алюминиды,
сплавы алюминидов (2)
тугоплавкие металлы и силициды,
сплавы оксиды
(8)
4. Плазменное суперсплавы MCrAlX (5),
напыление модифицированные виды
циркония
(12),
смеси перечисленных выше
материалов
(4),
эрозионно стойкий
никель-графит,
эрозионно стойкий
никель-хром-алюминий-
бентонит,
эрозионно стойкий
алюминий-кремний-
полиэфир,
сплавы алюминидов (2)
алюминиевые сплавы (6) MCrAlX (5),
модифицированные виды
циркония
(12),
силициды,
смеси перечисленных выше
материалов
(4)
тугоплавкие металлы и алюминиды,
сплавы силициды,
(8) карбиды
коррозиестойкие стали модифицированные виды
(7) циркония
(12),
смеси перечисленных выше
материалов
(4)
титановые сплавы (13) карбиды,
алюминиды,
силициды,
сплавы алюминидов (2),
эрозионно стойкий
никель-графит,
эрозионно стойкий
никель-хром-алюминий-
бентонит,
эрозионно стойкий
алюминий-кремний-полиэфир
5. Осаждение тугоплавкие металлы и легкоплавкие силициды,
суспензии сплавы легкоплавкие алюминиды,
(шлама) (8) (кроме материалов для
теплостойких
элементов)
углерод-углерод, силициды,
керамика и карбиды,
композиционные смеси перечисленных выше
материалы с материалов
металлической (4)
матрицей
6. Металлизация суперсплавы сплавы силицидов,
распылением сплавы алюминидов (2),
благородные металлы,
модифицированные
алюминидами (3),
MCrAlX (5),
модифицированные виды
циркония
(12),
платина,
смеси перечисленных выше
материалов (4)
керамика и стекла с силициды,
малым платина,
коэффициентом расширения смеси перечисленных выше
(14) материалов
(4),
слои диэлектриков (15)
титановые сплавы (13) бориды,
нитриды,
оксиды,
силициды,
алюминиды,
сплавы алюминидов (2),
карбиды
углерод-углерод, силициды,
керамика и карбиды,
композиционные тугоплавкие металлы,
материалы с смеси перечисленных выше
металлической материалов
матрицей (4),
слои диэлектриков (15)
цементированный карбид карбиды,
вольфрама вольфрам,
(16), смеси перечисленных выше
карбид кремния материалов
(4),
слои диэлектриков (15)
молибден и его сплавы слои диэлектриков (15)
бериллий и его сплавы бориды,
слои диэлектриков (15)
материалы окон датчиков слои диэлектриков (15)
(9)
тугоплавкие металлы и алюминиды,
сплавы силициды,
(8) оксиды,
карбиды
7. Ионная высокотемпературные добавки хрома, тантала
имплантация стойкие или ниобия
стали (колумбия в США)
титановые сплавы (13) бориды,
нитриды
бериллий и его сплавы бориды,
цементированный карбид карбиды,
вольфрама нитриды
(16)
____________________________________________________________________
________________
Примечания к таблице:
1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового
покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или
многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или
элементы осаждается покрытие до или в течение процесса
алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с
помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное
использование одношагового процесса пакетной цементации для получения
сплавов алюминидов
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными
алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором
благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо
другим процессом до применения метода нанесения алюминида
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции,
выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые
материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов
нанесения покрытий, изложенных в таблице
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где М
эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а Х
эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или
другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % (по весу) в
различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома,
менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия; или
б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22-24 % (по весу) хрома, 10-12%
(по весу) алюминия и 0,5-0,7 % (по весу) иттрия; или
в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21-23 % (по весу) хрома, 10-12
% (по весу) алюминия и 0,9-1,1 % (по весу) иттрия
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным
значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при
температуре 293 К (20 град. С)
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится с сталям,
удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и
стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным
показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов
для сталей
8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их
сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия),
кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия,
некоторые галогениды металлов (иодистый калий, фтористый калий), а
окон датчиков диаметром более 40 мм - бромистый таллий и
хлоробромистый таллий
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых
профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид,
поликарбонаты и полиуретаны
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с
внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды
кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в
соответствии с условиями стабильности определенных
кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из
циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом
смешения или расплава, не контролируются
13. Титановые сплавы определяются как аэрокосмические сплавы с
предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным
при 293 К (20 град. С)
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как
стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10-7 К-1 или
менее, измеренный при 293 К (20 град. С)
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным
изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства
конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что
используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых
диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и
более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик-металл
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы,
применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида
вольфрама/(кобальт-никель), карбида титана /(кобальт-никель), карбид
хрома/(никель-хром) и карбид хрома/никель
______________
Технические примечания к таблице:
Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения
покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности,
когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика
наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или
соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней
образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого
разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет
нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера
______________
Особые примечания:
а) химическое осаждение паров включает следующие процессы:
беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее
химическое осаждение паров, управляемое термическое нанесение с
ядерным дроблением, с применением мощного потока плазмы или химическое
осаждение паров с участием плазмы;
б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких
составляющих;
в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в
беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и
параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на
изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с
давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется
для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса
конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности
изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения
поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного
состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или
плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе
также свойственно большинству модификаций процесса физического
осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева.
Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса
оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в
будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией
посредством резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и
испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный
луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве
источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный
(однородный) поток паров материала покрытия, используется
электрическое сопротивление;
в) при выпаривании лазером для нагрева материала, который
формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный
луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве
материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд
дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным
пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод.
Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к
образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и
располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может
играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции
используются изделия с регулированием их положения.
_______________
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению
покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением
изделия
3. Ионная имплантация - специальная модификация генерального
процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для
ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение
(заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из
плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в
камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в
процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины
покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического
осаждения паров термовыпариванием
4. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на
поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет),
которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия)
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры),
которая нагревается от 1030 К (757 град. С) до 1375 К (1102 град.
С) на время, достаточное для нанесения покрытия
5. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего
покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из
материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может
быть основано на осуществляемом под водой напылении плазмой низкого
давления или высокоскоростной плазмой
________________
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе
сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при
температуре 293 К (20 град. С) и давлении 0,1 МПа
6. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с
модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия,
когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим,
суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством
напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной
сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств
покрытия
7. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по
направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая
энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени
требуемого покрытия
________________
Особые примечания:
а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной
или реактивной металлизации распылением, которые применяются для
увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а
также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении
парообразующих неметаллических материалов покрытий
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть
использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия
8. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с
модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется,
ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и
имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной
имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация
самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или
металлизации распылением
Техническая терминология, используемая в таблице технических
приемов осаждения покрытий:
Подразумевается, что следующая техническая информация,
относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий,
используется при необходимости
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной
обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов
коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне;
1.1.3. Температура в ванне;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
величины чистящей дозы;
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки;
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. Состав песка;
1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. Скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия;
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических
параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в
таблице:
2.1. Атмосферные параметры:
2.1.1. Состав атмосферы;
2.1.2. Атмосферное давление
2.2. Временные параметры;
2.3. Температурные параметры;
2.4. Параметры слоя;
2.5. Коэффициент параметров преломления
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки
покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым
песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. Состав атмосферы;
3.3.1.2. Атмосферное давление
3.3.2. Температурно-временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для
последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения
технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек,
указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Усиления;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств:
4.3.1. Отражательная способность;
4.3.2. Прозрачность;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах,
связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения
поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. Состав несущего газа;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав химически активного газа;
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала;
5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.2.7.6. Ориентация подложки
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
5.3.2. Состав несущего газа;
5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени;
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. Состав химически активного газа;
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры наклона подложки
______________________________________________________________________
| |Код товарной
N | |номенклатуры
позиции| Наименование |внешнеэкономической
| |деятельности
_________|______________________________________|_____________________
Категория 3.
Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
______________
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в
пункте 3.1, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3.1.1.1.12,
которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные
характеристики, как и другое оборудование, определяется по
контрольному статусу другого оборудования
2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, программы которых не
могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных
функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу
другого оборудования
______________
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может
определить контрольный статус другого оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в
пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.12; если интегральная
схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину слова
операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться
в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
_____________
Примечания:
1. Контрольный статус готовых пластин или полуфабрикатов для их
изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа
"кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или 854211;
определяемые как радиационно стойкие, 854219
чтобы выдержать следующее:
а) общую дозу 5 х 103 рад (кремний) или
выше; или
б) предел мощности дозы 5 х 106 рад
(кремний)/с или выше;
3.1.1.1.2. Интегральные схемы электрически 854211510;
программируемых постоянных запоминающих 854211520;
устройств (ЭППЗУ), программируемые с 854211530;
ультрафиолетовым стиранием, и 854211550;
статических запоминающих устройств с 854211630;
произвольной выборкой (СЗУПВ), а также 854211650;
интегральные схемы, указанные в пунктах 854211660;
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 854211720
3.1.1.1.12, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К
(+125 град. С);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К
(-55 град. С); или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей среды от
218 К (-55 град. С) до 398 К (+125 град. С)
_______________
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы для
гражданских автомобилей и железнодорожных локомотивов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микрокон-троллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
______________
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые
матричные процессоры и цифровые сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 854211870
производительность (СТП) 260 млн.
