О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ОТДЕЛЬНЫХ
ВИДОВ СЫРЬЯ, МАТЕРИАЛОВ, ОБОРУДОВАНИЯ, ТЕХНОЛОГИЙ И
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ
ПРИМЕНЕНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ
(ЧАСТЬ II)
РАСПОРЯЖЕНИЕ
ПРЕЗИДЕНТ РФ
11 февраля 1994 г.
N 74-РП
(Д)
Часть II. Технология и научно-техническая информация
-----------------------------------------------------------------------------
| Номер | |
| позиции | Наименование |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| 1 | 2 |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.1. Металлические материалы |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.1. | Технология производства алюминидов никеля или |
| | титана в виде сырья или полуфабрикатов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.1.1. | алюминидов никеля с содержанием алюминия 10 или |
| | более процентов (по массе); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.1.2. | алюминидов титана с содержанием алюминия 12 или |
| | более процентов (по массе) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2. | Технология производства металлических сплавов |
| | методом порошковой металлургии или вводимых гранул |
| | материалов, указанных в пунктах I.1.8. - I.1.8.5., |
| | включая: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.1. | никелевые сплавы: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.1.1. | с пределом длительной прочности 550 МПа (55 кгс/кв. |
| | мм) при температуре 923 К (650 0С) за 10000 ч и |
| | более; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.1.2. | с малоцикловой выносливостью при максимальном |
| | напряжении 700 Мпа (70 кгс/кв.мм) на базе 10000 |
| | циклов и более при температуре 823 К (550 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.2. | ниобиевые сплавы: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.2.1. | с пределом длительной прочности 400 МПа (40 кгс/кв. |
| | мм) при температуре 1073 К (800 0С) за 10000 ч и |
| | более; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.2.2. | с малоцикловой выносливостью при максимальном |
| | напряжении 700 МПа (70 кгс/кв. мм) на базе 10000 |
| | циклов и более при температуре 973 К (700 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.3. | титановые сплавы: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.3.1. | с пределом длительной прочности 200 МПа (20 |
| | кгс/кв. мм) при температуре 723 К (450 0С) за |
| | 10000 ч и более; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.3.2. | с малоцикловой выносливостью при максимальном |
| | напряжении 400 Мпа (40 кгс/кв.мм) на базе 10000 |
| | циклов и более при температуре 723 К (450 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.4. | алюминиевые сплавы с пределом длительной прочности: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.4.1. | 240 МПа (24 кгс/кв. мм) и более при температуре 473 |
| | К (200 0С); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.4.2. | 415 Мпа (41,5 кгс/кв.мм) и более при температуре |
| | 298 К (25 0С); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.2.5. | магниевые сплавы с пределом длительной прочности |
| | 240 МПа (24 кгс/кв. мм) и более и скоростью |
| | коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном |
| | растворе хлорида натрия |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.3. | Технология производства титановых сплавов (в том |
| | числе вторичных) с пределом длительной прочности |
| | свыше 1200 МПа (120 кгс/кв. мм) и пределом |
| | ползучести свыше 150 МПа (15 кгс/кв. мм) при |
| | температуре 873 К (600 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.4. | Технология производства алюминий-литиевых сплавов |
| | (в том числе содержащих скандий)) с содержанием |
| | лития более 6%, скандия более 3%, а именно: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.4.1. | |
| | системы алюминий-магний-литий (скандий), обладающие |
| | в совокупности следующими характеристиками: |
| | плотностью менее 2,47 г/куб. см; |
| | модулем упругости более 78000 ПМа (7800 кгс/кв. |
| | мм); |
| | удельной прочностью более 19 км; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.4.2. | системы алюминий-медь-литий (скандий), обладающие в |
| | совокупности следующими характеристиками: |
| | плотностью менее 2,56 г/куб. см; |
| | модулем упругости более 80000 ПМа (8000 кгс/кв. |
| | мм); |
| | удельной прочностью более 19 км; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.4.3. | системы алюминий-медь-литий (скандий), обладающие в |
| | совокупности следующими характеристиками: |
| | плотностью менее 2,6 г/куб. см; модулем упругости |
| | более 80000 ПМа (8000 кгс/кв. мм); удельной |
| | прочностью более 22 км; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.4.4. | системы алюминий-литий (скандий), обладающие в |
| | совокупности следующими характеристиками: |
| | плотностью менее 2,4 г/куб. см; |
| | модулем упругости более 80000 ПМа (8000 кгс/кв. |
| | мм); |
| | удельной прочностью более 20 км; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.5. | Технология производства деформируемых магниевых |
| | сплавов (в том числе гранулированных) с пределом |
| | длительной прочности более 350 МПа (35 кгс/кв. мм) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.6. | Технология производства литейных магниевых сплавов |
| | с пределом длительной прочности более 280 МПа (28 |
| | кгс/кв. мм) при рабочей температуре более 523 К |
| | (250 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.7. | Технология производства урано-титановых сплавов или |
| | вольфрамовых сплавов с матрицей на основе железа, |
| | никеля или меди: |
| | с плотностью свыше 17,5 г/куб. см; |
| | с пределом упругости свыше 1250 МПа; |
| | с пределом прочности на разрыв более 1270 МПа; |
| | с относительным удлинением свыше 8% |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.8. | Технология производства порошков металлических |
| | сплавов или вводимых гранул для материалов, |
| | указанных в пунктах I.1.1. - I. 1.2.5., получаемых |
| | в контролируемой среде посредством одного из |
| | нижеследующих процессов: |
| | распылением в вакууме; |
| | газоструйным распылением; |
| | центробежным распылением; |
| | спиннингованием; |
| | расплавлением с вращением и кристаллизацией; |
| | экстракцией расплава; |
| | механическим легированием |
| | и изготовленных из любой системы: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.8.1. | никелевых сплавов (Ni-Al-X, Ni-X-Al), |
| | предназначенных для использования в составе частей |
| | или компонентов турбин двигателей т.е. с менее чем |
| | тремя неметаллическими частицами (введенными в |
| | процессе производства) крупнее 100 мкм в 10 |
| | частицах сплава; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.8.2. | ниобиевых сплавов (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или |
| | Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.8.3. | титановых сплавов (Ti-Al-X или Ti-X-Al); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.8.4. | алюминиевых сплавов (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X |
