|--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 19. | Разработка базовых | 12 | 47,4 | 11,2 | 11,6 | 12 | 12,6 | выпуск отечественных силовых | | | конструкций и технологий | -- | ---- | ---- | ---- | -- | ---- | модулей на токи до 1400 А и | | | производства серии | 6 | 23,7 | 5,6 | 5,8 | 6 | 6,3 | напряжение 1200, 1800, 2500, | | | универсальных | | | | | | | 3300, 4500 В, предназначенных | | | интегрированных силовых | | | | | | | для применения в | | | IGBT-модулей и модулей | | | | | | | преобразовательном | | | прижимной конструкции нового | | | | | | | оборудовании, мощностью от | | | поколения на токи до 1400 А | | | | | | | десятков кВА до десятков МВА в | | | и напряжение до 4500 В | | | | | | | электроприводах транспортных | | | | | | | | | | средств | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 20. | Разработка базовых | 10,6 | 43,4 | 10,2 | 10,6 | 11 | 11,6 | обеспечение выпуска силовых | | | конструкций и технологий | ---- | ---- | ---- | ---- | --- | ---- | модулей различных конструкций | | | производства полностью | 5,3 | 21,7 | 5,1 | 5,3 | 5,5 | 5,8 | и назначения | | | управляемых силовых | | | | | | | | | | полупроводниковых приборов с | | | | | | | | | | изолированным затвором | | | | | | | | | | (IGBT) и | | | | | | | | | | быстровосстанавливающихся | | | | | | | | | | диодов (АКВ) на токи до | | | | | | | | | | 100 А (на кристалл) и | | | | | | | | | | напряжение 1200, 1800, 2500, | | | | | | | | | | 3300, 4500 В | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 21. | Разработка библиотеки | - | 58 | - | 18,8 | 19,2 | 20 | разработка и освоение | | | базовых конструкций силовых | | -- | | ---- | ---- | -- | производства силовой | | | управляемых биполярных и | | 29 | | 9,4 | 9,6 | 10 | элементной базы для выпуска | | | полевых приборов на | | | | | | | конкурентоспособных силовых | | | напряжения до 6,0 кВ, а | | | | | | | приборов, в которых остро | | | также | | | | | | | нуждаются различные отрасли | | | быстровосстанавливающихся | | | | | | | экономики, в том числе | | | диодов и силовых ИС на | | | | | | | IGBT-модулей на токи 25-1000 А | | | напряжения до 2,5 кВ | | | | | | | и напряжение от 600 В до | | | | | | | | | | 3300 В и комплектных БВД с | | | | | | | | | | временем обратного | | | | | | | | | | восстановления 0,05 мкс - 0,3 | | | | | | | | | | мкс | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 22. | Разработка базовой | - | 62,4 | - | 20 | 20,8 | 21,6 | разработка и освоение | | | конструкции и организация | | ---- | | -- | ---- | ---- | производства типового ряда | | | серийного производства | | 31,2 | | 10 | 10,4 | 10,8 | интеллектуальных и силовых | | | "интеллектуальных" силовых | | | | | | | модулей позволит создать | | | IGBT-модулей на токи до | | | | | | | ресурсоэнергоэффективное | | | 900 А и напряжения 1200 и | | | | | | | преобразовательное | | | 1700 В, а также серии | | | | | | | оборудование с улучшенными | | | универсальных | | | | | | | техническими характеристиками, | | | интегрированных силовых | | | | | | | большей надежностью, меньшими | | | IGBT-модулей и модулей | | | | | | | массогабаритными показателями | | | прижимной конструкции нового | | | | | | | и стоимостью в интересах | | | поколения | | | | | | | городского | | | | | | | | | | электрифицированного | | | | | | | | | | транспорта и транспортных | | | | | | | | | | средств в добывающей | | | | | | | | | | промышленности | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 2. Наноэлектроника и микромеханика | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 23. | Разработка технологий | 11,8 | 80 | 18,8 | 19,6 | 20,4 | 21,2 | создание трехмерных | | | производства | ---- | -- | ---- | ---- | ---- | ---- | микроизделий по технологии, | | | микромеханических элементов | 5,9 | 40 | 9,4 | 9,8 | 10,2 | 10,6 | обеспечивающей получение | | | для микросистемной техники | | | | | | | субмикронных трехмерных | | | | | | | | | | изделий без использования | | | | | | | | | | дорогостоящих литографических | | | | | | | | | | процессов, являющихся в | | | | | | | | | | настоящее время основой | | | | | | | | | | "кремниевой" технологии | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 24. | Создание интеллектуальных | 6 | 80 | 18,8 | 19,6 | 20,4 | 21,2 | развитие наукоемкого, с низкой | | | нанотехнологических | - | -- | ---- | ---- | ---- | ---- | энерго- и материалоемкостью | | | комплексов для наноэлементов | 3 | 40 | 9,4 | 9,8 | 10,2 | 10,6 | производства электронной | | | и терабитных | | | | | | | техники - нового поколения | | | микромеханических | | | | | | | конкурентоспособных | | | запоминающих устройств | | | | | | | накопителей, превосходящих | | | | | | | | | | существующий уровень на | | | | | | | | | | несколько порядков по емкости | | | | | | | | | | и скорости передачи данных | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 25. | Разработка зондовых и ионных | 11,4 | 80 | 18,8 | 19,6 | 20,4 | 21,2 | создание приборов, значительно | | | нанотехнологий формирования | ---- | -- | ---- | ---- | ---- | ---- | превосходящих традиционные | | | элементов с размерами менее | 5,7 | 40 | 9,4 | 9,8 | 10,2 | 10,6 | аналоги по эффективности, | | | 10 нм и исследование | | | | | | | надежности, ресурсу, | | | эмиссионных характеристик | | | | | | | массогабаритным параметрам и | | | нанотрубных углеродных | | | | | | | энергопотреблению; возможность | | | структур | | | | | | | разработок микросистемной | | | | | | | | | | техники на принципах | | | | | | | | | | искусственного интеллекта, а | | | | | | | | | | также разработки СБИС с | | | | | | | | | | уровнем интеграции до | | | | | | | | | | 9 2 | | | | | | | | | | 10 эл/см ; повышение | | | | | | | | | | конкурентоспособности | | | | | | | | | | разработанной радиоэлектронной | | | | | | | | | | аппаратуры | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 26. | Разработка библиотек и | - | 39,4 | - | 12,8 | 13 | 13,6 | создание элементной базы для | | | базовых элементов | | ---- | | ---- | --- | ---- | телекоммуникационной | | | наноэлектроники и | | 19,7 | | 6,4 | 6,5 | 6,8 | аппаратуры, в том числе для | | | микроэлектроники, в том | | | | | | | мобильной связи, радаров и | | | числе: | | | | | | | средств связи ВВСТ.234 | | | нанодиодов; | | | | | | | | | | нанотранзисторов; | | | | | | | | | | нанодинисторов; | | | | | | | | | | нановаристоров; | | | | | | | | | | логических элементов; | | | | | | | | | | функциональных устройств | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 3. Акусто- и магнитоэлектроника | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 27. | Разработка технологии | 10,2 | 66,2 | 16,4 | 16 | 16,6 | 17,2 | разработка базовых технологий | | | нанотехнологического | ---- | ---- | ---- | -- | ---- | ---- | и создание пьезокерамических | | | производства | 5,1 | 33,1 | 8,2 | 8 | 8,3 | 8,6 | материалов и акустоэлектронных | | | пьезокерамических материалов | | | | | | | изделий с параметрами, не | | | и температуростабильных | | | | | | | уступающими лучшим мировым | | | акустоэлектронных изделий | | | | | | | образцам, организация | | | для систем связи, | | | | | | | серийного выпуска этих | | | гидроакустики, медицины и | | | | | | | материалов и | | | датчиков различного | | | | | | | конкурентоспособных | | | назначения | | | | | | | акустоэлектронных изделий; | | | | | | | | | | экономический эффект от | | | | | | | | | | реализации изделий составит не | | | | | | | | | | менее 30 млн. рублей | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 28. | Разработка базовых | - | 37,2 | - | 12 | 12,4 | 12,8 | создание пьезоэлектронных | | | конструкций типового ряда | | ---- | | -- | ---- | ---- | устройств нового поколения для | | | пьезоэлектронных устройств | | 18,6 | | 6 | 6,2 | 6,4 | применения в системах | | | нового поколения, в том | | | | | | | гидроакустики, точного оружия, | | | числе: | | | | | | | адаптивной оптики, охраны | | | интегрированных датчиков; | | | | | | | морских и сухопутных границ, | | | фильтров, резонаторов, | | | | | | | автомобильной электроники и | | | генераторов; | | | | | | | медицины | | | пьезогироскопов и | | | | | | | | | | пьезотрансформаторов | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 29. | Разработка типового ряда | - | 43,8 | - | 14 | 14,6 | 15,2 | создание ферритовых приборов, | | | перспективных ферритовых | | ---- | | -- | ---- | ---- | устройств на МСВ и | | | приборов, трансформаторов, | | 21,9 | | 7 | 7,3 | 7,6 | трансформаторов радиодиапазона | | | устройств на | | | | | | | для модернизации существующих | | | магнитостатических волнах и | | | | | | | электронных систем и | | | магнитоэлектрических | | | | | | | разработок систем 5-го | | | приборов микроволнового и | | | | | | | поколения | | | радиодиапазона, в том числе: | | | | | | | | | | высокодобротных резонаторов; | | | | | | | | | | фазовращателей и | | | | | | | | | | циркуляторов; вентилей и | | | | | | | | | | ограничителей; | | | | | | | | | | перестраиваемых фильтров; | | | | | | | | | | переключателей | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 4. СВЧ-электроника | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 30. | Разработка базовых | 19,8 | 90,8 | 25,2 | 21 | 21,8 | 22,8 | технологии проектирования, | | | технологий изготовления | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | изготовления и серийного | | | мощных транзисторов и | 9,9 | 45,4 | 12,6 | 10,5 | 10,9 | 11,4 | выпуска мощных транзисторов и | | | монолитных СВЧ-микросхем на | | | | | | | монолитных СВЧ-микросхем на | | | основе гетероструктур | | | | | | | основе гетероструктур | | | материалов группы А3В5 для | | | | | | | материалов группы А3В5 для | | | современных бортовых и | | | | | | | бортовой и наземной аппаратуры | | | наземных радиоэлектронных | | | | | | | радиолокации и средств связи | | | систем, унифицированных | | | | | | | нового поколения; создание | | | приемно-передающих модулей с | | | | | | | нового класса отечественных | | | высокой плотностью упаковки | | | | | | | радиоэлектронных систем на | | | для АФАР дециметрового и | | | | | | | базе новейших достижений в | | | сантиметрового диапазонов | | | | | | | области СВЧ-полупроводниковой | | | | | | | | | | электроники и развитие техники | | | | | | | | | | активных фазированных антенных | | | | | | | | | | решеток; обеспечение выпуска | | | | | | | | | | современной | | | | | | | | | | конкурентоспособной продукции | | | | | | | | | | с высоким экспортным | | | | | | | | | | потенциалом и техническими | | | | | | | | | | характеристиками, | | | | | | | | | | соответствующими лучшим | | | | | | | | | | мировым аналогам | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 31. | Реконструкция базовых | 6,4 | 104,4 | 24 | 25,8 | 26,8 | 27,8 | переход на новый технический | | | унифицированных | --- | ----- | -- | ---- | ---- | ---- | уровень отечественной | | | технологических процессов | 3,2 | 52,2 | 12 | 12,9 | 13,4 | 13,9 | технологии изготовления мощных | | | для разработок и выпуска | | | | | | | вакуумных СВЧ-приборов нового | | | мощных вакуумных | | | | | | | поколения с высокими | | | СВЧ-приборов и | | | | | | | эксплуатационными | | | комплексированных устройств | | | | | | | характеристиками и повышенной | | | на их основе | | | | | | | долговечностью для дальнейшего | | | | | | | | | | развития высокопотенциальных | | | | | | | | | | бортовых и наземных | | | | | | | | | | радиоэлектронных систем, а | | | | | | | | | | также миниатюрной аппаратуры | | | | | | | | | | миллиметрового диапазона | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 32. | Разработка технологии | 9,6 | 45,6 | 12 | 10,8 | 11,2 | 11,6 | технологии производства | | | изготовления современных | --- | ---- | -- | ---- | ---- | ---- | твердотельных микроэлектронных | | | гетероструктур, широкозонных | 4,8 | 22,8 | 6 | 5,4 | 5,6 | 5,8 | гетероструктур на основе | | | полупроводниковых соединений | | | | | | | арсенида галлия, нитрида | | | и новых диэлектрических | | | | | | | галлия и карбида кремния на | | | материалов для приборов и | | | | | | | пластинах диаметром до 100 мм, | | | МИС СВЧ-техники | | | | | | | обеспечивающих последующую | | | | | | | | | | размерную обработку менее | | | | | | | | | | 0,1 мкм | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 33. | Разработка технологии и | 3,4 | 26,2 | 6,2 | 6,4 | 6,6 | 7 | создание метрической | | | базовых конструкций | --- | ---- | --- | --- | --- | --- | аппаратуры нового поколения | | | установок нового поколения | 1,7 | 13,1 | 3,1 | 3,2 | 3,3 | 3,5 | для исследований параметров | | | для автоматизированного | | | | | | | полупроводниковых структур, | | | измерения параметров | | | | | | | активных элементов и МИС СВЧ в | | | нелинейных моделей | | | | | | | процессе изготовления и сдачи | | | СВЧ-полупроводниковых | | | | | | | продукции с целью повышения | | | структур, мощных | | | | | | | процента выхода годных | | | транзисторов и МИС | | | | | | | изделий, их долговечности и | | | СВЧ-диапазона | | | | | | | надежности при эксплуатации | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 34. | Разработка системы | - | 301,6 | 52,6 | 80 | 83 | 86 | проведение модернизации | | | автоматизированного | | ----- | ---- | -- | ---- | -- | существующих электронных | | | проектирования и библиотеки | | 150,8 | 26,3 | 40 | 41,5 | 43 | систем и обеспечение | | | базовых конструкций | | | | | | | разработки систем 5-го | | | перспективных ВЧ и | | | | | | | поколения | | | СВЧ-приборов и интегральных | | | | | | | | | | схем, в том числе: | | | | | | | | | | генерации, обработки и | | | | | | | | | | передачи ВЧ- и СВЧ-сигналов | | | | | | | | | | в реальном масштабе времени; | | | | | | | | | | мощных монолитных | | | | | | | | | | СВЧ-микросхем на основе | | | | | | | | | | гетероструктур материалов | | | | | | | | | | А3В5; | | | | | | | | | | унифицированных | | | | | | | | | | приемо-передающих модулей; | | | | | | | | | | СВЧ-транзисторов широкого | | | | | | | | | | применения, в том числе | | | | | | | | | | малошумящих; | | | | | | | | | | унифицированных миниатюрных | | | | | | | | | | сверхширокополосных | | | | | | | | | | вакуумно-твердотельных | | | | | | | | | | мощных СВЧ-модулей | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 5. Методология и технологии создания ЭКБ | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 35. | Разработка системы | - | 220,4 | 34 | 60 | 62,4 | 64 | создание средств ускоренного | | | автоматизированного | | ----- | -- | -- | ---- | -- | проектирования широкой | | | проектирования СБИС "система | | 110,2 | 17 | 30 | 31,2 | 32 | номенклатуры СБИС "система в | | | на кристалле" (с | | | | | | | кристалле" (с использованием | | | использованием СФ-блоков), в | | | | | | | российских и иностранных | | | том числе информационной | | | | | | | СФ-блоков); | | | среды