| | любого из следующих процессов: | |
| | а) формообразования в условиях | |
| | сверхпластичности; | |
| | б) диффузионной сварки; или | |
| | в) гидравлического прессования | |
| | прямого действия; | |
|------------------|------------------------------------|-----------------|
| 2.5.3.2.2. | Технические данные, включающие | |
| | описание технологического | |
| | процесса или его параметры: | |
| | а) для формообразования в условиях | |
| | сверхпластичности изделий из | |
| | алюминиевых, титановых сплавов или | |
| | суперсплавов: | |
| | подготовка поверхности; | |
| | скорость деформации; | |
| | температура; | |
| | давление; | |
| | б) для диффузионной сварки | |
| | титановых сплавов или | |
| | суперсплавов: | |
| | подготовка поверхности; | |
| | температура; | |
| | давление; | |
| | в) для гидравлического прессования | |
| | прямого действия алюминиевых или | |
| | титановых сплавов: | |
| | давление; | |
| | время цикла; | |
| | г) для горячего изостатического | |
| | уплотнения титановых, алюминиевых | |
| | сплавов или суперсплавов: | |
| | температура; | |
| | давление; | |
| | время цикла; | |
|------------------|------------------------------------|-----------------|
| 2.5.3.3. | Технологии для разработки или | |
| | производства гидравлических | |
| | прессов для штамповки с вытяжкой и | |
| | соответствующих матриц для | |
| | изготовления конструкций корпусов | |
| | летательных аппаратов; | |
|------------------|------------------------------------|-----------------|
| 2.5.3.4. | Технологии для разработки | |
| | генераторов машинных команд для | |
| | управления станком (например, | |
| | программ обработки деталей) на | |
| | основе проектных данных, хранимых | |
| | в блоках числового программного | |
| | управления; | |
|------------------|------------------------------------|-----------------|
| 2.5.3.5. | Технологии для разработки | |
| | комплексного программного | |
| | обеспечения для включения | |
| | экспертных систем, повышающих в | |
| | заводских условиях операционные | |
| | возможности блоков числового | |
| | программного управления; | |
|------------------|------------------------------------|-----------------|
| 2.5.3.6. | Технологии для осаждения, | |
| | обработки и активного управления | |
| | процессом нанесения внешних слоев | |
| | неорганических покрытий, иных | |
| | покрытий и модификации поверхности | |
| | (за исключением формирования | |
| | подложек для электронных схем) с | |
| | использованием процессов, | |
| | указанных в таблице к настоящему | |
| | пункту и примечаниях к ней | |
|------------------|------------------------------------|-----------------|
| | Особое примечание. | |
| | Нижеследующая таблица определяет, | |
| | что технология конкретного | |
| | процесса нанесения покрытия | |
| | подлежит экспортному контролю | |
| | только при указанных в ней | |
| | сочетаниях позиций в колонках | |
| | "Получаемое покрытие" и | |
| | "Подложки". Например, подлежат | |
| | контролю технические | |
| | характеристики процесса нанесения | |
| | силицидного покрытия методом | |
| | химического осаждения из паровой | |
| | фазы (CVD) на подложки из | |
| | углерод-углерода и композиционных | |
| | материалов с керамической или | |
| | металлической матрицей. Однако, | |
| | если подложка выполнена из | |
| | металлокерамического карбида | |
| | вольфрама (16) или карбида кремния | |
| | (18), контроль не требуется, так | |
| | как во втором случае получаемое | |
| | покрытие не указано в | |
| | соответствующей колонке для этих | |
| | подложек (металлокерамический | |
| | карбид вольфрама и карбид кремния) | |
---------------------------------------------------------------------------
Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий
---------------------------------------------------------------------------
| Процесс нанесения| Подложки | Получаемое покрытие |
| покрытия | | |
| (1) <*> | | |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 1. Химическое | суперсплавы | алюминиды на поверхности |
| осаждение из | | внутренних каналов |
| паровой фазы | | |
| (CVD) | | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | керамика (19) и стекла | силициды, |
| | с малым коэффициентом | карбиды, |
| | линейного расширения | диэлектрические слои |
| | (14) | (15), |
| | | алмаз, |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | тугоплавкие металлы, |
| | керамической или | смеси перечисленных выше |
| | металлической матрицей | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | алюминиды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | нитрид бора |
| |-------------------------|----------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама | вольфрам, |
| | (16), карбид кремния | смеси перечисленных выше |
| | (18) | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои |
| | | (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | алмаз, |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмаз, |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 2. Физическое | | |
| осаждение из | | |
| паровой фазы, | | |
| получаемой | | |
| нагревом | | |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 2.1. Физическое | суперсплавы | сплавы на основе |
| осаждение из | | силицидов, |
| паровой фазы, | | сплавы на основе |
| полученной | | алюминидов (2), |
| нагревом | | MCrAlX (5), |
| электронным | | модифицированный диоксид |
| пучком | | циркония (12), |
| | | силициды, |
| | | алюминиды, |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | керамика (19) и стекла | диэлектрические слои (15) |
| | с малым коэффициентом | |
| | линейного расширения | |
| | (14) | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | коррозионно-стойкие | MCrAlX (5), |
| | стали (7) | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | тугоплавкие металлы, |
| | керамической или | смеси перечисленных выше |
| | металлической матрицей | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | нитрид бора |
| |-------------------------|----------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама (16), | вольфрам, |
