любого
материала, отличного от кремния, с
отклонением равномерности толщины
менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм
или более;
в пункте 3.2.1.1.3 коды ТН ВЭД "8479 89 700 0; 8543 89 650 0"
заменить кодом ТН ВЭД "8486 10 000 9";
в пункте 3.2.1.2 код ТН ВЭД "8543 11 000 0" заменить кодом ТН ВЭД
"8486 20 900 9";
в пунктах 3.2.1.3.1 и 3.2.1.3.2 коды ТН ВЭД "8456 91 000 0; 8456
99 800 0" заменить кодами ТН ВЭД "8456 90 000 0; 8486 20 900 2";
в пункте 3.2.1.4 коды ТН ВЭД "8419 89 200 0; 8419 89 300 0"
заменить кодами ТН ВЭД "8419 89 300 0; 8486 20 900 9";
в пункте 3.2.1.5 коды ТН ВЭД "8456 91 000 0; 8456 99 800 0; 8456
99 300 0; 8479 50 000 0" заменить кодами ТН ВЭД "8456 90 000 0; 8479
50 000 0; 8486 20 900 2; 8486 20 900 3";
в пункте 3.2.1.6:
в пункте 3.2.1.6.1 код ТН ВЭД "9009 22 000 0" заменить кодом ТН
ВЭД "8443 39 290 0";
включить после технического примечания к названному пункту новый
пункт 3.2.1.6.2 следующего содержания:
"3.2.1.6.2. Литографическое оборудование для 8443 39;
печати, способное создавать 8486 20 900";
элементы размером 180 нм или менее
Примечание.
Пункт 3.2.1.6.2 включает:
а) инструментальные средства для
микроконтактной литографии;
б) инструментальные средства для
горячего тиснения;
в) литографические
инструментальные средства для
нанопечати;
г) литографические
инструментальные средства для
поэтапной и мгновенной печати;
в пункте 3.2.1.6.2 код ТН ВЭД "8456 99" заменить кодами ТН ВЭД
"8486 20 900 3; 8486 40 000 1" и считать пункт пунктом 3.2.1.6.3;
в пунктах 3.2.1.7 и 3.2.1.8 код ТН ВЭД "9010 90" заменить кодом
ТН ВЭД "8486 90 900 3";
дополнить пункт пунктом 3.2.1.9 следующего содержания:
"3.2.1.9. Литографические шаблоны для 8486 90 900 3";
печати, разработанные для
интегральных схем, контролируемых
по пункту 3.1.1
в пунктах 3.2.2.1, 3.2.2.2 и 6.2.7 код ТН ВЭД "9031 80 390 0"
заменить кодом ТН ВЭД "9031 80 380 0";
в пункте 3.3:
в пункте 3.3.2.1 цифры "350" заменить цифрами "245";
дополнить пункт пунктом 3.3.5 следующего содержания:
"3.3.5. Подложки из карбида кремния (SiC), 3818 00 900 0";
имеющие удельное сопротивление
более 10 000 Омєсм
примечание к пункту 3.5.1 изложить в следующей редакции:
"Примечание.
По пункту 3.5.1 не контролируются
технологии для:
а) производства оборудования или
компонентов, контролируемых по
пункту 3.1.3;
б) разработки или производства
интегральных схем, контролируемых
по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11,
имеющих все нижеперечисленные
признаки:
использующие технологии
с разрешением 0,5 мкм или выше
(хуже); и не содержащие
многослойных структур
Техническое примечание.
Для целей пункта "б" примечания
многослойные структуры не включают
приборов, содержащих максимум три
металлических слоя и три слоя
поликристаллического кремния";
пункт 3.5.2 изложить в следующей редакции:
"3.5.2. Технологии в соответствии с общим
технологическим примечанием к
настоящему Списку другие, чем те,
которые контролируются по пункту
3.5.1, для разработки или
производства ядра микросхем
микропроцессора, микроЭВМ или
микроконтроллера, имеющих
арифметико-логическое устройство с
длиной выборки 32 бит или более и
любые из нижеприведенных
особенностей или характеристик:
а) блок векторного процессора,
предназначенный для выполнения
более двух вычислений с векторами
для операций с плавающей запятой
(одномерными 32-разрядными или
более массивами) одновременно
Техническое примечание.
