| | стойкие, выдерживающие более | |
| | 3 5 | |
| | 5 x 10 Гр (Si)[5 x 10 рад] без | |
| | ухудшения эксплуатационных | |
| | характеристик; или | |
| | г) специально разработанные для | |
| | работы на высотах, превышающих | |
| | 30 000 м | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.2.8. | Узлы или блоки, специально | |
| | разработанные для станков, или | |
| | системы для контроля или измерения | |
| | размеров: | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.2.8.1. | Линейные измерительные элементы | 9031 |
| | обратной связи (например, | |
| | устройства индуктивного типа, | |
| | калиброванные шкалы, инфракрасные | |
| | системы или лазерные системы), | |
| | имеющие полную точность менее | |
| | 3 | |
| | (лучше) [800 + (600 x L x 10 )] нм | |
| | (L - эффективная длина в | |
| | миллиметрах) | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Особое примечание. | |
| | Для лазерных систем применяется | |
| | также примечание к пункту | |
| | 2.2.6.2.1; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.2.8.2. | Угловые измерительные элементы | 9031 |
| | обратной связи (например, | |
| | устройства индуктивного типа, | |
| | калиброванные шкалы, инфракрасные | |
| | системы или лазерные системы), | |
| | имеющие точность менее (лучше) | |
| | 0,00025 град. | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Особое примечание. | |
| | Для лазерных систем применяется | |
| | также примечание к пункту | |
| | 2.2.6.2.1; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.2.8.3. | Составные поворотные столы или | 8466 |
| | качающиеся шпиндели, применение | |
| | которых в соответствии с | |
| | техническими характеристиками | |
| | изготовителя может модифицировать | |
| | станки до уровня, указанного в | |
| | пункте 2.2, или выше | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.2.9. | Обкатные вальцовочные и гибочные | 8462 21 100; |
| | станки, которые в соответствии с | 8462 21 800; |
| | технической документацией | 8463 90 000 0 |
| | производителя могут быть | |
| | оборудованы блоками числового | |
| | программного управления или | |
| | компьютерным управлением и которые | |
| | имеют все следующие | |
| | характеристики: | |
| | а) две или более контролируемые | |
| | оси, по крайней мере две из | |
| | которых могут быть одновременно | |
| | скоординированы для контурного | |
| | управления; и | |
| | б) усилие на ролике более 60 кН | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Техническое примечание. | |
| | Станки, объединяющие функции | |
| | обкатных вальцовочных и гибочных | |
| | станков, рассматриваются для целей | |
| | пункта 2.2.9 как относящиеся к | |
| | гибочным станкам | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.3. | Материалы - нет | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.4. | Программное обеспечение | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.4.1. | Программное обеспечение иное, чем | |
| | контролируемое по пункту 2.4.2, | |
| | специально разработанное или | |
| | модифицированное для разработки, | |
| | производства или применения | |
| | оборудования, контролируемого по | |
| | пункту 2.1 или 2.2; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.4.2. | Программное обеспечение для | |
| | электронных устройств, в том числе | |
| | встроенное в электронное | |
| | устройство или систему, дающее | |
| | возможность таким устройствам или | |
| | системам функционировать как блок | |
| | ЧПУ, способный координировать | |
| | одновременно более четырех осей | |
| | для контурного управления | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Примечания: | |
| | 1. По пункту 2.4.2 не | |
| | контролируется программное | |
| | обеспечение, специально | |
| | разработанное или модифицированное | |
| | для работы станков, не | |
| | контролируемых по пунктам | |
| | категории 2. | |
| | 2. По пункту 2.4.2 не | |
| | контролируется программное | |
| | обеспечение для изделий, | |
| | контролируемых по пункту 2.2.2. | |
| | В отношении контроля за | |
| | программным обеспечением для | |
| | изделий, контролируемых по пункту | |
| | 2.2.2, см. пункт 2.4.1 | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Особое примечание. | |
| | В отношении программного | |
| | обеспечения, указанного в пункте | |
| | 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 | |
| | раздела 2 | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5. | Технология | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.1. | Технологии в соответствии с общим | |
| | технологическим примечанием для | |
| | разработки оборудования или | |
| | программного обеспечения, | |
| | контролируемых по пункту 2.1, 2.2 | |
| | или 2.4 | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.2. | Технологии в соответствии с общим | |
| | технологическим примечанием для | |
| | производства оборудования, | |
