| | кВт) на рабочую частоту | | | | (выраженную в ГГц) более 0,5; | | | | мгновенную ширину полосы частот в | | | | одну октаву или менее и | | | | произведение средней мощности | | | | (выраженной в кВт) на рабочую | | | | частоту (выраженную в ГГц) более | | | | 1; или | | | | пригодные для применения в | | | | космосе; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного | 8540 71 000 0 | | | типа с коэффициентом усиления | | | | более 17 дБ; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, | 8540 99 000 0 | | | разработанные для электронных | | | | ламп, эмитирующие в непрерывном | | | | режиме и штатных условиях работы | | | | ток плотностью, превышающей | | | | 5 А/кв. см | | | | Примечания: | | | | 1. По пункту 3.1.1.2.1 не | | | | контролируются лампы, | | | | спроектированные для работы в | | | | любом диапазоне частот, который | | | | удовлетворяет всем следующим | | | | характеристикам: | | | | а) частота не превышает 31 ГГц; и | | | | б) диапазон распределен | | | | Международным союзом электросвязи | | | | для обслуживания радиосвязи, но | | | | не для радиоопределения | | | | 2. По пункту 3.1.1.2.1 не | | | | контролируются лампы, которые | | | | непригодны для применения в | | | | космосе и удовлетворяют всем | | | | следующим характеристикам: | | | | а) средняя выходная мощность не | | | | более 50 Вт; и | | | | б) спроектированные для работы в | | | | любом диапазоне частот, который | | | | удовлетворяет всем следующим | | | | характеристикам: | | | | частота выше 31 ГГц, но не | | | | превышает 43,5 ГГц; и | | | | диапазон распределен | | | | Международным союзом электросвязи | | | | для обслуживания радиосвязи, но | | | | не для радиоопределения; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.2. | Микроволновые интегральные схемы | 8542 29; | | | или модули, которые: | 8542 60 000; | | | а) содержат монолитные | 8542 70 000 0 | | | интегральные схемы, имеющие один | | | | или более активных элементов; и | | | | б) работают на частотах выше | | | | 3 ГГц | | | | Примечания: | | | | 1. По пункту 3.1.1.2.2 не | | | | контролируются схемы или модули | | | | для оборудования, разработанного | | | | или предназначенного для работы в | | | | любом диапазоне частот, который | | | | удовлетворяет всем следующим | | | | характеристикам: | | | | а) не превышает 31 ГГц; | | | | б) диапазон распределен | | | | Международным союзом электросвязи | | | | для обслуживания радиосвязи, но | | | | не для радиоопределения | | | | 2. По пункту 3.1.1.2.2 не | | | | контролируется радиопередающее | | | | спутниковое оборудование, | | | | разработанное или предназначенное | | | | для работы в полосе частот от | | | | 40,5 ГГц до 42,5 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, | 8541 21 000 0; | | | предназначенные для работы на | 8541 29 000 0 | | | частотах, превышающих 31 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные | 8543 89 950 0 | | | усилители, имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) работающие на частотах, | | | | превышающих 10,5 ГГц, и имеющие | | | | мгновенную ширину полосы частот | | | | более половины октавы; или | | | | б) работающие на частотах, | | | | превышающих 31 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.5. | Полосовые или заградительные | 8543 89 950 0 | | | фильтры с электронной или | | | | магнитной перестройкой, | | | | содержащие более пяти | | | | настраиваемых резонаторов, | | | | обеспечивающих настройку в полосе | | | | частот с соотношением | | | | максимальной и минимальной частот | | | | 1,5 : 1 (f / f ) менее чем | | | | max min | | | | за 10 мкс, и имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) полосу пропускания частоты | | | | более 0,5 % от резонансной | | | | частоты; или | | | | б) полосу подавления частоты | | | | менее 0,5 % от резонансной | | | | частоты; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.6. | Микроволновые сборки, способные | 8529 10 700 9; | | | работать на частотах, превышающих | 8542 70 000 0 | | | 31 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.7. | Смесители и преобразователи, | 8543 89 950 0 | | | разработанные для расширения | | | | частотного диапазона аппаратуры, | | | | указанной в пункте 3.1.2.3, | | | | 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.2.8. | Микроволновые усилители мощности | 8543 89 950 0 | | | СВЧ-диапазона, содержащие лампы, | | | | контролируемые по пункту 3.1.1.2, | | | | и имеющие все следующие | | | | характеристики: | | | | а) рабочие частоты выше 3 ГГц; | | | | б) плотность средней выходной | | | | мощности, превышающую 80 Вт/кг; | | | | и | | | | в) объем менее 400 куб. см | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.1.2.8 не | | | | контролируется аппаратура, | | | | спроектированная для работы в | | | | любом диапазоне частот, | | | | распределенном Международным | | | | союзом электросвязи для | | | | обслуживания радиосвязи, но не | | | | для радиоопределения; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и | | | | специально разработанные для них | | | | компоненты: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных | 8541 60 000 0 | | | акустических волнах и на | | | | акустических волнах в тонком | | | | поверхностном слое (то есть | | | | приборы для обработки сигналов, | | | | использующие упругие волны в | | | | материале), имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; | | | | б) несущую частоту выше 1 ГГц, но | | | | не превышающую 2,5 ГГц, и | | | | дополнительно имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | частотное подавление боковых | | | | лепестков диаграммы | | | | направленности более 55 дБ; | | | | произведение максимального | | | | времени задержки (в мкс) на | | | | ширину полосы частот (в МГц) | | | | более 100; | | | | ширину полосы частот выше | | | | 250 МГц; или | | | | дисперсионную задержку более | | | | 10 мкс; или | | | | в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и | | | | дополнительно имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | произведение максимального | | | | времени задержки (в мкс) на | | | | ширину полосы частот (в МГц) | | | | более 100; | | | | дисперсионную задержку более | | | | 10 мкс; или | | | | частотное подавление боковых | | | | лепестков диаграммы | | | | направленности более 55 дБ и | | | | ширину полосы частот, превышающую | | | | 50 МГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических | 8541 60 000 0 | | | волнах (то есть приборы для | | | | обработки сигналов, использующие | | | | упругие волны в материале), | | | | обеспечивающие непосредственную | | | | обработку сигналов на частотах, | | | | превышающих 1 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы | 8541 60 000 0 | | | обработки сигналов, использующие | | | | взаимодействие между | | | | акустическими волнами (объемными | | | | или поверхностными) и световыми | | | | волнами, что позволяет | | | | непосредственно обрабатывать | | | | сигналы или изображения, включая | | | | анализ спектра, корреляцию или | | | | свертку; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.4. | Электронные приборы и схемы, | 8540; | | | содержащие компоненты, | 8541; | | | изготовленные из сверхпроводящих | 8542; | | | материалов, специально | 8543 | | | спроектированные для работы при | | | | температурах ниже критической | | | | температуры хотя бы одной из | | | | сверхпроводящих составляющих, | | | | имеющие хотя бы один из | | | | следующих признаков: | | | | а) токовые переключатели для | | | | цифровых схем, использующие | | | | сверхпроводящие вентили, у | | | | которых произведение времени | | | | задержки на вентиль (в секундах) | | | | на рассеиваемую мощность на | | | | вентиль (в ваттах) менее | | | | -14 | | | | 10 Дж; или | | | | б) селекцию частоты на всех | | | | частотах с использованием | | | | резонансных контуров с | | | | добротностью, превышающей 10 000; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5. | Нижеперечисленные мощные | | | | энергетические устройства: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.1. | Батареи и сборки | | | | фотоэлектрических элементов: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.1.1. | Первичные элементы и батареи с | 8506; | | | плотностью энергии, превышающей | 8507; | | | 480 Вт х ч/кг, и пригодные для | 8541 40 900 0 | | | работы в диапазоне температур от | | | | о | | | | ниже 243 К (-30 С) до выше 343 К | | | | о | | | | (70 С); | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.1.2. | Подзаряжаемые элементы и батареи | 8506; | | | с плотностью энергии более | 8507; | | | 150 Вт х ч/кг после 75 циклов | 8541 40 900 0 | | | заряд-разряда при токе разряда, | | | | равном С/5 (С - номинальная | | | | емкость в ампер-часах, 5 - время | | | | разряда в часах), при работе в | | | | диапазоне температур от ниже | | | | о | | | | 253 К (-20 С) | | | | о | | | | до выше 333 К (60 С) | | | | Техническое примечание. | | | | Плотность энергии определяется | | | | путем умножения средней мощности | | | | в ваттах (произведение среднего | | | | напряжения в вольтах на средний | | | | ток в амперах) на длительность | | | | цикла разряда в часах, при | | | | котором напряжение на разомкнутых | | | | клеммах падает до 75 % от | | | | номинала, и деления полученного | | | | произведения на общую массу | | | | элемента (или батареи) в | | | | килограммах; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.1.3. | Батареи, пригодные для применения | 8506; | | | в космосе, и радиационно стойкие | 8507; | | | сборки фотоэлектрических | 8541 40 900 0 | | | элементов с удельной мощностью | | | | более 160 Вт/кв. м при рабочей | | | | о | | | | температуре 301 К (28 С) и | | | | облучении от вольфрамового | | | | источника, нагретого до | | | | о | | | | температуры 2800 К (2527 С) с | | | | плотностью мощности излучения | | | | 1 кВт/кв. м | | | | Примечание. | | | | По пунктам 3.1.1.5.1.1 - | | | | 3.1.1.5.1.3 не контролируются | | | | батареи объемом 27 куб. см или | | | | менее (например, стандартные | | | | элементы с угольными стержнями или | | | | батареи типа R14); | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.2. | Высокоэнергетические накопительные | | | | конденсаторы: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.2.1. | Конденсаторы с частотой повторения | 8506; | | | ниже 10 Гц (одноразрядные | 8507; | | | конденсаторы), имеющие все | 8532 | | | следующие характеристики: | | | | а) номинальное напряжение 5 кВ или | | | | более; | | | | б) плотность энергии 250 Дж/кг | | | | или более; и | | | | в) полную энергию 25 кДж или | | | | более; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.2.2. | Конденсаторы с частотой повторения | 8506; | | | 10 Гц и выше (многоразрядные | 8507; | | | конденсаторы), имеющие все | 8532 | | | следующие характеристики: | | | | а) номинальное напряжение 5 кВ | | | | или более; | | | | б) плотность энергии 50 Дж/кг или | | | | более; | | | | в) полную энергию 100 Дж или | | | | более; и | | | | г) количество циклов заряд-разряда | | | | 10 000 или более; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.5.3. | Сверхпроводящие электромагниты | 8504 50; | | | и соленоиды, специально | 8505 90 100 0 | | | разработанные на полный заряд или | | | | разряд менее чем за 1 с, имеющие | | | | все нижеперечисленные | | | | характеристики: | | | | а) энергию, выделяемую при | | | | разряде, превышающую 10 кДж за | | | | первую секунду; | | | | б) внутренний диаметр токонесущих | | | | обмоток более 250 мм; и | | | | в) номинальную магнитную индукцию | | | | больше 8 Т или суммарную плотность | | | | тока в обмотке более 300 А/кв. мм | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.1.5.3 не | | | | контролируются сверхпроводящие | | | | электромагниты или соленоиды, | | | | специально разработанные для | | | | медицинской аппаратуры | | | | магниторезонансной томографии; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.1.6. | Цифровые преобразователи | 9031 80 320 0; | | | абсолютного углового положения | 9031 80 340 0 | | | вращающегося вала, имеющие | | | | любую из следующих характеристик: | | | | а) разрешение лучше 1/265000 от | | | | полного диапазона (18 бит); или | | | | б) точность лучше +/-2,5 угл. с | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2. | Нижеперечисленная электронная | | | | аппаратура общего назначения: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и | | | | специально разработанная | | | | измерительная магнитная лента | | | | для нее: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1.1. | Устройства записи на магнитной | 8520 32 500 0; | | | ленте показаний аналоговой | 8520 32 990 0; | | | аппаратуры, включая аппаратуру с | 8520 39 900 0; | | | возможностью записи цифровых | 8520 90 900 0; | | | сигналов (например, использующие | 8521 10 300 0; | | | модуль цифровой записи высокой | 8521 10 800 0 | | | плотности), имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) полосу частот, превышающую | | | | 4 МГц на электронный канал или | | | | дорожку; | | | | б) полосу частот, превышающую | | | | 2 МГц на электронный канал или | | | | дорожку, при количестве дорожек | | | | более 42; или | | | | в) ошибку рассогласования | | | | (основную) временной шкалы, | | | | измеренную по методикам | | | | соответствующих руководящих | | | | материалов Межведомственного | | | | совета по радиопромышленности | | | | (IRIG) или Ассоциации электронной | | | | промышленности (ЕIA), менее | | | | +-0,1 мкс | | | | Примечание. | | | | Аналоговые видеомагнитофоны на | | | | магнитной ленте, специально | | | | разработанные для гражданского | | | | применения, не рассматриваются как | | | | записывающие устройства, | | | | использующие ленту; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны на | 8521 10; | | | магнитной ленте, имеющие | 8521 90 000 0 | | | максимальную пропускную | | | | способность цифрового интерфейса | | | | более 360 Мбит/с | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.1.2 не | | | | контролируются цифровые | | | | видеомагнитофоны на магнитной | | | | ленте, специально разработанные | | | | для телевизионной записи, | | | | использующие формат сигнала, | | | | который может включать сжатие | | | | формата сигнала, | | | | стандартизированный или | | | | рекомендуемый для применения в | | | | гражданском телевидении | | | | Международным союзом электросвязи, | | | | Международной электротехнической | | | | комиссией, Организацией инженеров | | | | по развитию кино и телевидения, | | | | Европейским союзом радиовещания, | | | | Европейским институтом стандартов | | | | по телекоммуникациям или | | | | Институтом инженеров по | | | | электротехнике и радиоэлектронике; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1.3. | Устройства записи на магнитной | 8471 70 600 0; | | | ленте показаний цифровой | 8521 10 | | | аппаратуры, использующие принципы | | | | спирального сканирования или | | | | принципы фиксированной головки и | | | | имеющие любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) максимальную пропускную | | | | способность цифрового интерфейса | | | | более 175 Мбит/с; или | | | | б) пригодные для применения в | | | | космосе | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.1.3 не | | | | контролируются устройства записи | | | | данных на магнитной ленте, | | | | оснащенные электронными блоками | | | | для преобразования в цифровую | | | | запись высокой плотности и | | | | предназначенные для записи только | | | | цифровых данных; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной | 8521 90 000 0 | | | пропускной способностью цифрового | | | | интерфейса, превышающей | | | | 175 Мбит/с, разработанная в целях | | | | переделки цифровых | | | | видеомагнитофонов на магнитной | | | | ленте для использования их как | | | | устройств записи данных цифровой | | | | аппаратуры; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования | 8471 90 000 0; | | | сигналов в цифровую форму и записи | 8543 89 950 0 | | | переходных процессов, имеющие все | | | | следующие характеристики: | | | | а) скорость преобразования в | | | | цифровую форму 200 млн. проб в | | | | секунду или более и разрешение | | | | 10 бит или более; и | | | | б) непрерывную пропускную | | | | способность 2 Гбит/с или более | | | | Техническое примечание. | | | | Для таких приборов с архитектурой | | | | на параллельной шине непрерывная | | | | пропускная способность есть | | | | произведение наибольшего объема | | | | слов на количество бит в слове. | | | | Непрерывная пропускная | | | | способность - это наивысшая | | | | скорость передачи данных | | | | аппаратуры, с которой информация | | | | поступает в запоминающее | | | | устройство без потерь при | | | | сохранении скорости выборки и | | | | аналого-цифрового преобразования; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.1.6. | Устройства записи данных цифровой | 8471 50; | | | аппаратуры, использующие способ | 8471 60 100 0; | | | хранения на магнитном диске, | 8471 60 900 0; | | | имеющие все следующие | 8471 70 100 0; | | | характеристики: | 8471 70 510 0; | | | а) скорость преобразования в | 8471 70 530 0; | | | цифровую форму 100 млн. проб в | 8520 90 100 0; | | | секунду и разрешение 8 бит или | 8520 90 900 0; | | | более; и | 8521 90 000 0; | | | б) непрерывную пропускную | 8522 90 590 0; | | | способность не менее 1 Гбит/с | 8522 90 930 0; | | | или более; | 8522 90 980 0 | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов | 8543 20 000 0 | | | частот, имеющие время переключения | | | | частоты менее 1 мс; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.3. | Анализаторы сигналов радиочастот: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.3.1. | Анализаторы сигналов, | 9030 83 900 0; | | | анализирующие любые сигналы с | 9030 89 920 0 | | | частотой выше 31,8 ГГц, но ниже | | | | 37,5 ГГц, или превышающие | | | | 43,5 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.3.2. | Динамические анализаторы сигналов | 9030 83 900 0; | | | с полосой частот в реальном | 9030 89 920 0 | | | масштабе времени, превышающей | | | | 500 кГц | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.3.2 не | | | | контролируются динамические | | | | анализаторы сигналов, | | | | использующие только фильтры с | | | | полосой пропускания фиксированных | | | | долей (известны также как октавные | | | | или дробно-октавные фильтры); | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.4. | Генераторы сигналов | 8543 20 000 0 | | | синтезированных частот, | | | | формирующие выходные частоты с | | | | управлением по параметрам | | | | точности, кратковременной и | | | | долговременной стабильности на | | | | основе или с помощью внутренней | | | | эталонной частоты и имеющие любую | | | | из следующих характеристик: | | | | а) максимальную синтезируемую | | | | частоту, превышающую 31,8 ГГц; | | | | б) время переключения с одной | | | | выбранной частоты на другую менее | | | | 1 мс; или | | | | в) фазовый шум одной боковой | | | | полосы лучше -(126 + 20 lgF - | | | | 20 lgf) в единицах дБ/Гц, где F - | | | | смещение от рабочей частоты в Гц, | | | | а f - рабочая частота в МГц | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.4 не | | | | контролируется аппаратура, в | | | | которой выходная частота создается | | | | либо путем сложения или вычитания | | | | частот с двух или более кварцевых | | | | генераторов, либо путем сложения | | | | или вычитания с последующим | | | | умножением результирующей частоты; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.5. | Схемные анализаторы (панорамные | 9030 40 900 0 | | | измерители полных сопротивлений; | | | | измерители амплитуды, фазы и | | | | групповой задержки двух сигналов | | | | относительно опорного сигнала) с | | | | максимальной рабочей частотой, | | | | превышающей 43,5 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.6. | Микроволновые приемники-тестеры, | 8527 90 980 0 | | | имеющие все следующие | | | | характеристики: | | | | а) максимальную рабочую частоту, | | | | превышающую 43,5 ГГц; и | | | | б) способные одновременно измерять | | | | амплитуду и фазу; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие | 8543 20 000 0 | | | любую из следующих характеристик: | | | | а) долговременную стабильность | | | | -11 | | | | (старение) меньше (лучше) х 110 | | | | в месяц; или | | | | б) пригодные для применения | | | | в космосе | | | | Примечание. | | | | По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 | | | | не контролируются рубидиевые | | | | эталоны, непригодные для | | | | применения в космосе | | | | Особое примечание. | | | | В отношении атомных эталонов | | | | частоты, указанных в подпункте "б" | | | | пункта 3.1.2.7, см. также пункт | | | | 3.1.1 раздела 2 | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2. | Испытательное, контрольное и | | | | производственное