Блок векторного процессора
является процессорным элементом со
встроенными операторами, которые
выполняют многочисленные
вычисления с векторами для
операций с плавающей запятой
(одномерными 32-разрядными или
более массивами) одновременно,
имеющим, по крайней мере, одно
векторное арифметико-логическое
устройство;
б) разработанных для выполнения
более двух 64-разрядных или более
операций с плавающей запятой,
проходящих за цикл; или
в) разработанных для выполнения
более четырех 16-разрядных
операций умножения с накоплением с
фиксированной запятой, проходящих
за цикл (например, цифровая
обработка аналоговой информации,
которая была предварительно
преобразована в цифровую форму,
также известная как цифровая
обработка сигналов)
Примечание.
По подпункту "в" пункта 3.5.2 не
контролируется технология
мультимедийных расширений
Примечания:
1. По пункту 3.5.2 не
контролируются технологии для
разработки или производства ядер
микропроцессоров, имеющих все
нижеперечисленные признаки:
использующие технологии с
разрешением 0,130 мкм или выше
(хуже); и
содержащие многослойные структуры
с пятью или менее металлическими
слоями
2. Пункт 3.5.2 включает технологии
для процессоров цифровой обработки
сигналов и цифровых матричных
процессоров";
примечание к пунктам 3.5.1 и 3.5.2 и техническое примечание к
нему исключить;
в категории 4:
в пунктах 4.1.2.1 - 4.1.2.3 коды ТН ВЭД "8471 (кроме 8471 10)"
заменить кодами ТН ВЭД "8471 60; 8471 70; 8471 80 000 0; 8471 90 000
0";
в пункте 4.1.2.2 слова "совокупную теоретическую
производительность (СТП), превышающую 190 000 Мтопс" заменить словами
"приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,75
взвешенных ТераФЛОПС (ВТ)";
в пункте 4.1.2.3 слова "вычислительных элементов таким образом,
чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок
превышала пределы, указанные" заменить словами "процессоров таким
образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение,
указанное";
в пункте 4.1.2.4 код ТН ВЭД "8543 90 200 0" заменить кодом ТН ВЭД
"8543 90 000 9";
в пунктах 4.1.2.5 и 5.1.2.1.6 код ТН ВЭД "8517 50" заменить
кодами ТН ВЭД "8517 61 000 1; 8517 62 000 1";
в пунктах 4.4.1.2 и 4.5.2:
в подпунктах "а" слова "совокупную теоретическую
производительность (СТП), превышающую 75 000 Мтопс" заменить словами
"приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,04
взвешенных ТераФЛОПС (ВТ)";
в подпунктах"б":
слова "вычислительных элементов (ВЭ)" заменить словом
"процессоров";
слово "СТП" заменить словом "ППП";
слова "пределы, указанные" заменить словами "пороговое значение,
указанное";
подпункт "б" пункта 4.5.2 дополнить словами "пункта 4.5.2";
техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической
производительности) к категории исключить;
дополнить категорию техническим примечанием следующего
содержания:
"Техническое примечание по определению приведенной пиковой
производительности (ППП).
ППП - это приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ
выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с
плавающей запятой.
Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:
n - количество процессоров в цифровой ЭВМ
i - номер процессора (i,... n)
t - время цикла процессора (t = 1 /F )
i i i
F - частота процессора
i
R - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой
i
W - коэффициент согласования с архитектурой.
i
12
ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (10 )
приведенных операций с плавающей запятой в секунду.
Схема способа вычисления ППП:
1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество
64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗ ),
i
выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.
Примечание.
При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более
операции сложения и/или умножения с плавающей запятой за цикл
процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть
выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, не
способных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с
плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.
