Фрагмент документа "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СТРАТЕГИИ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ НА ПЕРИОД ДО 2025 ГОДА".
Государственная программа вооружений
Тактико-технические характеристики ВВСТ в значительной степени
определяются в настоящее время их радиоэлектронной составляющей.
Объем потребления микроэлектронных компонентов для нужд создания
и модернизации ВВСТ составляет не более 20% (по сравнению с рынком
коммерческих изделий микроэлектроники), однако следует ожидать его
увеличения с все большим проникновением микроэлектроники на уровень
индивидуального обеспечения военнослужащего (связь, управление,
навигационное обеспечение, электронные метки, боеприпасы и т.д.).
Ежегодный тираж таких устройств может составлять несколько сот
тысяч единиц, сложность ЭКБ будет приближаться к СБИС типа "система на
кристалле".
Следует ожидать расширения применения, в первую очередь для
высокоточных систем ВВСТ микросистем на кристаллах, интегрирующих
микроэлектронику и микромеханику (MEMS).
Кроме того, ожидается значительное расширение применения
полностью автоматизированных средств вооружения в микроминиатюрном
исполнении, базирующихся на применении микромеханических систем,
количество которых может исчисляться миллионами единиц.
Таким образом, перспективные потребности систем ВВСТ также
приводят к необходимости организации массового производства
специализированной ЭКБ на территории РФ в объемах до 900 млн.
долларов.
Для удовлетворения текущих потребностей производителей
радиоэлектронных средств ВВСТ следует развивать и совершенствовать
структуру сертификации импортной ЭКБ, пригодной для использования в
системах ВВСТ.
Другие сегменты рынка потребителей изделий микроэлектроники,
такие как промышленная электроника, энергетическое оборудование,
связь, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая
техника, торговое оборудование и т.д., могут также существенно
увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства.
Таким образом, в России существует реальная, подкрепленная
гарантированным рынком государственных закупок, возможность и
необходимость расширения современного отечественного микроэлектронного
производства ЭКБ с общим объемом сбыта на уровне 3,5 - 4,5 млрд.
долларов в год.
Дополнительные возможности увеличения объемов продаж продукции
отрасли могут быть обеспечены завоеванием ниш внешнего рынка.
Поскольку проектная мощность дизайн-сети планируется на уровне
нескольких сотен проектов в год, а стоимость одного проекта с
современным технологическим уровнем находится в диапазоне 10-15 млн.
долларов, дополнительно только на уровне экспорта дизайна можно
получить от одного до полутора млрд. долларов в год.
Одновременно должна быть поставлена задача тиражирования и
продажи продукции, разработанной дизайн-сетью и произведенной с
помощью зарубежных производств, в объеме не менее 1,5 - 3%
соответствующих секторов мирового рынка, то есть 3 - 6 млрд. долларов
в год.
Мировой опыт показывает, что прогресс электронной отрасли
инициируется в развитых странах через организацию и выполнение целевых
научно-технических программ, финансируемых на основе совместного
участия в их выполнении как государства, так и частного капитала.
Ежегодно на программы развития электроники в мире развитыми
странами выделяется более 20 млрд. долларов. При этом следует учесть,
что сами фирмы-производители не менее 10% средств от объемов
реализованной продукции направляют на выполнение перспективных
программ исследований по разработке конкурентоспособных изделий.
Инвестиции в ведущие зарубежные фирмы, осуществляющие разработку и
производство ЭКБ, приведены в таблице 2.
