| | | | | | | | радиоэлектронных систем, а | | | | | | | | | также миниатюрной аппаратуры | | | | | | | | | миллиметрового диапазона | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 52. Разработка технологии | 54,6 | 10,4 | 10,4 | 10,8 | 11,2 | 11,8 | технологии производства | | изготовления современных | 27,3 | 5,2 | 5,2 | 5,4 | 5,6 | 5,9 | твердотельных микроэлектронных | | гетероструктур, | | | | | | | гетероструктур на основе | | широкозонных | | | | | | | арсенида галлия, нитрида | | полупроводниковых | | | | | | | галлия и карбида кремния на | | соединений и новых | | | | | | | пластинах диаметром до 100 мм, | | диэлектрических | | | | | | | обеспечивающих последующую | | материалов для приборов и | | | | | | | размерную обработку менее 0,1 | | МИС СВЧ-техники | | | | | | | мкм | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 53. Разработка | 32,6 | 6,2 | 6,2 | 6,4 | 6,8 | 7 | создание метрической | | технологии и базовых | 16,3 | 3,1 | 3,1 | 3,2 | 3,4 | 3,5 | аппаратуры нового поколения | | конструкций установок | | | | | | | для исследований параметров | | нового поколения для | | | | | | | полупроводниковых структур, | | автоматизированного | | | | | | | активных элементов и МИС СВЧ в | | измерения параметров | | | | | | | процессах их изготовления и | | нелинейных моделей | | | | | | | финишных операций сдачи | | СВЧ-полупроводниковых | | | | | | | продукции с целью повышения | | структур, мощных | | | | | | | процента выхода годных | | транзисторов и МИС | | | | | | | изделий, их долговечности и | | СВЧ-диапазона | | | | | | | надёжности при эксплуатации | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Инвестиционные проекты (капитальные вложения) | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 54. Создание мощностей | 130 | 10 | 12 | 22 | 20 | 66 | производство отечественных | | по выпуску | 130 | 10 | 12 | 22 | 20 | 66 | больших плазменных панелей на | | газоразрядных | | | | | | | базе новых технологий для | | индикаторных | | | | | | | телевизоров с большим экраном | | панелей для | | | | | | | и других средств отображения | | телевизоров с | | | | | | | информации коллективного | | плоским экраном на | | | | | | | пользования с равномерным | | базе ОАО "Плазма", | | | | | | | цветным изображением и высокой | | г. Рязань | | | | | | | разрешающей способностью | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | ВСЕГО по | 769 | 131,8 | 133,8 | 148 | 152,2 | 203,2 | | | разделу V | 449,5 | 70,9 | 72,9 | 85 | 86,1 | 134,6 | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | в том | | | | | | | | | числе: | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | НИОКР | 639 | 121,8 | 121,8 | 126 | 132,2 | 137,2 | | | | 319,5 | 60,9 | 60,9 | 63 | 66,1 | 68,6 | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | капитальные | 130 | 10 | 12 | 22 | 20 | 66 | | | вложения | 130 | 10 | 12 | 22 | 20 | 66 | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | VI. Оптоэлектронные, лазерные и инфракрасные технологии | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 55. Исследования и | 66,2 | 12,6 | 12,6 | 13,2 | 13,6 | 14,2 | создание научных основ и | | разработка | 33,1 | 6,3 | 6,3 | 6,6 | 6,8 | 7,1 | элементной базы для разработки | | технологий | | | | | | | приборов и систем на основе | | производства | | | | | | | высокоэффективных | | твердотельных | | | | | | | твердотельных лазеров нового | | лазеров с диодной | | | | | | | поколения с КПД не ниже 10 | | накачкой. | | | | | | | процентов, уровнем мощности до | | Совершенствование и | | | | | | | 1 кВт для использования в | | создание элементной | | | | | | | промышленности, медицине, | | базы твердотельных | | | | | | | связи и в различных | | лазеров | | | | | | | информационных системах | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 56. Разработка новых | 72,6 | 13,8 | 13,8 | 14,4 | 15 | 15,6 | разработка технологии создания | | технологий фотоники | 36,3 | 6,9 | 6,9 | 7,2 | 7,5 | 7,8 | принципиально новых элементов | | и оптоэлектроники на | | | | | | | и систем фотонной обработки | | полупроводниковых | | | | | | | информации с | | гетероструктурах | | | | | | | производительностью, | | | | | | | | | многократно превышающей | | | | | | | | | предельную производительность | | | | | | | | | электронных информационно - | | | | | | | | | обрабатывающих систем (в том | | | | | | | | | числе разработка технологии | | | | | | | | | выращивания функциональных | | | | | | | | | полупроводниковых | | | | | | | | | гетероструктур, диагностика и | | | | | | | | | сертификация функциональных | | | | | | | | | параметров, создание образцов | | | | | | | | | элементов и систем); создание | | | | | | | | | на основе полупроводниковых | | | | | | | | | гетероструктур новых типов | | | | | | | | | оптоэлектронных приборов | | | | | | | | | (инжекционных источников | | | | | | | | | излучения, светодиодов, | | | | | | | | | биполярных, биполярноподобных | | | | | | | | | транзисторов и т.д.) для | | | | | | | | | систем передачи, обработки и | | | | | | | | | отображения информации | | | | | | | | | производственного и | | | | | | | | | экологического контроля, | | | | | | | | | медицины и т.д. | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 57. Отработка базовых | 83 | 15,8 | 15,8 | 16,4 | 17,2 | 17,8 | создание технологий получения | | технологий производства | 41,5 | 7,9 | 7,9 | 8,2 | 8,6 | 8,9 | высокоточных асферических | | новых марок оптического | | | | | | | деталей диаметром до 100 мм | | стекла с заранее | | | | | | | (асферичность до 300 мкм) на | | заданными свойствами, | | | | | | | основе прогрессивных и | | лазерных стекол, | | | | | | | оригинальных методов | | оптических кристаллов, | | | | | | | формирования асферических | | получения оптических | | | | | | | поверхностей в полимерном | | элементов из стекла | | | | | | | слое, нанесенном на | | керамики и полимерных | | | | | | | сферическую поверхность | | материалов, в том числе | | | | | | | невысокой точности, оптических | | монокристаллов фторидов | | | | | | | покрытий для дорожных знаков | | кальция и магния для | | | | | | | на основе нанокомпозиционных | | фотолитографических | | | | | | | пленочных светофильтров; | | объективов; технологий | | | | | | | технологий получения | | сборки и юстировки | | | | | | | дифракционных решеток для | | фотолитографических | | | | | | | компрессии лазерных импульсов | | объективов, включая | | | | | | | наносекундной длительности | | создание | | | | | | | ближней части ИК-спектра (для | | специализированных | | | | | | | неодимовых и титан-сапфировых | | стендов; технологий | | | | | | | технологических лазеров) и | | оптических покрытий, | | | | | | | оптических элементов для | | включая | | | | | | | торцевой подсветки экранов | | нанокомпозиционные | | | | | | | персональных компьютеров | | пленочные; новых | | | | | | | переносного типа, элементов | | технологий производства | | | | | | | управления излучением лазеров, | | оптических структур для | | | | | | | используемых в системах | | управления лазерным | | | | | | | оптической связи и т.д. | | излучением | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 58. Разработка базовых | 72,6 | 13,8 | 13,8 | 14,4 | 15 | 15,6 | создание технологии получения | | технологий построения | 36,3 | 6,9 | 6,9 | 7,2 | 7,5 | 7,8 | светочувствительных | | сверхпроводниковых и | | | | | | | многоэлементных структур со | | неохлаждаемых | | | | | | | свойствами высокотемпературной | | полупроводниковых | | | | | | | сверхпроводимости, | | структур и устройств на | | | | | | | фотоприемных устройств, в том | | их основе; технологии | | | | | | | числе охлаждаемых двухцветных | | изготовления | | | | | | | субматричных фотоприемников, | | крупноформатных матричных | | | | | | | интегрированных в единый | | фотоприемных комплексов | | | | | | | криостат для сканирующих | | на основе фотодиодов из | | | | | | | высокочувствительных систем, | | теллурида кадмия - ртути, | | | | | | | акустически управляемых | | квантоворазмерных | | | | | | | интегрально-оптических | | гетероструктур и | | | | | | | датчиков для регистрации | | примесных материалов | | | | | | | оптического излучения, линий | | ИК-диапазона спектра (3-5 | | | | | | | оптической связи, гироскопов | | и 8-12 мкм); технологии | | | | | | | (оптических датчиков) и др. | | получения эпитаксиальных | | | | | | | элементов когерентной оптики; | | пленок, акустически | | | | | | | создание эпитаксиальных пленок | | управляемых | | | | | | | для производства лазерных | | интегральнооптических | | | | | | | кинескопов, не имеющих | | датчиков и тонкопленочных | | | | | | | аналогов в мире | | элементов оптически и | | | | | | | | | электрически управляемых | | | | | | | | | транспарантов, | | | | | | | | | формирование | | | | | | | | | микрорисунков на | | | | | | | | | интегральных и | | | | | | | | | оптоэлектронных схемах | | | | | | | | | нанометрового масштаба | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 59. Совершенствование | 44 | 8,4 | 8,4 | 8,8 | 9 | 9,4 | создание промышленных образцов | | технологии производства | 22 | 4,2 | 4,2 | 4,4 | 4,5 | 4,7 | оптического волокна для линий | | оптического волокна и | | | | | | | связи со сверхнизкими потерями | | оптоволоконных датчиков, | | | | | | | и оптических линий передачи | | в том числе активного | | | | | | | информации; создание образцов | | волокна, волноводных | | | | | | | датчиков физических величин | | планарных и канальных | | | | | | | для контроля производственных | | структур на различных | | | | | | | процессов в машиностроении, | | материалах | | | | | | | атомной энергетике, химической | | | | | | | | | промышленности; разработка | | | | | | | | | базовой технологии получения | | | | | | | | | активного волокна, | | | | | | | | | позволяющего усиливать | | | | | | | | | оптические сигналы в | | | | | | | | | магистральных линиях связи, | | | | | | | | | что позволит увеличить | | | | | | | | | расстояния между | | | | | | | | | рентрансляторами до 200 км | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 60. Разработка на основе | 55,6 | 10,6 | 10,6 | 11 | 11,4 | 12 | создание нового поколения | | прогрессивных | 27,8 | 5,3 | 5,3 | 5,5 | 5,7 | 6 | спектрофотометров, | | технологий гаммы | | | | | | | спектрометров с повышенным | | аналитических | | | | | | | разрешением, световых | | оптических приборов | | | | | | | микроскопов, рефрактометров, | | для решения широкого | | | | | | | поляриметров, | | спектра задач | | | | | | | автоматизированных приборов и | | общепромышленного и | | | | | | | систем и др. | | научного характера в | | | | | | | | | базовых отраслях: | | | | | | | | | металлургии, | | | | | | | | | нефтехимии, | | | | | | | | | машиностроении, | | | | | | | | | лесопромышленном и | | | | | | | | | аграрном комплексах, | | | | | | | | | а также для | | | | | | | | | обеспечения контроля | | | | | | | | | за окружающей средой | | | | | | | | | в режиме мониторинга | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 61. Создание | 55,6 | 10,6 | 10,6 | 11 | 11,4 | 12 | разработка гаммы специального | | прогрессивных | 27,8 | 5,3 | 5,3 | 5,5 | 5,7 | 6 | оборудования, включающего: | | технологий и | | | | | | | специальное, механизированное | | оборудования для | | | | | | | и автоматизированное | | обработки кристаллов | | | | | | | заготовительное оборудование, | | и асферической | | | | | | | обработку и контроль | | оптики | | | | | | | параметров заготовок | | | | | | | | | оптических деталей, | | | | | | | | | полирования и доводки, | | | | | | | | | обработки кристаллов, | | | | | | | | | асферической оптики, | | | | | | | | | прецизионной обработки | | | | | | | | | оптических деталей из | | | | | | | | | нетрадиционных материалов; | | | | | | | | | создание новых видов | | | | | | | | | шлифовальных и полировочных | | | | | | | | | материалов и инструмента | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 62. Разработка и | 4,2 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 1 | промышленное освоение МКП с | | освоение | 2,1 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | пленочными усилителями с | | технологии | | | | | | | повышенной информативностью - | | мелкоструктурных | | | | | | | разрешающей способностью не | | малошумящих МКП с | | | | | | | менее 72 штр/мм, улучшенными | | пленочными | | | | | | | пороговыми характеристиками | | усилителями | | | | | | | (фактор шума не более 1,5, | | электронного потока | | | | | | | долговечность не менее 10 | | и на их основе | | | | | | | тыс.