Фрагмент документа "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ КОНЦЕПЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007 - 2011 ГОДЫ)".
XI. Предложения по основным направлениям финансирования,
срокам и этапам реализации подпрограммы
Предусматривается проведение работ по следующим разделам
мероприятий подпрограммы:
сверхвысокочастотная электроника;
радиационно стойкая электронная компонентная база;
микросистемная техника;
микроэлектроника;
электронные материалы и структуры;
группа пассивной электронной компонентной базы, включая
оптоэлектронику и квантовую электронику;
обеспечивающие работы.
В разделе, касающемся сверхвысокочастотной техники (2006 год -
352,2 млн. рублей, 2007 год - 545 млн. рублей), предусматриваются
работы, выполнение которых обеспечит выпуск к 2012 году образцов
фазированных антенных решеток для радиолокаторов наземного,
корабельного, воздушного и космического базирования в интересах
перспективных специальных средств и комплексов, а также создание
производственных мощностей для серийного производства изделий
специальной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и
приемо-передающих модулей.
Указанные работы необходимы для разработки сотовых (спутниковых,
воздушных и наземных) интерактивных телекоммуникационных систем
сантиметрового и миллиметрового диапазона в интересах органов
государственного управления, блокирование или несанкционированный
доступ к функционированию которых должны быть исключены. Поэтому такая
аппаратура должна создаваться только на российской электронной
компонентной базе.
Сверхвысокочастотная электронная компонентная база будет
применяться в цифровом телевидении, домашних и учрежденческих
беспроводных информационно-управляющих сетях, автомобильных радарах
для автоматической парковки, предупреждения столкновений и
автопилотирования.
В указанном разделе предусматривается разработка технологий
производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных
микросхем на основе гетероструктур материалов группы A3B5, объемных
приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона,
технологий производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных
интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона длин волн на основе
нитридных гетероэпитаксиальных структур, интегральных схем высокой
степени интеграции на основе гетероструктур "кремний-германий", а
также технологий производства корпусов мощных транзисторов X-, C-, S-,
L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой
теплопроводностью.
Будут также разработаны базовые технологии производства
суперлинейных кремниевых транзисторов S- и L-диапазонов и технологии
измерений параметров сверхвысокочастотных полупроводниковых структур,
мощных транзисторов и монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и
P-диапазонов, а также базовые технологии создания нового поколения
мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными
массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных
радиоэлектронных систем двойного применения.
Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано с
созданием в стране гетероструктурной электронной компонентной базы с
рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для
такой базы являются широкозонные полупроводники нитрид галлия и карбид
кремния - для мощных полупроводниковых приборов и кремний-германий -
для монолитных интегральных схем. Работы с этими материалами за
рубежом активно развиваются последние 3 - 5 лет. В России их
использование в электронной компонентной базе сдерживается по причине
недостаточного объема работ в области создания и совершенствования
технологии производства необходимых материалов.
В разделе, касающемся радиационно стойкой электронной
компонентной базы (2006 год - 255 млн. рублей, 2007 год - 248 млн.
рублей), предусматриваются работы по разработке радиационно стойкой
электронной компонентной базы для аппаратуры и систем двойного
назначения (специальной и космической техники, аппаратуры,
используемой в интересах Федерального агентства по атомной энергии и
для других специализированных применений). Проблема является
межотраслевой, предусматривается проведение комплекса совместных работ
с Федеральным агентством по атомной энергии и Федеральным космическим
агентством.
В 2007 году предстоит разработать принципиально новую технологию
для элементов памяти на основе фазовых структурных переходов веществ,
нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и
обеспечивающих создание одного универсального типа памяти для всех
микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится
номенклатура применяемых элементов.
Кроме того, будет разработана новая электронная компонентная база
на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры,
микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы до 200 тыс.
вентилей, функционально ориентированные процессоры, аналоговые,
аналого-цифровые и цифроаналоговые сверхбольшие интегральные схемы).
Такая база будет обладать экстремально высокой устойчивостью к
воздействию постоянных потоков радиации, в том числе на наземных
ядерных энергетических установках гражданского назначения.
Необходимость выполнения указанных работ обусловлена также
сохранением паритета в области стратегических ядерных сил с другими
ядерными державами. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001 -
2005 годах в рамках программы ускоренного развития субмикронной
радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения
стратегических ядерных сил.
Необходимо учитывать, что закупки лицензий на эти технологии за
рубежом невозможны из-за ограничений, накладываемых международными
соглашениями о нераспространении ядерных технологий.
В разделе, касающемся микросистемной техники (2006 год - 42 млн.
рублей, 2007 год - 286 млн. рублей), предусмотрено значительное
увеличение объемов работ по удовлетворению спроса на
микроэлектромеханические системы на внутреннем рынке (объем
производства на мировом рынке в 2005 году составил 7,1 млрд.
долларов). Так, простейшие микроэлектромеханические системы - цифровые
микрофоны, разработку и производство которых могут осуществлять
российские организации электронной промышленности, в 2005 году
выпускались в объеме 100 млн. штук (157 млн. долларов), а
прогнозируемая потребность на 2010 год составляет около 850 млн. штук
(более 1 млрд. долларов) в год.