| | карбид кремния (18) | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | бориды, |
| | | бериллий |
| |-------------------------|----------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои (15) |
| | датчиков (9) | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | титановые сплавы (13) | бориды, |
| | | нитриды |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 2.2. Ионно- | керамика (19) и стекла | диэлектрические слои |
| ассистированное | с малым коэффициентом | (15), |
| физическое | линейного расширения | алмазоподобный углерод |
| осаждение из | (14) | |
| паровой фазы, | | |
| полученной | углерод-углерод, | диэлектрические слои (15) |
| резистивным | композиционные | |
| нагревом (ионное | материалы с | |
| осаждение) | керамической или | |
| | металлической матрицей | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | металлокерамический | диэлектрические слои (15) |
| | карбид вольфрама (16), | |
| | карбид кремния (18) | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 2.3. Физическое | керамика (19) и стекла | силициды, |
| осаждение из | с малым коэффициентом | диэлектрические слои |
| паровой фазы, | линейного расширения | (15), |
| полученной | (14) | алмазоподобный углерод |
| лазерным нагревом| | (17) |
| | углерод-углерод, | диэлектрические слои (15) |
| | композиционные | |
| | материалы с | |
| | керамической или | |
| | металлической матрицей | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | металлокерамический | диэлектрические слои (15) |
| | карбид вольфрама (16), | |
| | карбид кремния (18) | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 2.4. Физическое | суперсплавы | сплавы на основе |
| осаждение из | | силицидов, |
| паровой фазы, | | сплавы на основе |
| полученной | | алюминидов (2), |
| катодно-дуговым | | MCrAlX (5) |
| разрядом | полимеры (11) и | бориды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | нитриды, |
| | органической матрицей | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |-------------------------|----------------------------|
| 3. Твердофазное | углерод-углерод, | силициды, |
| диффузионное | композиционные | карбиды, |
| насыщение (10) | материалы с | смеси перечисленных выше |
| | керамической или | материалов (4) |
| | металлической матрицей | |
| |-------------------------|----------------------------|
| | титановые сплавы (13) | силициды, |
| | | алюминиды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | тугоплавкие металлы и | силициды, |
| | сплавы (8) | оксиды |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 4. Плазменное | суперсплавы | MCrAlX (5), |
| напыление | | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4), |
| | | истираемый |
| | | никель-графитовый |
| | | материал, |
| | | истираемый |
| | | никель-хром-алюминиевый |
| | | сплав, |
| | | истираемый |
| | | алюминиево-кремниевый |
| | | сплав, |
| | | содержащий полиэфир, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | алюминиевые сплавы (6) | MCrAlX (5), |
| | | модифицированный |
| | | диоксид циркония (12), |
| | | силициды, |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | тугоплавкие металлы и | алюминиды, |
| | сплавы (8) | силициды, |
| | | карбиды |
| |-------------------------|----------------------------|
| | коррозионно-стойкие | MCrAlX (5), |
| | стали (7) | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | титановые сплавы (13) | карбиды, |
| | | алюминиды, |
| | | силициды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | истираемый |
| | | никель-графитовый |
| | | материал, |
| | | истираемый |
| | | никель-хром-алюминиевый |
| | | сплав, |
| | | истираемый |
| | | алюминиево-кремниевый |
| | | сплав, |
| | | содержащий полиэфир |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 5. Нанесение | тугоплавкие металлы и | оплавленные силициды, |
| шликера | сплавы (8) | оплавленные алюминиды |
| | | (кроме резистивных |
| | | нагревательных элементов) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | смеси перечисленных выше |
| | керамической или | материалов (4) |
| | металлической матрицей | |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 6. Осаждение | суперсплавы | сплавы на основе |
| распылением | | силицидов, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | алюминиды, |
| | | модифицированные |
| | | благородным металлом (3), |
| | | MCrAlX (5), |
| | | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | платина, |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | керамика (19) и стекла | силициды, |
| | с малым коэффициентом | платина, |
| | линейного расширения | смеси перечисленных выше |
| | (14) | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), алмазоподобный |
| | | углерод (17) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | титановые сплавы (13) | бориды, |
| | | нитриды, |
| | | оксиды, |
| | | силициды, |
| | | алюминиды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | карбиды |
| |-------------------------|----------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | тугоплавкие металлы, |
| | керамической или | смеси перечисленных выше |
| | металлической матрицей | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | нитрид бора |
| |-------------------------|----------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама (16), | вольфрам, |
| | карбид кремния (18) | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | нитрид бора |
| |-------------------------|----------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | бериллий и его сплавы | бориды, |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | бериллий |
| |-------------------------|----------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |-------------------------|----------------------------|
| | тугоплавкие металлы и | алюминиды, |
| | сплавы (8) | силициды, |
| | | оксиды, |
| | | карбиды |
|------------------|-------------------------|----------------------------|
| 7. Ионная | высокотемпературные | присадки хрома, |
| имплантация | подшипниковые стали | тантала или ниобия |
| |-------------------------|----------------------------|