2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого
процессора:
R = ОПЗ / t .
i i i
3. Вычисляется ППП следующим образом:
ППП = W x R + W x R + ... + W x R .
1 1 2 2 n n
4. Для векторных процессоров - W = 0,9, для невекторных
i
процессоров - W = 0,3.
i
Примечания:
1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле,
такие, как сложение и умножение, считается каждая операция
2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R
выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной
скорости
3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна
быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине
перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные
операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в
руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих,
параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения
процессором команд программы
4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные
входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы,
устройства связи и мониторы)
5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров,
объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно
используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами
ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми
при помощи программного обеспечения
6. Значения ППП должны вычисляться для:
а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные
процессоры для повышения производительности путем объединения,
одновременно работающей и совместно используемой памяти; или
б) многочисленных комбинаций память/процессор, работающих
одновременно с использованием специально разработанных аппаратных
средств
7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными
командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для
операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более
массивами) одновременно, имеющий, по крайней мере, два векторных
функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов
емкостью, по крайней мере, 64 элемента каждый";
в части 1 категории 5:
в пунктах 5.1.1.1.1 - 5.1.1.1.3:
код ТН ВЭД "8517;" исключить;
код ТН ВЭД "8527 90 980 0;" после кода ТН ВЭД "8525 20 990;"
исключить, включив его после кода ТН ВЭД "8525 20 910 0;" и заменив
кодом ТН ВЭД "8517 69 390 0;";
в пункте 5.1.1.2 слово "передающие" исключить;
в пункте 5.1.1.2.2:
слова "обладающей любой из следующих характеристик" заменить
словами "имеющей все следующие характеристики";
подпункт "а" исключить;
в подпункте "б":
слова "б) имеет все следующие составляющие:" исключить;
абзацы второй и третий считать подпунктами "а" и "б"
соответственно;
в пункте 5.1.1.2.3 после слова "частоты" включить слова ", не
контролируемой по пункту 5.1.1.2.4";
пункт 5.1.1.2.4 изложить в следующей редакции:
"5.1.1.2.4. Являются радиоаппаратурой, 8517 12 000 0;
использующей технологию 8517 61 000 9;
сверхширокополосной модуляции, 8525 60 000 0";
имеющей программируемые
пользователем коды формирования
каналов, коды шифрования или коды
опознавания сети, имеющей любую из
следующих характеристик:
а) ширину полосы частот,
превышающую 500 МГц; или
б) относительную ширину полосы
частот 20% или более;
техническое примечание к пункту 5.1.1.2.6 изложить в следующей
редакции:
"Технические примечания:
1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при
наличии выходного устройства для
кодирования речевых сигналов
связной речи с изменяющейся
скоростью
2. Для целей пункта 5.1.1.2.6
"кодирование речи" определяется
как техника взятия образцов
человеческого голоса с последующим
преобразованием этих образцов в
цифровой сигнал с учетом
специфических параметров
человеческой речи";
в пункте 5.1.1.5:
код ТН ВЭД "8525 20 990 9" заменить кодом ТН ВЭД "8517 61 000 9";
в подпункте "а" слова "1 МГц или выше;" заменить словами "10 МГц
или выше; и";
подпункт "б" изложить в следующей редакции:
"б) способное находить азимутальное
направление (АН) к
невзаимодействующим
радиопередатчикам с длительностью
сигнала менее 1 мс";
подпункт "в" исключить;
в пунктах 5.1.1.5 и 7.1.6 код ТН ВЭД "8526 91 900 0" заменить
кодом ТН ВЭД "8526 91 200 0";
после пункта 5.1.1.5 включить пункты 5.1.1.6 и 5.1.1.7 следующего
содержания:
"5.1.1.6. Оборудование подавления сигналов, 8525 60 000 0;
специально разработанное или 8526 10 000 9
модифицированное для умышленного
и избирательного вмешательства в
работу мобильной сотовой
дистанционной связи, ее
прерывания, подавления или
ухудшения, имеющее любую из
нижеследующих характеристик, и
специально разработанные для него
компоненты:
а) имитирующее функции
оборудования сети радиосвязи с
абонентами; или
б) обнаруживающее и использующее
специфические характеристики
применяемого протокола мобильной
сети (например, GSM)
5.1.1.7. Системы или оборудование пассивной 8526 10 000 9";
когерентной локации, специально
разработанные для обнаружения
движущихся объектов и слежения за
ними путем измерения отражений
фоновых радиочастотных излучений,
подаваемых передатчиками связи без
радиолокационных средств
Техническое примечание.