| | или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.8.5. | магниевых сплавов (Mg-Al-X или Mg-X-Al) |
| | ---------------- |
| | Примечание |
| | Х служит показателем равенства содержания в сплаве |
| | одного или более составляющих элементов (примесей) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.9. | Технология производства сплавленных материалов в |
| | виде неизмельченных гранул стружки или тонких |
| | стержней, изготовляемых в контролируемой среде |
| | методом спиннингования, расплавления с вращением |
| | или экстракцией расплава, используемых при |
| | производстве порошка для металлических сплавов или |
| | вводимых гранул, указанных в пунктах I.1.8. - |
| | I.1.8.5. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.10. | Технология производства магнитных материалов всех |
| | типов и любой формы |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.10.1. | Технология производства магнитных материалов с |
| | начальной относительной проницаемостью 120000 или |
| | более и толщиной 0,05 мм или менее |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.10.2. | Технология производства магнитострикционных |
| | сплавов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.10.2.1. | с магнитострикционным насыщением более 5х10**-4; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.10.2.2. | с коэффициентом магнитомеханического сцепления |
| | более 0,8 |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.1.10.3. | Технология производства магнитного сплава в виде |
| | аморфной стружки с составом минимум 75% (по массе) |
| | железа, кобальта или никеля, магнитной индукцией |
| | насыщения не менее 1,6 Т, толщиной стружки не более |
| | 0,02 мм и удельным электрическим сопротивлением не |
| | менее 2х10**-4 Ом/см |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна |
| и нити, каучуки и изделия из них |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1. | Технология производства полимерных веществ |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.1. | Технология производства бисмалеимида |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.2. | Технология производства ароматических полимидных |
| | материалов с термостойкостью выше 723 К (450 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.3. | Технология производства ароматических |
| | полихиноксалинов и материалов на их основе |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.4 | Технология производства ароматических |
| | полиэфиримидов, имеющих температуру стеклования |
| | более К (230 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.5. | Технология производства ароматических полиамидов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | Примечание |
| | Технология производства неплавких порошков для |
| | формообразования под давлением или подготовки форм |
| | из материалов, указанных в пунктах II.2.1.1., |
| | II.2.1.3., II.2.1.5., II.2.1.13., экспортному |
| | контролю не подлежат |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.6. | Технология производства изделий из нефторированных |
| | полимерных веществ, указанных в пунктах I.2.1.5. - |
| | I.2.1.10., I.2.1.13., в виде пленки, листа ленты |
| | или полосы: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.6.1. | при толщине свыше 0,254 мм; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.6.2. | покрытых углеродом, графитом, металлами или |
| | магнитными веществами |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.7. | Технология производства термопластических |
| | жидкокристаллических сополимеров имеющих |
| | температуру тепловой деформации более 523 К (250 |
| | 0С), измеренную при нагрузке 1,82 Н/кв.мм, и |
| | образованные сочетанием: |
| | пара-фенилена, пара-пара-бифенилена или 2,6 |
| | нафталина; |
| | метила, третичного бутила или фенил-замещенного |
| | фенилена, бифенилена или нафталина с любой из |
| | следующих кислот: |
| | терефталевой кислотой; |
| | 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; |
| | 4-гидроксибензойной кислотой |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.8. | Технология производства полиариленовых эфирных |
| | кетонов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.8.1. | полиэфироэфирокетона (ПЭЭК); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.8.2. | полиэфирокетон-кетон (ПЭКК); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.8.3. | полиэфирокетон (ПЭК); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.8.4. | полиэфирокетон эфирокетон-кетона (ПЭКЭКК) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.9. | Технология производства полиариленовых кетонов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.10. | Технология производства полиариленовых сульфидов, |
| | где ариленовая группа представляет собой бифенилен |
| | трифенилен или их комбинации |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.11. | Технология производства полибифениленэфирсульфона |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.12. | Технология производства материалов-полуфабрикатов |
| | (т. е. полимерных или металлорганических материалов |
| | специализированного назначения): |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.12.1. | полидиорганосиланов (для производства карбида |
| | кремния); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.12.2. | полисилазанов (для производства нитрида кремния); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.12.3. | полисилазанов (для производства керамики с |
| | кремниевыми, углеродными или азотными компонентами) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.1.13. | Технология производства полибензотиазолов или |
| | полибензоксозолов веществ |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2. | Технология производства фторосодержащих веществ |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.1. | Технология производства необработанных соединений |
| | фтора: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.1.1. | сополимеров винилиденфторида, содержащих 75% или |
| | более бета-кристаллической структуры, полученной |
| | без вытягивания; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.1.2. | фтористых полиамидов, содержащих 30% или более |
| | связанного фтора; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.1.3. | фтористых фосфазеновых эластомеров, содержащих 30% |
| | или более связанного фтора |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.2. | Технология производства фтористых эластомерных |
| | соединений, содержащих по крайней мере один |
| | дивинилэфирный мономер |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.3. | Технология производства уплотнений, прокладок, |
| | седел клапанов, трубчатых уплотнений или диафрагм |
| | из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один |
| | виниловый мономер, специально предназначенных для |
| | авиационной и аэрокосмической техники, и указанных |
| | в пункте I.2.2.3. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.2.4. | Технология производства пьезоэлектрических |
| | полимеров и сополимеров, изготовленных из |
| | фтористого винилидена в виде пленки или листа |