теоретических операций в секунду (Мтопс)
или более и арифметико-логическое
устройство с длиной выборки 32 бита или
более;
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 8542
соединениях и работающие на тактовой
частоте, превышающей 40 МГц; или
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или команд, 854211760
или порт последовательной связи для
внешнего межсоединения в параллельный
процессор со скоростью передачи,
превышающей 2,5 Мбит/с
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные 854211550;
на полупроводниковых соединениях; 854211720;
854211760
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для аналого-цифровых 854211830 -
и цифро-аналоговых преобразователей, 854211870;
такие, как: 854211990;
а) аналого-цифровые преобразователи, 854220100;
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или 854220900
более, но меньше 12 бит с общим временем
преобразования до максимальной
разрешающей способности менее 10 нс;
2) разрешающую способность 12 бит с
общим временем преобразования до
максимальной разрешающей способности
менее 200 нс; или
3) разрешающую способность более 12 бит
с общим временем преобразования до
максимальной разрешающей способности
менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит и более
и временем выхода на установившийся
режим менее 10 нс;
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 854219
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно все
перечисленные составляющие:
а) один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний светочувствительный
элемент или более; и
в) оптические волноводы;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем матрицы 854211300
логических ключей на полевых
транзисторах, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,4 нс;
3.1.1.1.8. Программируемые пользователем логические 854211910
матрицы полевых транзисторов, имеющие
хотя бы одну из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) частоту переключения, превышающую
133 МГц;
3.1.1.1.9. Интегральные схемы для нейронных сетей; 854219
3.1.1.1.10. Заказные интегральные схемы, у которых 854219
функция неизвестна либо производителю
неизвестно, распространяется ли
контрольный статус на аппаратуру, в
- 166 -
которой будут использоваться данные
интегральные схемы, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) свыше 208 выводов;
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,35 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
3.1.1.1.11. Цифровые интегральные схемы, 854211990
отличающиеся от указанных в пунктах
3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12,
созданные на основе какого-либо
полупроводникового соединения и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 300 (в пересчете на
двухвходовые); или
б) частоту переключения, превышающую
1,2 ГГц;
3.1.1.1.12. Процессоры быстрого преобразования 854211810;
Фурье, имеющие любую из следующих 854211830
характеристик:
а) расчетное время выполнения 854211850;
комплексного 1024-точечного быстрого 854211870
преобразования Фурье менее 1 мс;
б) расчетное время выполнения
комплексного N-точечного сложного
быстрого преобразования Фурье, отличного
от 10 24-точечного, менее, чем N log2N
/10240 мс, где N - число точек; или
в) производительность алгоритма
"бабочка" более 5,12 МГц
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие, как:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные
лампы и катоды:
______________
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или
спроектированные для работы в стандартном диапазоне частот гражданских
телекоммуникаций, с частотами, не превышающими 31 ГГц
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или 854049000
непрерывного действия, такие, как:
а) работающие на частотах, превышающих
31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со
временем от включения до выхода лампы на
предельную радиочастотную мощность менее
3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами или
их модификации с мгновенной шириной
полосы частот более 7 % или пиком
мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их модификации,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) мгновенную ширину полосы более одной
октавы и произведение средней мощности
(выраженной в кВт) на рабочую частоту
(выраженную в ГГц) более 0,5;
2) мгновенную ширину полосы в одну
октаву или менее и произведение средней
мощности (выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в Г Гц) более 1; или
3) годные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. СВЧ-приборы-усилители магнетронного типа 854041000
с коэффициентом усиления более 17 дБ;
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные 854049000
для электронных ламп, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) время выхода на уровень эмиссии менее
3 с; или
б) плотность тока при непрерывной
эмиссии и штатных условиях
функционирования, превышающую 5 А/кв.см
3.1.1.2.2. Микроволновые интегральные схемы или 854049000
модули, содержащие твердотельные
интегральные схемы, работающие на
частотах свыше 3 ГГц
_______________
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули
оборудования, спроектированного для работы в стандартном диапазоне
частот гражданской телекоммуникации, не превышающем 31 ГГц;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, 854049000
предназначенные для работы на частотах,
превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители, 854049000
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц
и имеющие мгновенную ширину полосы
частот более пол-октавы;
б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;
3.1.1.2.5. Фильтры с электронной или магнитной 854049000
настройкой, содержащие более пяти
настраиваемых резонаторов,
обеспечивающих настройку в полосе частот
с соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5 : 1 (fmax / fmin)
менее чем за 10 мкс, имеющие любую из
следующих составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие полосу
пропускания частоты более 0,5 % от
резонансной частоты; или
б) заградительные фильтры, имеющие
полосу подавления частоты менее 0,5 % от
резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Микроволновые сборки, способные работать 854049000
на частотах, превышающих 31 ГГц;
3.1.1.2.7. Смесители и преобразователи, 854049000
разработанные для расширения частотного
диапазона аппаратуры, указанной в
пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6;
3.1.1.2.8. Микроволновые усилители мощности СВЧ, 854081000
содержащие лампы, контролируемые по
пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной мощности,
превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб.см
_______________
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная
или пригодная для работы на стандартных частотах гражданских
телекоммуникаций
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 854160000
волнах и на акустических волнах в тонкой
подложке (т.е. приборы для обработки
сигналов, использующие упругие волны в
материале), имеющие любую из следующих
характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности более
55 дБ;
2) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы частот
(в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250 МГц;
или
4) задержку рассеяния, превышающую 10
мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и
дополнительно имеющие любую из следующих
характеристик:
1) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы частот
(в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую 10
мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности более
55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах 854160000
(т.е. приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны в материале),
обеспечивающие непосредственную
обработку сигналов на частотах свыше 1
ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми волнами,
что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 854280000
компоненты, изготовленные из
сверхпроводящих материалов, специально
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
а) электромагнитное усиление:
1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц,
с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или
2) на частотах свыше 31 ГГц;
б) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на
рассеяние мощности на вентиль (в ваттах)
ниже 10-14 Дж; или
в) селекцию частоты на всех частотах с
использованием резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических 850619900
элементах, такие, как:
а) первичные элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг и
пригодны е по техническим условиям для
работы в диапазоне температур от 243 К
(-30 град. С) и ниже до 343 К (70 град.