| | контролируемого по пункту 2.1 или | |
| | 2.2 | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Особое примечание. | |
| | В отношении технологий, указанных | |
| | в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также | |
| | пункт 2.5.1 раздела 2 | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3. | Иные нижеследующие технологии: | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.1. | Технологии для разработки | |
| | интерактивной графики как | |
| | встроенной части блока числового | |
| | программного управления для | |
| | подготовки или модификации | |
| | программ обработки деталей; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.2. | Технологии для производственных | |
| | процессов металлообработки: | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.2.1. | Технологии для проектирования | |
| | инструмента, пресс-форм или | |
| | зажимных приспособлений, | |
| | специально разработанные для | |
| | любого из следующих процессов: | |
| | а) формообразования в условиях | |
| | сверхпластичности; | |
| | б) диффузионной сварки; или | |
| | в) гидравлического прессования | |
| | прямого действия; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.2.2. | Технические данные, включающие | |
| | описание технологического | |
| | процесса или его параметры: | |
| | а) для формообразования в условиях | |
| | сверхпластичности изделий из | |
| | алюминиевых, титановых сплавов или | |
| | суперсплавов: | |
| | подготовка поверхности; | |
| | скорость деформации; | |
| | температура; | |
| | давление; | |
| | б) для диффузионной сварки | |
| | титановых сплавов или | |
| | суперсплавов: | |
| | подготовка поверхности; | |
| | температура; | |
| | давление; | |
| | в) для гидравлического прессования | |
| | прямого действия алюминиевых или | |
| | титановых сплавов: | |
| | давление; | |
| | время цикла; | |
| | г) для горячего изостатического | |
| | уплотнения титановых, алюминиевых | |
| | сплавов или суперсплавов: | |
| | температура; | |
| | давление; | |
| | время цикла; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.3. | Технологии для разработки или | |
| | производства гидравлических | |
| | прессов для штамповки с вытяжкой и | |
| | соответствующих матриц для | |
| | изготовления конструкций корпусов | |
| | летательных аппаратов; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.4. | Технологии для разработки | |
| | генераторов машинных команд для | |
| | управления станком (например, | |
| | программ обработки деталей) на | |
| | основе проектных данных, хранимых | |
| | в блоках числового программного | |
| | управления; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.5. | Технологии для разработки | |
| | комплексного программного | |
| | обеспечения для включения | |
| | экспертных систем, повышающих в | |
| | заводских условиях операционные | |
| | возможности блоков числового | |
| | программного управления; | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| 2.5.3.6. | Технологии для осаждения, | |
| | обработки и активного управления | |
| | процессом нанесения внешних слоев | |
| | неорганических покрытий, иных | |
| | покрытий и модификации поверхности | |
| | (за исключением формирования | |
| | подложек для электронных схем) с | |
| | использованием процессов, | |
| | указанных в таблице к настоящему | |
| | пункту и примечаниях к ней | |
|-------------------|------------------------------------|------------------|
| | Особое примечание. | |
| | Нижеследующая таблица определяет, | |
| | что технология конкретного | |
| | процесса нанесения покрытия | |
| | подлежит экспортному контролю | |
| | только при указанных в ней | |
| | сочетаниях позиций в колонках | |
| | "Получаемое покрытие" и | |
| | "Подложки". Например, подлежат | |
| | контролю технические | |
| | характеристики процесса нанесения | |
| | силицидного покрытия методом | |
| | химического осаждения из паровой | |
| | фазы (CVD) на подложки из | |
| | углерод-углерода и композиционных | |
| | материалов с керамической или | |
| | металлической матрицей. Однако, | |
| | если подложка выполнена из | |
| | металлокерамического карбида | |
| | вольфрама (16) или карбида кремния | |
| | (18), контроль не требуется, так | |
| | как во втором случае получаемое | |
| | покрытие не указано в | |
| | соответствующей колонке для этих | |
| | подложек (металлокерамический | |
| | карбид вольфрама и карбид кремния) | |
-----------------------------------------------------------------------------
Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий
----------------------------------------------------------------------------
| Процесс нанесения | Подложки | Получаемое покрытие |
| покрытия | | |
| (1) <*> | | |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 1. Химическое | суперсплавы | алюминиды на поверхности |
| осаждение из | | внутренних каналов |
