ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СТРАТЕГИИ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ НА ПЕРИОД ДО 2025 ГОДА. Приказ. Министерство промышленности и энергетики РФ. 07.08.07 311

Фрагмент документа "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СТРАТЕГИИ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ НА ПЕРИОД ДО 2025 ГОДА".

Предыдущий фрагмент <<< ...  Оглавление  ... >>> Следующий фрагмент

Полный текст документа

Приоритетное развитие микроэлектроники

     Развитие микроэлектроники должно быть направлено на:
     разработку базовых технологий СБИС:
     - КМОП  технологии  уровня 0,18 - 0,13 мкм на пластинах диаметром
200 мм с созданием опытного производства;
     - опытной технологии КМОП СБИС с проектными нормами до 0,13 мкм и
организация  пилотной  линии  по  выпуску  специализированных  СБИС на
пластинах диаметром 200 мм;
     - разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и
коррекцией  оптического  эффекта  близости  для  производства  СБИС  и
организацию   межотраслевого  центра  проектирования,  изготовления  и
каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мк;
     - ускоренное развитие систем проектирования сложных СБИС, включая
СБИС  типа  "система  на  кристалле",  ориентированных  на  разработку
конкурентоспособных  электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций,
систем   радиолокации,   космического   мониторинга,  цифровых  систем
обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания,
систем  управления  технологическими  процессами и транспортом, систем
безналичного  расчета,  научного  приборостроения  и  обучения, систем
идентификации,  сжатия и кодирования информации, медицинской техники и
экологического контроля с использованием:
     - унифицированных  библиотек стандартных элементов (отечественных
и зарубежных производств);
     - библиотек  макроблоков  и СФ-блоков, ориентированных по классам
ЭКБ;
     - платформ и стандартных интерфейсов;
     - программно-аппаратных  средств  архитектурного проектирования и
программирования, включая генерацию тестов;
     разработку новых поколений электронной компонентной базы:
     - функционально  полной  номенклатуры аналоговых и логических БИС
для  комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и
аппаратуры, включая задачи импортозамещения;
     - СФ-блоков  для  обработки,  сжатия и передачи информации, в том
числе:
     сигнальные  и цифровые процессоры (в том числе программируемые) и
микроконтроллеры;
     цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи;
     шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.);
     специализированные   блоки  для  телекоммуникации,  связи  и  АТМ
технологии;
     - комплектов  специализированных СБИС типа "система на кристалле"
сложностью  до 10 - 50 млн. транзисторов для систем цифровой обработки
сигналов    (цифровое    телевидение,    радиовещание,    сотовая    и
радиотелефонная  связь,  космический  мониторинг, системы управления и
контроля и т.д.);
     - разработку приборов силовой электроники, включая:
     - базовую  технологию  и  конструкцию  производства  тиристоров и
мощных  транзисторов  со  структурой  IGBT,  силовых  ключей прижимной
конструкции на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В;
     - базовую   технологию   производства   и   конструкцию   силовых
микросхем,    гибридных    силовых    приборов    тиристорного   типа,
высоковольтных   драйверов   управления   и  интеллектуальных  силовых
модулей.
     Системы  на  кристалле  -  новый  класс перспективной электронной
элементной  базы, одно из наиболее динамично развивающихся направлений
микроэлектронной техники, востребованной на рынке.
     Развитие   технологий  СБИС  "система  на  кристалле"  неразрывно
связано с развитием рынка СФ-блоков.

                                                             Таблица 6

           ДИНАМИКА МИРОВОГО РЫНКА ОБЪЕМА ПРОДАЖ СФ-БЛОКОВ

------------------------------------------------------------------
|     Годы      | Объем продаж, млн. руб. |      Прирост, %      |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|1995           |95                       |97,9                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|1996           |165                      |73,7                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|1997           |255                      |54,5                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|1998           |395                      |54,9                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|1999           |528                      |33,7                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|2000           |732                      |38,6                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|2001           |1038                     |41,8                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|2002           |1424                     |37,2                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|2003           |1893                     |32,9                  |
|---------------|-------------------------|----------------------|
|2004           |2503                     |32,2                  |
------------------------------------------------------------------

     Анализ динамики мирового рынка СФ-блоков в период 2000 - 2004 гг.
показал,  что среднегодовые темпы роста составили в среднем 36,5%, а в
целом за десятилетний период объем продаж СФ-блоков в мире вырос более
чем в 26 раз.
     Темпы   развития   сектора  многократно  используемых  СФ-блоков,
повышающих  надежность,  ускоряющих  и  удешевляющих  разработку  СБИС
"система  на кристалле", имеют еще большую динамику: число конструкций
таких  СФ-блоков  в  период с 2000 по 2004 гг. увеличилось более чем в
три раза, а за десятилетний период - в 41,7 раза.

Фрагмент документа "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СТРАТЕГИИ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ НА ПЕРИОД ДО 2025 ГОДА".

Предыдущий фрагмент <<< ...  Оглавление  ... >>> Следующий фрагмент

Полный текст документа