ч.), что обеспечит | | электронно - | | | | | | | создание электронно-оптических | | оптических | | | | | | | преобразователей и техники | | преобразователей | | | | | | | ночного видения новых | | четвертого поколения | | | | | | | поколений с увеличенной | | для | | | | | | | минимально в 1,5 раза | | техники ночного | | | | | | | дальностью их эффективного | | видения | | | | | | | действия | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 63. Разработка базовых | 5,2 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1,2 | организация серийного | | технологий получения | 2,6 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,6 | производства типового ряда | | гетероэпитаксиальных | | | | | | | тепловизионной техники | | структур | | | | | | | двойного назначения в | | фоточувствительных слоев | | | | | | | спектральной области 3-5 мкм с | | полноформатной ИК-матрицы | | | | | | | чувствительностью на уровне | | и производственно - | | | | | | | лучших зарубежных аналогов (не | | технологического базиса | | | | | | | 7 2 | | создания фотоприемных | | | | | | | более 5х 10 Вт/см ) | | устройств с | | | | | | | | | использованием | | | | | | | | | современных кремниевых | | | | | | | | | мультиплексоров | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 64. Разработка технологии | 7,4 | 1,4 | 1,4 | 1,4 | 1,6 | 1,6 | в результате выполнения работы | | создания болометрических | 3,7 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,8 | 0,8 | будет создана | | матриц и | | | | | | | конкурентоспособная на мировом | | пироэлектрических | | | | | | | уровне аппаратура ночного | | электронно - оптических | | | | | | | видения с характеристиками на | | преобразователей | | | | | | | уровне лучших зарубежных | | изображения со | | | | | | | аналогов | | спектральной | | | | | | | | | чувствительностью в | | | | | | | | | диапазоне 8-14 мкм | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 65. Разработка технологии | 21,2 | 4 | 4 | 4,2 | 4,4 | 4,6 | достижение перспективного | | создания сложных | 10,6 | 2 | 2 | 2,1 | 2,2 | 2,3 | мирового технико - | | полупроводниковых | | | | | | | экономического уровня | | композиций с низкими | | | | | | | технологий, материалов и | | оптическими потерями, | | | | | | | изделий; выполнение работы | | многоэлементных | | | | | | | позволит создать новое | | интегральных управляемых | | | | | | | поколение высокоэффективных, | | излучательных матриц и | | | | | | | компактных, высоконадежных | | диэлектрических | | | | | | | твердотельных и | | отражающих и | | | | | | | полупроводниковых лазеров, а | | просветляющих покрытий, а | | | | | | | также высокоточных лазерных | | также высокодобротных | | | | | | | гироскопов с круговой и | | кольцевых резонаторов | | | | | | | линейной поляризацией | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 66. Разработка технологии | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | разработка технологии | | создания охлаждаемых | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | промышленного изготовления | | крупногабаритных зеркал | | | | | | | крупногабаритных зеркал из | | диаметром до 2 м для | | | | | | | самосвязанного карбида кремния | | мощных лазеров | | | | | | | с отличным качеством повеpхности | | | | | | | | | (СКО меньше или равно 25 А) | | | | | | | | | позволит значительно улучшить | | | | | | | | | качество излучения лазерных | | | | | | | | | систем средней и большой | | | | | | | | | мощности; будут разработаны | | | | | | | | | конструкция и технология | | | | | | | | | изготовления охлаждаемых | | | | | | | | | зеркал диаметром 1,5 м и | | | | | | | | | диаметpом 2 м; будут разработаны | | | | | | | | | методики и аппаратура контроля | | | | | | | | | зеркал | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 67. Разработка технологии | 4,2 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 1 | разработанные методы и | | улучшения угловой | 2,1 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | аппаратура линейной и | | расходимости излучения | | | | | | | нелинейной адаптации излучения | | мощных лазеров на основе | | | | | | | мощных ИК-лазеров позволят | | методов линейной и | | | | | | | обеспечить расходимость луча | | нелинейной адаптивной | | | | | | | -5 | | оптики | | | | | | | лучше 10 рад,что повысит | | | | | | | | | возможности лазеpных систем | | | | | | | | | pазличного назначения и | | | | | | | | | существенно расширит область | | | | | | | | | пpименения передовых | | | | | | | | | лазерных технологий. | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 68. Разработка базовых | 3 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | cоздание