| | полупроводниковых | | 7,4 | 0,7 | 2,1 | 2,2 | 2,4 | выпуск высококачественных | | | гетероструктур | | | | | | | гетероструктур на соединениях | | | | | | | | | | InGaAlAs(P) с толщинами | | | | | | | | | | квантовых ям до 10 А и | | | | | | | | | | планарной однородностью | | | | | | | | | | электро-физических и | | | | | | | | | | оптических характеристик на | | | | | | | | | | уровне 1% для производства на | | | | | | | | | | их основе квантово-каскадных | | | | | | | | | | лазеров среднего ИК-диапазона, | | | | | | | | | | фотокатодов для | | | | | | | | | | электронно-оптических | | | | | | | | | | преобразователей | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 64. | Разработка протяженных | - | 6,6 | 0,6 | 1,8 | 2,2 | 2 | создание активных элементов | | | активных элементов длиной до | | --- | --- | --- | --- | - | длиной 120 мм, генерирующих в | | | 120 мм из кристаллов KYW:Tm | | 3,3 | 0,3 | 0,9 | 1,1 | 1 | диапазоне 1,85-1,95 мкм из | | | | | | | | | | кристаллов KYW:Tm в безопасном | | | | | | | | | | для глаз диапазоне | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 65. | Разработка нелинейно- | - | 7 | 0,6 | 1,8 | 2,2 | 2,4 | разработка нелинейно- | | | оптического материала на | | --- | --- | --- | --- | --- | оптического материала на | | | основе монокристаллов | | 3,5 | 0,3 | 0,9 | 1,1 | 1,2 | основе монокристаллов | | | (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 | | | | | | | (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 заданной | | | | | | | | | | концентрации с | | | | | | | | | | оптимизированными свойствами | | | | | | | | | | для конкретных заданных типов | | | | | | | | | | взаимодействия с целью | | | | | | | | | | разработки генераторов | | | | | | | | | | суммарной частоты и | | | | | | | | | | параметрических | | | | | | | | | | преобразователей частоты | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 66. | Разработка мощных одиночных | - | 37,4 | 3,8 | 11 | 11,2 | 11,4 | создание мощных источников | | | полупроводниковых лазеров | | ---- | --- | --- | ---- | ---- | накачки лазерных кристаллов на | | | (до 10 Вт), лазерных линеек | | 18,7 | 1,9 | 5,5 | 5,6 | 5,7 | диапазон длин волн 0,78-1,06 | | | (50-150 Вт) и матриц (свыше | | | | | | | мкм с КПД ~50% м для систем | | | 1 кВт), работающих в | | | | | | | специального назначения, а | | | непрерывном режиме | | | | | | | также для использования в | | | | | | | | | | промышленных технологических | | | | | | | | | | установках | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 67. | Создание мощного | - | 46,2 | 4,6 | 13,4 | 14 | 14,2 | создание фемтосекундного | | | широкодиапазонного | | ---- | --- | ---- | -- | ---- | лазерного излучателя с диодной | | | фемтосекундного лазерного | | 23,1 | 2,3 | 6,7 | 7 | 7,1 | накачкой, энергией в импульсе | | | излучателя на твердотельных | | | | | | | до 100 мДж при длительности | | | активных средах с диодной | | | | | | | 20-30 фс | | | накачкой | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 68. | Создание твердотельных | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | разработка высокоэффективных | | | лазерных модулей с | | ---- | --- | --- | --- | --- | высокоресурсных многоцветных | | | полупроводниковой накачкой | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | (видимого диапазона) лазерных | | | непрерывного излучения | | | | | | | модулей с полупроводниковой | | | мощностью до 10 Вт с длинами | | | | | | | накачкой для информационных, | | | волн 0,4-0,7 мкм | | | | | | | технологических и медицинских | | | | | | | | | | целей, а также в интересах | | | | | | | | | | комплексов специального | | | | | | | | | | назначения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 69. | Разработка и создание | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | создание модульной конструкции | | | типового ряда непрерывных | | ---- | --- | --- | --- | --- | излучателя, позволяющей | | | твердотельных лазеров с | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | наращивать мощность от 10 до | | | накачкой линейками лазерных | | | | | | | 100 Вт выходного излучения на | | | диодов средней мощностью до | | | | | | | осевом типе колебаний с | | | 100 Вт | | | | | | | дифракционной расходимостью | | | | | | | | | | КПД излучателя - более 50% от | | | | | | | | | | мощности накачки | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 70. | Разработка и создание | - | 27 | 2,6 | 7,8 | 8,2 | 8,4 | создание экономичных мощных | | | базовой модели | | ---- | --- | --- | --- | --- | кристаллических источников | | | технологического лазерного | | 13,5 | 1,3 | 3,9 | 4,1 | 4,2 | лазерного излучения мощностью | | | излучателя средней мощностью | | | | | | | до 1 кВт с полупроводниковой | | | 1 кВт на основе | | | | | | | накачкой для применения в | | | кристаллических активных | | | | | | | различных технологиях | | | сред с накачкой | | | | | | | | | | полупроводниковыми лазерами | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 71. | Разработка микролазеров на | - | 6,8 | 0,6 | 1,8 | 2 | 2,4 | разработка микролазеров для | | | основе активированных | | --- | --- | --- | - | --- | диапазонов 1,3-1,5 мкм и 3.0 | | | монокристаллических | | 3,4 | 0,3 | 0,9 | 1 | 1,2 | мкм с диодной накачкой с целью | | | оптических волокон и | | | | | | | применения в медицине, технике | | | пленочных структур | | | | | | | и телекоммуникациях | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 72. | Создание ряда | - | 33,2 | - | 11 | 11 | 11,2 | создание: | | | высокоэффективных | | ---- | | --- | --- | ---- | эксимерных лазеров | | | непрерывных и | | 16,6 | | 5,5 | 5,5 | 5,6 | ультрафиолетового диапазона | | | импульсно-периодических | | | | | | | спектра на длинах волн 157 нм, | | | газовых лазеров УФ-, | | | | | | | 193 нм, 248 нм и 308 нм с | | | видимого и ИК-диапазонов | | | | | | | энергией в импульсе до 200 МДж | | | для использования в лазерных | | | | | | | для отжига и кристаллизации | | | технологиях различного | | | | | | | поверхностей полупроводниковых | | | назначения. Разработка | | | | | | | материалов; | | | нормативной базы | | | | | | | микроструктур, а также | | | | | | | | | | реализации новых методов | | | | | | | | | | лечения заболеваний в области | | | | | | | | | | кардиохирургии, дерматологии, | | | | | | | | | | офтальмологии и др.; | | | | | | | | | | опытных образцов | | | | | | | | | | цельнометаллических компактных | | | | | | | | | | отпаянных СО -лазеров с | | | | | | | | | | 2 | | | | | | | | | | ресурсом не менее 10000 часов, | | | | | | | | | | в том числе волноводных | | | | | | | | | | лазеров с планарной геометрией | | | | | | | | | | с ВЧ разрядом с мощностью до 1 | | | | | | | | | | кВт для технологии и медицины | | | | | | | | | | и перестраиваемых лазеров с ВЧ | | | | | | | | | | разрядом с компьютерным | | | | | | | | | | управлением для | | | | | | | | | | спектроскопических применений, | | | | | | | | | | включая лидары (аналоги | | | | | | | | | | отсутствуют); | | | | | | | | | | ряда щелевых отпаянных | | | | | | | | | | СО -лазеров с уровнем выходной | | | | | | | | | | 2 | | | | | | | | | | мощности от 0,1 до 1,5 кВт, | | | | | | | | | | ряда образцов лазеров на парах | | | | | | | | | | меди с уровнем выходной | | | | | | | | | | мощности от 10 до 100 Вт и | | | | | | | | | | технологии их изготовления, | | | | | | | | | | создание образцов лазерных | | | | | | | | | | технологических комплексов на | | | | | | | | | | основе щелевых СО -лазеров и | | | | | | | | | | 2 | | | | | | | | | | лазеров на парах меди; | | | | | | | | | | типового ряда СО -лазеров с | | | | | | | | | | 2 | | | | | | | | | | ВЧ-накачкой активной среды с | | | | | | | | | | мощностью 1,5; 2,5 и 5 кВт, | | | | | | | | | | ресурсом работы более 5000 | | | | | | | | | | часов, стабильностью излучения | | | | | | | | | | не менее 2% и расходимостью | | | | | | | | | | дифракционного качества | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 73. | Разработка перспективной | - | 56,2 | 5,8 | 16,6 | 16,8 | 17 | разработка базовых модулей, | | | элементной базы для лазерных | | ---- | --- | ---- | ---- | --- | определяющих основные | | | локаторов дальнего действия | | 28,1 | 2,9 | 8,3 | 8,4 | 8,5 | характеристики лазерных | | | | | | | | | | локаторов и информационных | | | | | | | | | | лазерных комплексов, в том | | | | | | | | | | числе: | | | | | | | | | | 3-координатных приемных | | | | | | | | | | модулей с чувствительностью до | | | | | | | | | | 3 х 10-17 Дж; | | | | | | | | | | гибридных телевизионных | | | | | | | | | | приемных модулей с | | | | | | | | | | чувствительностью до 3 х 10-18 | | | | | | | | | | Дж на элемент; | | | | | | | | | | быстродействующих сканирующих | | | | | | | | | | устройств с полосой | | | | | | | | | | пропускания не менее 1 кГц и | | | | | | | | | | апертурой 20-200 млм; | | | | | | | | | | модулей усиления лазерного | | | | | | | | | | сигнала с энергией в импульсе | | | | | | | | | | 10-14 - 10-12 до значения 1 Дж | | | | | | | | | | на основе явления вынужденного | | | | | | | | | | рассеивания в нелинейных | | | | | | | | | | средах. | | | | | | | | | | Внедрение создаваемых ключевых | | | | | | | | | | элементов в новые комплексы | | | | | | | | | | позволит в 5...10 раз | | | | | | | | | | уменьшить ошибки слежения | | | | | | | | | | комплексов за динамическими | | | | | | | | | | объектами, сократить время | | | | | | | | | | обзора контролируемого | | | | | | | | | | пространства, увеличить | | | | | | | | | | дальность наблюдения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 74. | Разработка лазерных | - | 21,8 | 2,2 | 6,4 | 6,6 | 6,6 | создание лазерных | | | стереодатчиков для | | ---- | --- | --- | --- | --- | стереодатчиков с