| | сверхвысокочастотных и | | | | | | | сложнофункциональных блоков | | | радиочастотных интегральных | | | | | | | широкого спектра | | | схем на основе аттестованной | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | библиотеки | | | | | | | интегральных схем на SiGe с | | | сложнофункциональных блоков | | | | | | | рабочими частотами до | | | | | | | | | | 150 ГГц, разработка комплектов | | | | | | | | | | документации в стандартах | | | | | | | | | | единой системы конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 9. | Разработка базовых технологий | 163,5 | 43,5 | 60 | 60 | - | - | создание базовых технологий | | | производства элементной базы | ----- | ---- | -- | -- | | | производства и конструкций | | | для ряда силовых герметичных | 110 | 30 | 40 | 40 | | | элементной базы для | | | модулей высокоплотных | | | | | | | высокоплотных источников | | | источников вторичного | | | | | | | вторичного электропитания | | | электропитания вакуумных и | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов | | | твердотельных | | | | | | | и узлов аппаратуры, разработка | | | сверхвысокочастотных приборов | | | | | | | комплектов документации в | | | и узлов аппаратуры | | | | | | | стандартах единой системы | | | | | | | | | | конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 10. | Разработка базовых технологий | 153 | - | - | - | 89 | 64 | создание базовых конструкций и | | | производства ряда силовых | --- | | | | -- | -- | технологии производства | | | герметичных модулей | 102 | | | | 60 | 42 | высокоэффективных, | | | высокоплотных источников | | | | | | | высокоплотных источников | | | вторичного электропитания | | | | | | | вторичного электропитания | | | вакуумных и твердотельных | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов | | | сверхвысокочастотных приборов | | | | | | | и узлов аппаратуры на основе | | | и узлов аппаратуры | | | | | | | гибридно-пленочной технологии | | | | | | | | | | с применением бескорпусной | | | | | | | | | | элементной базы, разработка | | | | | | | | | | комплектов документации в | | | | | | | | | | стандартах единой системы | | | | | | | | | | конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 11. | Разработка базовых конструкций | 162,5 | 38,5 | 74 | 50 | - | - | создание технологии массового | | | и технологии производства | ----- | ---- | -- | -- | | | производства ряда корпусов | | | корпусов мощных | 110 | 25 | 52 | 33 | | | мощных сверхвысокочастотных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | приборов для "бессвинцовой" | | | транзисторов X, C, S, L и P - | | | | | | | сборки, разработка комплектов | | | диапазонов из малотоксичных | | | | | | | документации в стандартах | | | материалов с высокой | | | | | | | единой системы конструкторской, | | | теплопроводностью | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 12. | Разработка базовых конструкций | 150 | - | - | 45 | 60 | 45 | создание базовых | | | теплоотводящих элементов | --- | | | -- | -- | -- | конструктивных рядов элементов | | | систем охлаждения | 97 | | | 30 | 40 | 27 | систем охлаждения аппаратуры Х | | | сверхвысокочастотных приборов | | | | | | | и С - диапазонов наземных, | | | Х и С - диапазонов на основе | | | | | | | корабельных и воздушно- | | | новых материалов | | | | | | | космических комплексов | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 13. | Разработка базовой технологии | 93 | - | - | - | 60 | 33 | создание технологии массового | | | производства теплоотводящих | -- | | | | -- | -- | производства конструктивного | | | элементов систем охлаждения | 62 | | | | 32 | 30 | ряда элементов систем | | | сверхвысокочастотных приборов | | | | | | | охлаждения аппаратуры Х и С - | | | Х и С - диапазонов на основе | | | | | | | диапазонов наземных, | | | новых материалов | | | | | | | корабельных и воздушно- | | | | | | | | | | космических комплексов, | | | | | | | | | | разработка комплектов | | | | | | | | | | документации в стандартах | | | | | | | | | | единой системы конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 14. | Разработка базовых технологий | 141,5 | 45,5 | 53 | 43 | - | - | создание технологии массового | | | производства суперлинейных | ----- | ---- | -- | -- | | | производства конструктивного | | | кремниевых | 92 | 30 | 35 | 27 | | | ряда сверхвысокочастотных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | транзисторов S и L диапазонов | | | транзисторов S и L диапазонов | | | | | | | для связной аппаратуры, | | | | | | | | | | локации и контрольной | | | | | | | | | | аппаратуры, разработка | | | | | | | | | | комплектов документации в | | | | | | | | | | стандартах