Таблица 2
ОЦЕНКА ИНВЕСТИЦИЙ В 2006 ГОДУ, МЛРД. ДОЛЛАРОВ
------------------------------------------------------------------
|Название фирмы|Инвестиции|Ведущие зарубежные фирмы| Инвестиции |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|Intel |5,5 |Micron |1,45 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|Samsung |5,5 |Infineon |1,4 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|Hynix |3,2 |AMD |1,4 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|TSMC |2,7 |STMicroelectronics |1,25 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|Toshiba |2,2 |SMIC |1,2 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|Sony |1,7 |Texas Instruments |1,0 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|Epida |1,5 |Matsushita |1,0 |
|--------------|----------|------------------------|-------------|
|UMC |1,5 |IM flash |1,0 |
------------------------------------------------------------------
Для освоения все более дорогостоящих технологий даже крупные
фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные
средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и
консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был
создан Консорциум правительства и частных компаний SEMATECH, который
успешно обеспечил ликвидацию отставания США от Японии в технологии
микроэлектроники. В Японии, в свою очередь, при участии государства
создана организация SELIT с целью возврата утраченного приоритета в
области микроэлектроники.
Страны Европейского союза выполняют комплексные программы
освоения новых технологических уровней микро- и нанотехнологий в
рамках организационных структур программы "ЕР7", финансируемых из
бюджета ЕС; реализуют комплексную программу MEDIA+, ориентированную на
задачу - "Европа становится лидером по системным инновациям в
полупроводниковых технологиях, ориентированных на электронную
экономику".
Китай уже выполнил государственную программу развития
микроэлектроники - "Программа 909" стоимостью более 10 млрд. долларов
- и в настоящее время стал в ряд крупнейших производителей ЭКБ. Вновь
построенные китайские микроэлектронные производства характеризуются
уровнем технологии 0,18 - 0,13 мкм, что позволяет решать задачи
массового выпуска электронной компонентной базы для развивающегося
приборостроения самого современного мирового уровня.
В период осуществления текущей пятилетки в КНР, по данным
министерства информационных технологий, предполагается осуществить
инвестиции в микроэлектронику на сумму 37 - 45 млрд. долларов для
создания:
- пяти крупных фирм проектирования СБИС (стоимость от 375 млн.
долларов до 624, 2 млн. долларов);
- десяти электронных компаний, занятых разработкой технологий,
материалов и спецтехнологического оборудования (стоимость от 125 млн.
долларов до 375 млн. долларов);
- пятнадцати кремниевых заводов по обработке пластин 200 мм (10
заводов) и 300 мм (5 заводов).
В КНР планируется за 11-ю пятилетку достичь полного
самообеспечения всем комплексом средств для обработки 150 мм пластин
(чистые среды, материалы, оборудование), освоить и коммерциализировать
оборудование литографии (главный определяющий фактор освоения
технологии) для пластин 200 мм и оборудование лазерной обработки для
технологий уровня 65 нм. Решение этих задач позволяет КНР избавиться
от технологической зависимости и наращивать объемы производства ЭКБ в
соответствии с потребностями растущего внутреннего производства
аппаратуры и систем.
Среднегодовые темпы роста производства СБИС за этот период
составят 28,1%. К 2010 г. КНР станет крупнейшим в мире производителем
полупроводниковых приборов - около 150 млрд. долларов.
Как показали итоги 2005 г., наилучшие позиции заняли китайские
фирмы в тех секторах рынка ИС, по которым проводились
специализированные программы. Программа по введению биометрических
паспортов, средств доступа на основе смарт-карт осуществляется по
государственной программе, предусматривающей использование только
отечественных кристаллов СБИС, что обеспечивает необходимую
безопасность на государственном уровне. Также ставится задача
максимального обеспечения стратегических и специальных систем, включая
космическую программу, ЭКБ собственного производства.
Другим примером является программное развитие изделий
микросистемотехники в США и Японии, объем производства которых в США в
2005 году составил более 10 млрд. долларов, а Япония планирует достичь
годового уровня производства в 17 млрд. долларов. В нашей стране это
направление пока находится в зародышевом состоянии.
В последнее десятилетие четко прослеживается тенденция
перемещения производства микроэлектронной техники в страны
Юго-Восточной Азии, что позволяет США, Японии, Европе резко усилить
научные направления поиска новых перспективных технологий
(нанотехнология, микросистемотехника, биоэлектроника и др.). При этом
правительства развитых западных государств оказывают поддержку данным
ключевым направлениям науки, техники и производства.