конкурентоспособной | | технологий пpоизводства | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | технологий на мировом рынке | | твеpдотельных | | | | | | | производства радиоэлектронной | | оптоэлектpонных | | | | | | | аппаратуры гражданского и военного | | микросхем | | | | | | | назначения с использованием | | в корпусах | | | | | | | оптических вычислителей и | | для поверхностного | | | | | | | специализиpованных боpтовых | | монтажа | | | | | | | процессоров с увеличенной более | | | | | | | | | чем на три порядка по сравнению с | | | | | | | | | существующими аналогами | | | | | | | | | скоростью обработки информации. | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 69. Разработка базовой | 5,2 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1,2 | создание нового поколения | | технологии | 2,6 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,6 | высокоэффективных индикаторов | | производства | | | | | | | мирового уровня расширенного | | полупроводниковых | | | | | | | диапазона свечения для | | индикаторов нового | | | | | | | широкого применения в | | поколения в широкой | | | | | | | народнохозяйственной и | | видимой области | | | | | | | специальной аппаратуре | | спектра на основе | | | | | | | | | антистоксовых | | | | | | | | | люминофоров | | | | | | | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Инвестиционные проекты (капитальные вложения) | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 70. Организация | 190 | 40,4 | 75 | 3 0 | 44,6 | - | масштабное производство | | серийного | 190 | 40,4 | 75 | 3 0 | 44,6 | - | фотоприемников нового | | производства | | | | | | | поколения на базе новых | | фотоприемников на | | | | | | | технологий; удовлетворение | | основе p-i-n | | | | | | | потребностей отечественного | | фотодиодов на базе | | | | | | | рынка в фотоприемниках на | | ГУП "НПО "Орион", | | | | | | | основе р-i-n фотодиодов, | | г. Москва | | | | | | | применяемых при производстве | | | | | | | | | лазерных дальномеров, систем | | | | | | | | | наведения, дистанционных | | | | | | | | | оптических систем управления, | | | | | | | | | в космических системах | | | | | | | | | мониторинга природных | | | | | | | | | ресурсов, охранных системах и | | | | | | | | | системах оптической связи | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 71. Создание | 51 | 1 | 10 | 20 | 20 | - | обеспечение испытаний и | | модернизированного | 51 | 1 | 10 | 20 | 20 | - | отработка крупногабаритных | | комплекса для | | | | | | | оптических и оптико- | | светотехнических | | | | | | | электронных приборов и систем | | испытаний на базе ФГУП | | | | | | | космических аппаратов двойного | | "НИИКИ ОЭП", г.Сосновый | | | | | | | назначения | | Бор, Ленинградская | | | | | | | | | область | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 72. Модернизация трассового | 103 | 4 | 9 | 30 | 20 | 40 | завершение модернизации | | лазерного комплекса на | 103 | 4 | 9 | 30 | 20 | 40 | уникальной испытательной | | базе ГУП "Государственный | | | | | | | трассы (единственной в России | | научно - исследователький | | | | | | | и в Европе) протяженностью 20 | | испытательный лазерный | | | | | | | км для обеспечения натурных | | центр (полигон) "Радуга", | | | | | | | испытаний лазерной техники | | г. Радужный, Владимирская | | | | | | | нового поколения | | область | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | ВСЕГО по разделу VI | 847 | 141,2 | 189,8 | 179,6 | 188 | 148,4 | | | | 595,5 | 93,3 | 141,9 | 129,8 | 136,3 | 94,2 | | | в том числе: | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | НИОКР | 503 | 95,8 | 95,8 | 99,6 | 103,4 | 108,4 | | | | 251,5 | 47,9 | 47,9 | 49,8 | 51,7 | 54,2 | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | капитальные | 344 | 45,4 | 94 | 80 | 84,6 | 40 | | | вложения | 344 | 45,4 | 94 | 80 | 84,6 | 40 | | | | | | | | 84,6 | | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | VII. Технологии информационных систем | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 73. Разработка базовых | 96,6 | 17,6 | 17,6 | 19,6 | 20,4 | 21,4 | обеспечение экономичного и | | технологий | 48,3 | 8,8 | 8,8 | 9,8 | 10,2 | 10,7 | оперативного составления | | мониторинга, | | | | | | | ресурсных кадастров с высокой | | дистанционного | | | | | | | точностью, создание | | зондирования и | | | | | | | высокоэффективных | | геоинформационных | | | | | | | информационных систем | | систем | | | | | | | . | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 74. Разработка базовых | 110,2 | 21 | 21 | 21,8 | 22,8 | 23,6 | технологии | | технологий | 55,1 | 10,5 | 10,5 | 10,9 | 11,4 | 11,8 | высокопроизводительных | | обработки сигналов | | | | | | | высокоточных бесконтактных | | и видеоинформации | | | | | | | измерений, технологии | | для систем | | | | | | | машинного зрения и | | машинного зрения, | | | | | | | информационной робототехники | | цифровой | | | | | | | | | фотограмметрии и | | | | | | | | | информационной | | | | | | | | | робототехники | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 75. Разработка базовых | 130 | 24,8 | 24,8 | 25,6 | 26,8 | 28 | комплексы программных средств | | технологий | 65 | 12,4 | 12,4 | 12,8 | 13,4 | 14 | для использования в системах | | имитационного | | | | | | | управления, моделирования, | | моделирования | | | | | | | экспериментальной обработки и | | сложных социально - | | | | | | | испытаний, обеспечивающие | | технических систем | | | | | | | уменьшение и исключение | | | | | | | | | потребности в дорогостоящих | | | | | | | | | или опасных натурных | | | | | | | | | испытаниях | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 76. Разработка базовых | 72,6 | 13,8 | 13,8 | 14,4 | 15 | 15,6 | базовые технологии нового | | информационных | 36,3 | 6,9 | 6,9 | 7,2 | 7,5 | 7,8 | поколения тренажеров, | | технологий | | | | | | | высокоэффективных обучающих | | взаимодействия | | | | | | | систем широкого применения | | "человек - машина" | | | | | | | | | на основе систем | | | | | | | | | виртуальной | | | | | | | | | реальности | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 77. Разработка технологий | 141,6 | 27 | 27 | 28 | 29,2 | 30,4 | комплексы программных средств | | создания | 70,8 | 13,5 | 13,5 | 14 | 14,6 | 15,2 | для внедрения в | | автоматизированных систем | | | | | | | промышленности безбумажных | | проектирования и | | | | | | | технологий проектирования и | | производства наукоемкой | | | | | | | производства, обеспечивающие | | техники, основанных на | | | | | | | резкое уменьшение затрат и | | безбумажных технологиях | | | | | | | сроков создания сложных | | (CALS - технологиях) | | | | | | | технических систем | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 78. Разработка базовых | 99,8 | 19 | 19 | 19,8 | 20,6 | 21,4 | макетные образцы систем на | | информационных технологий | 49,9 | 9,5 | 9,5 | 9,9 | 10,3 | 10,7 | основе новых информационных | | для создания систем | | | | | | | технологий | | анализа различных | | | | | | | | | ситуаций, контроля | | | | | | | | | процессов и объектов, | | | | | | | | | систем принятия | | | | | | | | | оперативных решений, | | | | | | | | | планирования, | | | | | | | | | прогнозирования, | | | | | | | | | управления | | | | | | | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 79. Разработка базовых | 106 | 20,2 | 20,2 | 21 | 21,8 | 22,8 | комплексы программно - | | информационных технологий | 53 | 10,1 | 10,1 | 10,5 | 10,9 | 11,4 | технических средств для | | систем сжатия, | | | | | | | использования в информационно - | | кодирования и защиты | | | | | | | управляющих устройствах | | информации | | | | | | | технических систем | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Инвестиционные проекты (капитальные вложения) | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 80. Расширение | 215,3 | 120 | 35,3 | 30 | 30 | - | обеспечение организации | | производства | 215,3 | 120 | 35,3 | 30 | 30 | | крупномасштабного серийного | | радионавигационных | | | | | | | производства спутниковых | | устройств на ФГУП | | | | | | | навигационных | | "РИРВ", г. Санкт - | | | | | | | приемоизмерителей | | Петербург | | | | | | | "ГЛОНАСС/GPS" К-161 для | | | | | | | | | объектов наземного, воздушного | | | | | | | | | и морского базирования | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | ВСЕГО по разделу | 972,1 | 263,4 | 178,7 | 180,2 | 186,6 | 163,2 | | | VII | 593,7 | 191,7 | 107 | 105,1 | 108,3 | 81,6 | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | в том числе: | | | | | | | | | НИОКР | 756,8 | 143,4 | 143,4 | 150,2 | 156,6 | 163,2 | | | | 378,4 | 71,7 | 71,7 | 75,1 | 78,3 | 81,6 | | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | капитальные | 215,3 | 120 | 35,3 | 30 | 30 | - | | | вложения | 215,3 | 120 | 35,3 | 30 | 30 | | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | VIII. Ядерные технологии нового поколения | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 81. Разработка безопасных | 169 | 32,2 | 32,2 | 33,4 | 34,8 | 36,4 | топливный цикл за счет | | технологий ядерного | 84,5 | 16,1 | 16,1 | 16,7 | 17,4 | 18,2 | использования вторичного | | топливного цикла и | | | | | | | плутония в ядерной энергетике | | получения уран - | | | | | | | приведет к улучшению | | плутониевого топлива | | | | | | | экологической обстановки, | | на основе оксидов и | | | | | | | экономических показателей | | нитридов для | | | | | | | плутониевого производства и | | реакторов различного | | | | | | | решению проблемы утилизации | | назначения | | | | | | | накопленного плутония | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 82. Создание базовых | 135,6 | 25,8 | 25,8 | 26,8 | 28 | 29,2 | повышение эксплуатационных | | технологий новых | 67,8 | 12,9 | 12,9 | 13,4 | 14 | 14,6 | характеристик и безопасности | | видов ядерного | | | | | | | ядерных реакторов различного | | топлива для реакторов | | | | | | | назначения; | | различного назначения | | | | | | | использование нового топлива | | | | | | | | | позволит: в энергетических | | | | | | | | | реакторах достигнуть глубины | | | | | | | | | 3 | | | | | | | | | выгорания (80-90)х10 квт/сут т, | | | | | | | | | повысить безопасность реакторов | | | | | | | | | АЭС при протекании тяжелых | | | | | | | | | аварий; в исследовательских | | | | | | | | | реакторах решить задачу | | | | | | | | | использования низкообогащенного | | | | | | | | | урана до 20 процентов; в | | | | | | | | | реакторах двухцелевого | | | | | | | | | назначения повысить | | | | | | | | | энерговыработку на величину до | | | | | | | | | 20 процентов; сжигаемый плутоний | | | | | | | | | энергетического качества в | | | | | | | | | ВВЭР-1000 позволит осуществить | | | | | | | | | замкнутый цикл ядерной | | | | | | | | | энергетики России без | | | | | | | | | воспроизводства нового плутония; | | | | | | | | | создание отечественной | | | | | | | | | безотходной и экологически | | | | | | | | | чистой плазменной технологии | | | | | | | | | позволит получить порошки | | | | | | | | | оксидов урана, пригодные как для | | | | | | | | | изготовления из них таблеток | | | | | | | | | керамического сорта, так и для | | | | | | | | | получения гексафторида урана; | | | | | | | | | создание опытно-промышленной | | | | | | | | | технологии изготовления | | | | | | | | | твэлов для реакторов различного | | | | | | | | | на значения;создание участка для | | | | | | | | | изготовления топлива и опытных | | | | | | | | | твэлов; модернизация установки и | | | | | | | | | выдача исходных данных для | | | | | | | | | создания промышленного аппарата | | | | | | | | | по переработке плава уранилнитрат | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 83. Создание технологий | 72,6 | 13,8 | 13,8 | 14,4 | 15 | 15,6 | расширение сырьевой базы России | | получения природного | 36,3 | 6,9 | 6,9 | 7,2 | 7,5 | 7,8 | редкоземельных элементов | | урана и редких | | | | | | | (природного урана и рения) за счет | | металлов из | | | | | | | вовлечения в комплексную | | российских источников | | | | | | | переработку месторождений способом | | сырья | | | | | | | подземного выщелачивания; | | | | | | | | | экономический эффект с 2004 года | | | | | | | | | составит 90 млн. рублей ежегодно; | | | | | | | | | создание технологии переработки | | | | | | | | | отвального гексафторида урана | | | | | | | | | позволит: исключить хранение | | | | | | | | | больших количеств обедненного | | | | | | | | | урана по изотопу U-235 отвального | | | | | | | | | гексафторида | | | | | | | | | урана (менее 0,1 пpоцента U-235) | | | | | | | | | за счет перевода его в безопасную | | | | | | | | | для хранения форму; возвратить в | | | | | | | | | ядерный топливный цикл и народное | | | | | | | | | хозяйство дефицитный фтор; | | | | | | | | | создание технологий комплексной | | | | | | | | | переработки руд позволит создать | | | | | | | | | минерально-сырьевую базу урана и | | | | | | | | | редких