| паровой фазы |------------------------|---------------------------|
| (CVD) | керамика (19) и стекла | силициды, карбиды, |
| | с малым коэффициентом | диэлектрические слои |
| | линейного расширения | (15), алмаз, |
| | (14) | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |------------------------|---------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, карбиды, |
| | композиционные | тугоплавкие металлы, |
| | материалы с | смеси перечисленных выше |
| | керамической или | материалов (4), |
| | металлической матрицей | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | алюминиды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | нитрид бора |
| |------------------------|---------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама | вольфрам, |
| | (16), карбид кремния | смеси перечисленных выше |
| | (18) | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | алмаз, |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |------------------------|---------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмаз, |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 2. Физическое | | |
| осаждение из | | |
| паровой фазы, | | |
| получаемой | | |
| нагревом | | |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 2.1. Физическое | суперсплавы | сплавы на основе |
| осаждение из | | силицидов, |
| паровой фазы, | | сплавы на основе |
| полученной | | алюминидов (2), MCrAlX |
| нагревом | | (5), модифицированный |
| электронным | | диоксид циркония (12), |
| пучком | | силициды, алюминиды, |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |------------------------|---------------------------|
| | керамика (19) и стекла | диэлектрические слои (15) |
| | с малым коэффициентом | |
| | линейного расширения | |
| | (14) | |
| |------------------------|---------------------------|
| | коррозионно-стойкие | MCrAlX (5), |
| | стали (7) | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |------------------------|---------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | тугоплавкие металлы, |
| | керамической или | смеси перечисленных выше |
| | металлической матрицей | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | нитрид бора |
| |------------------------|---------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама (16), | вольфрам, |
| | карбид кремния (18) | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | бориды, |
| | | бериллий |
| |------------------------|---------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои (15) |
| | датчиков (9) | |
| |------------------------|---------------------------|
| | титановые сплавы (13) | бориды, |
| | | нитриды |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 2.2. Ионно - | керамика (19) и стекла | диэлектрические слои |
| ассистированное | с малым коэффициентом | (15), |
| физическое осаждение| линейного расширения | алмазоподобный углерод |
| из паровой фазы, | (14) | |
| полученной |------------------------|---------------------------|
| резистивным нагревом| углерод-углерод, | диэлектрические слои (15) |
| (ионное осаждение) | композиционные | |
| | материалы с | |
| | керамической или | |
| | металлической матрицей | |
| |------------------------|---------------------------|
| | металлокерамический | диэлектрические слои (15) |
| | карбид вольфрама (16), | |
| | карбид кремния (18) | |
| |------------------------|---------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмазоподобный углерод|
| | | (17) |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 2.3. Физическое | керамика (19) и стекла | силициды, |
| осаждение из | с малым коэффициентом | диэлектрические слои |
| паровой фазы, | линейного расширения | (15), |
| полученной | (14) | алмазоподобный углерод |
| лазерным нагревом | | (17) |
| |------------------------|---------------------------|
| | углерод-углерод, | диэлектрические слои (15) |
| | композиционные | |
| | материалы с | |
| | керамической или | |
| | металлической матрицей | |
| |------------------------|---------------------------|
| | металлокерамический | диэлектрические слои (15) |
| | карбид вольфрама (16), | |
| | карбид кремния (18) | |
| |------------------------|---------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 2.4. Физическое | суперсплавы | сплавы на основе |
| осаждение из | | силицидов, |
| паровой фазы, | | сплавы на основе |
| полученной | | алюминидов (2), |
| катодно-дуговым | | MCrAlX (5) |
| разрядом |------------------------|---------------------------|
| | полимеры (11) и | бориды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | нитриды, |
| | органической матрицей | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 3. Твердофазное | углерод-углерод, | силициды, |
| диффузионное | композиционные | карбиды, |
| насыщение (10) | материалы с | смеси перечисленных выше |
| | керамической или | материалов (4) |
| | металлической матрицей | |