| | титановые сплавы (13) | бориды, |
| | | нитриды |
| |-------------------------|----------------------------|
| | бериллий и его сплавы | бориды |
| |-------------------------|----------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама (16) | нитриды |
---------------------------------------------------------------------------
-------------------------------
<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий
указанному в скобках.
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение
первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление
существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или
многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы
осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже
если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это,
однако, не включает многократное использование одношагового процесса
твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных
алюминидов.
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом,
включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного
металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом
до нанесения алюминидного покрытия.
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой,
материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы,
полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси
получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий,
описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает
кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий,
кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные
добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях
и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее
7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 -
12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 -
12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью
при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. С).
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии
AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский
институт железа и стали) или сталь соответствующего национального
стандарта.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их
сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия
(поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид
цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон
датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый
гафний.
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного
насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по
категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды,
поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид
циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды
кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях
стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов.
Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные
оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не
контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического
применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре
293 К (20 град. С).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают
стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 град. С)
-7 -1
коэффициент линейного расширения 10 К или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких
диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства
структуры, составленной из материалов с различными показателями
отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в
различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие,
относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев
диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие
твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для
обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель),
карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и
карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для
нанесения алмазоподобного углерода на любое из следующего: дисководы
(накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для
производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры
громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие
инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника,
микрофоны и медицинские приборы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для
режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин
применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические
материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных
компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия",
определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (СVD) - это процесс
нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности
подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или
керамика осаждается на нагретую подложку.
Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки
или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый
материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия
для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом
подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном
газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD
с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым
образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением
плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без
непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с
применением тех же основных реакций и параметров, что и при
твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, -
это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже
0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для
испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или
осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную
камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для
активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является
также обычной модификацией этого метода.
Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в
технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия
может быть особенностью этих процессов.
Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой
фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом
электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и
испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы,
полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в
сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения
контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный
лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный
катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой
разряд, который инициируется на поверхности катода после
кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое
движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию
высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться
по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль
анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости
подается электрическое смещение на подложку;
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению
покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического
смещения на подложку.
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса
физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором
плазменный или ионный источник используется для ионизации материала
наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке,
способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных
реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также
использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих
измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и
толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий
поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при
которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и в)
инертного порошка, чаще всего оксида
алюминия. Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой
от 1030 К (757 град. С)
до 1375 К (1102 град. С) в течение достаточно продолжительного времени
для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия,
при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается
порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и
несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление
может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме
высокой скорости.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла
горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. С) и давлению 0,1
МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный
слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический
или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в
жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или
окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре
и термообработкой для получения необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия,
основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в
электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала
покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна
для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на
соответствующим образом установленную подложку.
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или
реакционному осаждению распылением, которое используется для
увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к
радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять
неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы
низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда
легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и
имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение
включает также процессы, в которых ионная имплантация производится
одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной
нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
Некоторые пояснения к таблице.
Следует понимать, что следующая техническая информация,
сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек,
указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в
соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов
коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски.
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических
параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в
таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия.
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице
подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки
подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с
нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости
от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние.
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры,
относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности,
указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой
нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения
материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру
(гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость
потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения
материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
--------------------------------------------------------------------------
| N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1. | Системы, оборудование и | |
| | компоненты | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечания: | |
| | 1. Контрольный статус | |
| | оборудования и компонентов, | |
| | указанных в пункте 3.1, других, | |
| | нежели указанные в пунктах | |
| | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте | |
| | 3.1.1.1.11, и которые специально | |
| | разработаны или имеют те же самые | |
| | функциональные характеристики, как | |
| | и другое оборудование, | |
| | определяется по контрольному | |
| | статусу такого оборудования | |
| | 2. Контрольный статус интегральных | |
| | схем, указанных в пунктах | |
| | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте | |
| | 3.1.1.1.11, которые являются | |
| | неизменно запрограммированными или | |
| | разработанными для выполнения | |
| | функций другого оборудования, | |
| | определяется по контрольному | |
| | статусу такого оборудования | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Особое примечание. | |
| | В тех случаях, когда изготовитель | |
| | или заявитель не может определить | |
| | контрольный статус другого | |
| | оборудования, этот статус | |
| | определяется контрольным статусом | |
| | интегральных схем, указанных в | |
| | пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или | |
| | пункте 3.1.1.1.11. Если | |
| | интегральная схема является | |
| | кремниевой микросхемой микроЭВМ | |
| | или микросхемой микроконтроллера, | |
| | указанными в пункте 3.1.1.1.3 и | |
| | имеющими длину слова операнда | |
| | (данных) 8 бит или менее, то ее | |
| | статус контроля должен | |
| | определяться в соответствии с | |
| | пунктом 3.1.1.1.3 | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1. | Электронные компоненты: | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные | |
| | микросхемы общего назначения: | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, | 8542 |
| | спроектированные или относящиеся к | |
| | классу радиационно стойких, | |
| | выдерживающие любое из следующих | |
| | воздействий: | |
| | 3 | |
| | а) суммарную дозу 5 х 10 Гр | |
| | 5 | |
| | (Si) [5 х 10 рад] или выше; | |
| | 6 | |
| | б) мощность дозы 5 х 10 Гр | |
| | 8 | |
| | (Si)/c [5 x 10 рад/с] или выше; | |
| | или | |
| | в) флюенс (интегральный поток) | |
| | нейтронов (соответствующий энергии | |
| | 13 | |
| | в 1 МэВ) 5 х 10 н/кв. см или | |
| | более по кремнию или его | |
| | эквивалент для других материалов | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не | |
| | применяется к структуре металл - | |
| | диэлектрик - полупроводник (МДП | |
| | структуре); | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.2. | Микросхемы микропроцессоров, | 8542 |
| | микросхемы микроЭВМ, микросхемы | |
| | микроконтроллеров, изготовленные | |
| | из полупроводниковых соединений | |
| | интегральные схемы памяти, | |
| | аналого-цифровые преобразователи, | |
| | цифроаналоговые преобразователи, | |
| | электронно-оптические или | |
| | оптические интегральные схемы для | |
| | обработки сигналов, | |
| | программируемые пользователем | |
| | логические устройства, | |
| | интегральные схемы для нейронных | |
| | сетей, заказные интегральные | |
| | схемы, функции которых неизвестны | |
| | или не известно, распространяется | |
| | ли статус контроля на аппаратуру, | |
| | в которой будут использоваться эти | |
| | интегральные схемы, процессоры | |
| | быстрого преобразования Фурье, | |
| | электрически перепрограммируемые | |
| | постоянные запоминающие | |
| | устройства (ЭППЗУ), память с | |
| | групповой перезаписью или | |
| | статические запоминающие | |
| | устройства с произвольной выборкой | |
| | (СЗУПВ), имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | а) работоспособные при температуре | |
| | окружающей среды выше 398 К (+125 | |
| | град. С); | |
| | б) работоспособные при температуре | |
| | окружающей среды ниже 218 К (-55 | |
| | град. С); или | |
| | в) работоспособные во всем | |
| | диапазоне температур окружающей | |
| | среды от 218 К (-55 град. С) до | |
| | 398 К (+125 град. С) | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Пункт 3.1.1.1.2 не | |
| | распространяется на интегральные | |
| | схемы, применяемые для гражданских | |
| | автомобилей и железнодорожных | |
| | поездов; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.3. | Микросхемы микропроцессоров, | |
| | микросхемы микроЭВМ, микросхемы | |
| | микроконтроллеров, имеющие любую | |
| | из следующих характеристик: | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.3.1. | Изготовлены на полупроводниковых | 8542 21 45; |
| | соединениях и работающие на | 8542 21 500 0; |
| | тактовой частоте, превышающей 40 | 8542 21 83; |
| | МГц; или | 8542 21 850 0; |