оборудование | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для | | | | производства | | | | полупроводниковых приборов или | | | | материалов и специально | | | | разработанные компоненты и | | | | оснастка для них: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.1. | Управляемое встроенной программой | | | | оборудование для эпитаксиального | | | | выращивания: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.1.1. | Оборудование, обеспечивающее | 8479 89 650 0 | | | толщину выращиваемого слоя с | | | | отклонением менее +-2,5 % на | | | | расстояниях 75 мм или более; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.1.2. | Установки (реакторы) для | 8419 89 200 0 | | | химического осаждения из паровой | | | | фазы металлоорганических | | | | соединений, специально | | | | разработанные для выращивания | | | | кристаллов полупроводниковых | | | | соединений с использованием | | | | материалов, контролируемых по | | | | пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве | | | | исходных | | | | Особое примечание. | | | | В отношении оборудования, | | | | указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. | | | | также пункт 3.2.1 раздела 2; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.1.3. | Оборудование для молекулярно- | 8479 89 700 0; | | | эпитаксиального выращивания с | 8543 89 650 0 | | | использованием газообразных или | | | | твердых источников; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.2. | Управляемое встроенной программой | 8543 11 000 0 | | | оборудование, предназначенное для | | | | ионной имплантации, имеющее любую | | | | из следующих характеристик: | | | | а) энергию пучка (ускоряющее | | | | напряжение) более 1 МэВ; | | | | б) специально спроектированное | | | | и оптимизированное для работы с | | | | энергией пучка (ускоряющим | | | | напряжением) менее 2 кэВ; | | | | в) имеет возможность | | | | непосредственного формирования | | | | рисунка; или | | | | г) имеет возможность | | | | высокоэнергетической имплантации | | | | кислорода в нагретую подложку | | | | полупроводникового материала; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.3. | Управляемое встроенной программой | | | | оборудование для сухого | | | | анизотропного плазменного | | | | травления: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.3.1. | Оборудование с подачей заготовок | 8456 91 000 0; | | | из кассеты в кассету и шлюзовой | 8456 99 800 0 | | | загрузкой, имеющее любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) разработанное или | | | | оптимизированное для производства | | | | структур с критическим размером | | | | 0,3 мкм или менее и погрешностью | | | | (3 сигма), равной +-5 %; или | | | | б) разработанное для обеспечения | | | | чистоты лучше 0,04 частицы на | | | | кв. см, при этом измеряемый размер | | | | частицы более 0,1 мкм в диаметре; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.3.2. | Оборудование, специально | 8456 91 000 0; | | | спроектированное для систем, | 8456 99 800 0 | | | контролируемых по пункту 3.2.1.5, | | | | и имеющее любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) разработанное или | | | | оптимизированное для производства | | | | структур с критическим размером | | | | 0,3 мкм или менее и погрешностью | | | | (3 сигма), равной +-5 %; или | | | | б) разработанное для обеспечения | | | | чистоты лучше 0,04 частицы на | | | | кв. см, при этом измеряемый размер | | | | частицы более 0,1 мкм в диаметре; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.4. | Управляемое встроенной программой | 8419 89 200 0; | | | оборудование химического осаждения | 8419 89 300 0 | | | из паровой фазы с применением | | | | плазменного разряда, ускоряющего | | | | процесс: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.4.1. | Оборудование с подачей заготовок | | | | из кассеты в кассету и шлюзовой | | | | загрузкой, имеющее любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) разработанное в соответствии | | | | с техническими условиями | | | | производителя или оптимизированное | | | | для производства структур с | | | | критическим размером 0,3 мкм или | | | | менее и погрешностью (3 сигма), | | | | равной +-5 %; или | | | | б) разработанное для обеспечения | | | | чистоты лучше 0,04 частицы на | | | | кв. см, при этом измеряемый | | | | размер частицы более 0,1 мкм в | | | | диаметре; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.4.2. | Оборудование, специально | | | | спроектированное для систем, | | | | контролируемых по пункту 3.2.1.5, | | | | и имеющее любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) разработанное в соответствии с | | | | техническими условиями | | | | производителя или оптимизированное | | | | для производства структур с | | | | критическим размером 0,3 мкм или | | | | менее и погрешностью (3 сигма), | | | | равной +-5 %; или | | | | б) разработанное для обеспечения | | | | чистоты лучше 0,04 частицы на | | | | кв. см, при этом измеряемый размер | | | | частицы более 0,1 мкм в диаметре; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.5. | Управляемые встроенной | 8456 10; | | | программой автоматически | 8456 91 000 0; | | | загружаемые многокамерные | 8456 99 