единой системы | | | | | | | | | | конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 15. | Разработка конструктивно- | 170 | - | - | - | 95 | 75 | создание конструктивно- | | | параметрического ряда | --- | | | | -- | -- | параметрического ряда | | | суперлинейных кремниевых | 116 | | | | 70 | 46 | сверхвысокочастотных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | транзисторов S и L диапазонов | | | транзисторов S и L диапазонов | | | | | | | для связной аппаратуры, | | | | | | | | | | локации и контрольной | | | | | | | | | | аппаратуры, разработка | | | | | | | | | | комплектов документации в | | | | | | | | | | стандартах единой системы | | | | | | | | | | конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 16. | Разработка технологии | 147 | 60 | 45 | 42 | - | - | разработка метрологической | | | измерений и базовых | --- | -- | -- | -- | | | аппаратуры нового поколения | | | конструкций установок | 97 | 40 | 27 | 30 | | | для исследования и контроля | | | автоматизированного измерения | | | | | | | параметров полупроводниковых | | | параметров нелинейных моделей | | | | | | | структур, активных элементов и | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | сверхвысокочастотных монолитных | | | полупроводниковых структур, | | | | | | | интегральных схем в | | | мощных транзисторов и | | | | | | | производстве и при их | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | использовании | | | монолитных интегральных схем | | | | | | | | | | X, C, S, L и P - диапазонов | | | | | | | | | | для их массового производства | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 17. | Исследование и разработка | 161 | 57 | 54 | 50 | - | - | создание технологии | | | базовых технологий для | --- | -- | -- | -- | | | унифицированных | | | создания нового поколения | 107 | 38 | 36 | 33 | | | сверхширокополосных приборов | | | мощных вакуумно-твердотельных | | | | | | | среднего и большого уровня | | | сверхвысокочастотных приборов | | | | | | | мощности сантиметрового | | | и гибридных малогабаритных | | | | | | | диапазона длин волн и | | | сверхвысокочастотных модулей с | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | улучшенными массогабаритными | | | | | | | магнитоэлектрических приборов | | | характеристиками, | | | | | | | для перспективных | | | магнитоэлектрических | | | | | | | радиоэлектронных систем и | | | приборов сверхвысокочастотного | | | | | | | аппаратуры связи космического | | | диапазона, в том числе: | | | | | | | базирования, разработка | | | циркуляторов и фазовращателей, | | | | | | | комплектов документации в | | | вентилей, высокодобротных | | | | | | | стандартах единой системы | | | резонаторов, перестраиваемых | | | | | | | конструкторской, | | | фильтров, микроволновых | | | | | | | технологической и | | | приборов со спиновым | | | | | | | производственной документации, | | | управлением для перспективных | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | радиоэлектронных систем | | | | | | | производственной линии | | | двойного применения | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 18. | Разработка базовых конструкций | 141 | - | - | - | 89 | 52 | разработка конструктивных | | | и технологии производства | --- | | | | -- | -- | рядов и базовых технологий | | | нового поколения мощных | 95 | | | | 60 | 35 | производства | | | вакуумно-твердотельных | | | | | | | сверхширокополосных приборов | | | сверхвысокочастотных приборов | | | | | | | среднего и большого уровня | | | и гибридных малогабаритных | | | | | | | мощности сантиметрового | | | сверхвысокочастотных модулей с | | | | | | | диапазона длин волн и | | | улучшенными массогабаритными | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | характеристиками, | | | | | | | магнитоэлектрических приборов | | | магнитоэлектрических приборов | | | | | | | для перспективных | | | сверхвысокочастотного | | | | | | | радиоэлектронных систем и | | | диапазона, в том числе: | | | | | | | аппаратуры связи космического | | | циркуляторов и фазовращателей, | | | | | | | базирования, разработка | | | вентилей, высокодобротных | | | | | | | комплектов документации в | | | резонаторов, перестраиваемых | | | | | | | стандартах единой системы | | | фильтров, микроволновых | | | | | | | конструкторской, | | | приборов со спиновым | | | | | | | технологической и | | | управлением для перспективных | | | | | | | производственной | | | радиоэлектронных систем | | | | | | | документации, ввод в | | | двойного применения | | | | | | | эксплуатацию производственной | | | | | | | | | | линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 19. | Исследование и разработка | 130 | 45 | 45 | 40 | - | - | создание технологических | | | процессов и базовых технологий | --- | -- | -- | -- | | | процессов производства | | | нанопленочных малогабаритных | 87 | 30 | 30 | 27 | | | нанопленочных малогабаритных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | резисторно- | | | | | | | резисторно- | | | индуктивно-емкостных матриц | | | | | | | индуктивно-емкостных матриц | | | многофункционального | | | | | | | многофункционального | | | назначения для печатного | | | | | | | назначения для печатного | | | монтажа и | | | | | | | монтажа, создание базовой | | | сверхбыстродействующих | | | | | | | технологии получения | | | (до 150 ГГц) приборов на | | | | | | | сверхбыстродействующих | | | наногетероструктурах с | | | | | | | (до 150 ГГц) приборов на | | | квантовыми дефектами | | | | | | | наногетероструктурах с | | | | | | | | | | квантовыми дефектами, | | | | | | | | | | разработка комплектов | | | | | | | | | | документации в стандартах | | | | | | | | | | единой системы конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 20. | Разработка базовых конструкций | 85 | - | - | - | 45 | 40 | создание конструктивных рядов | | | и технологии производства | -- | | | | -- | -- | и базовых технологий | | | нанопленочных малогабаритных | 57 | | | | 30 | 27 | производства нанопленочных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | малогабаритных | | | резисторно- | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | индуктивно-емкостных матриц | | | | | | | резисторно-индуктивно-емкостных | | | многофункционального | | | | | | | матриц многофункционального | | | назначения для печатного | | | | | | | назначения для печатного | | | монтажа | | | | | | | монтажа, разработка комплектов | | | | | | | | | | документации в стандартах | | | | | | | | | | единой системы конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 21. | Разработка базовой технологии | 246 | 90 | 86 | 70 | - | - | создание базовой технологии | | | сверхвысокочастотных p-i-n | --- | -- | -- | -- | | | производства элементов и | | | диодов, матриц, узлов | 164 | 60 | 57 | 47 | | | специальных элементов и блоков | | | управления и портативных | | | | | | | портативной аппаратуры | | | фазированных блоков аппаратуры | | | | | | | миллиметрового диапазона длин | | | миллиметрового диапазона длин | | | | | | | волн для нового поколения | | | волн на основе | | | | | | | средств связи, радиолокационных | | | магнитоэлектронных | | | | | | | станций, радионавигации, | | | твердотельных и | | | | | | | измерительной техники, | | | высокоскоростных цифровых | | | | | | | автомобильных радаров, охранных | | | приборов и устройств с | | | | | | | и сигнальных устройств, | | | функциями адаптации и | | | | | | | разработка комплектов | | | цифрового диаграммообразования | | | | | | | документации в стандартах | | | | | | | | | | единой системы конструкторской, | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | производственной документации, | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | производственной линии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | | Всего по направлению 1 | 5024,5 | 817,5 | 1020 | 1002 | 1241 | 944 | | | | | ------ | ----- | ---- | ---- | ---- | --- | | | | | 3349 | 545 | 680 | 668 | 827 | 629 | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база" | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 22. | Разработка базовой технологии | 202 | 51 | 71 | 80 | - | - | создание технологии | | | радиационно стойких | ----- | -- | ---- | ---- | | | изготовления микросхем с | | | сверхбольших интегральных схем | 134,8 | 34 | 47,4 | 53,4 | | | размерами элементов 0,5 мкм на | | | уровня 0,5 мкм на структурах | | | | | | | структурах "кремний на | | | "кремний на сапфире" диаметром | | | | | | | сапфире" диаметром 150 мм, | | | 150 мм | | | | | | | разработка правил | | | | | | | | | | проектирования базовых | | | | | | | | | | библиотек элементов и блоков | | | | | | | | | | цифровых и аналоговых | | | | | | | | | | сверхбольших интегральных схем | | | | | | | | | | расширенной номенклатуры для | | | | | | | | | | организации производства | | | | | | | | | | радиационно стойкой элементной | | | | | | | | | | базы, обеспечивающей выпуск | | | | | | | | | | специальной аппаратуры и | | | | | | | | | | систем, работающих в | | | | | | | | | | экстремальных условиях | | | | | | | | | | (атомная энергетика, космос, | | | | | | | | | | военная техника) | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 23. | Разработка базовой технологии | 315,4 | - | - | - | 59,4 | 256 | создание технологии | | | радиационно стойких | ----- | | | | ---- | ----- | изготовления микросхем с | | | сверхбольших интегральных схем | 210,3 | | | | 39,6 | 170,7 | размерами элементов 0,35 мкм | | | уровня 0,35 мкм на структурах | | | | | | | на структурах "кремний на | | | "кремний на сапфире" диаметром | | | | | | | сапфире" диаметром 150 мм, | | | 150 мм | | | | | | | разработка правил | | | | | | | | | | проектирования базовых | | | | | | | | | | библиотек элементов и блоков | | | | | | | | | | цифровых и аналоговых | | | | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | | | | | | | | схем, обеспечивающих создание | | | | | | | | | | расширенной номенклатуры | | | | | | | | | | быстродействующей и высоко | | | | | | | | | | интегрированной радиационно | | | | | | | | | | стойкой элементной базы | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 24. | Разработка технологии | 237,5 | 82,5 | 71 | 84 | - | - | создание технологического | | | проектирования и | ----- | ---- | ---- | -- | | | базиса (технология | | | конструктивно- | 158,4 | 55 | 47,4 | 56 | | | проектирования, базовые | | | технологических решений | | | | | | | технологии), позволяющего | | | библиотеки логических и | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | аналоговых элементов, | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | оперативных запоминающих | | | | | | | интегральные схемы на | | | устройств, постоянных | | | | | | | структурах "кремний на | | | запоминающих устройств, | | | | | | | изоляторе" с проектной нормой | | | сложнофункциональных | | | | | | | до 0,25 мкм | | | радиационно стойких блоков | | | | | | | | | | контроллеров по технологии | | | | | | | | | | "кремний на изоляторе" с | | | | | | | | | | проектными нормами до 0,25 мкм | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 25. | Разработка технологии | 360,1 | - | - | - | 81,5 | 278,6 | создание технологического | | | проектирования и | ----- | | | | ---- | ----- | базиса (технология | | | конструктивно - | 240 | | | | 54,3 | 185,7 | проектирования, базовые | | | технологических решений | | | | | | | технологии), позволяющего | | | библиотеки логических и | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | аналоговых элементов, | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | оперативных запоминающих | | | | | | | интегральные схемы на | | | устройств, постоянных | | | | | | | структурах "кремний на | | | запоминающих устройств, | | | | | | | изоляторе" с проектной нормой | | | сложнофункциональных | | | | | | | до 0,18 мкм | | | радиационно стойких блоков | | | | | | | | | | контроллеров по технологии | | | | | | | | | | "кремний на изоляторе" с | | | | | | | | | | проектными нормами до 0,18 мкм | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 26. | Разработка базовых | 246 | 72 | 98 | 76 | - | - | создание технологического | | | технологических процессов | --- | -- | ---- | ---- | | | процесса изготовления | | | изготовления радиационно | 164 | 48 | 65,3 | 50,7 | | | сверхбольших интегральных схем | | | стойкой элементной базы для | | | | | | | энергонезависимой, радиационно | | | сверхбольших интегральных схем | | | | | | | стойкой сегнетоэлектрической | | | энергозависимой | | | | | | | памяти уровня 0,35 мкм и | | | пьезоэлектрической и | | | | | | | базовой технологии создания, | | | магниторезистивной памяти с | | | | | | | изготовления и аттестации | | | проектными нормами 0,35 мкм и | | | | | | | радиационно стойкой пассивной | | | пассивной радиационно стойкой | | | | | | | электронной компонентной базы | | | элементной базы | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 27. | Разработка базовых | 261 | - | - | - | 56 | 205 | создание технологического | | | технологических процессов | ----- | | | | ---- | ----- | процесса изготовления | | | изготовления радиационно | 174,2 | | | | 37,3 | 136,9 | сверхбольших интегральных схем | | | стойкой элементной базы для | | | | | | | энергонезависимой, радиационно | | | сверхбольших интегральных схем | | | | | | | стойкой сегнетоэлектрической | | | энергозависимой | | | | | | | памяти уровня 0,18 мкм и | | | пьезоэлектрической и | | | | | | | создания, изготовления и | | | магниторезистивной памяти с | | | | | | | аттестации радиационно стойкой | | | проектными нормами 0,18 мкм и | | | | | | | пассивной электронной | | | пассивной радиационно стойкой | | | | | | | компонентной базы | | | элементной базы | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 28. | Разработка технологии "кремний | 218,8 | 78 | 83,2 | 57,6 | - | - | разработка расширенного ряда | | | на сапфире" изготовления ряда | ----- | -- | ---- | ---- | | | цифровых процессоров, | | | лицензионно-независимых | 