точностью | | | робототехнических | | 10,9 | 1,1 | 3,2 | 3,3 | 3,3 | измерения дальности 0,1-0,3% | | | комплексов, лазерных | | | | | | | позволит на порядок сократить | | | дальномеров | | | | | | | время измерительных операций в | | | | | | | | | | машиностроении, на | | | | | | | | | | транспортных магистралях, в | | | | | | | | | | медицине (например, при | | | | | | | | | | изготовлении ортопедических | | | | | | | | | | изделий), обеспечить | | | | | | | | | | автоматизацию управления | | | | | | | | | | полетов летательных аппаратов | | | | | | | | | | на сверхмалых высотах и при | | | | | | | | | | посадке | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 75. | Разработка новых | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | создание нового класса | | | высокоэффективных оптических | | ---- | --- | --- | --- | --- | кристаллов для | | | сред на основе кристаллов | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | крупногабаритных оптических | | | германия, двойных | | | | | | | окон, проходной оптики, | | | вольфраматов и боратов, | | | | | | | работающей в экстремальных | | | алюминиевой шпинели, | | | | | | | условиях, для видимого и | | | нелинейного кристалла КРТ, | | | | | | | ИК-диапазонов и микролазеров с | | | халькогенидных стекол и | | | | | | | диодной накачкой | | | стекол на основе сульфидов | | | | | | | | | | цинка и свинца | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 76. | Совершенствование технологии | 8,4 | 55 | 8,4 | 14,8 | 15,8 | 16 | создание промышленных образцов | | | производства оптического | --- | ---- | --- | ---- | ---- | -- | оптического волокна для линий | | | волокна и оптоволоконных | 4,2 | 27,5 | 4,2 | 7,4 | 7,9 | 8 | связи со сверхнизкими потерями | | | датчиков, в том числе | | | | | | | и оптических линий передачи | | | активного волокна, | | | | | | | информации; создание образцов | | | волноводных планарных и | | | | | | | датчиков физических величин | | | канальных структур на | | | | | | | для контроля производственных | | | различных материалах | | | | | | | процессов в машиностроении, | | | | | | | | | | атомной энергетике, химической | | | | | | | | | | промышленности; разработка | | | | | | | | | | базовой технологии получения | | | | | | | | | | активного волокна, | | | | | | | | | | позволяющего усиливать | | | | | | | | | | оптические сигналы в | | | | | | | | | | магистральных линиях связи, | | | | | | | | | | что позволит увеличить | | | | | | | | | | расстояния между | | | | | | | | | | ретрансляторами до 200 км | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 77. | Разработка гаммы оптических | - | 14,8 | - | 4,6 | 5 | 5,2 | создание двулучепреломляющего | | | волокон с повышенными | | ---- | | --- | --- | --- | одномодового волокна с | | | оптическими и механическими | | 7,4 | | 2,3 | 2,5 | 2,6 | повышенной устойчивостью к | | | характеристиками | | | | | | | изгибам и высокопрозрачного в | | | | | | | | | | УФ-области низкодисперсионного | | | | | | | | | | волокна для диагностики плазмы | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 78. | Разработка | - | 14,8 | - | 4,6 | 5 | 5,2 | разработка номенклатуры | | | радиационностойких стекол с | | ---- | | --- | --- | --- | стекол, необходимой для | | | особыми оптическими и | | 7,4 | | 2,3 | 2,5 | 2,6 | создания космической оптики; | | | термооптическими свойствами | | | | | | | расширение номенклатуры | | | для высокоразрешающих | | | | | | | атермальных стекол для | | | аэрокосмических | | | | | | | упрощения конструкции изделия, | | | фотографических объективов | | | | | | | уменьшения требований по | | | | | | | | | | термостабилизации космического | | | | | | | | | | комплекса в целом | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 79. | Разработка особо чистых | - | 22,4 | 2,2 | 6,4 | 6,8 | 7 | создание новых химических | | | веществ для новых марок | | ---- | --- | --- | --- | --- | продуктов для получения | | | оптических стекол | | 11,2 | 1,1 | 3,2 | 3,4 | 3,5 | оптических стекол с | | | | | | | | | | повышенными характеристиками | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 80. | Разработка образцов | - | 12 | 1,2 | 3,6 | 3,6 | 3,6 | разработка и опытное | | | сравнения и лазерных | | -- | --- | --- | --- | --- | производство образцов | | | отражателей с высокими | | 6 | 0,6 | 1,8 | 1,8 | 1,8 | высокоэффективных отражателей | | | эксплуатационными свойствами | | | | | | | для твердотельных лазеров | | | в УФ-, видимой и ИК- | | | | | | | видимого и ближнего | | | областях спектра на базе | | | | | | | ИК-диапазонов и элементной | | | высокоотражающих | | | | | | | базы оптико-электронных | | | диффузионных материалов | | | | | | | приборов (интегрирующие сферы, | | | | | | | | | | ламбертовские ослабители, | | | | | | | | | | стандартные образцы сравнения | | | | | | | | | | и т. д.); повышение | | | | | | | | | | эффективности