С) и выше
______________
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в
ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в
амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение
на разомкнутых клеммах падает до 75 % от номинала, и деления
полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг
после 75 циклов заряда-разряда при токе
разряда, равном С/5 ч (С - номинальная
емкость в ампер-часах), при работе в
диапазоне температур от 253 К (-20 град.
С) и ниже до 333 К (60 град. С) и выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с удельной
мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей
температуре 301 К (28 град. С) и
вольфрамовом источнике, нагретом до 2800
К (2527 град. С) и создающем
энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м
_______________
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи объемом 27 куб.см и
меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, как: 850619900;
850780900
а) накопители с частотой повторения
менее 10 Гц (одноразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения 10
Гц и более (многоразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение не менее 5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда-разряда не
менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 850519900
соленоиды, специально спроектированные
на полный заряд или разряд менее чем за
одну секунду, имеющие все
нижеперечисленные характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию свыше
8 Т или суммарную плотность тока в
обмотке больше 300 А/кв.мм
________________
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие
электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для
медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного 903180310
углового положения вала в код, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от полного
диапазона (18 бит); или
б) точность лучше плюс-минус 2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура
общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 852039900
аналоговой аппаратуры, включая
аппаратуру с возможностью записи
цифровых сигналов (например,
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на
электронный канал или дорожку, при числе
дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную)
временной шкалы, измеренную по методикам
соответствующих руководящих материалов
Межведомственного совета по
радиопромышленности (IRIG) или
Ассоциации электронной промышленности
(ЕIA), менее +0,1 мкс
_________________
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для
гражданского применения, не рассматриваются как записывающая
аппаратура;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны, имеющие 852110;
максимальную пропускную способность 852190000
цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с;
_______________
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны,
специально спроектированные для телевизионной записи, использующие
стандартный формат сигнала или рекомендуемый Международным
консультативным комитетом по радиосвязи (МККР) либо Международной
электротехнической комиссией (МЭК) для гражданского телевидения;
3.1.2.1.3. Накопители на магнитной ленте для 852110
цифровой аппаратуры, использующие
принципы спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и имеющие
любую из следующих характеристик:
а) максимальную пропускную способность
цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;
или
б) годные для применения в космосе
_______________
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на
магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в
цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только
цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной 852190000
способностью цифрового интерфейса свыше
175 Мбит/с, спроектированная в целях
переделки цифровых видеомагнитофонов для
использования их как устройств записи
данных цифровой аппаратуры;
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в 854380900
цифровую форму и записи переходных
процессов, имеющие все следующие
характеристики:
а) скорость преобразования в цифровую
форму не менее 200 млн. проб в секунду и
разрешение 10 или более проб в секунду;
и
б) пропускную способность не менее
2 Гбит/с
______________
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная
способность есть произведение наибольшего объема слов на количество
бит в слове.
Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных
аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство
без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового
преобразования
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частоты, 854380900
имеющие время переключения с одной
заданной частоты на другую менее 1 мс;
3.1.2.3. Анализаторы сигналов: 854380900
а) способные анализировать частоты,
превышающие 31 ГГц;
б) динамические анализаторы сигналов с
полосой пропускания в реальном времени,
превышающей 25,6 кГц
_______________
Примечание.
По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические
анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой
пропускания фиксированных долей
_______________
Техническое примечание.
Фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также
как октавные или дробно-октавные фильтры;
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных 854320000
частот, формирующие выходные частоты с
управлением по параметрам точности,
кратковременной и долговременной
стабильности на основе или с помощью
внутренней эталонной частоты, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) максимальную синтезируемую частоту
более 31 ГГц;
б) время переключения с одной заданной
частоты на другую менее 1 мс; или
в) фазовый шум одной боковой полосы
лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в
единицах дБ х с/Гц, где F - смещение
рабочей частоты в Гц, а f - рабочая
частота в МГц
______________
Примечание.