В мире действуют "Международная карта развития полупроводниковых
приборов", которая определяет главные показатели развития
микроэлектроники до 2018 г. и ежегодно обновляется. Это, по сути дела,
программный документ развития, по которому страны с передовой
электроникой сверяют достигнутые технологические уровни и осуществляют
формирование программ развития.
Таким образом, практически все ведущие экономики мира стимулируют
развитие микроэлектроники путем комбинированных инвестиций за счет
средств государственных бюджетов и частного капитала, признавая
ведущую роль этой отрасли в развитии общества.
Выше приведенные данные по развитию мировой электроники в
очередной раз подчеркивают необходимость планового развития
электроники и определяющую роль государства в ее финансовой и
организационной поддержке.
В период 2002 - 2006 гг. основное развитие отечественной
электроники осуществлялось в процессе реализации раздела "Электронная
компонентная база" Федеральной целевой программы "Национальная
технологическая база", завершение действующей редакции которой было
осуществлено в 2006 году.
В процессе выполнения НИОКР получены следующие основные
результаты:
- В области микроэлектронных технологий реализованы проекты по
созданию отдельных процессов для базовых технологий производства новых
поколений СБИС и ССИС с минимальными размерами элементов 0,1 - 0,25
мкм, в том числе спецстойких БИС с технологическими нормами 0,5 - 0,8
мкм, а также по разработке технологической среды, ориентированной на
сквозное проектирование аппаратуры и перспективной ЭКБ с
использованием библиотек стандартных элементов и СФ-блоков.
Номенклатура разрабатываемых СФ-блоков ориентирована на создание
конкурентоспособных систем мультимедиа, космического мониторинга,
телекоммуникаций, систем радиолокации, радионавигации, транспорта,
средств связи, цифрового телевидения, систем безналичного расчета и
идентификации. Впервые в стране проработаны основные положения
создания трехуровневой системы автоматизированного проектирования
перспективной аппаратуры на основе СБИС типа "система на кристалле".
- В области СВЧ-электроники значительное внимание уделено работам
по созданию современных широкозонных полупроводниковых соединений и
производственно-технологического базиса производства МИС СВЧ на основе
гетероструктур материалов группы А В , а также по разработке широкой
3 5
гаммы мощных СВЧ-полупроводниковых приборов.
Впервые в стране на материале группы А В получены образцы
3 5
транзисторов с Т-образным затвором длиной 0,1 мкм и разработана
технология получения малошумящих транзисторов. Заложены основы
технологии производства МИС СВЧ уровня 0,1 мкм.
- В области обеспечивающих работ проведены аналитические
исследования по разработке классификации и определению приоритетных
направлений развития СФ-блоков и СБИС типа "система на кристалле" для
стратегически значимых радиоэлектронных систем.
- В рамках Федеральной целевой программы "Реформирование и
развитие оборонно-промышленного комплекса" (2002 - 2006 гг.)
проводились в основном работы институционального характера,
направленные на реформирование структуры радиоэлектронного комплекса.
Однако, несмотря на данные отдельные положительные результаты,
следует признать, что российская электроника находится в кризисном
состоянии.
Проблема глобального отставания отечественной электроники явилась
следствием отсутствия целенаправленной государственной научно -
технической политики в электронной промышленности России, пассивностью
и неподготовленностью государства к реформированию отрасли в условиях
действия рыночных механизмов хозяйствования.
Непринятие мер по устранению этой проблемы (инерционный сценарий)
наиболее вероятно приведет к следующим последствиям:
1. Продолжится отставание отечественной электроники от мирового
уровня, которое достигнет критического значения. Увеличится
технологический разрыв, что в свою очередь приведет к отставанию
тактико-технических параметров отечественных радиоэлектронных военных
комплексов обнаружения, управления, связи, разведки и др., а значит
неминуемо негативно отразится на состоянии обороноспособности страны.
2. Не будет обеспечена информационная и экономическая
безопасность государства в связи с обвальным использованием в
стратегических системах управления, обработки и защиты информации,
борьбы с помехами, электронного противодействия, средствах массовой
информации и др. импортной элементной базы.