| |------------------------|---------------------------|
| | титановые сплавы (13) | силициды, |
| | | алюминиды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2) |
| |------------------------|---------------------------|
| | тугоплавкие металлы и | силициды, |
| | сплавы (8) | оксиды |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 4. Плазменное | суперсплавы | MCrAlX (5), |
| напыление | | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4), |
| | | истираемый |
| | | никель-графитовый |
| | | материал, |
| | | истираемый |
| | | никель-хром-алюминиевый |
| | | сплав, |
| | | истираемый |
| | | алюминиево-кремниевый |
| | | сплав, |
| | | содержащий полиэфир, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2) |
| |------------------------|---------------------------|
| | алюминиевые сплавы (6) | MCrAlX (5), |
| | | модифицированный |
| | | диоксид циркония (12), |
| | | силициды, |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |------------------------|---------------------------|
| | тугоплавкие металлы и | алюминиды, |
| | сплавы (8) | силициды, |
| | | карбиды |
| |------------------------|---------------------------|
| | коррозионно-стойкие | MCrAlX (5), |
| | стали (7) | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |------------------------|---------------------------|
| | титановые сплавы (13) | карбиды, |
| | | алюминиды, |
| | | силициды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | истираемый |
| | | никель-графитовый |
| | | материал, |
| | | истираемый |
| | | никель-хром-алюминиевый |
| | | сплав, |
| | | истираемый |
| | | алюминиево-кремниевый |
| | | сплав, |
| | | содержащий полиэфир |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 5. Нанесение | тугоплавкие металлы и | оплавленные силициды, |
| шликера | сплавы (8) | оплавленные алюминиды |
| | | (кроме резистивных |
| | | нагревательных элементов) |
| |------------------------|---------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | смеси перечисленных выше |
| | керамической или | материалов (4) |
| | металлической матрицей | |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 6. Осаждение | суперсплавы | сплавы на основе |
| распылением | | силицидов, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | алюминиды, |
| | | модифицированные |
| | | благородным металлом (3), |
| | | MCrAlX (5), |
| | | модифицированный диоксид |
| | | циркония (12), |
| | | платина, |
| | | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4) |
| |------------------------|---------------------------|
| | керамика (19) и стекла | силициды, |
| | с малым коэффициентом | платина, |
| | линейного расширения | смеси перечисленных выше |
| | (14) | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |------------------------|---------------------------|
| | титановые сплавы (13) | бориды, |
| | | нитриды, |
| | | оксиды, |
| | | силициды, |
| | | алюминиды, |
| | | сплавы на основе |
| | | алюминидов (2), |
| | | карбиды |
| |------------------------|---------------------------|
| | углерод-углерод, | силициды, |
| | композиционные | карбиды, |
| | материалы с | тугоплавкие металлы, |
| | керамической или | смеси перечисленных выше |
| | металлической матрицей | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | нитрид бора |
| |------------------------|---------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама (16), | вольфрам, |
| | карбид кремния (18) | смеси перечисленных выше |
| | | материалов (4), |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | нитрид бора |
| |------------------------|---------------------------|
| | молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| |------------------------|---------------------------|
| | бериллий и его сплавы | бориды, |
| | | диэлектрические слои |
| | | (15), |
| | | бериллий |
| |------------------------|---------------------------|
| | материалы окон | диэлектрические слои |
| | датчиков (9) | (15), |
| | | алмазоподобный углерод |
| | | (17) |
| |------------------------|---------------------------|
| | тугоплавкие металлы и | алюминиды, |
| | сплавы (8) | силициды, |
| | | оксиды, |
| | | карбиды |
|---------------------|------------------------|---------------------------|
| 7. Ионная | высокотемпературные | присадки хрома, |
| имплантация | подшипниковые стали | тантала или ниобия |
| |------------------------|---------------------------|
| | титановые сплавы (13) | бориды, |
| | | нитриды |
| |------------------------|---------------------------|
| | бериллий и его сплавы | бориды |
| |------------------------|---------------------------|
| | металлокерамический | карбиды, |
| | карбид вольфрама (16) | нитриды |
----------------------------------------------------------------------------
--------------------------------
<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий
указанному в скобках.