Передатчики связи без
радиолокационных средств могут
включать базовые коммерческие
радио-, телевизионные станции или
станции сотовых телефонов
Примечание.
По пункту 5.1.1.7 не
контролируются:
а) радиоастрономическое
оборудование;
б) системы или оборудование,
которым требуется какой-либо
радиосигнал от движущегося объекта
пункты 5.4.1.3 и 5.4.1.3.2 исключить;
пункт 5.4.1.3.1 считать пунктом 5.4.1.3;
в пункте 5.5.1.3.4:
в подпункте "а" слово "или" исключить;
включить после примечания к подпункту "б" подпункт "в" следующего
содержания:
"в) работающей в диапазоне частот
1,5 - 87,5 МГц и включающей
адаптивные системы, обеспечивающие
более 15 дБ подавления помехи;
или";
в части 2 категории 5:
в пункте 5.1.2:
в пункте 5.1.2.1.4 после слова "спектром" включить слова ", не
контролируемые по пункту 5.1.2.1.5";
пункт 5.1.2.1.5 изложить в следующей редакции:
"5.1.2.1.5. Разработанные или 8471;
модифицированные с целью 8543 70 900 9";
применения криптографических
методов образования кодов
формирования каналов, кодов
шифрования или кодов опознавания
сети для систем, использующих
технологию сверхширокополосной
модуляции, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) ширину полосы частот,
превышающую 500 МГц; или
б) относительную ширину полосы
частот 20% или более;
включить после пункта 5.1.2.1.6 пункт 5.1.2.1.7 следующего
содержания:
"5.1.2.1.7. Разработанные или 8471;
модифицированные для 8543 70 900 9";
использования в квантовой
криптографии
Техническое примечание.
Квантовая криптография также
известна как квантовое
распределение ключей (КРК)
в пункте "в" примечания к пункту:
в конце подпункта 2 слово "или" исключить, дополнив им подпункт
3;
включить после подпункта 3 подпункт 4 следующего содержания:
"4) шифрованием и/или
расшифрованием для защиты
библиотек (например, наборов
файлов, подпрограмм, объектных
модулей), атрибутов разработки или
связанных данных для разработки
полупроводниковых устройств или
интегральных схем;";
особое примечание к пунктам 6.1.2.1.3 - 6.1.2.1.3.5 изложить в
следующей редакции:
"Особые примечания:
1. Микроболометрические решетки
фокальной плоскости, непригодные
для применения в космосе, на
основе кремния и другого материала
определяются только по пункту
6.1.2.1.3.6
2. В отношении решеток фокальной
плоскости, указанных в пункте
6.1.2.1.3, см. также пункт
6.1.2.1.3 раздела 2";
в пунктах 6.1.2.4.1, 6.1.2.4.2.1 и 6.1.2.4.2.2 код ТН ВЭД "8418
69 990 9" заменить кодом ТН ВЭД "8418 69 000 9";
в пункте 6.1.3.2.1 коды ТН ВЭД "8525 30; 8525 40" заменить кодом
ТН ВЭД "8525 80";
пункт 6.1.3.2.4 и примечание к нему изложить в следующей
редакции:
"6.1.3.2.4. Камеры формирования изображений, 8525 80 300 0;
включающие решетки фокальной 8525 80 910 9;
плоскости и имеющие любую из 8525 80 990 9";
следующих составляющих:
а) включающие решетки фокальной
плоскости, контролируемые по
пунктам 6.1.2.1.3.1 - 6.1.2.1.3.5;
или
б) включающие решетки фокальной
плоскости, контролируемые по
пункту 6.1.2.1.3.6
Примечания:
1. Камеры формирования
изображения, описанные в пункте
6.1.3.2.4, включают решетки
фокальной плоскости, объединенные
с электронным устройством для
обработки поступивших от них
сигналов, позволяющие получить, по
крайней мере, выходной аналоговый
или цифровой сигнал в момент
подачи питания
2. По подпункту "а" пункта
6.1.3.2.4 не контролируются камеры
формирования изображений,