По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой
выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с
двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или
вычитания с последующим умножением результирующей частоты;
3.1.2.5. Сетевые анализаторы с максимальной 854380900
рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие 852790990
все следующие характеристики:
а) максимальную рабочую частоту,
превышающую 40 ГГц; и
б) способные одновременно измерять
амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую 854320000
из следующих характеристик:
а) долговременную стабильность
(старение) менее (лучше) 10-11 в месяц;
или
б) годные для применения в космосе
_______________
Примечание.
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые
стандарты, не предназначенные для космического применения
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых приборов
или материалов и специально
разработанные компоненты и оснастка для
них:
3.2.1.1. Установки, управляемые встроенной
программой, предназначенные для
эпитаксиального выращивания, такие, как:
3.2.1.1.1. Установки, способные выдерживать толщину 841989900
слоя с отклонением не более плюс-минус
2,5 % на протяжении 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки химического осаждения паров 841989900
металлорганических соединений,
специально разработанные для выращивания
кристаллов сложных полупроводников с
помощью химических реакций между
материалами, которые контролируются по
пункту 3.3.3 или 3.3.4;
3.2.1.1.3. Молекулярно-лучевые установки 841780100
эпитаксиального выращивания,
использующие газовые источники
3.2.1.2. Установки, управляемые встроенной 845610000
программой, специально предназначенные
для ионной имплантации, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ;
б) специально спроектированные и
оптимизированные для работы с
ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ;
в) обладающие способностью
непосредственной записи; или
г) пригодные для высокоэнергетической
имплантации кислорода в нагретую
подложку полупроводникового материала;
3.2.1.3. Установки сухого травления анизотропной 845690000
плазмой, управляемые встроенной
программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по пункту
3.2.1.5, и имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс;
3.2.1.4. Установки химического парофазового 845690000
осаждения и плазменной стимуляции,
управляемые встроенной программой:
а) с покассетной обработкой пластин и
загрузкой через загрузочные шлюзы,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс
б) специально спроектированные для
оборудования, контролируемого по пункту
3.2.1.5, имеющие любую из следующих
характеристик:
1) магнитную защиту; или
2) электронный циклотронный резонанс;
3.2.1.5. Управляемые встроенной программой 845610000;
автоматически загружаемые многокамерные 845690000
системы с центральной загрузкой пластин,
имеющие все следующие составляющие:
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки
пластин, к которым присоединяется более
двух единиц оборудования для обработки
полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной
системы последовательной
многопозиционной обработки пластин в
вакуумной среде
_______________
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические
робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для
работы в вакууме
3.2.1.6. Установки литографии, управляемые
встроенной программой, такие, как:
3.2.1.6.1. Установки многократного совмещения и 900922900
экспонирования для обработки пластин
методом фотооптической или рентгеновской
литографии, имеющие любую из следующих
составляющих:
а) источник света с длиной волны короче
400 нм; или
б) способность воспроизводить рисунок с
минимальным размером разрешения от 0,7
мкм и менее
________________
Примечание.
Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей
формуле:
(экспозиция источника освещения
с длиной волны в мкм) х (К фактор)
МРР = цифровая апертура
где К фактор = 0,7;
3.2.1.6.2. Установки, специально спроектированные 845610000
для производства шаблонов или обработки
полупроводниковых приборов с
использованием отклоняемого
фокусируемого электронного луча, пучка
ионов или лазерного луча, имеющие любую
из следующих характеристик:
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) способность производить рисунок с
минимальными разрешенными проектными
нормами менее 1 мкм; или
в) точность совмещения лучше плюс-минус
0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7. Шаблоны или промежуточные фотошаблоны,
разработанные для интегральных схем,
контролируемых по пункту 3.1.1;
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим 901090000
слоем
3.2.2. Аппаратура испытаний, управляемая
встроенной программой, специально
спроектированная для испытания готовых
или находящихся в разной степени
изготовления полупроводниковых приборов,
и специально спроектированные компоненты
и приспособления для нее:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных 903180390
приборов на частотах свыше 31 ГГц;
3.2.2.2. Для испытаний интегральных схем, 903180390
способная выполнять функциональное
тестирование (по таблицам истинности) с
частотой тестирования строк более 60 МГц
______________
Примечание.
По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для испытаний:
а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой
или игровой электронной аппаратуры;
б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок
или интегральных схем;
3.2.2.3. Для испытаний микроволновых интегральных 903180390
схем на частотах, превышающих 3 ГГц
______________
Примечание.
По пункту 3.2.2.3 не контролируется аппаратура испытаний,
специально спроектированная для испытания микроволновых интегральных
микросхем для оборудования, предназначенного или пригодного по
техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на
частотах, не превышающих 31 ГГц;
3.2.2.4. Электронно-лучевые системы, 903180390
спроектированные для работы на уровне 3
кэВ или менее, или лазерные лучевые
системы для бесконтактного зондирования
запитанных полупроводниковых приборов,
имеющие все следующие составляющие:
а) стробоскопический режим либо с
затенением луча, либо с детекторным
стробированием; и
б) электронный спектрометр для замера
напряжений менее 0,5 В
_______________
Примечание.