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение
первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление
существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или
многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы
осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже
если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это,
однако, не включает многократное использование одношагового процесса
твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных
алюминидов.
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом,
включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного
металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом
до нанесения алюминидного покрытия.
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой,
материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы,
полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси
получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий,
описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает
кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий,
кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные
добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях
и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее
7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 -
12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 -
12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью
при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C).
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии
AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский
институт железа и стали) или сталь соответствующего национального
стандарта.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их
сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия
(поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид
цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон
датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый
гафний.
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного
насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по
категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды,
поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид
циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды
кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях
стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов.
Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные
оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не
контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического
применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре
293 К (20 град. C).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают
стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 град. C)
-7 -1
коэффициент линейного расширения 10 К или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких
диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства
структуры, составленной из материалов с различными показателями
отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в
различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие,
относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев
диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие
твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для
обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель),
карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и
карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для
нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий,
произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы
(накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для
производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры
громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие
инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника,
микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования
пластмассы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для
режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин
применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические
материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных
компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия",
определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс
нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности
подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или
керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты
разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в
результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме
химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных
химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой
тлеющего разряда или лучом лазера.
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном
газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD
с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым
образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением
плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без
непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с
применением тех же основных реакций и параметров, что и при
твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, -
это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже
0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для
испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или
осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную
камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для
активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является
также обычной модификацией этого метода. Применение
контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом
процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть
особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов
физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в
следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом
электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и
испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы,
полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в
сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения
контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный
лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный
катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой
разряд, который инициируется на поверхности катода после
кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое
движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию
высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться
по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль
анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости
подается электрическое смещение на подложку;
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению
покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического
смещения на подложку.
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса
физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором
плазменный или ионный источник используется для ионизации материала
наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке,
способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных
реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также
использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих
измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и
толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий
поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при
которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от
1030 К (757 град. C) до 1375 К (1102 град. C) в течение достаточно
продолжительного времени для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия,
при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается
порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и
несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление
может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме
высокой скорости.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла
горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. С) и давлению 0,1
МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный
слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический
или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в
жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или
окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре
и термообработкой для получения необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия,
основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в
электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала
покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна
для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на
соответствующим образом установленную подложку.
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или
реакционному осаждению распылением, которое используется для
увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к
радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять
неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы
низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда
легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и
имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение
включает также процессы, в которых ионная имплантация производится
одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной
нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
Некоторые пояснения к таблице.
Следует понимать, что следующая техническая информация,
сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек,
указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в
соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов
коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски.
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических
параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в
таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия.
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице
подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки
подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с
нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости
от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние.