145,9 | 52 | 55,4 | 38,5 | | | микроконтроллеров, оперативных | | | радиационно стойких | | | | | | | запоминающих программируемых и | | | комплементарных металл-окисел | | | | | | | перепрограммируемых устройств, | | | полупроводниковых сверхбольших | | | | | | | аналого-цифровых | | | интегральных схем цифровых | | | | | | | преобразователей в радиационно | | | процессоров обработки | | | | | | | стойком исполнении для | | | сигналов, микроконтроллеров и | | | | | | | создания специальной | | | схем интерфейса | | | | | | | аппаратуры нового поколения | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 29. | Разработка технологии структур | 374 | - | - | - | 74,5 | 299,5 | создание технологии | | | с ультратонким слоем кремния | ----- | | | | ---- | ----- | проектирования и изготовления | | | на сапфире | 249,5 | | | | 49,8 | 199,7 | микросхем и | | | | | | | | | | сложнофункциональных блоков на | | | | | | | | | | основе ультратонких слоев на | | | | | | | | | | структуре "кремний на | | | | | | | | | | сапфире", позволяющей | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | | | | | | | | интегральные схемы с высоким | | | | | | | | | | уровнем радиационной стойкости | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 30. | Разработка базовой технологии | 213,1 | 60,5 | 80,6 | 72 | - | - | разработка конструкции и модели | | | и приборно-технологического | ----- | ---- | ---- | -- | | | интегральных элементов и | | | базиса производства | 135,4 | 37 | 50,4 | 48 | | | технологического маршрута | | | радиационно стойких | | | | | | | изготовления радиационно | | | сверхбольших интегральных схем | | | | | | | стойких сверхбольших | | | "система на кристалле", | | | | | | | интегральных схем типа | | | радиационно стойкой силовой | | | | | | | "система на кристалле" с | | | электроники для аппаратуры | | | | | | | расширенным температурным | | | питания и управления | | | | | | | диапазоном, силовых | | | | | | | | | | транзисторов и модулей для | | | | | | | | | | бортовых и промышленных систем | | | | | | | | | | управления с пробивными | | | | | | | | | | напряжениями до 75 В и | | | | | | | | | | рабочими токами коммутации до | | | | | | | | | | 10 А | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 31. | Разработка элементной базы | 109,2 | 28 | 33,2 | 48 | - | - | создание ряда микронанотриодов | | | радиационно стойких | ----- | -- | ---- | -- | | | и микронанодиодов с наивысшей | | | интегральных схем на основе | 79,5 | 22 | 25,5 | 32 | | | радиационной стойкостью для | | | полевых эмиссионных | | | | | | | долговечной аппаратуры | | | микронанотриодов | | | | | | | космического базирования | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 32. | Создание информационной базы | 251 | - | - | - | 61,1 | 189,9 | разработка комплекса моделей | | | радиационно стойкой | ----- | | | | ---- | ----- | расчета радиационной стойкости | | | электронной компонентной базы, | 167,3 | | | | 40,7 | 126,6 | электронной компонентной базы | | | содержащей модели интегральных | | | | | | | в обеспечение установления | | | компонентов, функционирующих в | | | | | | | технически обоснованных норм | | | условиях радиационных | | | | | | | испытаний | | | воздействий, создание | | | | | | | | | | математических моделей | | | | | | | | | | стойкости электронной | | | | | | | | | | компонентной базы, создание | | | | | | | | | | методик испытаний и аттестации | | | | | | | | | | электронной компонентной базы | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | | Всего по направлению 2 | 2788,1 | 372 | 437 | 417,6 | 332,5 | 1229 | | | | | ------ | --- | ----- | ----- | ----- | ----- | | | | | 1859,3 | 248 | 291,4 | 278,6 | 221,7 | 819,6 | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 3 "Микросистемная техника" | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 33. | Разработка базовых технологий | 302 | 93 | 112 | 97 | - | - | создание базовых технологий и | | | микроэлектромеханических | --- | -- | --- | -- | | | комплектов технологической | | | систем | 166 | 61 | 75 | 30 | | | документации на изготовление | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | систем контроля давления, | | | | | | | | | | микроакселерометров с | | | | | | | | | | чувствительностью по двум и | | | | | | | | | | трем осям, микромеханических | | | | | | | | | | датчиков угловых скоростей, | | | | | | | | | | микроактюаторов | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 34. | Разработка базовых конструкций | 424 | - | - | 75 | 228 | 121 | разработка базовых конструкций | | | микроэлектромеханических | --- | | | -- | --- | --- | и комплектов необходимой | | | систем | 277 | | | 60 | 141 | 76 | конструкторской | | | | | | | | | | документации на изготовление | | | | | | | | | | чувствительных элементов: | | | | | | | | | | микросистем контроля давления; | | | | | | | | | | микроакселерометров; | | | | | | | | | | микромеханических датчиков | | | | | | | | | | угловых скоростей; | | | | | | | | | | микроактюаторов с напряжением | | | | | | | | | | управления, предназначенных | | | | | | | | | | для использования в | | | | | | | | | | транспортных средствах, | | | | | | | | | | оборудовании топливно- | | | | | | | | | | энергетического комплекса, | | | | | | | | | | машиностроении, медицинской | | | | | | | | | | технике, робототехнике, | | | | | | | | | | бытовой технике | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 35. | Разработка базовых технологий | 249 | 94 | 110 | 45 | - | - | создание базовых технологий и | | | микроакустоэлектромеханических | --- | -- | --- | -- | | | комплектов необходимой | | | систем | 161 | 61 | 70 | 30 | | | технологической документации | | | | | | | | | | на изготовление | | | | | | | | | | микроакустоэлектромеханических | | | | | | | | | | систем, основанных на | | | | | | | | | | использовании поверхностных | | | | | | | | | | акустических волн (диапазон | | | | | | | | | | частот до 2 ГГц) и объемно- | | | | | | | | | | акустических волн (диапазон | | | | | | | | | | частот до 8 ГГц), | | | | | | | | | | пьезокерамических элементов, | | | | | | | | | | совместимых с интегральной | | | | | | | | | | технологией микроэлектроники | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 36. | Разработка базовых конструкций | 418 | - | - | 71 | 225 | 122 | разработка базовых конструкций | | | микроакустоэлектромеханических | --- | | | -- | --- | --- | и комплектов необходимой | | | систем | 280 | | | 60 | 143 | 77 | конструкторской документации | | | | | | | | | | на изготовление пассивных | | | | | | | | | | датчиков физических величин: | | | | | | | | | | микроакселерометров; | | | | | | | | | | микрогироскопов на | | | | | | | | | | поверхностных акустических | | | | | | | | | | волнах; | | | | | | | | | | датчиков давления и | | | | | | | | | | температуры; | | | | | | | | | | датчиков деформации, крутящего | | | | | | | | | | момента и микроперемещений; | | | | | | | | | | резонаторов | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 37. | Разработка базовых технологий | 106 | 51 | 55 | - | - | - | создание базовых технологий | | | микроаналитических систем | --- | -- | -- | | | | изготовления элементов | | | | 72 | 34 | 38 | | | | микроаналитических систем, | | | | | | | | | | чувствительных к газовым, | | | | | | | | | | химическим и биологическим | | | | | | | | | | компонентам внешней среды, | | | | | | | | | | предназначенных для | | | | | | | | | | использования в аппаратуре | | | | | | | | | | жилищно-коммунального | | | | | | | | | | хозяйства, в медицинской и | | | | | | | | | | биомедицинской технике для | | | | | | | | | | обнаружения токсичных, | | | | | | | | | | горючих и взрывчатых | | | | | | | | | | материалов | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 38. | Разработка базовых конструкций | 224 | - | - | 64 | 102 | 58 | создание базовых конструкций | | | микроаналитических систем | --- | | | -- | --- | -- | микроаналитических систем, | | | | 164 | | | 30 | 86 | 48 | предназначенных для аппаратуры | | | | | | | | | | жилищно-коммунального | | | | | | | | | | хозяйства, медицинской и | | | | | | | | | | биомедицинской техники; | | | | | | | | | | разработка датчиков и | | | | | | | | | | аналитических систем | | | | | | | | | | миниатюрных размеров с высокой | | | | | | | | | | чувствительностью к сверхмалым | | | | | | | | | | концентрациям химических | | | | | | | | | | веществ для осуществления | | | | | | | | | | мониторинга окружающей среды, | | | | | | | | | | контроля качества пищевых | | | | | | | | | | продуктов и контроля утечек | | | | | | | | | | опасных и вредных веществ в | | | | | | | | | | технологических процессах | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 39. | Разработка базовых технологий | 151 | 57 | 59 | 35 | - | - | создание базовых технологий | | | микрооптоэлектромеханических | --- | -- | -- | -- | | | выпуска трехмерных оптических | | | систем | 109 | 38 | 41 | 30 | | | и акустооптических | | | | | | | | | | функциональных элементов, | | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | | | | | | | | систем для коммутации и | | | | | | | | | | модуляции оптического | | | | | | | | | | излучения, акустооптических | | | | | | | | | | перестраиваемых фильтров, | | | | | | | | | | двухмерных управляемых матриц | | | | | | | | | | микрозеркал