содержащие линейные решетки
фокальной плоскости с 12 или
меньшим числом элементов без
задержки по времени и
интегрирования сигнала в элементе,
разработанные для любого из
следующего:
а) промышленных или гражданских
систем охранной сигнализации,
систем управления движением
транспорта или перемещением на
производстве и систем учета;
б) производственного
оборудования, используемого для
контроля или мониторинга тепловых
потоков в зданиях, оборудовании
или производственных процессах;
в) производственного
оборудования, используемого для
контроля, сортировки или анализа
состояния материалов;
г) оборудования, специально
разработанного для лабораторного
использования; или
д) медицинского оборудования
3. По подпункту "б" пункта
6.1.3.2.4 не контролируются
камеры формирования изображения,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную частоту смены
кадров, равную или меньше 9 Гц;
б) имеющие все нижеследующее:
1) минимальное горизонтальное или
вертикальное мгновенное поле
обзора (МПО), по крайней мере,
10 мрад/пиксель
(миллирадиан/пиксель);
2) включающие линзы с
фиксированным фокусным
расстоянием без возможности их
удаления;
3) не включающие в свой состав
дисплей непосредственного
отображения изображения; и
Техническое примечание.
Непосредственное отображение
изображения относится к камере
формирования изображения,
работающей в инфракрасном
спектре, которая передает
визуальное изображение
наблюдателю через миниатюрный
дисплей, включающий в себя любой
светозащитный механизм
4) имеющие любое из
нижеследующего:
отсутствие возможности получать
на мониторе фактически
обнаруженное изображение в поле
наблюдения;
являющиеся разработанными только
для одного вида применения и без
возможности изменения
пользователем; или
Техническое примечание.
Мгновенное поле обзора (МПО),
определенное в пункте "б"
примечания 3, является меньшим
показателем из горизонтального
или вертикального поля обзора
(ПО). Горизонтальное МПО равно
значению горизонтального ПО,
отнесенного к количеству
горизонтальных чувствительных
элементов. Вертикальное МПО равно
значению вертикального ПО,
отнесенного к количеству
вертикальных чувствительных
элементов
в) специально разработанные для
установки на гражданское
пассажирское наземное
транспортное средство массой
менее трех тонн (вес брутто
транспортного средства) и
отвечающие всем следующим
требованиям:
1) работают только тогда, когда
они установлены на любое из
следующего:
гражданское пассажирское наземное
транспортное средство, для
которого они предназначались; или
специально разработанное и
сертифицированное испытательное
или тестирующее оборудование для
этих камер; и
2) включают в себя устройство,
которое приводит камеру в
нерабочее состояние при
извлечении ее из транспортного
средства, для которого камера
предназначалась
Примечание.
В случае необходимости детали
изделия предоставляются
соответствующему уполномоченному
органу Российской Федерации по
его требованию, чтобы убедиться в
их соответствии условиям,
изложенным в подпункте 4
пункта "б" и пункте "в"
вышеупомянутого примечания 3
особое примечание к пунктам 6.1.3.2.3 - 6.1.3.2.4 исключить после
примечания к пункту 6.1.3.2, включив его после названного примечания к
пункту 6.1.3.2.4 и заменив в нем слова "пункты 6.1.3.1 -" словами
"пункты 6.1.3.1.1 и";
после пункта 6.1.4.1.4 включить особое примечание следующего
содержания:
"Особое примечание.