Аналогичные темпы роста потребностей прогнозируются и в отношении
более сложных микроэлектромеханических систем (для дисплеев, топливных
элементов, адаптивной оптики, сверхвысокочастотных устройств,
гироскопов, интегральных сенсоров).
В отличие от других высокотехнологичных направлений отставание
России в этой области от передовых стран не так значительно, и
требуемый технологический уровень производства таких систем
значительно меньше, чем, например, для производства цифровой
электроники.
В результате будут разработаны пассивные датчики давления,
температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, освоены
технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования
специальных слоистых структур, способных обнаруживать опасные
токсичные горючие и взрывчатые вещества и чувствительных к газовым,
химическим и биологическим компонентам внешней среды.
Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники
для других отраслей промышленности, реализация работ по этому разделу
позволит повысить экспортный потенциал России в области
автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, а
также в области навигации, здравоохранения, информационных,
телекоммуникационных и военных технологий.
В разделе, касающемся микроэлектроники (2006 год - 420 млн.
рублей, 2007 год - 492 млн. рублей), предусматривается проведение
работ по освоению в производстве новых технологий с топологическими
нормами 0,18 - 0,13 мкм, а также работ по проектированию электронной
компонентной базы с помощью создаваемой сети дизайн-центров,
обеспечивающих сквозное проектирование радиоэлектронной аппаратуры,
включая сверхбольшие интегральные схемы типа "система на кристалле".
В 2007 году будет осуществлен комплекс работ по разработке и
освоению современной технологии проектирования универсальных
микропроцессоров, цифровых процессоров обработки сигналов,
цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше
100 Мгц, микроконтроллеров и интегральных схем типа "система на
кристалле" на основе каталогизированных сложно функциональных блоков и
библиотечных элементов.
Будут разработаны универсальные микропроцессоры для
радиоэлектронной аппаратуры, процессоры цифровой обработки сигналов,
микросхемы приемопередатчиков для шинных интерфейсов, а также
микроконтроллеры со встроенной энергонезависимой электрически
программируемой памятью и изделия интеллектуальной силовой
микроэлектроники.
Таким образом, будет расширена номенклатура отечественной
электронной компонентой базы, применяемой в паспортно-визовых
документах, автоэлектронике, промышленной электронике и бытовой
аппаратуре.
В разделе, касающемся электронных материалов и структур (2006 год
- 55 млн. рублей, 2007 год - 442 млн. рублей), предусматривается
разработка технологий по освоению новых материалов для современной
электронной компонентной элементной базы (структуры "кремний на
изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и
гетероструктуры, структуры с квантовыми эффектами, композитные,
керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы
для оптоэлектроники).
Работы планируется проводить по 5 направлениям. В рамках первого
направления, касающегося материалов и структур для микроэлектроники,
предполагается освоение производства пластин кремния диаметром 200 мм
и кремниевых эпитаксиальных структур топологического уровня 0,25 -
0,18 мкм, а также организация производства гетероструктур "кремний -
германий" по технологиям, необходимым для производства
быстродействующих сверхбольших интегральных схем.
В рамках второго направления, касающегося материалов и структур
для радиационно стойкой электронной компонентной базы, предполагается
разработка технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных
структур для радиоэлектронных средств и силовых приборов нового
поколения, технологии производства сверхбольших интегральных схем на
ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой
подложке, а также технологии производства облученного кремния и
пластин кремния до 150 мм для создания IGBT-транзисторов и
сильноточных транзисторов нового поколения.
В рамках третьего направления, касающегося материалов и структуры
сверхвысокочастотной электроники, предполагаются работы по
производству гетероэпитаксиальных структур на основе нитридных
соединений A3B5 в целях разработки и изготовления сверхвысокочастотных
монолитных интегральных схем и мощных транзисторов, а также по
созданию спин-электронных магнитных материалов и микроволновых
структур для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных
приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления.
В рамках четвертого направления, касающегося материалов для
микросистемной техники, предполагается проводить разработку технологии
изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и
металлодиэлектрических микро- и наноструктур, технологий создания
многослойных кремниевых структур с использованием диффузионных и
диэлектрических слоев, а также технологии пьезокерамики на кремниевых
подложках.
В рамках пятого направления, касающегося материалов для опто- и
акустоэлектроники и пассивных компонентов, предполагается разработка
технологий выращивания пьезоэлектрических материалов для
акустоэлектроники и оптоэлектроники, технологии получения
гетероструктур нового поколения на основе соединений A3B5 и тройных
структур, технологии гетероструктур с вертикальными оптическими
резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства
вертикально излучающих лазеров, а также разработка технологий особо
тонких полупроводниковых структур.
В разделе, касающемся группы пассивной электронной компонентной
базы, включая оптоэлектронику и квантовую электронику (2006 год - 98,2
млн. рублей, 2007 год - 502 млн. рублей), предусматривается проводить
работы по 7 направлениям.