По пункту 3.2.2.4 не контролируются сканирующие электронные
микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены
для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные материалы,
состоящие из подложки с несколькими
последовательно наращенными
эпитаксиальными слоями, имеющими любую
из следующих составляющих:
3.3.1.1. Кремний; 38 1800900
3.3.1.2. Германий; или 381800900
3.3.1.3. Соединения III/V на основе галлия или 381800900
индия
________________
Техническое примечание.
Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или
сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп
IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной
классификации это группы А3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид
галлия, фосфид индия и т.п.)
3.3.2. Материалы резистов и подложки, покрытые
контролируемыми резистами, такие, как:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для 854140990
полупроводниковой литографии, специально
приспособленные (оптимизированные) для
использования на спектральную
чувствительность менее 370 нм;
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для 854140990
использования при экспонировании
электронными или ионными пучками, с
чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или
лучше;
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для 854150990
использования при экспонировании
рентгеновскими лучами, с
чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или
лучше;
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под 854140990
технологии формирования рисунка, включая
силицированные резисты
_______________
Техническое примечание.
Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование
поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого
проявления
3.3.3. Органо-неорганические компаунды, такие,
как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 293100900
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы свыше
99,999 %;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 293100900
органо-сурьмянистые и органо-фосфорные
соединения с чистотой органической
элементной основы свыше 99,999 %
_______________
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, чей
металлический, частично металлический или неметаллический элемент
непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 284890000;
имеющие чистоту свыше 99,999 % даже 285000100
после растворения в инертных газах или
водороде
______________
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20 % и
более молей инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам 3.1.1.2 -
3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в оборудовании,
управляемом встроенной программой и
контролируемом по пункту 3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую из
следующих составляющих:
3.4.3.1. Правила проектирования или правила
проверки (верификации) схем;
3.4.3.2. Моделирование схем по их физической
топологии; или
3.4.3.3. Имитаторы литографических процессов для
проектирования
_______________
Техническое примечание.
Имитатор литографических процессов - это пакет программного
обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения
последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях
воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки
проводников, диэлектриков или полупроводникового материала
_____________
Примечание.
По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение,
специально созданное для описания принципиальных схем, логического
моделирования, раскладки и маршрутизации (трассировки), проверки
топологии или размножения шаблонов
_______________
Особое примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для
проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем
рассматриваются как технология
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
3.1, 3.2 или 3.5
_______________
Примечание.
По пункту 3.5.1 не контролируются технологии разработки или
производства:
а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31
ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3
3.1.1.1.12, имеющих оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы 1 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных структур
______________
Особое примечание.
Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 пункта "б"
примечания не включает приборы, содержащие максимум два металлических
слоя и два слоя поликремния
3.5.2. Прочие технологии для разработки или
производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как транзисторы
с высокой подвижностью электронов,
биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с квантовыми
ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов
Категория 4.
Вычислительная техника
_______________
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных
сетях, должны быть также проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации)
_______________
Особые примечания:
а) устройства управления, которые непосредственно связывают шины
или каналы центральных процессоров, оперативную память или контроллеры
накопителей на магнитных дисках, не входят в понятие
телекоммуникационной аппаратуры, рассматриваемой в части 1 Категории 5
(Телекоммуникации);
б) для определения контрольного статуса программного обеспечения,
которое специально создано для коммутации пакетов, следует
использовать пункт 5.4.1
2. ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение,
выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой
многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции
пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость
(ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 2 Категории 5 (Защита информации)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее
оборудование, а также электронные сборки
и специально разработанные для них
компоненты:
4.1.1.1. Специально созданные для достижения 847110;
любой из следующих характеристик: 847120
а) по техническим условиям пригодные для
работы при температуре внешней среды
ниже 228 К (-45 град. С) или выше 358 К
(85 град. С)
______________
Примечание.
По пункту 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для
гражданских автомобилей или железнодорожных локомотивов;
б) радиационно стойкие, превышающие
любое из следующих требований:
1) поглощенная доза 5 х 103 рад (кремний);
2) мощность дозы на сбой 5 х 106 рад
(кремний)/c; или
3) сбой от высокоэнергетической частицы
10-7 ошибок/бит/день;
4.1.1.2. Имеющие характеристики или 847110;
функциональные особенности, 847120
превосходящие пределы, указанные в части
2 Категории 5 (Защита информации)
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные сборки и 847110
специально разработанные для них
компоненты:
а) имеющие в своем составе цифровые ЭВМ,
которые контролируются по пункту 4.1.3;
б) имеющие в своем составе
аналого-цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) 32 каналами или более; и
2) разрешающей способностью 14 бит (плюс
знаковый разряд) или выше со скоростью
200000 преобразований/с или выше
4.1.3. Цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а также
специально разработанные для них
компоненты, такие, как:
_______________
Примечания:
1. Пункт 4.1.3 включает:
а) векторные процессоры;
б) матричные процессоры;
в) цифровые центральные процессоры;
г) логические процессоры;
д) оборудование для улучшения качества изображения;
е) оборудование для обработки сигналов
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего
оборудования, описанных в пункте 4.1.3, определяется контрольным
статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для
работы другого оборудования или других систем;
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются
основным элементом другого оборудования или других систем; и
в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования
подпадает под действие пункта 4.5
_____________
Особые примечания:
1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или
улучшения качества изображения, специально спроектированного для
другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным
назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом
другого оборудования, даже если первое соответствует критерию
основного элемента
2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или
сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см.