| | толщиной более 200 мкм |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3. | Технология производства электропроводных полимерных |
| | материалов с удельной электрической проводимостью |
| | свыше 10 сименс/м или поверхностным сопротивлением |
| | менее 10 Ом/кв. м, выполненных на основе следующих |
| | полимеров: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3.1. | полианилина; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3.2. | полипиррола; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3.3. | политиофена; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3.4. | полифенил-винилена; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3.5. | политиофинилен-винилена |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.3.6. | Технология для нанесения, эксплуатации или |
| | восстановления (ремонта) материалов, указанных в |
| | пунктах I.2.3. - I.2.3.5. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.4. | Технология производства ароматических полиамидных |
| | волокон |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.5. | Технология производства волокнистых или нитевидных |
| | материалов на основе: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.5.1. | полиэфиримидов, указанных в пункте I.2.1.13. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.5.2. | материалов: указанных в пунктах I.2.1.15. - I. |
| | 2.1.19. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.6. | Технология производства фторсилоксановых каучуков, |
| | работоспособных при температурах ниже 213 К (-60 |
| | 0С) и выше 473 К (200 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.7. | Технология производства герметиков на основе |
| | жидкого тиокола, работоспособных при температурах |
| | ниже 213 К (-60 0С) и выше 423 К (150 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.8. | Технология производства кремнийорганических |
| | герметиков, работоспособных при температурах ниже |
| | 213 К (-60 0С) и выше 523 К (250 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.9. | Технология производства органических полимерных |
| | фотоприемников для пространственно-временных |
| | модуляторов света |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.2.10. | Технология производства дипараксилена (мономера |
| | Д-2) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.3. Композиционные и керамические материалы |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.1. | Технология производства материалов на керамической |
| | основе, некомпозиционных керамических материалов, |
| | материалов типа композит с керамической матрицей, а |
| | также их полуфабрикатов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.1.1. | основных материалов из простых или сложных боридов |
| | титана, имеющих металлические примеси (кроме |
| | специальных добавок) на уровне менее 5000 частиц на |
| | миллион, при "среднем размере частицы, равном или |
| | меньшем 5 мкм (при этом не более 10% частиц |
| | размером более 10 мкм); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.1.2. | некомпозиционных керамических материалов в виде |
| | сырых полуфабрикатов (кроме абразивов) на основе |
| | боридов титана с плотностью 98% или более от |
| | теоретического значения |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.1.3. | Технология для восстановления композиционных |
| | структур, слоистых структур или материалов |
| | указанных в пунктах I.3.3. - I.3.3.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.2. | Технология производства трехмерно-армированных |
| | углерод-углеродных материалов типа КИМФ с |
| | повышенной эрозийной стойкостью, характеризующейся |
| | скоростью уноса массы менее 3 мм/с при температуре |
| | 3773 К (3500 0С) и выше и давлении 150 атм и выше |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.3. | Технология производства объемно-армированных |
| | углерод-углеродных материалов типа "ЗАРЯ", с |
| | повышенной эрозийной стойкостью, характеризующейся |
| | скоростью уноса массы менее 0,05 мм/с при |
| | температуре 3773 К (3500 0С) и выше и давлении 150 |
| | атм и выше |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.4. | Технология производства жаростойких углеродных |
| | материалов на рабочие температуры более 2025 К |
| | (1750 0С) с пределом прочности более 300МПа (30 |
| | кгс/кв.мм) (для применения в углерод-углеродных |
| | материалов) и более 200 МПа (20 кгс/кв. мм) для |
| | применения в углерод-керамических материалах) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.5. | Технология производства теплоизоляционных |
| | термостабильных (десятки тысяч часов в диапазоне |
| | температур до 1025 К (750 0С) экологически чистых |
| | материалов типа КГ-3 на основе графита с плотностью |
| | 0,2 г/куб. см и коэффициентом теплопроводности 0,1 |
| | Вт/(мхК) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6. | Базовые материалы или некомпозиционные керамические |
| | материалы |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6.1. | Технология производства базовых материалов с |
| | суммарными металлическими примесями (включая |
| | вносимые преднамеренно) менее чем 100 частей на |
| | миллион для комплексных соединений и единичных |
| | карбидов 5000 частей на миллион для комплексных |
| | соединений или единичных нитридов, средним размером |
| | частиц, равным или менее 5 мкм, и не более чем 10% |
| | частиц с размерами более 10 мкм содержащих |
| | пластинки с отношением длины к толщине, превышающим |
| | значение 5, короткие стержни (усы) с отношением |
| | длины к диаметру более 10 для диаметров стержней |
| | менее чем 2 мкм и длинные или рубленные волокна с |
| | диаметром меньшим 10 мкм, из следующих материалов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6.1.1. | единичных или комплексных оксидов циркония и |
| | комплексных оксидов кремния или алюминия; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6.1.2. | единичных нитридов бора (с кубическими формами |
| | кристаллов); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6.1.3. | единичных или комплексных карбидов кремния или |
| | бора; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6.1.4. | единичных или комплексных нитридов кремния |
| | ------------------ |
| | Примечание |
| | Для циркония представленные выше пределы размеров |
| | частиц соответствуют 1 мкм и 5 мкм соответственно |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.6.2. | Технология производства некомпозитных керамических |
| | материалов (кроме абразивов), указанных в пунктах |
| | II.3.6.1. - II.3.6.1.4. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.7. | Технология производства пенопласта с микросферами |
| | для применения под водой на морских глубинах более |
| | 1000 м и с плотностью менее 561 кг/куб. м |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.3.7.1. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения пенопласта с |
| | микросферами для применения под водой на морских |
| | глубинах более 1000 м и плотностью менее 561 |