3. России придется смириться с завоеванием отечественного рынка
импортной электронной техникой, прежде всего телевизионной (в т.ч.
цифровой), связной, автомобильной, навигационной, медицинской,
коммунальной, бытовой.
4. Невозможно будет развивать другие отрасли промышленности,
снизится конкурентоспособность их продукции, а значит поставится под
угрозу возможность активного перехода к инновационной экономике
(экономике "знаний").
Инерционный сценарий не может обеспечить решение проблемы ни при
каких условиях.
Единственная возможность преодоления кризиса отечественной
электроники связана с реализацией активного сценария на всех стадиях
реализации Стратегии, а именно, с принятием государством продуманной и
взвешенной протекционистской политики в решении структурных и
технологических проблем электронной промышленности, оказании
необходимой финансовой помощи для развития нового уровня
технологического и производственного базиса.
Именно активный сценарий реализации Стратегии позволит решить
комплекс проблем, стоящих перед электронной промышленностью.
Во-первых, будет ликвидирована структурная диспропорция электронной
промышленности, связанная с несоответствием масштаба и структуры
отрасли, ее научно-технического и производственного потенциала объему
и структуре платежеспособного спроса на основную продукцию отрасли.
Во-вторых, добиться комплексного развития отрасли и ликвидировать
одностороннее развитие, связанное с развитием спецтехники. В-третьих,
устранить несовершенство отечественного законодательства и финансовой
инфраструктуры электронной промышленности.
Результативность преодоления кризиса будет определяться
правильным установлением отношений между государством и бизнесом на
принципах государственно-частного партнерства.
Базисом и основой планирования и реализации намечаемых мер по
подъему российской электроники должен стать программно-целевой подход
с обязательным участием государства, успешно использованный для
решения аналогичных задач в ведущих странах мира - США, Японии, Китае,
ЕС и др.
Ожидаемый результат - решение проблемы снижения уровня
отечественного технологического отставания от мирового уровня,
повышение востребованности отечественной электронной промышленности
продукции на внутреннем и мировом рынках сбыта.
Эффект от достижения указанного результата будет многоуровневым.
На макроуровне:
- увеличивается объем продаж отечественной ЭКБ на внутреннем и
внешнем рынках;
- значительно сокращается технологическое отставание российской
электронной промышленности от мирового уровня;
- обеспечиваются существенно большие возможности для развития
всех отраслей промышленности, и осуществляется переход к экономике
"знаний";
- создаются условия для более эффективной реализации национальных
проектов, объявленных Президентом;
- создается рыночно-ориентированная инфраструктура электронной
промышленности с учетом реструктуризации бизнеса в этой области
(системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры,
"кремниевые фабрики", и т.д.);
- расширяется экспорт отечественной высокотехнологичной
продукции;
- активизируется инновационная деятельность и ускоряется
внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое
производство;
- обеспечивается возможность создания вооружения, военной и
специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и
безопасность государства, создаст условия для равноправной конкуренции
с лучшими образцами ВВСТ армий ведущих мировых держав.
На микроуровне:
- обеспечивается обновляемость основных фондов организаций
электронной отрасли и стимулируется создание современных
высокотехнологичных производств;
- создаются крупные и эффективные диверсифицированные структуры
(холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими западными
фирмами, работающими в области электроники;
- организуется производство массовой интеллектуально насыщенной и
конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции и
обеспечение разнообразными современными телекоммуникационными
услугами, включая радио и телевидение, электронные СМИ.
В социально-экономической сфере:
- увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится
отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на
квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение
молодых специалистов и ученых и тем самым снизится возрастная
структура кадров;
- повысится качество жизни населения, которое приблизится к
стандартам высокоразвитых стран мира в связи с интеллектуализацией
среды обитания в результате расширения возможности использования
электроники и информационных систем.
В бюджетной сфере:
- будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет
значительного повышения объема продаж изделий электронной отрасли.
|
Фрагмент документа "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СТРАТЕГИИ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ НА ПЕРИОД ДО 2025 ГОДА".