| | | 8542 60 000 |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.3.2. | Более одной шины данных или | 8542 21 45; |
| | команд либо последовательный порт | 8542 21 500 0; |
| | связи, что обеспечивает прямое | 8542 21 83; |
| | внешнее соединение между | 8542 21 850 0; |
| | параллельными микросхемами | 8542 60 000 |
| | микропроцессоров со скоростью | |
| | передачи, превышающей 150 Мбайт/с | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Пункт 3.1.1.1.3 включает | |
| | процессоры цифровых сигналов, | |
| | цифровые матричные процессоры и | |
| | цифровые сопроцессоры; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, | 8542 21 45; |
| | изготовленные на полупроводниковых | 8542 21 500 0; |
| | соединениях; | 8542 21 83; |
| | | 8542 21 850 0; |
| | | 8542 60 000 |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.5. | Следующие интегральные схемы для | 8542 29 600 0; |
| | аналого-цифровых и цифроаналоговых | 8542 29 900 9; |
| | преобразователей: | 8542 60 000 9 |
| | а) аналого-цифровые | |
| | преобразователи, имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | разрешающую способность 8 бит или | |
| | более, но менее 12 бит с общим | |
| | временем преобразования менее 5 | |
| | нс; | |
| | разрешающую способность 12 бит | |
| | с общим временем преобразования | |
| | менее 20 нс; | |
| | разрешающую способность более 12 | |
| | бит, но равную или меньше 14 бит с | |
| | общим временем преобразования | |
| | менее 200 нc; или | |
| | разрешающую способность более 14 | |
| | бит с общим временем | |
| | преобразования менее 1 мкс; | |
| | б) цифроаналоговые преобразователи | |
| | с разрешающей способностью 12 бит | |
| | или более и временем установления | |
| | сигнала менее 10 нс | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Технические примечания: | |
| | 1. Разрешающая способность n битов | |
| | n | |
| | соответствует 2 уровням | |
| | квантования | |
| | 2. Общее время преобразования | |
| | является величиной, обратной | |
| | частоте выборки; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.6. | Электронно-оптические и оптические | 8542 |
| | интегральные схемы для обработки | |
| | сигналов, имеющие одновременно все | |
| | перечисленные составляющие: | |
| | а) один внутренний лазерный диод | |
| | или более; | |
| | б) один внутренний | |
| | светочувствительный элемент или | |
| | более; и | |
| | в) световоды; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем | 8542 21 690 0; |
| | логические устройства, имеющие | 8542 21 990 0 |
| | любую из следующих характеристик: | |
| | а) эквивалентное количество | |
| | задействованных логических | |
| | элементов более 30 000 (в | |
| | пересчете на элементы с двумя | |
| | входами); | |
| | б) типовое время задержки | |
| | основного логического элемента | |
| | менее 0,1 нc; или | |
| | в) частоту переключения выше 133 | |
| | МГц | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Пункт 3.1.1.1.7 включает: | |
| | простые программируемые логические | |
| | устройства (ППЛУ); | |
| | сложные программируемые логические | |
| | устройства (СПЛУ); | |
| | программируемые пользователем | |
| | вентильные матрицы (ППВМ); | |
| | программируемые пользователем | |
| | логические матрицы (ППЛМ); | |
| | программируемые пользователем | |
| | межсоединения (ППМС) | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Особое примечание. | |
| | Программируемые пользователем | |
| | логические устройства также | |
| | известны как программируемые | |
| | пользователем вентильные или | |
| | программируемые пользователем | |
| | логические матрицы; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.8. | Интегральные схемы для нейронных | 8542 |
| | сетей; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.9. | Заказные интегральные схемы, | 8542 21 690 0; |
| | функции которых неизвестны или | 8542 21 990 0; |
| | изготовителю не известно, | 8542 29; |
| | распространяется ли статус | 8542 60 000 |
| | контроля на аппаратуру, в которой | |
| | будут использоваться эти | |
| | интегральные схемы, с любой из | |
| | следующих характеристик: | |
| | а) более 1000 выводов; | |
| | б) типовое время задержки | |
| | основного логического элемента | |
| | менее 0,1 нс; или | |
| | в) рабочую частоту, превышающую 3 | |
| | ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.10. | Цифровые интегральные схемы, иные, | 8542 |
| | нежели указанные в пунктах | |
| | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте | |
| | 3.1.1.1.11, созданные на основе | |
| | любого полупроводникового | |
| | соединения и характеризующиеся | |
| | любым из нижеследующего: | |
| | а) эквивалентным количеством | |
| | логических элементов более 3000 (в | |
| | пересчете на элементы с двумя | |
| | входами); или | |
| | б) частотой переключения выше 1,2 | |
| | ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.11. | Процессоры быстрого преобразования | 8542 21 45; |