твердотельных | | | | | | | | | | лазеров, увеличение ресурса их | | | | | | | | | | работы, снижение себестоимости | | | | | | | | | | и возможность создания | | | | | | | | | | фотометрических и | | | | | | | | | | спектрофотометрических | | | | | | | | | | приборов нового поколения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 81. | Разработка одномодового | - | 15,4 | 1,2 | 3,6 | 3,6 | 7 | создание | | | волокна на основе | | ---- | --- | --- | --- | --- | фотоннокристаллических | | | фотоннокристаллических | | 7,7 | 0,6 | 1,8 | 1,8 | 3,5 | структур и разработка на их | | | структур | | | | | | | основе оптического волокна, | | | | | | | | | | позволяющего реализовать | | | | | | | | | | одномодовый режим | | | | | | | | | | распределения в широком | | | | | | | | | | спектральном диапазоне | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 82. | Создание | - | 33,2 | 3,2 | 9,6 | 9,8 | 10,6 | разработка объективов на | | | фотолитографического | | ---- | --- | --- | --- | ---- | основе отечественного флюорита | | | объектива для тиражирования | | 16,6 | 1,6 | 4,8 | 4,9 | 5,3 | для формирования изображения | | | сверхбольших интегральных | | | | | | | на длине волны 193 нм | | | схем с элементами разрешения | | | | | | | (эксимерный лазер) | | | 0,15-0,18 мкм и стенда для | | | | | | | | | | его сборки, юстировки и | | | | | | | | | | испытаний | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 83. | Разработка управляемых | - | 12,6 | 1,2 | 3,6 | 3,6 | 4,2 | создание управляемых | | | интерференционных | | ---- | --- | --- | --- | --- | интерференционных покрытий и | | | тонкопленочных элементов на | | 6,3 | 0,6 | 1,8 | 1,8 | 2,1 | элементов на их основе, | | | основе явления фазового | | | | | | | обеспечивающих исключение | | | перехода | | | | | | | возможной взаимной диффузии и | | | полупроводник-металл в | | | | | | | химических реакций между | | | тонких слоях оксида ванадия | | | | | | | слоями и подложкой в условиях | | | и их модификациях, | | | | | | | высоких температур и с | | | полученных за счет | | | | | | | глубоким подавлением мешающего | | | интегрирования с другими | | | | | | | излучения в видимой и ближней | | | родственными материалами | | | | | | | ИК-областях спектра | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 84. | Разработка новых оптических | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | восстановление производства | | | клеев для склеивания | | ---- | --- | --- | --- | --- | оптических клеев, не | | | оптических элементов между | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | уступающих зарубежным аналогам | | | собой и с элементами | | | | | | | | | | конструкций приборов | | | | | | | | | | назначения | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 85. | Разработка оптоэлектронных | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | разработка средств контроля и | | | модулей с использованием | | ---- | --- | --- | --- | --- | мониторинга атмосферы земной и | | | методов Фурье-спектрометрии, | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | водной поверхности по | | | в том числе многоканальных | | | | | | | выявлению выбросов опасных, в | | | | | | | | | | том числе отравляющих, газов в | | | | | | | | | | чрезвычайных ситуациях, утечек | | | | | | | | | | газопроводов, аномалий | | | | | | | | | | распределения природных газов | | | | | | | | | | и др. | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 86. | Разработка стенда метрологии | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | разработка методов и создание | | | функциональных характеристик | | ---- | --- | --- | --- | --- | аппаратуры для измерения | | | элементов терагерцовой | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | функциональных характеристик | | | фотоники, спинтроники и | | | | | | | полупроводниковых | | | ИК-оптоэлектроники на | | | | | | | гетероструктур и системного | | | полупроводниковых | | | | | | | моделирования функций: (i) - | | | гетероструктурах | | | | | | | параллельной оптической | | | | | | | | | | логики, (ii) - квантовой | | | | | | | | | | (фотонной) логики, (iii) - | | | | | | | | | | оперативной оптической памяти, | | | | | | | | | | основанной на оптической | | | | | | | | | | ориентации спинов, (iv) - | | | | | | | | | | чтения битовых и аналоговых (в | | | | | | | | | | т. ч. тепловых) изображений и | | | | | | | | | | (v) - квантовой | | | | | | | | | | голографической телепортации | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 87. | Разработка акустически | - | 16,8 | 2 | 4,6 | 5 | 5,2 | создание оптоволоконных | | | управляемых оптоволоконных | | ---- | - | --- | --- | --- | устройств (модуляторов, | | | устройств, электро- и | | 8,4 | 1 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | перестраиваемых фильтров) с | | | светоуправляемых | | | | | | | акустическим управлением | | | жидкокристаллических | | | | | | | параметрами пропускаемого | | | устройств для недисплейных | | | | | | | через волокно света на основе | | | применений, а также | | | | | | | пьезоэлектрических пленок ZnO | | | голографических технологий | | | | | | | со значительно уменьшенными | | | создания нейроподобных | | | | | | | оптическими потерями и | | | систем | | | | | | | увеличенными функциональными | | | | | | | | | | возможностями; | | | | | | | | | | применение устройств в | | | | | | | | | | оборудовании связи, волоконных | | | | | | | | | | интерферометрах, гироскопах, | | | | | | | | | | для дальнометрии, нелинейной | | | | | | | | | | оптики и др.; | | | | | | | | | | создание технологии и | | | | | | | | | | изготовление | | | | | | | | | | пространственно-временных | | | | | | | | | | модуляторов света на основе | | | | | | | | | | новых материалов, а также | | | | | | | | | | быстродействующих | | | | | | | | | | ЖК-модуляторов для | | | | | | | | | | использования в системах | | | | | | | | | | оптической обработки | | | | | | | | | | информации, в т. ч. для записи | | | | | | | | | | динамических голограмм | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 88. | Разработка многослойных | - | 16,4 | 1,6 | 4,6 | 5 | 5,2 | создание многослойных | | | оптических покрытий на | | ---- | --- | --- | --- | --- | оптических покрытий деталей из | | | оптические элементы из | | 8,2 | 0,8 | 2,3 | 2,5 | 2,6 | германия, кремния, | | | материалов, работающих в | | | | | | | лейкосапфира, оптической | | | ИК-области спектра для | | | | | | | керамики и др., работающих в | | | нового поколения | | | | | | | ИК-области спектра | | | тепловизионных приборов и | | | | | | | | | | приборов ночного видения | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 8. Радиокомпоненты и ЭВП | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 89. | Разработка типового ряда | - | 68,4 | 6 | 20 | 20,8 | 21,6 | создание перспективных | | | электровакуумных приборов, | | ---- | - | -- | ---- | ---- | электровакуумных приборов, | | | коммутационных и пассивных | | 34,2 | 3 | 10 | 10,4 | 10,8 | коммутационных и пассивных | | | радиоэлектронных | | | | | | | радиоэлектронных компонентов, | | | компонентов, необходимых для | | | | | | | позволяющих провести | | | комплектации и модернизации | | | | | | | модернизацию существующих | | | серийно выпускаемых образцов | | | | | | | образцов ВВСТ с применением | | | ВВСТ, в том числе: | | | | | | | современной электронной | | | импульсные, модуляторные, | | | | | | | компонентной базы и | | | генераторные и | | | | | | | возможность разработки | | | приемоусилительные лампы; | | | | | | | электронных систем пятого | | | тиратроны; | | | | | | | поколения | | | разрядники; | | | | | | | | | | фотоэлектронные умножители; | | | | | | | | | | электронно-лучевые трубки; | | | | | | | | | | магнитоуправляемые контакты | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 90. | Разработка типового ряда | - | 47,2 | 6 | 13,2 | 13,8 | 14,2 | создание ферритовых приборов, | | | перспективных приборов, | | ---- | -- | ---- | ---- | ---- | устройств на МСВ и | | | трансформаторов, устройств | | 23,6 | 3 | 6,6 | 6,9 | 7,1 | трансформаторов | | | на магнитостатических волнах | | | | | | | радиодиапазона, позволяющих | | | и магнитоэлектрических | | | | | | | проводить модернизацию | | | приборов микроволнового и | | | | | | | существующих электронных | | | радиодиапазона, в том числе: | | | | | | | систем и возможность | | | высокодобротных резонаторов; | | | | | | | разработки систем пятого | | | фазовращателей и | | | | | | | поколения | | | циркуляторов; | | | | | | | | | | вентилей и ограничителей; | | | | | | | | | | перестраиваемых фильтров; | | | | | | | | | | переключателей | | | | | | | | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | 9. Обеспечивающие работы | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 91. | Разработка информационной | - | 62,8 | 13 | 16 | 16,6 | 17,2 | создание баз данных, | | | среды автоматизированного | | ---- | --- | -- | ---- | ---- | содержащих библиотеки моделей | | | проектирования СБИС "система | | 31,4 | 6,5 | 8 | 8,3 | 8,6 | для всех уровней | | | на кристалле" и СФ-блоков | | | | | | | проектирования, в том числе и | | | | | | | | | | библиотеки СФ-блоков, | | | | | | | | | | обеспечивающих процесс | | | | | | | | | | сквозного проектирования СБИС | | | | | | | | | | специального и коммерческого | | | | | | | | | | применения | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 92. | Разработка межведомственной | - | 39,2 | 8 | 10 | 10,4 | 10,8 | обеспечение межведомственной | | | информационно-аналитической | | ---- | - | -- | ---- | ---- | координации по вопросам | | | и справочной системы по: | | 19,6 | 4 | 5 | 5,2 | 5,4 | разработки, производства и | | | вопросам разработки, | | | | | | | развития перспективной