Для оптических зеркал, специально
разработанных для литографического
оборудования, см. пункт 3.2.1";
в примечании к пункту 6.1.4.5:
в пункте "а" слова "относительное отверстие, равное или больше
4,5:1 (отношение диаметра к фокусному расстоянию, равное или больше
4,5:1)" заменить словами "отношение фокусного расстояния к апертуре,
равное или больше 4,5:1";
в пункте "б" слова "относительное отверстие, равное или больше
7:1 (отношение диаметра к фокусному расстоянию, равное или больше
7:1)" заменить словами "отношение фокусного расстояния к апертуре,
равное или больше 7:1";
примечания к пункту 6.1.5 изложить в следующей редакции:
"Примечания:
1. Импульсные лазеры включают
лазеры, генерирующие импульсы на
фоне непрерывной накачки
2. Эксимерные, полупроводниковые,
химические лазеры, лазеры на
оксиде углерода (CO) и диоксиде
углерода (CO ) и одноимпульсные
2
лазеры на неодимовом стекле
определяются только по пункту
6.1.5.4
3. Пункт 6.1.5 включает волоконные
лазеры
4. Контрольный статус лазеров,
использующих преобразование
частоты (изменение длины волны)
другим способом, чем накачка
лазера другим лазером,
определяется как параметрами
выходного излучения лазера, так и
параметрами частотно-
преобразованного оптикой излучения
5. По пункту 6.1.5 не
контролируются следующие лазеры:
а) рубиновые с выходной энергией
менее 20 Дж;
б) азотные;
в) криптоновые
Техническое примечание.
КПД "от розетки" определяется как
отношение выходной мощности (или
средней выходной мощности)
лазерного излучения к общей
электрической входной мощности,
необходимой для работы лазера,
включая
электроснабжение/регулирование
мощности и
терморегулирование/теплообмен";
пункты 6.1.5.1 - 6.1.5.4 изложить в следующей редакции:
"6.1.5.1. Неперестраиваемые непрерывные 9013 20 000 0
(работающие в непрерывном режиме)
лазеры, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны излучения менее 150
нм и выходную мощность более 1 Вт;
б) длину волны излучения 150 нм
или более, но не превышающую 520
нм, и выходную мощность более 30
Вт
Примечание.
По подпункту "б" пункта 6.1.5.1 не
контролируются аргоновые лазеры,
имеющие выходную мощность, равную
или меньше 50 Вт;
в) длину волны излучения более 520
нм, но не превышающую 540 нм, и
имеющие любое из следующего:
выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 50 Вт; или
выходную мощность в многомодовом
режиме генерации поперечных мод
более 150 Вт;
г) длину волны излучения более 540
нм, но не превышающую 800 нм, и
выходную мощность более 30 Вт;
д) длину волны излучения более 800
нм, но не превышающую 975 нм, и
имеющие любое из следующего:
выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 50 Вт; или
выходную мощность в многомодовом
режиме генерации поперечных мод
более 80 Вт;
е) длину волны излучения более 975
нм, но не превышающую 1150 нм, и
имеющие любое из следующего:
1) в режиме генерации одной
поперечной моды имеющие любое из
следующего:
КПД "от розетки" более 12% и
выходную мощность более 100 Вт;
или
выходную мощность более 150 Вт;
или
2) в многомодовом режиме генерации
поперечных мод имеющие любое из
следующего:
КПД "от розетки" более 18% и
выходную мощность более 500 Вт;
или
выходную мощность более 2 кВт
Примечание.