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры,
относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности,
указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой
нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения
материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру
(гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость
потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости
осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения
материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
----------------------------------------------------------------------------
| N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1. | Системы, оборудование и | |
| | компоненты | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Примечания: | |
| | 1. Контрольный статус | |
| | оборудования и компонентов, | |
| | указанных в пункте 3.1, других, | |
| | нежели указанных в пунктах | |
| | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте | |
| | 3.1.1.1.11, и которые специально | |
| | разработаны или имеют те же самые | |
| | функциональные характеристики, как | |
| | и другое оборудование, | |
| | определяется по контрольному | |
| | статусу такого оборудования | |
| | 2. Контрольный статус интегральных | |
| | схем, указанных в пунктах | |
| | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте | |
| | 3.1.1.1.11, которые являются | |
| | неизменно запрограммированными или | |
| | разработанными для выполнения | |
| | функций другого оборудования, | |
| | определяется по контрольному | |
| | статусу такого оборудования | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Особое примечание. | |
| | В тех случаях, когда изготовитель | |
| | или заявитель не может определить | |
| | контрольный статус другого | |
| | оборудования, этот статус | |
| | определяется контрольным статусом | |
| | интегральных схем, указанных в | |
| | пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или | |
| | пункте 3.1.1.1.11. Если | |
| | интегральная схема является | |
| | кремниевой микросхемой микроЭВМ | |
| | или микросхемой микроконтроллера, | |
| | указанными в пункте 3.1.1.1.3 и | |
| | имеющими длину слова операнда | |
| | (данных) 8 бит или менее, то ее | |
| | статус контроля должен | |
| | определяться в соответствии с | |
| | пунктом 3.1.1.1.3 | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1. | Электронные компоненты: | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные | |
| | микросхемы общего назначения: | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, | 8542 |
| | спроектированные или относящиеся к | |
| | классу радиационно стойких, | |
| | выдерживающие любое из следующих | |
| | воздействий: | |
| | 3 | |
| | а) суммарную дозу 5 x 10 Гр | |
| | 5 | |
| | (Si) [5 x 10 рад] или выше; | |
| | 6 | |
| | б) мощность дозы 5 x 10 Гр | |
| | 8 | |
| | (Si)/c [5 x 10 рад/с] или выше; | |
| | или | |
| | в) флюенс (интегральный поток) | |
| | нейтронов (соответствующий энергии | |
| | 13 | |
| | в 1 МэВ) 5 x 10 н/кв. см или | |
| | более по кремнию или его | |
| | эквивалент для других материалов | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не | |
| | применяется к структуре металл - | |
| | диэлектрик - полупроводник (МДП- | |
| | структуре); | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.2. | Микросхемы микропроцессоров, | 8542 |
| | микросхемы микроЭВМ, микросхемы | |
| | микроконтроллеров, изготовленные | |
| | из полупроводниковых соединений | |
| | интегральные схемы памяти, | |
| | аналого-цифровые преобразователи, | |
| | цифроаналоговые преобразователи, | |
| | электронно-оптические или | |
| | оптические интегральные схемы для | |
| | обработки сигналов, | |
| | программируемые пользователем | |
| | логические устройства, | |
| | интегральные схемы для нейронных | |
| | сетей, заказные интегральные | |
| | схемы, функции которых неизвестны | |
| | или не известно, распространяется | |
| | ли статус контроля на аппаратуру, | |
| | в которой будут использоваться эти | |
| | интегральные схемы, процессоры | |
| | быстрого преобразования Фурье, | |
| | электрически перепрограммируемые | |