ЭКБ, в | | | производства и развития ЭКБ; | | | | | | | том числе унифицированной базы | | | технологическим маршрутам | | | | | | | данных по технологическим | | | отечественных и иностранных | | | | | | | маршрутам отечественных и | | | производителей ЭКБ, | | | | | | | иностранных производителей | | | библиотек элементов и | | | | | | | ЭКБ, библиотек элементов и | | | СФ-блоков; | | | | | | | СФ-блоков, порядку учета и | | | продукции, производимой на | | | | | | | использованию библиотек, | | | иностранных предприятиях на | | | | | | | разработанных Центрами | | | основе отечественных | | | | | | | проектирования, в том числе | | | разработок (фотошаблонов); | | | | | | | для продукции, производимой на | | | контролю и определению | | | | | | | иностранных предприятиях на | | | потребностей в закупках | | | | | | | основе отечественных | | | иностранной ЭКБ и | | | | | | | разработок (фотошаблонов) | | | обеспечению централизованных | | | | | | | | | | закупок | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 93. | Создание комплекса | - | 32,2 | 7 | 8 | 8,4 | 8,8 | прямое внедрение международных | | | основополагающих стандартов | | ---- | --- | - | --- | --- | стандартов и актуализации | | | по обеспечению качества, | | 16,1 | 3,5 | 4 | 4,2 | 4,4 | действующего фонда нормативных | | | надежности и | | | | | | | документов. Комплекс | | | конкурентоспособности | | | | | | | основополагающих стандартов, | | | перспективных ЭРИ на основе | | | | | | | обеспечивающих создание нового | | | сопоставительного анализа | | | | | | | поколения документов на | | | требований российских и | | | | | | | поставку ЭРИ | | | международных стандартов | | | | | | | | | | (MIL STD, НАТО, МЭК, ИСО и | | | | | | | | | | др.) на электронные | | | | | | | | | | компоненты | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 94. | Разработка комплекса средств | - | 25,2 | - | 8 | 8,4 | 8,8 | создание средств измерений и | | | измерений и эталонов, | | ---- | | - | --- | --- | эталонов на базе перспективных | | | реализующих требования | | 12,6 | | 4 | 4,2 | 4,4 | технологий, обеспечивающих | | | российских и международных | | | | | | | требуемую точность, сходимость | | | стандартов на ЭРИ, в том | | | | | | | и воспроизводимость | | | числе стандартов MIL STD, | | | | | | | результатов измерений и | | | НАТО, МЭК и ИСО | | | | | | | испытаний | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 95. | Разработка новых и | - | 25,2 | - | 8 | 8,4 | 8,8 | комплекс нормативных | | | совершенствование | | ---- | | - | --- | --- | документов, регламентирующих | | | существующих методов | | 12,6 | | 4 | 4,2 | 4,4 | методы испытаний и контроля | | | испытаний на ВВФ и контроля | | | | | | | ЭРИ нового поколения и | | | качества ЭРИ нового | | | | | | | критерии оценки их годности по | | | поколения, в том числе | | | | | | | результатам испытаний | | | субмикронной и | | | | | | | | | | нанотехнологии, | | | | | | | | | | акустоэлектроники, | | | | | | | | | | оптоэлектроники, | | | | | | | | | | твердотельных СВЧ-изделий. | | | | | | | | | | Разработка критериев оценки | | | | | | | | | | годности изделий с | | | | | | | | | | применением современных | | | | | | | | | | методов и средств | | | | | | | | | | физико-технического анализа | | | | | | | | | | и неразрушающего контроля | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 96. | Создание и внедрение нового | - | 30,2 | 5 | 8 | 8,4 | 8,8 | нормативно-техническое | | | поколения основополагающих | | ---- | --- | - | --- | --- | обеспечение электронной | | | стандартов, в том числе по: | | 15,1 | 2,5 | 4 | 4,2 | 4,4 | компонентной базы и систем на | | | проектированию СБИС "система | | | | | | | ее основе, в том числе: | | | на кристалле" на основе | | | | | | | описание характеристик и | | | СФ-блоков, в том числе и на | | | | | | | форматов передачи; | | | основе международной | | | | | | | тестирование СФ-блоков в | | | кооперации; | | | | | | | составе СБИС "система на | | | надежности и качеству; | | | | | | | кристалле"; | | | экологической безопасности; | | | | | | | защита интеллектуальной | | | экономической рентабельности | | | | | | | собственности; | | | производства; | | | | | | | порядок включения в состав | | | CALS-технологии | | | | | | | СБИС "система на кристалле" | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | Инвестиционные проекты (капитальные вложения**) | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 97. | Организация серийного | - | 46,8 | - | 15 | 15,6 | 16,2 | освоение выпуска | | | производства | | ---- | | -- | ---- | ---- | световозрастающих пленок | | | световозвращающих пленок в | | 46,8 | | 15 | 15,6 | 16,2 | двойного применения, не | | | ГУП "НПО "Астрофизика", | | | | | | | уступающих по техническому | | | г. Москва | | | | | | | уровню лучшим мировым | | | | | | | | | | аналогам. Планируемый годовой | | | | | | | | | | объем выпуска - 1,5 млн. кв. м | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 98. | Техническое перевооружение | - | 46,9 | - | 15 | 15,6 | 16,3 | выпуск оптоэлектронных систем | | | производства оптоэлектронных | | ---- | | -- | ---- | ---- | наблюдения высокого | | | систем и элементов, | | 46,9 | | 15 | 15,6 | 16,3 | пространственного и | | | работающих в спектральном | | | | | | | спектрального разрешения | | | диапазоне от | | | | | | | аэрокосмического базирования с | | | ультрафиолетового до | | | | | | | ресурсом эксплуатации до 10 | | | инфракрасного в ГУП "ВНЦ | | | | | | | лет | | | "ГОИ им. С.