часть 1 Категории 5 (Телекоммуникации)
4.1.3.1. Спроектированные или модифицированные 8471
для обеспечения отказоустойчивости (кроме
847110)
_______________
Примечание.
Применительно к пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее
оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для
обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из
следующего:
а) алгоритмы обнаружения или исправления
ошибок, хранимые в оперативной памяти;
б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая,
что если активный центральный процессор
отказывает, ждущий, но отслеживающий
центральный процессор может продолжить
функционирование системы;
в) взаимосвязь двух центральных
процессоров посредством каналов передачи
данных или с применением общей памяти,
чтобы обеспечить одному центральному
процессору возможность выполнять другую
работу, пока не откажет второй
центральный процессор, тогда первый
центральный процессор принимает его
работу на себя, чтобы продолжить
функционирование системы; или
г) синхронизация двух центральных
процессоров, объединенных посредством
программного обеспечения так, что один
центральный процессор распознает, когда
отказывает другой центральный процессор,
и восстанавливает задачи отказавшего
устройства;
4.1.3.2. Цифровые ЭВМ, имеющие совокупною 8471
теоретическую производительность (СТП) (кроме
свыше 710 Мтопс; 847110)
4.1.3.3. Электронные сборки, специально 8471
спроектированные или модифицированные (кроме
для повышения производительности путем 847110)
объединения вычислительных элементов
таким образом, чтобы совокупная
теоретическая производительность
объединенных сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2
_______________
Примечания:
1. Пункт 4.1.3.3 распространяется только на электронные сборки и
программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок.
Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна
только для использования в качестве сопутствующего оборудования,
контролируемого по пунктам 4.1.3.4, 4.1.3.5 или 4.1.3.6
2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются электронные сборки,
специально спроектированные для продукции или целого семейства
продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2;
4.1.3.4. Графические акселераторы или графические 854380900
сопроцессоры, превышающие скорость
исчисления трехмерных векторов, равную
3000000;
4.1.3.5. Оборудование, выполняющее 852520900
аналого-цифровые преобразования,
превосходящее пределы, указанные в
пункте 3.1.1.1.5;
4.1.3.6. Оборудование, содержащее терминальный 847199900
интерфейс, превосходящий пределы,
указанные в пункте 5.1.1.2.3
_______________
Примечание.
Применительно к пункту 4.1.3.6 оборудование терминального
интерфейса включает интерфейсы локальных вычислительных сетей и другие
коммуникационные интерфейсы. Интерфейсы локальных вычислительных сетей
оцениваются как контроллеры доступа к сети;
4.1.3.7. Аппаратура, специально разработанная для 847199900
обеспечения экстернальной интерконнекции
цифровых компьютеров или сопутствующего
оборудования, которые в коммуникациях
имеют скорость передачи данных свыше 80
Мбайт/с
_______________
Примечание.
По пункту 4.1.3.7 не контролируется внешняя интерконнекция
оборудования (например, видимый план, шины) или пассивное
интерконнекторное оборудование
4.1.4. Нижеперечисленные ЭВМ, специально 8471
спроектированное сопутствующее
оборудование, электронные сборки и
компоненты для них:
4.1.4.1. ЭВМ с систолической матрицей;
4.1.4.2. Нейронные ЭВМ;
4.1.4.3. Оптические ЭВМ
4.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование - нет
4.3. Материалы - нет
4.4. Программное обеспечение
_______________
Примечание.
Контрольный статус программного обеспечения для разработки,
производства или использования оборудования, указанного в других
категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В
данной категории дается контрольный статус программного обеспечения
для оборудования этой категории
4.4.1. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для разработки, производства или
использования оборудования или
программного обеспечения, контролируемых
по пунктам 4.1, 4.2, 4.3 или 4.4
4.4.2. Программное обеспечение, специально
спроектированное или модифицированное
для поддержки технологии, контролируемой
по пункту 4.5
4.4.3. Специальное программное обеспечение,
такое, как:
4.4.3.1. Программное обеспечение операционных
систем, инструментарий разработки
программного обеспечения и компиляторы,
специально разработанные для
оборудования многопоточной обработки
данных в исходных кодах;
4.4.3.2. Экспертные системы или программное
обеспечение для механизмов логического
вывода экспертных систем, обладающие
одновременно следующими признаками:
а) правилами, зависящими от времени; и
б) примитивами для работы с временными
характеристиками правил и факторов;
4.4.3.3. Программное обеспечение, имеющее
характеристики или выполняющее функции,
которые превосходят пределы, указанные в
части 2 Категории 5 (Защита информации);
4.4.3.4. Операционные системы, специально
разработанные для оборудования обработки
в реальном масштабе времени,
гарантирующие время обработки полного
прерывания менее 20 мкс
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки,
производства или использования
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по пункту
4.1 или 4.4
______________________________________________________________________
_______________
Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической
производительности).