автоматизированного | | | | | | | разработка базы данных, | | | проектирования СБИС "система | | | | | | | содержащей библиотеки моделей | | | на кристалле" и СФ-блоков | | | | | | | для всех уровней | | | | | | | | | | проектирования, в том числе | | | | | | | | | | библиотеки СФ-блоков, | | | | | | | | | | обеспечивающих процесс | | | | | | | | | | сквозного проектирования СБИС | | | | | | | | | | специального и коммерческого | | | | | | | | | | применения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 36. | Разработка библиотеки | - | 82,2 | 14,8 | 21,6 | 22,4 | 23,4 | библиотека элементов по | | | элементов по классам, правил | | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | классам, правила | | | проектирования СФ-блоков и | | 41,1 | 7,4 | 10,8 | 11,2 | 11,7 | проектирования, | | | электронной компонентной | | | | | | | ориентированные на технологии | | | базы, ориентированных на | | | | | | | "кремниевых мастерских" с | | | перспективные технологии, в | | | | | | | учетом достигнутого | | | том числе иностранные | | | | | | | зарубежного уровня | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 37. | Разработка системы | - | 49,4 | - | 16 | 16,4 | 17 | современная электронная | | | автоматизированного | | ---- | | -- | ---- | --- | компонентная база для | | | проектирования, библиотек и | | 24,7 | | 8 | 8,2 | 8,5 | миниатюрных навигационных | | | базовых элементов | | | | | | | систем различного назначения: | | | микроэлектромеханических | | | | | | | от перспективного | | | систем широкого применения | | | | | | | высокоточного оружия и | | | на основе интегральных | | | | | | | авиационно-космических | | | методов обработки кремния, в | | | | | | | аппаратов до систем управления | | | том числе: | | | | | | | автомобилями и катерами; | | | прецизионных акселерометров; | | | | | | | методы проектирования | | | датчиков угловых скоростей | | | | | | | микроэлектромеханических | | | (микро-механических | | | | | | | систем и библиотеки основных | | | гироскопов); | | | | | | | элементов | | | сверхпрецизионных | | | | | | | | | | (виброрезонансных) сенсоров | | | | | | | | | | измерения давления; | | | | | | | | | | микропереключателей каналов | | | | | | | | | | оптоволоконной связи; | | | | | | | | | | других | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | систем | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 38. | Разработка комплектов | - | 199 | - | 62,8 | 66,4 | 69,8 | СБИС "система на кристалле" по | | | специализированных СБИС | | ---- | | ---- | ---- | ---- | функциональной сложности и | | | "система на кристалле" | | 99,5 | | 31,4 | 33,2 | 34,9 | схемотехническим решениям | | | 7 | | | | | | | будут соответствовать | | | сложностью до 10 | | | | | | | зарубежному уровню и обеспечат | | | транзисторов на кристалле | | | | | | | создание массовой | | | для: | | | | | | | малогабаритной аппаратуры на | | | цифрового телевидения; | | | | | | | основе одной микросхемы, | | | цифрового радиовещания; | | | | | | | включающей блоки | | | цифровой технологической | | | | | | | телекоммуникаций, компьютеров, | | | радиотелефонной связи; | | | | | | | навигации и др.; будет | | | других систем | | | | | | | отработана методология | | | | | | | | | | "сквозного" | | | | | | | | | | автоматизированного | | | | | | | | | | проектирования СБИС "система | | | | | | | | | | на кристалле" на основе | | | | | | | | | | СФ-блоков и библиотек микро- и | | | | | | | | | | макроэлементов | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 39. | Разработка системы | - | 62,4 | - | 20 | 20,8 | 21,6 | разработка высокоэффективных | | | автоматизированного | | ---- | | -- | ---- | ---- | устройств на ПАВ, ППАВ, ОВ | | | проектирования и библиотеки | | 31,2 | | 10 | 10,4 | 10,8 | позволит создать современные | | | базовых конструкций | | | | | | | системы точного оружия, связи, | | | перспективных | | | | | | | ПВО, радиочастотной | | | акустоэлектронных устройств | | | | | | | идентификации | | | нового поколения, в том | | | | | | | | | | числе: | | | | | | | | | | изделий на ПАВ; | | | | | | | | | | устройств на объемных | | | | | | | | | | волнах; | | | | | | | | | | изделий на приповерхностных | | | | | | | | | | ПАВ | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 40. | Создание физических | - | 102 | 24 | 25 | 26 | 27 | научно обоснованные | | | принципов, моделирование и | | --- | -- | ---- | -- | ---- | рекомендации для дальнейшего | | | разработка | | 51 | 12 | 12,5 | 13 | 13,5 | развития электронной | | | физико-технологических | | | | | | | компонентной базы | | | процессов, направленных на | | | | | | | | | | создание перспективной | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | | | | | | | | базы | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 41. | Разработка функционально | - | 156 | - | 50 | 52 | 54 | обеспечение комплектации, | | | полной номенклатуры | | --- | | -- | -- | -- | ремонта и эксплуатации серийно | | | электронной компонентной | | 78 | | 25 | 26 | 27 | выпускаемых и модернизируемых | | | базы, необходимой для | | | | | | | образцов ВВСТ современной | | | комплектации и модернизации | | | | | | | электронной компонентной базой | | | серийно выпускаемых образцов | | | | | | | | | | ВВСТ | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 42. | Разработка библиотеки | - | 143 | 20 | 39,4 | 41 | 42,6 | создание электронных систем | | | элементов и СФ-блоков | | ---- | -- | ---- | ---- | ---- | вооружения, военной и | | | радиационностойкой | | 71,5 | 10 | 19,7 | 20,5 | 21,3 | специальной техники, | | | электронной компонентной | | | | | | | функционирующих в условиях | | | базы на основе технологий | | | | | | | воздействия радиационных | | | кремний на изоляторе и | | | | | | | факторов | | | кремний на сапфире, в том | | | | | | | | | | числе: | | | | | | | | | | процессоры (сигнальные и | | | | | | | | | | цифровые процессоры); | | | | | | | | | | микроконтроллеры; | | | | | | | | | | цифроаналоговые, | | | | | | | | | | аналого-цифровые | | | | | | | | | | преобразователи; | | | | | | | | | | шины и интерфейсы (драйверы, | | | | | | | | | | приемопередатчики и т. д.); | | | | | | | | | | логические схемы; | | | | | | | | | | экспертиза и мониторинг | | | | | | | | | | технических процессов по | | | | | | | | | | обеспечению радиационной | | | | | | | | | | стойкости электронной | | | | | | | | | | компонентной базы | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техник | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 43. | Разработка базового | - | 32,4 | 3,2 | 9,6 | 9,8 | 9,8 | создание матричных | | | фотоэлектронного модуля на | | ---- | --- | --- | --- | --- | унифицированных | | | основе инфракрасных | | 16,2 | 1,6 | 4,8 | 4,9 | 4,9 | фотоэлектронных модулей с | | | смотрящих двухцветных | | | | | | | повышенной информационной | | | многорядных матричных | | | | | | | емкостью на базе фотодиодов из | | | фотоприемных устройств | | | | | | | КРТ и антимонида индия, | | | (МФПУ) на базе фотодиодов из | | | | | | | работающих в двух спектральных | | | КРТ и антимонида индия с | | | | | | | диапазонах. Применение | | | цифровой обработкой и | | | | | | | многоспектральных фотоприемных | | | повышенной информационной | | | | | | | модулей в тепловизионных и | | | емкостью | | | | | | | теплопеленгационных системах | | | | | | | | | | выведет последние по дальности | | | | | | | | | | и надежности обнаружения и | | | | | | | | | | захвата целей, а также | | | | | | | | | | помехозащищенности на | | | | | | | | | | качественно новый уровень | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 44. | Разработка базового | - | 32,4 | 3,2 | 9,6 | 9,8 | 9,8 | разработка базового | | | фотоэлектронного модуля | | ---- | --- | --- | --- | --- | унифицированного | | | нового поколения для | | 16,2 | 1,6 | 4,8 | 4,9 | 4,9 | фотоэлектронного модуля | | | сканирующих тепловизионных | | | | | | | формата не менее 8 х 288 | | | систем, работающих в режиме | | | | | | | элементов, предназначенного | | | ВЗН, с числом элементов | | | | | | | для комплектации | | | накопления не менее 8 | | | | | | | тепловизионных приборов нового | | | | | | | | | | поколения, работающих в режиме | | | | | | | | | | ВЗН; | | | | | | | | | | увеличение числа рядов в МФПУ | | | | | | | | | | позволит улучшить | | | | | | | | | | фотоэлектрические параметры | | | | | | | | | | МФПУ, увеличить надежность за | | | | | | | | | | счет резервирования ФЧЭ, | | | | | | | | | | улучшить качество | | | | | | | | | | тепловизионных изображений | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 45. | Разработка ряда базовых | 1,4 | 36,8 | 4,2 | 10,8 | 11,2 | 10,6 | создание типоразмерного ряда | | | фотоэлектронных модулей на | --- | ---- | --- | ---- | ---- | ---- | охлаждаемых матричных | | | основе охлаждаемых | 0,7 | 18,4 | 2,1 | 5,4 | 5,6 | 5,3 | ИК-приемников на основе | | | фотодиодных матриц из | | | | | | | фотодиодов и | | | антимонида индия и | | | | | | | микроболометрических | | | микроболометров для | | | | | | | элементов, чувствительных в | | | диапазонов спектра 3...5 и | | | | | | | диапазоне 3...5 и 8...12 мкм | | | 8...12 мкм формата | | | | | | | формата 320 х 240, 384 х 288 | | | 320 х 240, 384 х 288 | | | | | | | элементов и более. Возможность | | | элементов | | | | | | | выпуска тепловизионных систем | | | | | | | | | | гражданского и двойного | | | | | | | | | | применения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 46. | Разработка МФПУ смотрящего | - | 14 | - | 4,6 | 4,6 | 4,8 | создание смотрящего МФПУ на | | | типа на спектральный | | -- | | --- | --- | --- | основе КРТ формата 128 х 128 | | | диапазон 3...5 мкм с | | 7 | | 2,3 | 2,3 | 2,4 | спектрального диапазона 3...5 | | | покадровым накоплением | | | | | | | мкм с совмещенным покадровым | | | фотосигналов и цифровым | | | | | | | накоплением и цифровым выводом | | | выводом информации | | | | | | | информации, предназначенного | | | | | | | | | | для комплектации | | | | | | | | | | тепловизионных приборов нового | | | | | | | | | | поколения; существенное | | | | | | | | | | уменьшение темновых и фоновых | | | | | | | | | | токов по сравнению с | | | | | | | | | | фотодиодами спектрального | | | | | | | | | | диапазона 8-12 мкм, переход к | | | | | | | | | | более длительному времени | | | | | | | | | | накопления по сравнению с | | | | | | | | | | построчным накоплением | | | | | | | | | | фотосигналов в диапазоне 8-12 | | | | | | | | | | мкм и повышение технических | | | | | | | | | | характеристик МФПУ | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 47. | Разработка унифицированных | - | 26,8 | 2,6 | 7,8 | 8,2 | 8,2 | создание унифицированных | | | модулей аналоговой и | | ---- | --- | --- | --- | --- | модулей для обработки сигналов | | | цифровой обработки сигналов | | 13,4 | 1,3 | 3,9 | 4,1 | 4,1 | МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288, | | | многорядных матричных | | | | | | | 8 х 288 и др., обеспечивающих | | | фотоприемных устройств для | | | | | | | функции аналого-цифрового | | | тепловизионных каналов | | | | | | | преобразования сигналов МФПУ, | | | широкого применения | | | | | | | суммирование сигналов с | | | | | | | | | | задержкой для реализации | | | | | | | | | | режима ВЗН, цифровую обработку | | | | | | | | | | сигналов с проведением | | | | | | | | | | коррекции неоднородности | | | | | | | | | | чувствительности, | | | | | | | | | | формирование сигналов | | | | | | | | | | управления МФПУ и | | | | | | | | | | синхронизацию с системой | | | | | | | | | | сканирования, оптимизацию | | | | | | | | | | режима работы МФПУ при | | | | | | | | | | изменении условий | | | | | | | | | | эксплуатации, формирование | | | | | | | | | | видеосигнала для отображения | | | | | | | | | | на мониторе | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 48. | Разработка МОП - | - | 14 | - | 4,6 | 4,6 | 4,8 | создание МОП - мультиплексора | | | мультиплексора с | | -- | | --- | --- | --- | формата 128 х 128 с | | | интегрированием фототока в | | 7 | | 2,3 | 2,3 | 2,4 | интегрированием фототока в | | | ячейке для двухцветных | | | | | | | ячейке для матриц фотодиодов | | | матричных ФПУ, | | | | | | | на основе материалов | | | чувствительных в диапазонах | | | | | | | кадмий-ртуть-теллур и | | | длин волн 3...5 и 8...14 мкм | | | | | | | антимонида индия в обеспечение | | | | | | | | | | выпуска матричных двухцветных | | | | | | | | | | ФПУ нового поколения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 49. | Разработка микросхем | - | 16 | 1,6 | 4,6 | 5 | 4,8 | создание унифицированного ряда | | | малошумящих операционных | | -- | --- | --- | --- | --- | малошумящих операционных | | | усилителей (ОУ) для | | 8 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,4 | усилителей, предназначенных | | | обработки сигналов | | | | | | | для обработки сигналов | | | фотоприемных устройств | | | | | | | фотоприемников (ФП) с | | | различных спектральных | | | | | | | различным внутренним | | | диапазонов | | | | | | | сопротивлением. | | | | | | | | | | Унифицированный ряд включает в | | | | | | | | | | себя двухканальный ОУ двух | | | | | | | | | | типов для обработки сигналов | | | | | | | | | | фотоприемников с низким и | | | | | | | | | | высоким внутренним | | | | | | | | | | сопротивлением | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 50. | Разработка спецалгоритмов и | - | 26,8 | 2,6 | 7,8 | 8 | 8,4 | разработка алгоритмов и | | | создание модулей цифровой | | ---- | --- | --- | - | --- | модулей автоматического | | | обработки сигналов и | | 13,4 | 1,3 | 3,9 | 4 | 4,2 | обнаружения, распознавания и | | | изображений, получаемых в | | | | | | | сопровождения целей на основе | | | различных областях спектра с | | | | | | | информации, получаемой радио- | | | применением технологий | | | | | | | и оптико-электронными каналами | | | нейросетей и методов | | | | | | | различного спектрального | | | локально-анизотропных | | | | | | | диапазона комплексированных | | | признаков для решения задач | | | | | | | систем; создание комплекта | | | обнаружения, распознавания и | | | | | | | экспериментальных образцов | | | автосопровождения целей в | | | | | | | модулей автоматического | | | реальном времени | | | | | | | обнаружения, распознавания и | | | | | | | | | | сопровождения целей и | | | | | | | | | | проведение их испытаний | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 51. | Разработка жидкофазных и | 3 | 40,4 | 6,6 | 13,6 | 10 | 10,2 | разработка жидкофазных | | | МОС-гидридных эпитаксиальных | --- | ---- | --- | ---- | -- | ---- | эпитаксиальных структур | | | структур материала | 1,5 | 20,2 | 3,3 | 6,8 | 5 | 5,1 | материала | | | "кадмий-ртуть-теллур" для | | | | | | | "кадмий-ртуть-теллур" с | | | крупноформатных матричных | | | | | | | высоким уровнем параметров, | | | фотоприемников на | | | | | | | пригодных для промышленного | | | спектральные диапазоны 3...5 | | | | | | | производства матричных ФПУ на | | | и 8...12 мкм | | | | | | | спектральные диапазоны 3...5 и | | | | | | | | | | 8...12 мкм | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 52. | Разработка типоразмерного | - | 26,8 | 2,6 | 7,8 | 8,2 | 8,2 | создание типоразмерного ряда | | | ряда микрокриогенных систем | | ---- | --- | --- | --- | --- | микрокриогенных систем (МКС), | | | с повышенным ресурсом работы | | 13,4 | 1,3 | 3,9 | 4,1 | 4,1 | обеспечивающих температурный | | | для охлаждения матричных | | | | | | | режим работы нового поколения | | | фотоприемных устройств | | | | | | | матричных фотоприемных | | | нового поколения | | | | | | | устройств различных форматов | | | | | | | | | | для спектральных диапазонов | | | | | | | | | | 3...5 и 8...12 мкм. | | | | | | | | | | Основные характеристики: | | | | | | | | | | холодопроизводительность - | | | | | | | | | | 0,4...1,2 Вт; тип МКС - | | | | | | | | | | интегральный, Сплит-Стирлинг; | | | | | | | | | | ресурс работы - не менее - | | | | | | | | | | 20000 час | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 53. | Разработка базовых модулей | - | 6,2 | 0,6 | 1,8 | 1,8 | 2 | создание базовых модулей | | | охлаждения на основе | | --- | --- | --- | --- | - | охлаждения на основе | | | термоэлектрических | | 3,1 | 0,3 | 0,9 | 0,9 | 1 | термоэлектрических охладителей | | | охладителей, в том числе на | | | | | | | (ТЭО) для фотоприемников и | | | основе явлений в квантовых | | | | | | | фотоприемных устройств (МОФ) с | | | ямах, для фотоприемников и | | | | | | | улучшенными ТТХ, в том числе | | | фотоприемных устройств | | | | | | | по энергопотреблению, весу и | | | ИК-диапазона | | | | | | | габаритам, конкурентоспособных | | | | | | | | | | на внешнем рынке (МОФ на | | | | | | | | | | основе термоэлектрических | | | | | | | | | | охладителей на базе Bi2 Te3, | | | | | | | | | | Sb2 Te3 и твердых растворов Bi | | | | | | | | | | - Те- Sе- Sb, в том числе с | | | | | | | | | | использованием новых | | | | | | | | | | квантоворазмерных явлений) | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 54. | Разработка ультрафиолетового | - | 9,6 | 0,8 | 2,4 | 2,8 | 3,6 | создание ЭОП на спектральный | | | ЭОП на основе фотокатодов с | | --- | --- | --- | --- | --- | диапазон от 0,2 мкм до 0,4 мкм | | | отрицательным электронным | | 4,8 | 0,4 | 1,2 | 1,4 | 1,8 | на основе принципиально нового | | | сродством | | | | | | | фотокатода с отрицательным | | | | | | | | | | электронным сродством | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 55. | Разработка | - | 17,2 | 1,4 | 5,2 | 5,2 | 5,4 | создание инфракрасного | | | высокочувствительного | | ---- | --- | --- | --- | --- | фотоэлектрического модуля на | | | фотоэлектрического | | 8,6 | 0,7 | 2,6 | 2,6 | 2,7 | основе ЭОП с фотокатодом на | | | инфракрасного модуля для | | | | | | | структурах А3В5 с барьером | | | лазерных систем | | | | | | | Шоттки, чувствительного в | | | круглосуточного видения | | | | | | | спектральном диапазоне от 0,9 | | | | | | | | | | мкм до 2,0 мкм и работающего в | | | | | | | | | | активно-импульсном режиме | | | | | | | | | | совместно с импульсным лазером | | | | | | | | | | для электронных систем | | | | | | | | | | повышенной дальности действия, | | | | | | | | | | в том числе для обнаружения и | | | | | | | | | | распознавания воздушных | | | | | | | | | | объектов на дальностях свыше | | | | | | | | | | 30 км, а также для медицинской | | | | | | | | | | техники, дифференциальной | | | | | | | | | | диагностики в онкологии, | | | | | | | | | | маммографии, оптической | | | | | | | | | | томографии и др. | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 56. | Разработка высокоэффективных | - | 70,4 | - | 23,4 | 23,4 | 23,6 | создание высокоэффективного | | | ЭОП на основе фотокатодов, | | ---- | | ---- | ---- | ---- | инфракрасного ЭОП с квантовой | | | чувствительных в | | 35,2 | | 11,7 | 11,7 | 11,8 | эффективностью более 5% на | | | спектральном диапазоне от | | | | | | | длине волны лямбда = 1,54 мкм | | | 0,9 мкм до 1,65 мкм | | | | | | | для оптико-электронных систем | | | | | | | | | | с повышенной | | | | | | | | | | помехозащищенностью и | | | | | | | | | | обнаружительной способностью, | | | | | | | | | | дальность действия которых в | | | | | | | | | | ночных условиях на 60% больше, | | | | | | | | | | чем у аналогичных систем на | | | | | | | | | | основе ЭОП третьего поколения | | | | | | | | | | для создания принципиально | | | | | | | | | | нового класса приборных | | | | | | | | | | комплексов и систем двойного | | | | | | | | | | назначения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 57. | Создание межотраслевой | - | 18,4 | 1,8 | 5,2 | 5,6 | 5,8 | разработка методологии оценки | | | интегрированной базы данных | | ---- | --- | --- | --- | --- | перспективности исследований и | | | по исследованиям и | | 9,2 | 0,9 | 2,6 | 2,8 | 2,9 | разработок, проводимых в | | | разработкам ИК-систем и | | | | | | | рамках межведомственной | | | приборов двойного назначения | | | | | | | целевой программы "Развитие | | | | | | | | | | инфракрасной техники на | | | | | | | | | | 2002-2006 годы", создание | | | | | | | | | | информационно-аналитической | | | | | | | | | | базы данных, имеющихся в | | | | | | | | | | данной области разработок | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 58. | Разработка и освоение | 0,8 | 5,6 | 1 | 1,4 | 1,4 | 1,8 | разработка МКП с повышенной | | | технологии мелкоструктурных | --- | --- | --- | --- | --- | --- | информативностью свыше 80 | | | МКП с повышенной | 0,4 | 2,8 | 0,5 | 0,7 | 0,7 | 0,9 | штр/мм, улучшенными пороговыми | | | информативностью для ЭОПов | | | | | | | характеристиками (фактор | | | четвертого поколения, | | | | | | | шума - не более 1,5), | | | предназначенных для | | | | | | | долговечностью более | | | перспективной техники | | | | | | | 5 тыс. ч., термостойкостью | | | ночного видения | | | | | | | о | | | | | | | | | | более 550 С | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 59. | Разработка базовой | 1 | 6,6 | 1 | 1,8 | 1 | 2 | создание нового поколения | | | технологии производства | --- | --- | --- | --- | --- | - | высокоэффективных индикаторов | | | полупроводниковых | 0,5 | 3,3 | 0,5 | 0,9 | 0,9 | 1 | мирового уровня расширенного | | | индикаторов нового поколения | | | | | | | диапазона свечения для | | | в широкой видимой области | | | | | | | широкого применения в | | | спектра на основе | | | | | | | народнохозяйственной и | | | антистоксовых люминофоров | | | | | | | специальной аппаратуре | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 60. | Разработка новых технологий | 9 | 88,6 | 9 | 25,4 | 26,6 | 27,6 | разработка принципиально новых | | | фотоники и оптоэлектроники | --- | ---- | --- | ---- | ---- | ---- | систем фотонной обработки | | | на полупроводниковых | 4,5 | 44,3 | 4,5 | 12,7 | 13,3 | 13,8 | информации с | | | гетероструктурах | | | | | | | производительностью, | | | | | | | | | | многократно превышающей | | | | | | | | | | предельную производительность | | | | | | | | | | электронных | | | | | | | | | | информационно-обрабатывающих | | | | | | | | | | систем (в том числе разработка | | | | | | | | | | технологии выращивания | | | | | | | | | | функциональных | | | | | | | | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | гетероструктур, диагностика и | | | | | | | | | | сертификация функциональных | | | | | | | | | | параметров, создание образцов | | | | | | | | | | систем); создание на основе | | | | | | | | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | гетероструктур новых типов | | | | | | | | | | оптоэлектронных компонентов | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 61. | Разработка охлаждаемых | 10,8 | 105,8 | 12,8 | 27,4 | 32 | 33,6 | создание светочувствительных | | | полупроводниковых структур и | ---- | ----- | ---- | ---- | -- | ---- | многоэлементных структур, | | | устройств на их основе, | 5,4 | 52,9 | 6,4 | 13,7 | 16 | 16,8 | охлаждаемых фотоприемных | | | технологий производства | | | | | | | устройств, в том числе | | | крупноформатных матричных | | | | | | | двухцветных субматричных | | | фотоприемных комплексов на | | | | | | | фотоприемников; создание | | | основе фотодиодов из | | | | | | | базовой системы | | | теллурида кадмия-ртути, | | | | | | | автоматизированного | | | двухцветных матричных | | | | | | | проектирования охлаждаемых | | | фотоприемников на | | | | | | | матричных фотоприемных | | | гетероструктурах с | | | | | | | устройств | | | квантовыми ямами | | | | | | | | | | ИК-диапазона спектра (3...5 | | | | | | | | | | и 8...12 мкм). Разработка | | | | | | | | | | базовой системы | | | | | | | | | | автоматизированного | | | | | | | | | | проектирования охлаждаемых | | | | | | | | | | матричных фотоприемных | | | | | | | | | | устройств | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 62. | Разработка | 1 | 6,6 | 1 | 1,8 | 1,8 | 2 | организация серийного | | | гетероэпитаксиальных | --- | --- | --- | --- | --- | - | производства типового ряда | | | структур фоточувствительных | 0,5 | 3,3 | 0,5 | 0,9 | 0,9 | 1 | тепловизионной техники | | | слоев полноформатной | | | | | | | двойного назначения в | | | ИК-матрицы и | | | | | | | спектральной области 3...5 мкм | | | производственно- | | | | | | | с чувствительностью на уровне | | | технологического базиса | | | | | | | лучших зарубежных аналогов (не | | | создания фотоприемных | | | | | | | 7 2 | | | устройств с использованием | | | | | | | более 5 х 10 Вт/см ) | | | современных кремниевых | | | | | | | | | | мультиплексоров | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 63. | Разработка МОС-гидридных | - | 14,8 | 1,4 | 4,2 | 4,4 | 4,8 | развитие МОС-гидридной | | | эпитаксиальных | | ---- | --- | --- | --- | --- | эпитаксии позволит наладить | |