| | кг/куб. м |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.4. Жидкости и смазочные материалы |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.1. | Технология производства гидравлических жидкостей, |
| | содержащих в качестве основных составляющих любые |
| | из следующих веществ или материалов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.1.1. | синтетические углеводородные масла или |
| | кремний-углеводородные масла с точкой возгорания |
| | свыше 477 К (204 0С), точкой застывания 239 К (-34 |
| | 0С) или ниже, коэффициентом вязкости 75 или более |
| | термостабильностью при 616 К (343 0С); |
| | ----------------- |
| | Примечание |
| | Указанные в пункте II.4.1.1. кремний-углеводородные |
| | масла содержат исключительно кремний, водород и |
| | углерод |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.1.2. | хлоро-фтороуглероды с температурой |
| | самовоспламенения свыше 977 К (704 0С) с точкой |
| | застывания 219 К (-54 0С), с коэффициентом вязкости |
| | 80 или более и точкой кипения 473 К (200 0С) и |
| | более |
| | --------------------- |
| | Примечание |
| | Указанные в пункте II.4.1.2. хлоро-фтороуглероды |
| | содержат исключительно хлор, фтор и углерод |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.2. | Технология производства смазочных материалов, |
| | содержащих в качестве основных составляющих |
| | следующие вещества и материалы: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.2.1. | фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры |
| | или их смеси содержащие более двух эфирных или |
| | тиоэфирных функций или смесей; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.2.2. | фторированные кремнийсодержащие жидкости, |
| | характеризуемые кинематической вязкостью менее 5000 |
| | кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 К |
| | (25 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.3. | Технология производства увлажняющих или флотирующих |
| | жидкостей с показателем чистоты более 99,8%, |
| | содержащих менее 25 частиц размером 200 мкм или |
| | более на 100 мл и изготовленных по меньшей мере на |
| | 85% из следующих веществ и материалов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.3.1. | дибромтетрафторэтана; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.3.2. | полихлортрифторэтилена (только маслянистые и |
| | воскообразные модификации); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.4.3.3. | полибромтрифторэтилена |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.5. Фармацевтические препараты |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.1. | Технология производства полианатоксинов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.2. | Технология производства вакцины инактивированной, |
| | концентрированной, очищенной для профилактики |
| | венесуэльского энцефаломиелита на основе |
| | оригинального штамма СМ-27 |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.3. | Технология производства дивакцины инактивированной |
| | культуральной, очищенной для профилактики |
| | восточного и западного энцефаломиелита лошадей |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.4. | Технология производства препаратов группы |
| | холинэстераз для определения фосфорорганических ОВ |
| | и информация по использованию препаратов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.5. | Технология получения и использования |
| | иммуноглобулинов полигрупповых люминесцирующих |
| | риккетсиозных, позволяющих проводить индикацию |
| | риккетсий группы сыпного тифа, клещевой пятнистой |
| | лихорадки и ку-риккетсиоза при иммунофлуоресцентном |
| | анализе |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.6. | Диагностикум, технология получения и использования |
| | культурального, поливалентного диагностикума |
| | гемморрагической лихорадки с почечным синдромом для |
| | непрямого метода иммунофлуоресценции |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.5.7. | Гибридомная технология получения |
| | иммунодиагностикума моноклонального |
| | люминесцирующего к вирусу клещевого энцефалита и |
| | информация об использовании диагностикума |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.6. Токсичные вещества |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.6.1. | Информация о синтезе и оценке физико-химических |
| | токсикологических характеристик нейротоксикантов |
| | особо высокой токсичности со средней летальной |
| | дозой менее 0,1 мг/кг в целях поиска |
| | нейротоксикантов высокой эффективности |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства изделий |
| электронной техники и оптики |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.1. | Технология изготовления и нанесения |
| | радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с |
| | коэффициентом отражения менее 15% при температуре |
| | до 623 К (350 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.2. | Технология производства многослойных структур |
| | кадмий-ртуть-теллур (КРТ) с использованием |
| | вакуумного синтеза |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.3. | Технология производства материалов для оптических |
| | датчиков: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.3.1. | Технология производства элементарного теллура (Te) |
| | чистотой, равной или более 99,9995% |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.3.2. | Технология производства монокристаллов теллурида |
| | кадмия (CdTe) любой чистоты включая эпитаксиальные |
| | пластины |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.3.3. | Технология производства заготовок оптических |
| | волокон, специально предназначенных для |
| | производства волокон с высоким двулучепреломлением, |
| | использующихся в оптоволоконных датчиках, указанных |
| | в пунктах I.12.2.4.3. - I.12.2.4.3.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4. | Технология производства оптических материалов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.1. | Технология производства селенида цинка (ZnSe) и |
| | сульфида цинка (ZnS) в виде пластин-подложек, |
| | изготовляемых в процессе химического осаждения |
| | паров, объемом более 100 куб. см или диаметром |
| | более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.2. | Технология производства слитков следующих |
| | электрооптических материалов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.2.1. | арсенида титаната калия (КТА); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.2.2. | смешанного селенида серебра и галлия (AgGaSe2); |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.2.3. | смешанного селенида таллия и мышьяка (Tl3AsSe3), |
| | также известного как ТАС |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.3. | Технология производства нелинейных оптических |
| | материалов, имеющих восприимчивость третьего |
| | порядка (3), равную или меньшую 1 Вт/кв. м время |
| | отклика менее 1 мс |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.4. | Технология производства пластинчатых подложек |
| | карбида кремния или осажденных материалов |
| | бериллия/бериллия (Be/Be) свыше 300 мм в диаметре |
| | или длины наибольшей оси |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.5. | Технология производства материалов с малым |