800 0; | | | системы с центральной загрузкой | 8456 99 300 0; | | | полупроводниковых пластин | 8479 50 000 0 | | | (подложек), имеющие все следующие | | | | характеристики: | | | | а) интерфейсы для загрузки и | | | | выгрузки пластин (подложек), к | | | | которым присоединяется более двух | | | | единиц оборудования для обработки | | | | полупроводников; и | | | | б) предназначенные для | | | | интегрированной системы | | | | последовательной многопозиционной | | | | обработки пластин (подложек) в | | | | вакууме | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.2.1.5 не | | | | контролируются автоматические | | | | робототехнические системы | | | | управления загрузкой пластин | | | | (подложек), не предназначенные для | | | | работы в вакууме; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.6. | Управляемое встроенной программой | | | | оборудование для литографии: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.6.1. | Оборудование для обработки пластин | 9009 22 000 0 | | | с использованием методов | | | | оптической или рентгеновской | | | | литографии с пошаговым совмещением | | | | и экспозицией (непосредственно на | | | | пластине) или сканированием | | | | (сканер), имеющее любое из | | | | следующего: | | | | а) источник света с длиной волны | | | | короче 350 нм; или | | | | б) возможность формирования рисунка| | | | с минимальным разрешаемым размером | | | | элемента 0,35 мкм и менее | | | | Техническое примечание. | | | | Минимальный разрешаемый размер | | | | элемента (МРР) рассчитывается по | | | | следующей формуле: | | | | МРР = (длина волны источника света | | | | в микрометрах) х (К фактор) / | | | | (числовая апертура), | | | | где К фактор = 0,7; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.6.2. | Оборудование, специально | 8456 10; | | | разработанное для изготовления | 8456 99 | | | шаблонов или производства | | | | полупроводниковых приборов с | | | | использованием отклоняемого | | | | сфокусированного электронного, | | | | ионного или лазерного пучка, | | | | имеющее любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) размер пятна менее 0,2 мкм; | | | | б) возможность формирования | | | | рисунка с размером элементов менее | | | | 1 мкм; или | | | | в) точность совмещения слоев лучше | | | | +-0,20 мкм (3 сигма); | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.7. | Маски и промежуточные шаблоны, | 9010 90 | | | разработанные для производства | | | | интегральных схем, контролируемых | | | | по пункту 3.1.1; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с | 9010 90 | | | фазосдвигающим слоем | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.2. | Управляемое встроенной программой | | | | оборудование, специально | | | | разработанное для испытания | | | | готовых или находящихся в разной | | | | степени изготовления | | | | полупроводниковых приборов, и | | | | специально разработанные для этого | | | | компоненты и приспособления: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.2.1. | Для измерения S-параметров | 9031 80 390 0 | | | транзисторных приборов на частотах | | | | выше 31 ГГц; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.2.2. | Для испытания интегральных схем, | 9030; | | | способное выполнять функциональное | 9031 20 000 0; | | | тестирование (по таблицам | 9031 80 390 0 | | | истинности) с частотой | | | | тестирования строк выше 333 МГц | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.2.2.2 не | | | | контролируется оборудование, | | | | специально разработанное для | | | | испытания: | | | | а) электронных сборок или любого | | | | класса электронных сборок бытового | | | | или развлекательного назначения; | | | | б) неконтролируемых электронных | | | | компонентов, электронных сборок | | | | или интегральных схем; | | | | в) запоминающих устройств | | | | Техническое примечание. | | | | Для целей этого пункта частота | | | | тестирования определяется как | | | | максимальная частота цифрового | | | | режима работы испытательного | | | | устройства. Поэтому она является | | | | эквивалентом скорости | | | | тестирования, | | | | которую может обеспечить указанное | | | | устройство во внемультиплексном | | | | режиме. Она может также считаться | | | | скоростью испытания, относиться к | | | | максимальной цифровой частоте или | | | | к максимальной цифровой скорости; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.2.2.3. | Для испытания микроволновых | 9030; | | | интегральных схем, контролируемых | 9031 20 000 0; | | | по пункту 3.1.1.2.2 | 9031 80 390 0 | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3. | Материалы | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.1. | Гетероэпитаксиальные структуры | | | | (материалы), состоящие из подложки | | | | с несколькими последовательно | | | | наращенными эпитаксиальными слоями | | | | любого из следующих материалов: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.1.1. | Кремний; | 3818 00 100 0; | | | | 3818 00 900 0 | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.1.2. | Германий; | 3818 00 900 0 | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.1.3. | Карбид кремния; или | 3818 00 900 0 | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.1.4. | Соединения