| | Фурье, имеющие расчетное время | 8542 21 500 0; |
| | выполнения комплексного N- | 8542 21 83; |
| | точечного сложного быстрого | 8542 21 850 0; |
| | преобразования Фурье менее (N log | 8542 60 000 |
| | 2 | |
| | N)/20 480 мс, где N - количество | |
| | точек | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Техническое примечание. | |
| | В случае когда N равно 1024 | |
| | точкам, формула в пункте | |
| | 3.1.1.1.11 дает результат времени | |
| | выполнения 500 мкс | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечания: | |
| | 1. Контрольный статус подложек | |
| | (готовых или полуфабрикатов), на | |
| | которых воспроизведена конкретная | |
| | функция, оценивается по | |
| | параметрам, указанным в пункте | |
| | 3.1.1.1 | |
| | 2. Понятие "интегральные схемы" | |
| | включает следующие типы: | |
| | монолитные интегральные схемы; | |
| | гибридные интегральные схемы; | |
| | многокристальные интегральные | |
| | схемы; | |
| | пленочные интегральные схемы, | |
| | включая интегральные схемы типа | |
| | "кремний на сапфире"; | |
| | оптические интегральные схемы; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или | |
| | миллиметрового диапазона: | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные | |
| | вакуумные лампы и катоды: | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного | 8540 79 000 0 |
| | или непрерывного действия: | |
| | а) работающие на частотах, | |
| | превышающих 31 ГГц; | |
| | б) имеющие элемент подогрева | |
| | катода со временем выхода лампы на | |
| | предельную радиочастотную мощность | |
| | менее 3 с; | |
| | в) лампы с сопряженными | |
| | резонаторами или их модификации с | |
| | относительной шириной полосы | |
| | частот более 7% или пиком | |
| | мощности, превышающим 2,5 кВт; | |
| | г) спиральные лампы или их | |
| | модификации, имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | мгновенную ширину полосы частот | |
| | более одной октавы и произведение | |
| | средней мощности (выраженной в | |
| | кВт) на рабочую частоту | |
| | (выраженную в ГГц) более 0,5; | |
| | мгновенную ширину полосы частот в | |
| | одну октаву или менее и | |
| | произведение средней мощности | |
| | (выраженной в кВт) на рабочую | |
| | частоту (выраженную в ГГц) более | |
| | 1; или | |
| | пригодные для применения в | |
| | космосе; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного типа | 8540 71 000 0 |
| | с коэффициентом усиления более 17 | |
| | дБ; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, | 8540 99 000 0 |
| | разработанные для электронных | |
| | ламп, эмитирующие в непрерывном | |
| | режиме и штатных условиях работы | |
| | ток плотностью, превышающей 5 | |
| | А/кв. см | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечания: | |
| | 1. По пункту 3.1.1.2.1 не | |
| | контролируются лампы, | |
| | спроектированные для работы в | |
| | любом диапазоне частот, который | |
| | удовлетворяет всем следующим | |
| | характеристикам: | |
| | а) частота не превышает 31 ГГц; и | |
| | б) диапазон распределен | |
| | Международным союзом электросвязи | |
| | для обслуживания радиосвязи, но не | |
| | для радиоопределения | |
| | 2. По пункту 3.1.1.2.1 не | |
| | контролируются лампы, которые | |
| | непригодны для применения в | |
| | космосе и удовлетворяют всем | |
| | следующим характеристикам: | |
| | а) средняя выходная мощность не | |
| | более 50 Вт; и | |
| | б) спроектированные для работы в | |
| | любом диапазоне частот, который | |
| | удовлетворяет всем следующим | |
| | характеристикам: | |
| | частота выше 31 ГГц, но не | |
| | превышает 43,5 ГГц; и | |
| | диапазон распределен Международным | |
| | союзом электросвязи для | |
| | обслуживания радиосвязи, но не для | |
| | радиоопределения; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.2. | Микроволновые интегральные схемы | 8542 29; |
| | или модули, которые: | 8542 60 000; |
| | а) содержат монолитные | 8542 70 000 0 |
| | интегральные схемы, имеющие один | |
| | или более активных элементов; и | |
| | б) работают на частотах выше 3 ГГц | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечания: | |
| | 1. По пункту 3.1.1.2.2 не | |
| | контролируются схемы или модули | |
| | для оборудования, разработанного | |
| | или предназначенного для работы в | |
| | любом диапазоне частот, который | |
| | удовлетворяет всем следующим | |
| | характеристикам: | |
| | а) не превышает 31 ГГц; | |
| | б) диапазон распределен | |
| | Международным союзом электросвязи | |
| | для обслуживания радиосвязи, но не | |
| | для радиоопределения | |
| | 2. По пункту 3.1.1.2.2 не | |
| | контролируется радиопередающее | |
| | спутниковое оборудование, | |
| | разработанное или предназначенное | |
| | для работы в полосе частот от 40,5 | |
| | ГГц до 42,5 ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, | 8541 21 000 0; |
| | предназначенные для работы на | 8541 29 000 0 |