| | оптическим поглощением: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.5.1. | Технология производства сложных соединений фтора, |
| | содержащих ингредиенты с чистотой 99,999% и более |
| | ---------------- |
| | Примечание |
| | Пункт II.7.4.5.1. распространяется только на |
| | технологию производства фторидов циркония или |
| | алюминия и подобных соединений |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.5.2. | Технология производства объемных фторосодержащих |
| | стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.6. | Технология производства стекол, содержащих расплавы |
| | кремния, стекол из фторфосфатов, фторида циркония |
| | (ZrF4) и фторида гафния (HfF4) с концентрацией |
| | гидроксильных ионов (OH-) менее 5 промилле |
| | интегральными уровнями чистоты металлов менее 1 |
| | промилле, высокой однородностью (вариацией |
| | показателя преломления менее 5х10**-6) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.7. | Технология производства синтетического алмазного |
| | материала с поглощением менее 10**-5 см на длине |
| | волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.4.8. | Технология производства оптоволоконных заготовок, |
| | изготовленных из объемных соединений фторидов, |
| | содержащих ингредиенты с чистотой 99,999% или |
| | лучше, специально разработанных для производства |
| | фторидных волокон, указанных в пункте I.12.5.4. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.5. | Технология производства материалов для |
| | кристаллических основ лазеров: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.5.1. | сапфира с имплантированным титаном; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.5.2. | александрита |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.6. | Технология производства материалов резистов и |
| | подложек, покрытых резистами: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.6.1. | Технология производства позитивных резистов со |
| | спектральной чувствительностью оптимизированной на |
| | излучение менее 370 нм |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.6.2. | Технология производства всех резистов, используемых |
| | для экспонирования электронными или ионными |
| | пучками, с чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв. |
| | мм |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.6.3. | Технология производства всех резистов, используемых |
| | для экспонирования рентгеновскими лучами, с |
| | чувствительностью не хуже 2,5 мДж/кв. мм |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.6.4. | Технология производства всех резистов, |
| | оптимизированных под технологию формирования |
| | рисунка, включая силицированные резисты |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.7. | Технология производства металлорганических |
| | соединений алюминия, галлия или индия, имеющих |
| | чистоту (металлической основы) более 99,999% |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.8. | Технология производства гидридов фосфора, мышьяка |
| | или сурьмы, имеющих чистоту более 99,999% даже |
| | после разбавления нейтральными газами |
| | -------------------- |
| | Примечание |
| | Технология производства гидридов, содержащих 20 и |
| | более мольных процентов инертных газов или |
| | водорода, не подлежит экспортному контролю согласно |
| | пункту II.7.8. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.9. | Технология производства заготовок стекла или любых |
| | других материалов, оптимизированных для |
| | производства оптических волокон, указанных в пункте |
| | I.12.5. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.7.10 | Технология нанесения покрытий на оптические |
| | волокна, специально предназначенные для подводного |
| | применения |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.8. Электротехника и энергетика |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.1. | Технология производства сверхпроводящих композитных |
| | материалов длиной более 100 м или массой, |
| | превышающей 100 г: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.1.1. | Технология производства многожильных |
| | сверхпроводящих композитных материалов, содержащих |
| | одну ниобиевую нить или более: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.1.1.1. | уложенных в матрицу не из меди или не на основе |
| | медьсодержащего материала; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.1.1.2. | с площадью поперечного сечения менее 0,28х10**-4 |
| | кв. мм (6мкм в диаметре в случае нитей круглого |
| | сечения) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.1.2. | Технология производства сверхпроводящих композитных |
| | материалов не из ниобий-титана, состоящих из одной |
| | или более сверхпроводящих нитей: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | с критической температурой при нулевой магнитной |
| | индукции, превышающей 9,85 К (-263,31 0С), но не |
| | ниже 24 К (-249,16 0С); |
| | с площадью поперечного сечения менее 0,28х10**-4 |
| | кв. м; |
| | которые остаются в состоянии сверхпроводимости |
| | при температуре 4,2 К (-268,96 0С), находясь в |
| | магнитном поле с магнитной индукцией 12 Т |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.2. | Информация о результатах исследований и разработок |
| | высокотемпературных сверхпроводников с критическим |
| | магнитным полем, с магнитной индукцией более 150 Т |
| | и критическим током более 1000 МА/кв. м при |
| | температуре 77 К (-196 0С) для техники магнитного |
| | ускорения объектов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.3. | Информация о конструкционных и технологических |
| | решениях в области создания импульсных источников |
| | электроэнергии на основе формирующих линий с |
| | мощностью , превышающей 100 ТВт при энергии, |
| | превышающей 5 МДж |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.4. | Информация о конструкционных и технологических |
| | решениях в области создания импульсных источников |
| | электроэнергии на основе униполярных генераторов, |
| | предназначенных для медленного отбора мощности |
| | (более 1 с) с запасом энергии более 100 МДж и |
| | быстрого отбора мощности (менее 1 мс) с запасом |
| | энергии 1 МДж |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.5. | Конструкция и технология производства батарей |
| | ---------------- |
| | Примечание |
| | Экспортный контроль не распространяется на |
| | конструкцию и технологию производства батарей с |
| | объемом 26 куб. см и меньше (например, стандартные |
| | угольные элементы), указанных в пунктах II.8.5. - |
| | II.8.5.3. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.5.1. | Конструкция и технология производства первичных |
| | элементов и батарей с плотностью энергии выше 350 |
| | Втхч/кг, пригодных по техническим условиям для |
| | работы в диапазоне температур от 243 К (-30 0С) и |
| | ниже до 343 К (70 0С) и выше |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.5.2. | Конструкция и технология производства подзаряженных |
| | элементов и батарей с плотностью энергии свыше 150 |