И.Вавилова", | | | | | | | | | | г. Санкт-Петербург | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 99. | Создание производственных | 140 | 10,1 | 10,1 | - | - | - | создание сверхчистого | | | мощностей под выпуск | --- | ---- | ---- | | | | производства для обеспечения | | | сверхбыстродействующих | 140 | 10,1 | 10,1 | | | | потребности отечественного | | | интегральных схем в ОАО | | | | | | | рынка в сверхбольших | | | "Ангстрем-2М", г. Москва | | | | | | | интегральных схемах с | | | | | | | | | | топологическими нормами | | | | | | | | | | 0,35-0,5 микрона для | | | | | | | | | | использования в специальных | | | | | | | | | | видах электронной техники и в | | | | | | | | | | различных отраслях | | | | | | | | | | промышленности и народного | | | | | | | | | | хозяйства | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 100. | Создание межотраслевого | - | 58 | - | 20 | 19 | 19 | ускоренная разработка основной | | | центра проектирования СБИС | | -- | | -- | -- | -- | номенклатуры СБИС "система на | | | "система на кристалле" с | | 58 | | 20 | 19 | 19 | кристалле" | | | последующей организацией | | | | | | | | | | распределенной структуры | | | | | | | | | | сети отраслевых центров | | | | | | | | | | проектирования системного | | | | | | | | | | уровня в ФГУП "НИИМА | | | | | | | | | | "Прогресс", г. Москва | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 101. | Создание центра изготовления | - | 166,9 | - | 50 | 56,6 | 60,3 | обеспечение национальной | | | фотошаблонов для | | ----- | | -- | ---- | ---- | безопасности страны при | | | субмикронного производства | | 166,9 | | 50 | 56,6 | 60,3 | разработке и модернизации | | | СБИС на отечественных и | | | | | | | стратегически значимых систем | | | зарубежных "кремниевых | | | | | | | ВВСТ | | | мастерских" в ОАО | | | | | | | | | | "Российская электроника", | | | | | | | | | | г. Москва | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 102. | Создание центра | - | 28 | - | 10 | 9 | 9 | ускоренная разработка основной | | | проектирования перспективной | | -- | | -- | - | - | номенклатуры СФ-блоков | | | электронной компонентной | | 28 | | 10 | 9 | 9 | | | | базы в ГП "НИИ ЭТ", | | | | | | | | | | г. Воронеж | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 103. | Создание центра | - | 28 | - | 10 | 9 | 9 | создание государственного | | | проектирования перспективной | | -- | | -- | -- | - | центра по регулированию и | | | электронной компонентной | | 28 | | 10 | 9 | 9 | контролю для определения | | | базы в ГУП "НПЦ "Элвис", | | | | | | | потребности в закупках | | | г. Москва | | | | | | | иностранной ЭКБ, осуществлению | | | | | | | | | | закупок и применению ЭКБ в ГУП | | | | | | | | | | НПЦ "Элвис" | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | | Всего по разделу II | 528,6 | 5312,7 | 692,7 | 1480 | 1539,2| 1600,|8 | | | | ----- | ------ | ----- | ---- | ------| -----|- | | | | 334,3 | 2848,7 | 351,4 | 800 | 832 | 865,3| | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | | в том числе: | | | | | | | | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | | НИОКР | 388,6 | 4928 | 682,6 | 1360 | 1414,4| 1471 | | | | | ----- | ---- | ----- | ---- | ------| -----| | | | | 194,3 | 2464 | 341,3 | 680 | 707,2 | 735,5| | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | | капитальные вложения | 140 | 384,7 | 10,1 | 120 | 124,8 | 129,8| | | | | --- | ----- | ---- | --- | ----- | -----| | | | | 140 | 384,7 | 10,1 | 120 | 124,8 | 129,8| | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | III. Технологии вычислительных систем | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | | Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы | |--------|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 104. | Разработка технологий | 12,8 | 51,2 | 9,6 | 13 | 13,6 | 15 | создание производственных | | | производства и монтажа | ---- | ---- | --- | --- | ---- | --- | участков для выпуска | | | электронных модулей на | 6,4 | 25,6 | 4,8 | 6,5 | 6,8 | 7,5 | электронных модулей на частоте | | | частоте 800-1200 МГц | | | | | | | 800-1200 МГц, необходимых для | | | | | | | | | | производства современных | | | | | | | | | | конкурентоспособных | | | | | | | | | | электронных