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое
устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
TП - теоретическая производительность (одного вычислительного
элемента);
CTП - совокупная теоретическая производительность (всех
вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
х - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП
выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается
в битах
Основной метод вычисления СТП
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах
теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной
теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов
(ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого
вычислительного элемента (ВЭ);
2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости
(R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для
каждого вычислительного элемента (ВЭ);
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной
конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента.
Подробное описание этих процедур приведено ниже
______________
Примечания:
1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов,
имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП
производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в
группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП
групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена
скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных
функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы
передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета
эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного
элемента:
Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)
____________________________________________________________________
Для вычислительных |
элементов, | Эффективная скорость вычислений
реализующих: |
________________________|___________________________________________
только ФЗ 1/[3х (время сложения ФЗ)
(RФЗ) если операции сложения нет, то
через умножение:
1/(время умножения ФЗ)
если нет ни операции сложения,
ни операции умножения, то RФЗ
рассчитывается через самую
быструю из имеющихся
арифметических операций:
1/[3х (время операции ФЗ)]
см. примечания Х и Z
только ПЗ МАХ Х1/(время сложения ПЗ),
(RПЗ) 1/(время умножения ПЗ)
см. Примечания X и Y
и ФЗ, и ПЗ вычисляется как RФЗ, так и RПЗ
(R)
Для простых логических 1/[3х (время логической
процессоров, операции)
не выполняющих указанные здесь время логической
арифметические операции - это время выполнения
операции операции "исключающее ИЛИ", а
если ее нет, то берется самая
быстрая простая логическая
операция см. Примечания Х и Z
Для специализированных R = Rъ х ДС/64, где Rъ - число
логических результатов в секунду ДС - число
процессоров, не битов, над которым выполняется
выполняющих логическая операция
указанные арифметические и 64-коэффициент, нормализующий
логические под 64-разрядную операцию
операции
____________________________________________________________________
__________________
Примечание.
Каждый ВЭ должен оцениваться независимо
Примечание W.
После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом
машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных
элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую
операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при
конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования
Примечание X.
Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные
арифметические операции за один цикл (например, два сложения за
цикл), время решения t вычисляется как:
время цикла
t = --------------------------------------
число арифметических операций в цикле
Вычислительный элемент, который выполняет разные типы
арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен
рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно
(например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и
умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых
выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл).
Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то
используют значение самого короткого времени исполнения
Примечание Y.
Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а
выполняется деление ПЗ, то
RПЗ = 1/(время деления ПЗ)
Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3,
умножение П3 или деление П3, тогда
RПЗ = 1/(время обратной величины ПЗ)
Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если
ни одна из указанных команд не используется, то RПЗ=0
Примечание Z.
Простая логическая операция - это операция, в которой в одной
команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя
операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция,
в которой в одной команде выполняются многократные логические действия
над двумя или более операндами и выдается один или несколько
результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно
поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные
операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции,
использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с
учетом следующего:
1. Последовательные, или операции регистр-регистр. Исключаются
чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее
определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1).
Если операций типа регистр-регистр нет, следует руководствоваться
пунктом 2;
2. Самая быстрая операция регистр-память или память-регистр. Если
и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3;
3. Память-память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие
операции, указанные в паспортных данных изготовителем
Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или Rъ) с учетом
корректировки длины слова L:
TП = R х L,
где L = (1/3 + ДС/96)
________________
Примечание.
Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда
в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины,
пользуйтесь максимальной ДС).
Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей
запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным
элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в
представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим
процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В
этом случае TП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для:
Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (RФЗ);
Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (RПЗ);
Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
Каждого простого логического процессора, не использующего ни
одной из указанных арифметических операций; и
Каждого специализированного логического процессора, не
использующего ни одной из указанных арифметических или логических
операций
Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
ТП = max (ТПФЗ, ТППЗ)
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП
вычисляется следующим образом:
________________
Примечания:
1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают,
из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП.
Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при
подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое
значение
________________
Особое примечание.
Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно,
определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого
медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения
операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных
элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и
является возможной конфигурацией.
При определении результата должны приниматься в расчет все
технические средства и(или) схема ограничения целостности
перекрывающихся операций
2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может
содержать множество ВЭ
3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если
изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по
эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных
или одновременных операций или действий
4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ,
взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети,
объединенные устройствами ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и
любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными
программными средствами
|