| | Втхч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе |
| | разряда, равном С/5 ч (здесь С - номинальная |
| | емкость в Ахч), и при работе в диапазоне температур |
| | от 253 К (-20 0С) и ниже до 333 К (60 0С) и выше |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.5.3. | Конструкция и технология производства |
| | радиационностойких батарей на фотоэлектрических |
| | элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв. м |
| | при рабочей температуре 301 К (28 0С) и |
| | вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 К (2527 |
| | 0С) и создающем энергетическую освещенность 1 |
| | кВт/кв. м, пригодных по техническим условиям для |
| | космического применения |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.5.4. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | для проектирования батарей, указанных в пунктах |
| | I.7.2. - I.7.2.3. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.6. | Конструкция и технология производства накопителей |
| | энергии |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.6.1. | Конструкция и технология производства накопителей |
| | энергии с частотой повторения менее 10 Гц |
| | (одноразовых накопителей), имеющих номинальное |
| | напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не |
| | менее 250 Дж/кг и общую энергию не менее 25 кДж |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.6.2. | Конструкция и технология производства накопителей |
| | энергии с частотой повторения менее 10 Гц и больше |
| | (многоразовых накопителей), имеющих номинальное |
| | напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не |
| | менее 50 Дж/кг, общую энергию не менее 100 кДж и |
| | количество циклов заряда-разряда не менее 10000 |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.6.3. | Конструкция и технология производства схем или |
| | систем для накопления электромагнитной энергии, |
| | содержащих компоненты из сверхпроводящих |
| | материалов, специально спроектированных для работы |
| | при температурах ниже критической температуры с |
| | хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, |
| | имеющих рабочие резонансные частоты свыше 1 МГц, |
| | плотность запасаемой энергии не менее 1 МДж/куб. м |
| | и время разряда менее 1 мс |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.6.4. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | для проектирования накопителей энергии, указанных в |
| | пунктах I.7.3. - I.7.3.3. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.7. | Конструкция и технология производства |
| | сверхпроводящих электромагнитов и соленоидов, |
| | специально спроектированных на полный заряд или |
| | разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную |
| | энергию в разряде, деленную на длительность |
| | разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр |
| | токопроводящих обмоток свыше 250 мм и номинальную |
| | магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную |
| | плотность тока в обмотке больше 300 А/кв. мм |
| | --------------------- |
| | Примечание |
| | Экспортный контроль не распространяется на |
| | конструкцию и технологию производства |
| | сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, |
| | специально спроектированных для медицинской |
| | аппаратуры магниторезонансной томографии |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.7.1. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | для проектирования сверхпроводящих электромагнитов |
| | или соленоидов, указанных в пункте I.7.4. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.8. | Конструкция и технология производства рентгеновских |
| | систем с короткоимпульсным разрядом, имеющих |
| | пиковую мощность, превышающую 500 МВт, выходное |
| | напряжение, превышающее 500 кВт, и ширину импульса |
| | менее 0,2 мкс |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.8.1. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | для проектирования рентгеновских систем с |
| | короткоипмульсным разрядом, указанных в пункте |
| | I.7.5. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.9. | Информация о конструкторских решениях, технологиях, |
| | материалах, основных узлах и системах бортовых |
| | ядерных электроэнергоустановок, позволяющая |
| | осуществить непосредственное воспроизведение или |
| | способствующая ускорению реализации подобных |
| | проектов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.8.10. | Информация о конструкционных и технологических |
| | решениях, позволяющих создать короткоимпульсные |
| | электронные и протонные ускорители с энергией более |
| | 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1. | Конструкция и технология производства |
| | антифрикционных подшипников или систем подшипников |
| | и их компонентов |
| | --------------------- |
| | Примечание |
| | Экспортный контроль не распространяется на |
| | конструкцию и технологию производства |
| | шарикоподшипников с допусками, устанавливаемыми |
| | производителями в соответствии со стандартом ИСО |
| | 3290 класс 5 или хуже |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.1. | Конструкция и технология шариковых или роликовых |
| | подшипников (кроме конических роликовых |
| | подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые |
| | производителем в соответствии со стандартом ИСО, |
| | имеющих любую из следующих характеристик: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.1.1. | кольца, шарики или ролики из медно-никелевого |
| | сплава или бериллия; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.1.2. | изготовленные для применения при рабочих |
| | температурах выше 573 К (300 0С) либо с применением |
| | специальных материалов или специальной тепловой |
| | обработки; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.1.3. | с элементами смазки или компонентом, модифицирующим |
| | этот элемент, который в соответствии со |
| | спецификацией изготовителя специально спроектирован |
| | для подшипников, работающих при скоростях, |
| | соответствующих значению КСВ более 2,3х10**6 |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.2. | |
| | Конструкция и технология производства других |
| | шариковых или роликовых подшипников (кроме |
| | конических роликовых подшипников), имеющих допуски, |
| | устанавливаемые производителем в соответствии со |
| | стандартом ИСО класс 2 или лучше (или национальными |
| | эквивалентами) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.3. | Конструкция и технология производства конических |
| | роликовых подшипников, имеющих любую из следующих |
| | характеристик: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.3.1. | с элементами смазки или компонентом, модифицирующим |
| | этот элемент, который в соответствии со |
| | спецификацией изготовителя специально спроектирован |
| | для подшипников, работающих при скоростях, |
| | соответствующих значению КСВ более 2,3х10**6; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.3.2. | изготовленные для применения при рабочих |
| | температурах ниже 219 К (-54 0С) или выше 423 К |
| | (150 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.4. | Конструкция и технология производства тонкостенных |