микропереключателей | | | | | | | | | | и фазовращателей | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 40. | Разработка базовых конструкций | 208 | - | - | 35 | 112 | 61 | разработка базовых конструкций | | | микрооптоэлектромеханических | --- | | | -- | --- | -- | и комплектов, конструкторской | | | систем | 145 | | | 30 | 75 | 40 | документации на изготовление | | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | | | | | | | | систем коммутации и модуляции | | | | | | | | | | оптического излучения | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 41. | Разработка базовых технологий | 106 | 51 | 55 | - | - | - | создание базовых технологий | | | микросистем анализа магнитных | --- | -- | -- | | | | изготовления микросистем | | | полей | 72 | 34 | 38 | | | | анализа магнитных полей на | | | | | | | | | | основе анизотропного и | | | | | | | | | | гигантского магниторезистивного | | | | | | | | | | эффектов, квазимонолитных и | | | | | | | | | | монолитных гетеромагнитных | | | | | | | | | | пленочных структур | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 42. | Разработка базовых конструкций | 214 | - | - | 54 | 104 | 56 | разработка базовых конструкций | | | микросистем анализа магнитных | --- | | | -- | --- | -- | и комплектов конструкторской | | | полей | 137 | | | 30 | 69 | 38 | документации на | | | | | | | | | | магниточувствительные | | | | | | | | | | микросистемы для применения в | | | | | | | | | | электронных системах | | | | | | | | | | управления приводами, в | | | | | | | | | | датчиках положения и | | | | | | | | | | потребления, бесконтактных | | | | | | | | | | переключателях | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 43. | Разработка базовых технологий | 119 | 42 | 45 | 32 | - | - | разработка и освоение в | | | радиочастотных | --- | -- | -- | -- | | | производстве базовых | | | микроэлектромеханических | 89 | 28 | 31 | 30 | | | технологий изготовления | | | систем | | | | | | | радиочастотных | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | систем и компонентов, | | | | | | | | | | включающих микрореле, | | | | | | | | | | коммутаторы, микропереключатели | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 44. | Разработка базовых конструкций | 166 | - | - | 32 | 87 | 47 | разработка базовых конструкций | | | радиочастотных | --- | | | -- | -- | -- | и комплектов конструкторской | | | микроэлектромеханических | 119 | | | 30 | 58 | 31 | документации на изготовление | | | систем | | | | | | | радиочастотных | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | систем - компонентов, | | | | | | | | | | позволяющих получить резкое | | | | | | | | | | улучшение массогабаритных | | | | | | | | | | характеристик, повышение | | | | | | | | | | технологичности и снижение | | | | | | | | | | стоимости изделий | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 45. | Разработка методов и средств | 81 | 41 | 40 | - | - | - | создание методов и средств | | | обеспечения создания и | -- | -- | -- | | | | контроля и измерения | | | производства изделий | 54 | 30 | 24 | | | | параметров и характеристик | | | микросистемной техники | | | | | | | изделий микросистемотехники, | | | | | | | | | | разработка комплектов | | | | | | | | | | стандартов и нормативных | | | | | | | | | | документов по безопасности и | | | | | | | | | | экологии | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | | Всего по направлению 3 | 2768 | 429 | 476 | 540 | 858 | 465 | | | | | ---- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | | 1845 | 286 | 317 | 360 | 572 | 310 | | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 4 "Микроэлектроника" | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 46. | Разработка технологии и | 443 | 173 | 148,9 | 121,1 | - | - | разработка комплекта | | | развитие методологии | ----- | --- | ----- | ----- | | | нормативно-технической | | | проектирования изделий | 212,6 | 87 | 76,6 | 49 | | | документации по проектированию | | | микроэлектроники: | | | | | | | изделий микроэлектроники, | | | разработка и освоение | | | | | | | создание отраслевой базы | | | современной технологии | | | | | | | данных с каталогами | | | проектирования универсальных | | | | | | | библиотечных элементов и | | | микропроцессоров, процессоров | | | | | | | сложнофункциональных блоков с | | | обработки сигналов, | | | | | | | каталогизированными | | | микроконтроллеров и "системы | | | | | | | результатами аттестации на | | | на кристалле" | | | | | | | физическом уровне (2008 г.), | | | на основе каталогизированных | | | | | | | разработка комплекта | | | сложнофункциональных блоков и | | | | | | | нормативно-технической