По подпункту 2 вышеупомянутого
пункта "е" не контролируются
многомодовые (по поперечной моде)
промышленные лазеры с выходной
мощностью более 2 кВт, но не
превышающей 6 кВт, общей массой
более 1200 кг. Для целей
настоящего примечания под общей
массой понимается масса всех
компонентов, необходимых для
работы лазера
(например, лазер, источник
питания, теплообменник), но за
исключением внешних оптических
устройств для
преобразования и/или
транспортировки лазерного пучка;
ж) длину волны излучения более
1150 нм, но не превышающую 1555
нм, и имеющие любое из следующего:
выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 50 Вт; или
выходную мощность в многомодовом
режиме генерации поперечных мод
более 80 Вт; или
з) длину волны излучения более
1555 нм и выходную мощность более
1 Вт;
6.1.5.2. Неперестраиваемые импульсные 9013 20 000 0
лазеры, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны излучения менее 150
нм и имеющие любое из следующего:
выходную энергию в импульсе более
50 мДж и пиковую мощность более 1
Вт; или
среднюю выходную мощность более 1
Вт;
б) длину волны излучения 150 нм
или более, но не превышающую 520
нм, и имеющие любое из следующего:
1) выходную энергию в импульсе
более 1,5 Дж и пиковую мощность
более 30 Вт; или
2) среднюю выходную мощность более
30 Вт
Примечание.
По подпункту 2 вышеупомянутого
пункта "б" не контролируются
аргоновые лазеры со средней
выходной мощностью, равной или
меньше 50 Вт;
в) длину волны излучения более 520
нм, но не превышающую 540 нм, и
имеющие любое из следующего:
1) в режиме генерации одной
поперечной моды имеющие любое из
следующего:
выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и пиковую мощность более 50
Вт; или
среднюю выходную мощность более 50
Вт; или
2) в многомодовом режиме генерации
поперечных мод имеющие любое из
следующего:
выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и пиковую мощность более
150 Вт; или
среднюю выходную мощность более
150 Вт;
г) длину волны излучения более 540
нм, но не превышающую 800 нм, и
имеющие любое из следующего:
выходную энергию в импульсе более
1,5 Дж и пиковую мощность более 30
Вт; или
среднюю выходную мощность более 30
Вт;
д) длину волны излучения более 800
нм, но не превышающую 975 нм, и
имеющие любое из следующего:
1) длительность импульса, не
превышающую 1 мкс, и имеющие любое
из следующего:
выходную энергию в импульсе более
0,5 Дж и пиковую мощность более 50
Вт;
среднюю выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 20 Вт; или
среднюю выходную мощность в
многомодовом режиме генерации
поперечных мод более 50 Вт; или
2) длительность импульса более 1
мкс и имеющие любое из следующего:
выходную энергию в импульсе более
2 Дж и пиковую мощность более 50
Вт;
среднюю выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 50 Вт; или
среднюю выходную мощность в
многомодовом режиме генерации
поперечных мод более 80 Вт;
е) длину волны излучения более 975
нм, но не превышающую 1150 нм, и
имеющие любое из следующего:
1) длительность импульса, не
превышающую 1 нс, и имеющие любое
из следующего:
выходную пиковую мощность в
импульсе более 5 ГВт;
среднюю выходную мощность более 10
Вт; или
выходную энергию в импульсе более
0,1 Дж;
2) длительность импульса более 1
нс, но не превышающую 1 мкс, и
имеющие любое из следующего:
в режиме генерации одной
поперечной моды имеющие любое из
следующего:
- пиковую мощность более 100 МВт;
- среднюю выходную мощность более
20 Вт, конструктивно ограниченную
максимальной частотой повторения
импульсов, равной или меньше 1
кГц;
- КПД "от розетки" более 12%,
среднюю выходную мощность более
100 Вт и способные работать с
частотой повторения импульса более
1 кГц;
- среднюю выходную мощность более
150 Вт и способные работать при
частоте повторения импульсов более
1 кГц; или
- выходную энергию в импульсе
более 2 Дж; или
в многомодовом режиме генерации
поперечных мод имеющие любое из
следующего:
- пиковую мощность более 400 МВт;
- КПД "от розетки" более 18% и
среднюю выходную мощность более