| | подшипников с газовой смазкой, изготовленных для |
| | применения при рабочих температурах 561 К (288 0С) |
| | или выше, и со способностью выдерживать единичную |
| | нагрузку, превышающую 1 МПа |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.5. | Конструкция и технология производства активных |
| | магнитных подшипниковых систем |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.6. | Конструкция и технология производства серийно |
| | изготавливаемых самоцентрирующихся или серийно |
| | изготавливаемых и устанавливаемых на шейку вала |
| | подшипников скольжения, изготовленных для |
| | использования при рабочих температурах ниже 219 К |
| | (-54 0С) или выше 423 К (150 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.9.1.7. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования и |
| | производства подшипников, указанных в пунктах |
| | I.8.1. - I.8.1.6. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| Раздел II.10. Обработка материалов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1. | Производственные процессы металлообработки |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.1. | Технология проектирования станков (инструмента), |
| | пресс-форм или зажимных приспособлений, специально |
| | спроектированных для следующих процессов: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.1.1. | сверхпластичного деформирования; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.1.2. | термодиффузионного сращивания; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.1.3. | гидравлического прессования прямого действия |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.2. | Технические данные, включающие параметры или методы |
| | реализации процесса, перечисленные ниже и |
| | используемые для управления: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.2.1. | сверхпластичным деформированием алюминиевых, |
| | титановых сплавов или суперсплавов, включая: |
| | подготовку поверхности; |
| | степень деформации; |
| | температуру; |
| | давление |
| | ------------------- |
| | Примечание |
| | К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля, |
| | кобальта или железа, сохраняющие высокую прочность |
| | при температурах свыше 922 К (649 0С) в тяжелых |
| | условиях функционирования и окружающей среды |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.2.2. | термодиффузионным сращиванием суперсплавов или |
| | титановых сплавов, включая: |
| | подготовку поверхности; |
| | температуру; |
| | давление |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.2.3. | гидравлическим прессованием прямого действия |
| | алюминиевых или титановых сплавов, включая: |
| | давление; |
| | время цикла |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.1.2.4. | горячей изостатической деформацией титановых, |
| | алюминиевых сплавов и суперсплавов, включая: |
| | температуру; |
| | давление; |
| | время цикла |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.2. | Конструкция и технология производства |
| | гидравлических вытяжных формовочных машин и матриц |
| | для изготовления легких корпусных конструкций |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.3. | Конструкция и технология производства универсальных |
| | станков (без программного управления) для получения |
| | оптических качественных поверхностей: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.3.1. | токарных станков, использующих единственную точку |
| | фрезерования и обладающих всеми нижеследующими |
| | характеристиками: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | точность положения суппорта меньше (лучше) чем |
| | 0,0005 мм на 300 мм перемещения; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | повторяемость двунаправленного положения |
| | суппорта меньше(лучше) чем 0,00025 мм на 300 |
| | мм перемещения; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | биение и эксцентриситет шпинделя меньше |
| | (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего |
| | считывания; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | угловая девиация движения суппорта (рыскание, |
| | тангаж и вращение вокруг продольной оси) |
| | меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по |
| | индикатору общего считывания на полном |
| | перемещении; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | перпендикулярность суппорта меньше (лучше) чем |
| | 0,001 мм на 300 мм перемещения; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.3.2. | станков с летучей фрезой, имеющих биение и |
| | эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм по |
| | индикатору общего считывания и угловую девиацию |
| | движения и угловую девиацию движения суппорта |
| | (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной |
| | оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по |
| | индикатору общего считывания на полном |
| | перемещении |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.4. | Конструкция и технология производства станков с ЧПУ |
| | или станков с ручным управлением, включая |
| | специально спроектированные компоненты, элементы |
| | управления и приспособления для них, специально |
| | спроектированных для фрезерования, финишной |
| | обработки, полирования или хонингования закаленных |
| | (Rc=40 или более) конических или цилиндрических |
| | шестерен в соответствии с пунктами I.9.3. - |
| | I.9.3.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.5. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства и применения программно-управляемых |
| | станков, указанных в пунктах I.9.3. - I.9.3.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6. | Конструкция и технология производства оборудования, |
| | специально спроектированного для реализации |
| | процесса и управления процессом нанесения |
| | неорганических покрытий, защитных слоев и |
| | поверхностного модифицирования, а также специально |
| | спроектировано средств автоматизированного |
| | регулирования, установок манипуляторов и |
| | компонентов управления |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.1. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | производственных установок для нанесения твердого |
| | покрытия из парообразных химических соединений, |
| | указанных в пункте I.9.4.1. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.2. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для нанесения покрытий из парообразных |
| | химических соединений, указанных в пункте I.9.4.1. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.3. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | производственных установок для ионной имплантации, |
| | указанных в пункте I.9.4.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.4. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для ионной имплантации, указанных в |
| | пункте I.9.4.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.5. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | электронно-лучевых установок для нанесения покрытий |
| | методом физического осаждения паров, указанных в |