и | | | библиотечных элементов, в том | | | | | | | технологической документации | | | числе создание отраслевой базы | | | | | | | по взаимодействию центров | | | данных и технологических | | | | | | | проектирования в сетевом режиме | | | файлов для автоматизированных | | | | | | | | | | систем проектирования; | | | | | | | | | | освоение и развитие технологии | | | | | | | | | | проектирования для обеспечения | | | | | | | | | | технологичности производства и | | | | | | | | | | стабильного выхода годных с | | | | | | | | | | целью размещения заказов на | | | | | | | | | | современной базе контрактного | | | | | | | | | | производства с технологическим | | | | | | | | | | уровнем до 0,13 мкм | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 47. | Разработка и освоение базовой | 64 | 30 | 22 | 12 | - | - | разработка комплекта | | | технологии производства | ---- | -- | ---- | -- | | | технологической документации и | | | фотошаблонов с технологическим | 42,7 | 20 | 14,7 | 8 | | | организационно- | | | уровнем до 0,13 мкм с целью | | | | | | | распорядительной документации | | | обеспечения информационной | | | | | | | по взаимодействию центров | | | защиты проектов изделий | | | | | | | проектирования и центра | | | микроэлектроники при | | | | | | | изготовления фотошаблонов | | | использовании контрактного | | | | | | | | | | производства (отечественного и | | | | | | | | | | зарубежного) | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 48. | Разработка семейств и серий | 1050,9 | 284 | 336,7 | 430,2 | - | - | разработка комплектов | | | изделий микроэлектроники: | ------ | --- | ----- | ----- | | | документации в стандартах | | | универсальных микропроцессоров | 617,8 | 151 | 180 | 286,8 | | | единой системы конструкторской, | | | для встроенных применений; | | | | | | | технологической и | | | универсальных микропроцессоров | | | | | | | производственной документации, | | | для серверов и рабочих | | | | | | | изготовление опытных образцов | | | станций; цифровых процессоров | | | | | | | изделий и организация | | | обработки сигналов; | | | | | | | серийного производства | | | сверхбольших интегральных | | | | | | | | | | схем, программируемых | | | | | | | | | | логических интегральных схем; | | | | | | | | | | сверхбольших интегральных схем | | | | | | | | | | быстродействующей динамической | | | | | | | | | | и статической памяти; | | | | | | | | | | микроконтроллеров со | | | | | | | | | | встроенной энергонезависимой | | | | | | | | | | электрически программируемой | | | | | | | | | | памятью; схем интерфейса | | | | | | | | | | дискретного ввода/вывода; схем | | | | | | | | | | аналогового интерфейса; | | | | | | | | | | цифроаналоговых и | | | | | | | | | | аналого-цифровых | | | | | | | | | | преобразователей на частотах | | | | | | | | | | выше 100 МГц с разрядностью | | | | | | | | | | более 8-12 бит; схем | | | | | | | | | | приемопередатчиков шинных | | | | | | | | | | интерфейсов; изделий | | | | | | | | | | интеллектуальной силовой | | | | | | | | | | микроэлектроники для | | | | | | | | | | применения в аппаратуре | | | | | | | | | | промышленного и бытового | | | | | | | | | | назначения; встроенных | | | | | | | | | | интегральных источников | | | | | | | | | | питания | | | | | | | | |------|---------------------------------|---------|--------|--------|---------|---------|---------|------------------------------------| | 49. | Разработка базовых серийных | 1801,6 | - | - | - | 799,8 | 1001,8 | разработка комплектов | | | технологий изделий | ------ | | | | ----- | ------ | документации в стандартах | | | микроэлектроники: | 1200,9 | | | | 533,1 | 667,8 | единой системы конструкторской, | | | цифроаналоговых и | | | | | | | технологической и | | | аналого-цифровых | | | | | | | производственной документации, | | | преобразователей на частотах | | | | | | | изготовление опытных образцов | | | выше 100 МГц с разрядностью | | | | | | | изделий и организация | | | более 14-16 бит 802.11, | | | | | | | серийного производства | | | 802.16, WiMAX и т. д.; | | | | | | | | | | микроэлектронных сенсоров | | | | | | | | | | различных типов, включая | | | | | | | | | | сенсоры с применением | | | | | | | | | | наноструктур и биосенсоров; | | | | | | | | | | сенсоров на основе | | | | | | | | | | магнитоэлектрических и | | | | | | | | | | пьезоматериалов; встроенных | | | | | | | | | | интегральных антенных | | | | | | | | | | элементов для диапазонов | | | | | | | | | | частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; | | | | | | | | | | систем на кристалле, в том | | | | | | | | | | числе в гетероинтеграции | | | | | | | | |