устройств | | | | | | | | | | вычислительной техники и | | | | | | | | | | средств автоматизации; | | | | | | | | | | повышение качества годных МПП | | | | | | | | | | и модулей, позволяющих снизить | | | | | | | | | | их себестоимость; | | | | | | | | | | экономический эффект - сотни | | | | | | | | | | миллионов рублей, в том числе | | | | | | | | | | за счет отказа от импорта | | | | | | | | | | готовых электронных устройств; | | | | | | | | | | повышение технологической | | | | | | | | | | независимости страны | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 105. | Развитие технологий | 11,4 | 67,4 | 4,6 | 20 | 21 | 21,8 | создание задела по | | | разработки системного и | ---- | ---- | --- | -- | ---- | ---- | направлениям: | | | прикладного программного | 5,7 | 33,7 | 2,3 | 10 | 10,5 | 10,9 | 1) технологии представления | | | обеспечения | | | | | | | спецификаций параллельных и | | | | | | | | | | распределенных компьютерных | | | | | | | | | | комплексов, операционных | | | | | | | | | | систем и предметных областей | | | | | | | | | | для основных классов | | | | | | | | | | компьютерных приложений; | | | | | | | | | | 2) технологии баз знаний; | | | | | | | | | | 3) технологии параллельного | | | | | | | | | | программирования; | | | | | | | | | | 4) технологии взаимодействия | | | | | | | | | | "человек - компьютер", включая | | | | | | | | | | технологии виртуальной | | | | | | | | | | реальности. | | | | | | | | | | Создание интегрированных | | | | | | | | | | открытых компьютерных сред для | | | | | | | | | | проектирования системных и | | | | | | | | | | прикладных программных | | | | | | | | | | продуктов, обеспечивающих | | | | | | | | | | поддержку концептуального | | | | | | | | | | проектирования программ, | | | | | | | | | | методологии RAD, коллективного | | | | | | | | | | проектирования, а также | | | | | | | | | | реализации в программных | | | | | | | | | | продуктах технологий баз | | | | | | | | | | знаний и новейших моделей | | | | | | | | | | взаимодействия "человек - | | | | | | | | | | компьютер"; создание | | | | | | | | | | комплексной технологической | | | | | | | | | | оснастки российской индустрии | | | | | | | | | | программного обеспечения, | | | | | | | | | | позволяющего создавать | | | | | | | | | | программные продукты мирового | | | | | | | | | | уровня; экономический | | | | | | | | | | эффект - сотни миллионов | | | | | | | | | | рублей. | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 106. | Исследование архитектур, | 11,4 | 51 | 6,2 | 14 | 15 | 15,8 | в результате выполнения работ | | | разработка и подготовка | ---- | ---- | --- | -- | --- | ---- | будет актуализирована | | | производства | 5,7 | 25,5 | 3,1 | 7 | 7,5 | 7,9 | технология проектирования СБИС | | | микропроцессоров и | | | | | | | и получена технологическая | | | микропроцессорных СБИС для | | | | | | | документация для производства | | | высокопроизводительных | | | | | | | комплектов СБИС и | | | компьютеров и вычислительных | | | | | | | микропроцессоров для | | | комплексов | | | | | | | компьютеров, в том числе | | | | | | | | | | комплекта СБИС для обработки | | | | | | | | | | сигналов и изображений, | | | | | | | | | | процессоров сигналов, СБИС для | | | | | | | | | | нейрокомпьютеров, | | | | | | | | | | микропроцессоров реального | | | | | | | | | | времени, СБИС для | | | | | | | | | | межпроцессорных коммутаторов | |--------|--------------------------------|---------|------------|----------|--------|----------|--------|--------------------------------| | 107. | Разработка технологий | 46 | 208,2 | 59 | 48,4 | 50 | 50,8 | разработка кластерных | | | создания компьютеров и | -- | ----- | ---- | ---- | -- | ---- | компьютерных систем на основе | | | вычислительных комплексов | 23 | 104,1 | 29,5 | 24,2 | 25 | 25,4 | электронных и оптоэлектронных | | | высокой и сверхвысокой | | | | | | | коммутаторов, бинарных | | | производительности, | | | | | | | компьютеров на базе | | | нейрокомпьютеров и | | | | | | | эмуляционных комплектов СБИС; | | | адаптивных вычислительных | | | | | | | суперкомпьютеров и рабочих | | | систем | | | | | | | станций на основе сигнальных | | | | | | | | | | микропроцессоров с | | | | | | | | | | быстродействием до 100 Тфлопс | | | | | | | | | | на универсальных | | | | | | | | | | микропроцессорах и 10 млрд. | | | | | | | | | | оп/сек на сигнальных; | | | | | | | | | | нейрокомпьютеры на основе | | | | | | | | | | аналого-цифровых и цифровых | | | | | | | | | | нейрочипов; ряда управляющих | | | | | | | | | | микросупер-ЭВМ для адаптивных | | | | | | | | | | ИВС с элементами | | | | | | | | | | искусственного интеллекта, | | | | | | | | | | высокопроизводительных | | | | | | | | | | вычислительных комплексов с | | | | | | | | | | самоорганизующимися ОС на | | | | | | | | | | основе использования | | | | | | | | | | виртуальной сенсорики; | |