| | пункте I.9.4.3. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.6. | Программное обеспечение специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения электронно-лучевых |
| | установок для нанесения покрытий методом |
| | физического осаждения паров указанных в пункте |
| | I.9.4.3. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.7. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | производственных установок плазменного напыления, |
| | указанных в пунктах I.9.4.4. - I.9.4.4.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.8. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для плазменного напыления, указанных в |
| | пунктах I.9.4.4. - I.9.4.4.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.9. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | производственных установок для металлизации |
| | напылением, способных обеспечить плотность тока 0,1 |
| | мА/мм или более с производительностью напыления 15 |
| | мкм в час или более |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.10. | Программное обеспечение, специально созданное или |
| | модифицированное для разработки, производства или |
| | применения производственных установок металлизации |
| | напылением, указанных в пункте I.9.4.5. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.11. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | производственных установок для катодно-дугового |
| | напыления, включающих систему электромагнитов для |
| | управления плотностью тока дуги на катоде |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.12. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для катодно-дугового напыления, |
| | указанного в пункте I.9.4.6. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.13. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемым запоминающим устройством |
| | производственных установок для ионной металлизации, |
| | указанных в пункте I.9.4.7. |
| | --------------------- |
| | Примечание |
| | Экспортный контроль не распространяется на |
| | конструкцию и технологию производства стандартных |
| | производственных установок для покрытий, образуемых |
| | ионной металлизацией на режущем инструменте |
| | металлообрабатывающих станков |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.14. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для ионной металлизации, указанных в |
| | пункте I.9.4.7. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.15. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемыми запоминающими устройствами |
| | производственных установок для сухого травления |
| | анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8. |
| | - I.9.4.8.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.16. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для сухого травления анпизотропной |
| | плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8. - I.9.4.8.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.17. | Конструкция и технология производства снабженных |
| | программно-управляемыми запоминающими устройствами |
| | производственных установок для химического |
| | парофазового осаждения покрытий плазменной |
| | стимуляцией, указанных в пунктах I.9.4.9. - |
| | I.9.4.9.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.6.18. | Программное обеспечение, специально разработанное |
| | или модифицированное для проектирования, |
| | производства или применения производственных |
| | установок для химического парофазового осаждения |
| | покрытий, указанных в пунктах I.9.4.9. - I.9.4.9.2. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7. | Процессы нанесения покрытий и модификации |
| | поверхности |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1. | Технология нанесения (твердых) покрытий из |
| | парообразных химических соединений |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| | Примечания: |
| | 1. Нанесение (твердого) покрытия из парообразных |
| | химических соединений - это процесс нанесения |
| | чисто внешнего покрытия или покрытия с |
| | модификацией покрываемой поверхности, когда |
| | металл, сплав, композит, диэлектрик или керамика |
| | наносится на нагретое изделие. Газообразные |
| | продукты (пары, реактанты) разлагаются или |
| | соединяются на поверхности изделия, в результате |
| | чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы |
| | или компаунды. Энергия для такого разложения или |
| | химической реакции может быть обеспечена |
| | нагревом изделия, свечением плазменного разряда |
| | или лучом лазера. |
| | 2. Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения |
| | химических соединений из паровой фазы включает |
| | следующие процессы: |
| | беспорошковое нанесение покрытия прямым газовым |
| | потоком;пульсирующее химическое осаждение паров; |
| | управляемое термическое нанесение покрытий с |
| | ядерным дроблением, а также с применением |
| | мощного потока плазмы или реализации химического |
| | осаждения паров с ее участием. |
| | 3. Порошковое нанесение означает погружение изделия |
| | в порошок из нескольких составляющих. |
| | 4. Газообразные продукты (пары, реактанты), |
| | используемые в беспорошковом процессе, |
| | применяются с несколькими базовыми реакциями и |
| | параметрами, такими как порошковая цементация, |
| | кроме того случая, когда на изделие наносится |
| | покрытие без контакта со смесью порошка. |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.1. | Технология нанесения алюминидов на внутренние |
| | поверхности изделий из суперсплавов |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.2. | Технология нанесения силицидов на: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.2.1. | керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.2.2. | углерод-углеродные композиционные материалы |
| | ------------------ |
| | Примечание |
| | Стекла с малым коэффициентом расширения, указанные |
| | в пунктах II.10.7.1.2.1., II.10.7.1.3., |
| | II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1., |
| | II.10.7.2.2.1.1., II.10.7.2.3.1.1., II.10.7.2.3.3., |
| | II.10.7.6.6.2., II.10.7.6.7.1., II.10.7.6.8.1., |
| | определяются как стекла, имеющие коэффициент |
| | температурного расширения в 1х1-**-7 К**-1 или или |
| | менее, измеренный при 293 К (20 0С) |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.3. | Технология нанесения карбидов на керамики и стекла |
| | с малым коэффициентом расширения |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.4. | Технология нанесения диэлектрических слоевых |
| | покрытий на: |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.4.1. | керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.4.2. | керамики и металлические матричные композиты; |
|--------------------|------------------------------------------------------|
| II.10.7.1.4.3. | карбид, цементируемый вольфрамом; |
| | -------------------- |
| | Примечание |
| | Карбид цементируемый вольфрамом, указанный в |
| | пунктах II.10.7.1.4.3., II.10.7.1.5.2., |
| | II.10.7.1.7.1., II.10.7.2.1.7.3., II.10.7.2.1.9.1., |
| | II.10.7.2.1.10.4., II.10.7.2.2.1.4., |
| | II.10.7.2.3.1.4., II.10.7.6.8.4., II.10.7.6.16.1., |
|