III/V на основе галлия | 3818 00 900 0 | | | или индия | | | | Техническое примечание. | | | | Соединения III/V - это либо | | | | поликристаллические, либо бинарные | | | | или многокомпонентные | | | | монокристаллические продукты, | | | | состоящие из элементов групп IIIA | | | | и VA (по отечественной | | | | классификации это группы А3 и В5) | | | | периодической системы Менделеева | | | | (например, арсенид галлия, | | | | алюмоарсенид галлия, фосфид индия | | | | и тому подобное) | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.2. | Материалы резистов, а также | | | | подложки, покрытые контролируемыми | | | | резистами: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.2.1. | Позитивные резисты, | 3824 90 990 0 | | | предназначенные для | | | | полупроводниковой литографии, | | | | специально приспособленные | | | | (оптимизированные) для | | | | использования на длине волны менее | | | | 350 нм; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для | 3824 90 990 0 | | | использования при экспонировании | | | | электронными или ионными | | | | пучками, с чувствительностью | | | | 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для | 3824 90 990 0 | | | использования при экспонировании | | | | рентгеновскими лучами, с | | | | чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм | | | | или лучше; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под | 3824 90 990 0 | | | технологии формирования рисунка, | | | | включая силилированные резисты | | | | Техническое примечание. | | | | Технология силилирования - это | | | | процесс, включающий окисление | | | | поверхности резиста, для повышения | | | | качества мокрого и сухого | | | | проявления | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.3. | Следующие органо-неорганические | | | | соединения: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.3.1. | Металлоорганические соединения | 2931 00 950 0 | | | алюминия, галлия или индия с | | | | чистотой металлической основы | | | | более 99,999 %; | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.3.2. | Органические соединения мышьяка, | 2931 00 950 0 | | | сурьмы и фосфорорганические | | | | соединения с чистотой | | | | неорганического элемента более | | | | 99,999 % | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.3.3 контролируются | | | | только соединения, металлический, | | | | частично металлический или | | | | неметаллический элемент в которых | | | | непосредственно связан с углеродом | | | | органической части молекулы | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или | 2848 00 000 0; | | | сурьмы, имеющие чистоту | 2850 00 200 0 | | | более 99,999 %, даже будучи | | | | растворенными в инертных газах | | | | или водороде | | | | Примечание. | | | | По пункту 3.3.4 не контролируются | | | | гидриды, содержащие 20 % и более | | | | молей инертных газов или водорода | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.4. | Программное обеспечение | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.4.1. | Программное обеспечение, | | | | специально разработанное для | | | | разработки или производства | | | | оборудования, контролируемого по | | | | пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по | | | | пункту 3.2 | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.4.2. | Программное обеспечение, | | | | специально разработанное для | | | | применения в оборудовании, | | | | управляемом встроенной программой | | | | и контролируемом по пункту 3.2 | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.4.3. | Программное обеспечение систем | | | | автоматизированного | | | | проектирования (САПР), имеющее все | | | | следующие составляющие: | | | | а) предназначено для разработки | | | | полупроводниковых приборов или | | | | интегральных схем; и | | | | б) предназначено для выполнения | | | | или использования любого из | | | | следующего: | | | | реализации правил проектирования | | | | или правил проверки схем; | | | | моделирования физической топологии | | | | схем; или | | | | проектного моделирования | | | | литографических процессов | | | | Техническое примечание. | | | | Проектное моделирование | | | | литографических процессов - это | | | | пакет программного обеспечения, | | | | используемый на этапе | | | | проектирования для определения | | | | последовательности операций | | | | литографии, травления и осаждения | | | | в целях воплощения маскирующих | | | | шаблонов в конкретные | | | | топологические рисунки на | | | | проводниках, диэлектриках или | | | | полупроводниках | | | | Примечания: | | | | 1. По пункту 3.4.3 не | | | | контролируется программное | | | | обеспечение, специально | | | | разработанное для ввода описания | | | | схемы, моделирования логической | | | | схемы, раскладки и трассировки | | | | (проведения соединений между | | | | точками схемы), проверки топологии | | | | или ленты-носителя формирования | | | | рисунка | | | | 2. Библиотеки, проектные атрибуты | | | | или сопутствующие данные для | | | | проектирования полупроводниковых | | | | приборов или интегральных схем | | | | рассматриваются как технология | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.5. | Технология | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.5.1. | Технологии в соответствии с общим | | | | технологическим примечанием к | | | | настоящему Списку для разработки | | | | или производства оборудования или | | | | материалов, контролируемых по | | | | пункту 3.1, 3.2 или 3.3 | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.5.2. | Технологии в соответствии с общим | | | | технологическим примечанием к | | | | настоящему Списку другие, чем те, | | | | которые контролируются по пункту | | | | 3.5.1, для разработки или | | | | производства микросхем | | | | микропроцессоров, микросхем | | | | микрокомпьютеров и микросхем | | | | микроконтроллеров, имеющих | | | | совокупную теоретическую | | | | производительность (СТП) | | | | 530 Мтопс (миллионов | | | | теоретических операций в секунду) | | | | или более и арифметико-логическое | | | | устройство с длиной выборки 32 бит | | | | или более | | | | Примечание. | | | | По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не | | | | контролируются технологии для | | | | разработки или производства: | | | | а) микроволновых транзисторов, | | | | работающих на частотах ниже | | | | 31 ГГц; | | | | б) интегральных схем, | | | | контролируемых по пунктам | | | | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих | | | | оба нижеперечисленных признака: | | | | 1) использующие технологии с | | | | разрешением 0,5 мкм или выше; и | | | | 2) не содержащие многослойных | | | | структур | | | | Техническое примечание. | | | | Термин "многослойные структуры", | | | | приведенный в подпункте 2 | | | | пункта "б" примечания, не включает | | | | приборы, содержащие максимум три | | | | металлических слоя и три слоя | | | | поликристаллического кремния | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 3.5.3. | Прочие технологии для разработки | | | | или производства: | | | | а) вакуумных микроэлектронных | | | | приборов; | | | | б) полупроводниковых приборов | | | | на гетероструктурах, таких, как | | | | транзисторы с высокой подвижностью | | | | электронов, биполярных | | | | транзисторов на гетероструктуре, | | | | приборов с квантовыми ямами или | | | | приборов на сверхрешетках; | | | | в) сверхпроводящих электронных | | | | приборов; | | | | г) подложек из алмазных пленок для | | | | электронных компонентов; | | | | д) подложек из структур кремния на | | | | диэлектрике (КНД-структур) для | | | | интегральных схем, в которых | | | | диэлектриком является диоксид | | | | кремния; | | | | е) подложек из карбида кремния для | | | | электронных компонентов; | | | | ж) электронных вакуумных ламп, | | | | работающих на частотах 31 ГГц или | | | | выше | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | | КАТЕГОРИЯ 4. | | | | ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | | Примечания: | | | | 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование | | | | и программное обеспечение, | | | | задействованные в | | | | телекоммуникациях или локальных | | | | вычислительных сетях, должны быть | | | | также проанализированы на | | | | соответствие характеристикам, | | | | указанным в части 1 категории 5 | | | | (Телекоммуникации) | | | | 2. Устройства управления, которые | | | | непосредственно связывают шины или | | | | каналы центральных процессоров, | | | | устройства оперативной памяти или | | | | дисковые контроллеры, не | | | | рассматриваются как | | | | телекоммуникационное оборудование, | | | | описанное в части 1 категории 5 | | | | (Телекоммуникации) | | | | Особое примечание. | | | | Для определения контрольного | | | | статуса программного обеспечения, | | | | специально разработанного для | | | | коммутации пакетов, следует | | | | применять пункт 5.4.1 | | | | 3. ЭВМ, сопутствующее оборудование | | | | и программное обеспечение, | | | | выполняющие функции криптографии, | | | | криптоанализа, сертифицируемой | | | | многоуровневой защиты информации | | | | или сертифицируемые функции | | | | изоляции пользователей либо | | | | ограничивающие электромагнитную | | | | совместимость (ЭМС), должны быть | | | | также проанализированы на | | | | соответствие характеристикам, | | | | указанным в части 2 категории 5 | | | | (Защита информации) | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 4.1. | Системы, оборудование и компоненты | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 4.1.1. | ЭВМ и сопутствующее оборудование, | | | | а также электронные сборки и | | | | специально разработанные для них | | | | компоненты: | | |------------------|------------------------------------|-------------------| | 4.1.1.1. | Специально разработанные для | 8471 | | | достижения любой из следующих | | | | характеристик: | | | | а) по техническим условиям | | | | пригодные для работы при | | | | температуре внешней среды ниже | | | | о | | | | 228 К (-45 С) или выше 358 К | | | | о | | | | (85 С) | | | | Примечание. | | | | По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не | | | | контролируются ЭВМ, специально | | | | созданные для гражданских | | | | автомобилей или железнодорожных | | | | поездов; | | | | б) радиационно стойкие при | | | | превышении любого из следующих | | | | требований: | | | | 3 | | | | общая доза 5 х 10 Гр (Si) | | |