В рамках первого направления, касающегося резисторов,
предполагается разработка технологий сверхпрецизионных резисторов,
используемых для аппаратуры двойного назначения, технологий особо
стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, а также
технологий интегрированных резистивных структур с повышенными
технико-эксплуатационными характеристиками на основе
микроструктурированных материалов.
В рамках второго направления, касающегося конденсаторов,
предполагается разработка технологий изготовления танталовых
оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов,
конденсаторов с органическими диэлектриками и повышенными удельными
характеристиками, а также технологий ионисторов с высокой удельной
энергией и повышенным током разряда.
В рамках третьего направления, касающегося коммутаторов и
переключателей, предполагается разработка технологий базовых
конструкций высоковольтных вакуумных выключателей нового поколения,
газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих
устройств, а также технологий изготовления малогабаритных
переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа и
герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей
широкого частотного диапазона.
В рамках четвертого направления, касающегося приборов
акустоэлектроники и пьезотехники, предполагается разработка технологий
производства прецизионных, температуростабильных и высокочастотных
резонаторов на поверхностных акустических волнах, радиочастотных
пассивных и активных акустоэлектронных устройств, работающих в
реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации
и систем управления доступом, технологий производства
пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа,
акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга,
робототехники и контроля функционирования различных механизмов,
средств и систем, а также технологий изготовления высокочастотных
резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для
телекоммуникационных и навигационных систем.
В рамках пятого направления, касающегося приборов инфракрасной
техники, предполагается разработка технологий фоточувствительных
приборов с матричными приемниками высокого разрешения видимого и
ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений,
технологий микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на
их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого диапазона, а также
технологий создания фотоэлектронных и высокочувствительных приборов
высокого разрешения для задач космического мониторинга и специальных
систем наблюдения.
В рамках шестого направления, касающегося приборов квантовой
электроники, предполагается разработка технологий мощных
полупроводниковых лазерных диодов и лазерных волоконно-оптических
модулей, оптоэлектронных компонентов для широкого класса инерциальных
лазерных систем управления движением гражданских и специальных
транспортных средств, а также технологий создания элементной базы для
производства лазерных устройств по поиску взрывчатых, отравляющих и
наркотических веществ.
В рамках седьмого направления, касающегося приборов светотехники
и отображения информации, предполагается разработка технологий
создания интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного
назначения со встроенным микроэлектронным управлением, технологий
изготовления светодиодов высокой яркости и индикаторов для систем
подсветки, а также технологий изготовления крупноформатных и особо
плоских экранов, активных матриц и драйверов плоских экранов на основе
аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых
интегральных структур для перспективных видеомодулей, в том числе
электролюминесцентных и жидкокристаллических, включая газоразрядные.
В разделе, касающемся обеспечивающих работ (2006 год - 49,4 млн.
рублей, 2007 год - 85 млн. рублей), предусматриваются разработка
нового метрологического оборудования для контроля производства изделий
электронной компонентной базы и внедрение системы стандартизации и
сертификации элементной базы.
Будет также создана автоматизированная
информационно-аналитическая система для анализа хода работ по
реализации мероприятий подпрограммы.
Увеличение объемов финансирования по капитальным вложениям в
подпрограмме обусловлено рядом следующих факторов:
фактическим состоянием технологического базиса и накопленного
потенциала его развития в виде научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ, выполненных ранее и планируемых к
выполнению в рамках подпрограммы;
освоением новых технологических уровней производства изделий
микроэлектроники и сверхвысокочастотной техники, являющихся
приоритетными областями развития современной электронной компонентной
базы и определяющих облик специальной и гражданской техники. При этом
переход на новые технологические уровни производства требует
практически полной замены специального технологического оборудования и
систем технического обеспечения, контрольного и метрологического
оборудования;
практически полным отсутствием капитальных вложений в
модернизацию технического и технологического обеспечения производства
изделий электронной техники в рамках ранее действовавших федеральных
целевых программ;
невозможностью организаций-производителей переоснащать свое
микроэлектронное производство за счет собственных источников из-за
отсутствия оборотных средств;
созданием новой системы проектирования электронной компонентной
базы, состоящей из сети отраслевых и межотраслевых базовых центров
системного проектирования и использующей лицензионное программное
обеспечение, а также межотраслевого центра проектирования,
каталогизации и изготовления фотошаблонов, позволяющего выйти на
современный мировой уровень в проектировании российской электронной
компонентной базы;
полным отсутствием производства в России специального
технологического оборудования и необходимостью закупки импортного
оборудования, цены на которое на мировом рынке чрезвычайно высоки.
Капитальные вложения в 2007 году предполагается направить на
реконструкцию и техническое перевооружение действующего производства
изделий электронной компонентной базы, в том числе на реконструкцию и
техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники,
что позволит создать производственные мощности по выпуску
твердотельных и интегральных приемопередающих модулей сантиметрового
диапазона для радиолокационной аппаратуры и радиотехнических и
телекоммуникационных систем.
Кроме того, капитальные вложения в 2007 году предполагается
направить на реконструкцию и техническое перевооружение базовых
центров системного проектирования и создание межотраслевого центра
проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.
|
Фрагмент документа "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ КОНЦЕПЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007 - 2011 ГОДЫ)".