| | постоянные запоминающие | |
| | устройства (ЭППЗУ), память с | |
| | групповой перезаписью или | |
| | статические запоминающие | |
| | устройства с произвольной выборкой | |
| | (СЗУПВ), имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| | а) работоспособные при температуре | |
| | окружающей среды выше 398 К (+125 | |
| | град. C); | |
| | б) работоспособные при температуре | |
| | окружающей среды ниже 218 К (-55 | |
| | град. C); или | |
| | в) работоспособные во всем | |
| | диапазоне температур окружающей | |
| | среды от 218 К (-55 град. C) до | |
| | 398 К (+125 град. C) | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Пункт 3.1.1.1.2 не | |
| | распространяется на интегральные | |
| | схемы, применяемые для гражданских | |
| | автомобилей и железнодорожных | |
| | поездов; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.3. | Микросхемы микропроцессоров, | |
| | микросхемы микроЭВМ, микросхемы | |
| | микроконтроллеров, имеющие любую | |
| | из следующих характеристик: | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.3.1. | Изготовлены на полупроводниковых | 8542 31 900 1; |
| | соединениях и работающие на | 8542 31 900 9; |
| | тактовой частоте, превышающей 40 | 8542 39 900 9 |
| | МГц; или | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.3.2. | Более трех шин данных или команд | 8542 31 900 1; |
| | либо последовательных портов | 8542 31 900 9; |
| | связи, обеспечивающих в | 8542 39 900 9 |
| | отдельности прямое внешнее | |
| | соединение между параллельными | |
| | микросхемами микропроцессоров | |
| | со скоростью передачи | |
| | 1000 Мбайт/с или более | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Пункт 3.1.1.1.3 включает | |
| | процессоры цифровых сигналов, | |
| | цифровые матричные процессоры и | |
| | цифровые сопроцессоры; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, | 8542 31 900 1; |
| | изготовленные на полупроводниковых | 8542 31 900 9; |
| | соединениях; | 8542 39 900 9 |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.5. | Следующие интегральные схемы для | 8542 31 900 3; |
| | аналого-цифровых и цифроаналоговых | 8542 31 900 9; |
| | преобразователей: | 8542 39 900 2; |
| | а) аналого-цифровые | 8542 39 900 9 |
| | преобразователи, имеющие любую | |
| | из следующих характеристик: | |
| | разрешающую способность 8 бит или | |
| | более, но менее 10 бит, со | |
| | скоростью на выходе более 500 млн. | |
| | слов в секунду; | |
| | разрешающую способность 10 бит или | |
| | более, но менее 12 бит, со | |
| | скоростью на выходе более 200 млн. | |
| | слов в секунду; | |
| | разрешающую способность 12 бит со | |
| | скоростью на выходе более | |
| | 50 млн. слов в секунду; | |
| | разрешающую способность более | |
| | 12 бит, но равную или меньше | |
| | 14 бит, со скоростью на выходе | |
| | более 5 млн. слов в секунду; или | |
| | разрешающую способность более | |
| | 14 бит со скоростью на выходе | |
| | более 1 млн. слов в секунду; | |
| | б) цифроаналоговые преобразователи | |
| | с разрешающей способностью 12 бит | |
| | или более и временем установления | |
| | сигнала менее 10 нс | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Технические примечания: | |
| | 1. Разрешающая способность n битов | |
| | n | |
| | соответствует 2 уровням | |
| | квантования | |
| | 2. Количество бит в выходном слове | |
| | соответствует разрешающей | |
| | способности аналого-цифрового | |
| | преобразователя | |
| | 3. Скорость на выходе является | |
| | максимальной скоростью на выходе | |
| | преобразователя независимо от | |
| | структуры или выборки с запасом по | |
| | частоте дискретизации. Поставщики | |
| | могут также ссылаться на скорость | |
| | на выходе как на частоту выборки, | |
| | скорость преобразования или | |
| | пропускную способность. Ее часто | |
| | определяют в мегагерцах (МГц) или | |
| | миллионах выборок в секунду | |
| | (Мвыб./с) | |
| | 4. Для целей измерения скорости на | |
| | выходе одно выходное слово в | |
| | секунду равнозначно одному герцу | |
| | или одной выборке в секунду; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.6. | Электронно-оптические и оптические | 8542 |