| | частотах, превышающих 31 ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные | 8543 89 950 0 |
| | усилители, имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | а) работающие на частотах, | |
| | превышающих 10,5 ГГц, и имеющие | |
| | мгновенную ширину полосы частот | |
| | более половины октавы; или | |
| | б) работающие на частотах, | |
| | превышающих 31 ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.5. | Полосовые или заградительные | 8543 89 950 0 |
| | фильтры с электронной или | |
| | магнитной перестройкой, содержащие | |
| | более пяти настраиваемых | |
| | резонаторов, обеспечивающих | |
| | настройку в полосе частот с | |
| | соотношением максимальной и | |
| | минимальной частот 1,5 : 1 (f / | |
| | max | |
| | f ) менее чем за 10 мкс, и | |
| | min | |
| | имеющие любую из следующих | |
| | характеристик: | |
| | а) полосу пропускания частоты | |
| | более 0,5% от резонансной частоты; | |
| | или | |
| | б) полосу подавления частоты менее | |
| | 0,5% от резонансной частоты; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.6. | Микроволновые сборки, способные | 8529 10 700 9; |
| | работать на частотах, превышающих | 8542 70 000 0 |
| | 31 ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.7. | Смесители и преобразователи, | 8543 89 950 0 |
| | разработанные для расширения | |
| | частотного диапазона аппаратуры, | |
| | указанной в пункте 3.1.2.3, | |
| | 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.8. | Микроволновые усилители мощности | 8543 89 950 0 |
| | СВЧ-диапазона, содержащие лампы, | |
| | контролируемые по пункту 3.1.1.2, | |
| | и имеющие все следующие | |
| | характеристики: | |
| | а) рабочие частоты выше 3 ГГц; | |
| | б) плотность средней выходной | |
| | мощности, превышающую 80 Вт/кг; и | |
| | в) объем менее 400 куб. см | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | По пункту 3.1.1.2.8 не | |
| | контролируется аппаратура, | |
| | спроектированная для работы в | |
| | любом диапазоне частот, | |
| | распределенном Международным | |
| | союзом электросвязи для | |
| | обслуживания радиосвязи, но не для | |
| | радиоопределения; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и | |
| | специально разработанные для них | |
| | компоненты: | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных | 8541 60 000 0 |
| | акустических волнах и на | |
| | акустических волнах в тонком | |
| | поверхностном слое (то есть | |
| | приборы для обработки сигналов, | |
| | использующие упругие волны в | |
| | материале), имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; | |
| | б) несущую частоту выше 1 ГГц, но | |
| | не превышающую 2,5 ГГц, и | |
| | дополнительно имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | частотное подавление боковых | |
| | лепестков диаграммы направленности | |
| | более 55 дБ; | |
| | произведение максимального времени | |
| | задержки (в мкс) на ширину полосы | |
| | частот (в МГц) более 100; | |
| | ширину полосы частот выше 250 МГц; | |
| | или | |
| | дисперсионную задержку более 10 | |
| | мкс; или | |
| | в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и | |
| | дополнительно имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | произведение максимального времени | |
| | задержки (в мкс) на ширину полосы | |
| | частот (в МГц) более 100; | |
| | дисперсионную задержку более 10 | |
| | мкс; или | |
| | частотное подавление боковых | |
| | лепестков диаграммы направленности | |
| | более 55 дБ и ширину полосы | |
| | частот, превышающую 50 МГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических | 8541 60 000 0 |
| | волнах (то есть приборы для | |
| | обработки сигналов, использующие | |
| | упругие волны в материале), | |
| | обеспечивающие непосредственную | |
| | обработку сигналов на частотах, | |
| | превышающих 1 ГГц; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы обработки | 8541 60 000 0 |
| | сигналов, использующие | |
| | взаимодействие между акустическими | |
| | волнами (объемными или | |
| | поверхностными) и световыми | |
| | волнами, что позволяет | |
| | непосредственно обрабатывать | |
| | сигналы или изображения, включая | |
| | анализ спектра, корреляцию или | |
| | свертку; | |
|------------------|------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.4. | Электронные приборы и схемы, | 8540; |
| | содержащие компоненты, | 8541; |
| | изготовленные из сверхпроводящих | 8542; |
| | материалов, специально | 8543 |
| | спроектированные для работы при | |
| | температурах ниже критической | |
| | температуры хотя бы одной из | |
| | сверхпроводящих составляющих, | |
| | имеющие хотя бы один из следующих | |
| | признаков: | |
| | а) токовые переключатели для | |
| | цифровых схем, использующие | |
| | сверхпроводящие вентили, у которых | |
| | произведение времени задержки на | |
| | вентиль (в секундах) на | |
| | рассеиваемую мощность на вентиль | |
| | -14 | |
|