500 Вт;
- среднюю выходную мощность более
2 кВт; или
- выходную энергию в импульсе
более 4 Дж; или
3) длительность импульса более 1
мкс и имеющие любое из следующего:
в режиме генерации одной
поперечной моды имеющие любое из
следующего:
- пиковую мощность более 500 кВт;
- КПД "от розетки" более 12% и
среднюю выходную мощность более
100 Вт; или
- среднюю выходную мощность более
150 Вт; или
в многомодовом режиме генерации
поперечных мод имеющие любое из
следующего:
- пиковую мощность более 1 МВт;
- КПД "от розетки" более 18% и
среднюю выходную мощность более
500 Вт; или
среднюю выходную мощность более 2
кВт;
ж) длину волны излучения более
1150 нм, но не превышающую 1555
нм, и имеющие любое из следующего:
1) длительность импульса, не
превышающую 1 мкс, и имеющие любое
из следующего:
выходную энергию в импульсе более
0,5 Дж и пиковую мощность более 50
Вт;
среднюю выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 20 Вт; или
среднюю выходную мощность в
многомодовом режиме генерации
поперечных мод более 50 Вт; или
2) длительность импульса более 1
мкс и имеющие любое из следующего:
выходную энергию в импульсе более
2 Дж и пиковую мощность более 50
Вт;
среднюю выходную мощность в режиме
генерации одной поперечной моды
более 50 Вт; или
среднюю выходную мощность в
многомодовом режиме генерации
поперечных мод более 80 Вт; или
з) длину волны излучения более
1550 нм и имеющие любое из
следующего:
выходную энергию в импульсе более
100 мДж и пиковую мощность более 1
Вт; или
среднюю выходную мощность более 1
Вт;
6.1.5.3. Перестраиваемые лазеры, имеющие 9013 20 000 0
любую из следующих характеристик:
Примечание.
Пункт 6.1.5.3 включает титано-
сапфировые (Ti:Al O ), тулий-YAG
2 3
(Tm:YAG), тулий-YSGG (Tm:YSGG)
лазеры, лазеры на александрите
(Cr:BeAl O ), лазеры на центрах
2 4
окраски, лазеры на красителях и
жидкостные лазеры
а) длину волны излучения менее 600
нм и имеющие любое из следующего:
выходную энергию в импульсе более
50 мДж и пиковую мощность более 1
Вт; или
среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения
более 1 Вт;
б) длину волны излучения 600 нм
или более, но не превышающую 1400
нм, и имеющие любое из следующего:
выходную энергию в импульсе более
1 Дж и пиковую мощность более 20
Вт; или
среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения
более 20 Вт; или
в) длину волны излучения более
1400 нм и имеющие любое из
следующего:
выходную энергию в импульсе более
50 мДж и пиковую мощность более 1
Вт; или
среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения
более 1 Вт;
6.1.5.4. Другие лазеры, не контролируемые
по пунктам 6.1.5.1 - 6.1.5.3:
6.1.5.4.1. Полупроводниковые лазеры:
Примечания:
1. Пункт 6.1.5.4.1 включает
полупроводниковые лазеры, имеющие
оптические волоконные выходы
2. Контрольный статус
полупроводниковых лазеров,
специально разработанных для
другого оборудования, определяется
по контрольному статусу этого
другого оборудования
6.1.5.4.1.1. Одиночные полупроводниковые 8541 40 100 0
лазеры, работающие в режиме
генерации одной поперечной моды,
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны, равную или меньше
1510 нм, и среднюю выходную
мощность или мощность непрерывного
излучения более 1,5 Вт; или
б) длину волны более 1510 нм и
среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения
более 500 мВт;
6.1.5.4.1.2. Одиночные многомодовые (по 8541 40 100 0
поперечной моде) полупроводниковые
лазеры, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) длину волны менее 1400 нм и
среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения
более 10 Вт;
б) длину волны, равную или больше
1400 нм, но менее 1900 нм, и
среднюю выходную мощность или
мощность непрерывного излучения
более 2,5 Вт; или
в) длину волны, равную или больше
1900 нм, и среднюю выходную
мощность или мощность непрерывного
излучения более 1 Вт;
6.1.5.4.1.3. Отдельные линейки 8541 40 100 0
полупроводниковых лазеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) длину волны менее 1400 нм и
Страницы: 1 2 |