металлов (Zr, Ta, Nb, F, | | | | | | | | | Be, W, Mo, Li, Bi, Re и др.), | | | | | | | | | используемых в ядерном топливном | | | | | | | | | цикле; | | | | | | | | | разработка и испытание | | | | | | | | | технологии и оборудования | | | | | | | | | получения обогащенных | | | | | | | | | редкоземельных концентратов; | | | | | | | | | создание на СХК опытной | | | | | | | | | установки для конверсии | | | | | | | | | отвального гексафторида урана; | | | | | | | | | разработка технологии, | | | | | | | | | оборудования и создание пилотной | | | | | | | | | установки | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 84. Разработка технологий | 135,6 | 25,8 | 25,8 | 26,8 | 28 | 29,2 | обеспечение экологической | | переработки | 67,8 | 12,9 | 12,9 | 13,4 | 14 | 14,6 | безопасности на всех стадиях | | отработавшего | | | | | | | обращения с отходами и | | топлива, других | | | | | | | отработавшим ядерным топливом на | | радиоактивных | | | | | | | предприятиях и организациях | | материалов и | | | | | | | Российской Федерации; повышение | | обращения с | | | | | | | экономичности ядерной энергетики | | радиоактивными | | | | | | | за счет использования замкнутого | | отходами | | | | | | | ядерного цикла | |-----------------------------------|-------------|----------|----------|-----------|---------|-------------|---------------------------------------| | 85. Разработка | 130,2 | 24,8 | 24,8 | 25,8 | 26,8 | 28 | создание лазерной технологии | | уникальных | 65,1 | 12,4 | 12,4 | 12,9 | 13,4 | 14 | очистки и дезактивации металло- | | комплексных ядерных | | | | | | | конструкций, узлов и элементов | | технологий с | | | | | | | реакторов АЭС позволит: уменьшить | | использованием | | | | | | | в приблизительно 1000 раз объем | | ускоренных пучков | | | | | | | загрязняющих веществ, стоимость | | электронов, ионов и | | | | | | | работ по утилизации и захоронению | | лазерной плазмы для | | | | | | | отходов; реализовать возможность | | решения различных | | | | | | | дистанционной обработки наиболее | | задач народного | | | | | | | опасных узлов, элементов и | | хозяйства | | | | | | | металлоконструкций, повысить | | | | | | | | | безопасность работ; годовой | | | | | | | | | экономический эффект от применения | | | | | | | | | технолосоставит примерно 3 млн. | | | | | | | | | рублей в год; | | | | | | | | | создание экспериментального | | | | | | | | | комплекса лазерной дезактивации, | | | | | | | | | новой экологически чистой и | | | | | | | | | энергоэкономичной технологии | | | | | | | | | поверхностной обработки стальных | | | | | | | | | серийных изделий потоками | | | | | | | | | высокотемпературной импульсной | | | | | | | | | плазмы для повышения их | | | | | | | | | эксплуатационных свойств (увеичение | | | | | | | | | микротвердости в 3 раза, | | | | | | | | | износостойкости в 2-4 раза и др.) и | | | | | | | | | ресурса изделий, опытного образца | | | | | | | | | технологической плазменной установки; | | | | | | | | | лазерная технология разделения | | | | | | | | | изотопов средних масс (углерод, | | | | | | | | | кислород, кремний и др.) позволит | | | | | | | | | увеличить объемы производства | | | | | | | | | изотопов для применения в медицине, | | | | | | | | | биологии, химии чистых материалов и | | | | | | | | | др. отраслях техники; данная | | | | | | | | | технология позволит уменьшить | | | | | | | | | стоимость этих изотопов и выйти с | | | | | | | | | ними на внешний рынок; экономический | | | | | | | | | эффект от продажи на внутреннем и | | | | | | | | | внешнем рынках | | | | | | | | | 13 | | | | | | | | | изотопа С составит 0,7 млн. | | | | | | | | | рублей в год; создание участка для | | | | | | | | | 13 | | | | | | | | | получения изотопа С | | | | | | | | | производительностью до 4 кг в год; | | | | | | | | | создание методов и средств | | | | | | | | | радионуклидной томографии для | | | | | | | | | контроля высоконагруженных | | | | | | | | | объектов техники (брикетированные | | | | | | | | | отходы атомной энергетики перед их | | | | | | | | | захоронением, детали и узлы | | | | | | | | | летательных | | | | | | | | | аппаратов, элементы газо- и | | | | | | | | | нефтепроводов), опытного образца | | | | | | | | | радионуклидного томографа; | | | | | | | | | внедрение принципиально новой | |