| | интегральные схемы для обработки | |
| | сигналов, имеющие одновременно все | |
| | перечисленные составляющие: | |
| | а) один внутренний лазерный диод | |
| | или более; | |
| | б) один внутренний | |
| | светочувствительный элемент или | |
| | более; и | |
| | в) световоды; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем | 8542 39 900 2 |
| | логические устройства, имеющие | |
| | любую из следующих характеристик: | |
| | а) эквивалентное количество | |
| | задействованных логических | |
| | элементов более 30 000 (в | |
| | пересчете на элементы с двумя | |
| | входами); | |
| | б) типовое время задержки | |
| | основного логического элемента | |
| | менее 0,1 нс; или | |
| | в) частоту переключения выше 133 | |
| | МГц | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Примечание. | |
| | Пункт 3.1.1.1.7 включает: | |
| | простые программируемые логические | |
| | устройства (ППЛУ); | |
| | сложные программируемые логические | |
| | устройства (СПЛУ); | |
| | программируемые пользователем | |
| | вентильные матрицы (ППВМ); | |
| | программируемые пользователем | |
| | логические матрицы (ППЛМ); | |
| | программируемые пользователем | |
| | межсоединения (ППМС) | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Особое примечание. | |
| | Программируемые пользователем | |
| | логические устройства также | |
| | известны как программируемые | |
| | пользователем вентильные или | |
| | программируемые пользователем | |
| | логические матрицы; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.8. | Интегральные схемы для нейронных | 8542 |
| | сетей; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.9. | Заказные интегральные схемы, | 8542 31 900 3; |
| | функции которых неизвестны или | 8542 31 900 9; |
| | изготовителю не известно, | 8542 39 900 2; |
| | распространяется ли статус | 8542 39 900 9 |
| | контроля на аппаратуру, в которой | |
| | будут использоваться эти | |
| | интегральные схемы, с любой из | |
| | следующих характеристик: | |
| | а) более 1000 выводов; | |
| | б) типовое время задержки | |
| | основного логического элемента | |
| | менее 0,1 нс; или | |
| | в) рабочую частоту, превышающую 3 | |
| | ГГц; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.10. | Цифровые интегральные схемы, иные, | 8542 |
| | нежели указанные в пунктах | |
| | 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте | |
| | 3.1.1.1.11, созданные на основе | |
| | любого полупроводникового | |
| | соединения и характеризующиеся | |
| | любым из нижеследующего: | |
| | а) эквивалентным количеством | |
| | логических элементов более 3000 (в | |
| | пересчете на элементы с двумя | |
| | входами); или | |
| | б) частотой переключения выше 1,2 | |
| | ГГц; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.1.11. | Процессоры быстрого преобразования | 8542 31 900 1; |
| | Фурье, имеющие расчетное время | 8542 31 900 9; |
| | выполнения комплексного N- | 8542 39 900 9 |
| | точечного сложного быстрого | |
| | преобразования Фурье менее (N log | |
| | 2 | |
| | N)/20 480 мс, где N - количество | |
| | точек | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Техническое примечание. | |
| | В случае, когда N равно 1024 | |
| | точкам, формула в пункте | |
| | 3.1.1.1.11 дает результат времени | |
| | выполнения 500 мкс | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| | Примечания: | |
| | 1. Контрольный статус подложек | |
| | (готовых или полуфабрикатов), на | |
| | которых воспроизведена конкретная | |
| | функция, оценивается по | |
| | параметрам, указанным в пункте | |
| | 3.1.1.1 | |
| | 2. Понятие "интегральные схемы" | |
| | включает следующие типы: | |
| | монолитные интегральные схемы; | |
| | гибридные интегральные схемы; | |
| | многокристальные интегральные | |
| | схемы; | |
| | пленочные интегральные схемы, | |
| | включая интегральные схемы типа | |
| | "кремний на сапфире"; | |
| | оптические интегральные схемы; | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или | |
| | миллиметрового диапазона: | |
|-------------------|-------------------------------------|----------------|
| 3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные | |
|