| 3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные | | | | вакуумные лампы и катоды: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного | 8540 79 000 0 | | | или непрерывного действия: | | | | а) работающие на частотах, | | | | превышающих 31,8 ГГц; | | | | б) имеющие элемент подогрева | | | | катода со временем выхода лампы на | | | | предельную радиочастотную мощность | | | | менее 3 с; | | | | в) лампы с сопряженными | | | | резонаторами или их модификации с | | | | относительной шириной полосы | | | | частот более 7% или пиком | | | | мощности, превышающим 2,5 кВт; | | | | г) спиральные лампы или их | | | | модификации, имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | мгновенную ширину полосы частот | | | | более одной октавы и произведение | | | | средней мощности (выраженной в | | | | кВт) на рабочую частоту | | | | (выраженную в ГГц) более 0,5; | | | | мгновенную ширину полосы частот в | | | | одну октаву или менее и | | | | произведение средней мощности | | | | (выраженной в кВт) на рабочую | | | | частоту (выраженную в ГГц) более | | | | 1; или | | | | пригодные для применения в | | | | космосе; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного типа | 8540 71 000 0 | | | с коэффициентом усиления более 17 | | | | дБ; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, | 8540 99 000 0 | | | разработанные для электронных | | | | ламп, эмитирующие в непрерывном | | | | режиме и штатных условиях работы | | | | ток плотностью, превышающей 5 | | | | А/кв. см | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечания: | | | | 1. По пункту 3.1.1.2.1 не | | | | контролируются лампы, | | | | спроектированные для работы в | | | | любом диапазоне частот, который | | | | удовлетворяет всем следующим | | | | характеристикам: | | | | а) частота не превышает 31,8 ГГц; | | | | и | | | | б) диапазон распределен | | | | Международным союзом электросвязи | | | | для обслуживания радиосвязи, но не | | | | для радиоопределения | | | | 2. По пункту 3.1.1.2.1 не | | | | контролируются лампы, которые | | | | непригодны для применения в | | | | космосе и удовлетворяют всем | | | | следующим характеристикам: | | | | а) средняя выходная мощность не | | | | более 50 Вт; и | | | | б) спроектированные для работы в | | | | любом диапазоне частот, который | | | | удовлетворяет всем следующим | | | | характеристикам: | | | | частота выше 31,8 ГГц, но не | | | | превышает 43,5 ГГц; и | | | | диапазон распределен Международным | | | | союзом электросвязи для | | | | обслуживания радиосвязи, но не для | | | | радиоопределения; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.2. | Монолитные микроволновые | 8542 31 900 3; | | | интегральные схемы (ММИС) - | 8542 33 000; | | | усилители мощности, имеющие любую | 8542 39 900 2; | | | из следующих характеристик: | 8543 90 000 1 | | | а) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц | | | | включительно и со средней выходной | | | | мощностью, превышающей 4 Вт (36 | | | | дБ, отсчитываемых относительно | | | | уровня 1 мВт), с относительной | | | | шириной полосы частот более 15%; | | | | б) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц | | | | включительно и со средней выходной | | | | мощностью, превышающей 1 Вт (30 | | | | дБ, отсчитываемых относительно | | | | уровня 1 мВт), с относительной | | | | шириной полосы частот более 10%; | | | | в) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 16 ГГц до 31,8 | | | | ГГц включительно и со средней | | | | выходной мощностью, превышающей | | | | 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт), с | | | | относительной шириной полосы | | | | частот более 10%; | | | | г) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 | | | | ГГц включительно; | | | | д) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 | | | | ГГц включительно и со средней | | | | выходной мощностью, превышающей | | | | 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт), с | | | | относительной шириной полосы | | | | частот более 10%; или | | | | е) предназначенные для работы на | | | | частотах выше 43,5 ГГц | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечания: | | | | 1. По пункту 3.1.1.2.2 не | | | | контролируется радиопередающее | | | | спутниковое оборудование, | | | | разработанное или предназначенное | | | | для работы в полосе частот от 40,5 | | | | ГГц до 42,5 ГГц | | | | 2. Контрольный статус ММИС, | | | | рабочая частота которых охватывает | | | | более одной полосы частот, | | | | указанной в пункте 3.1.1.2.2, | | | | определяется наименьшим | | | | контрольным порогом средней | | | | выходной мощности | | | | 3. Примечания, приведенные после | | | | пункта 3.1 категории 3, | | | | подразумевают, что по пункту | | | | 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, | | | | если они специально разработаны | | | | для иных целей, например для | | | | телекоммуникаций, радиолокационных | | | | станций, автомобилей; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, имеющие | 8541 21 000 0; | | | любую из следующих характеристик: | 8541 29 000 0 | | | а) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц | | | | включительно и имеющие среднюю | | | | выходную мощность, превышающую | | | | 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт); | | | | б) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 6 ГГц до 31,8 | | | | ГГц включительно и имеющие среднюю | | | | выходную мощность, превышающую | | | | 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт); | | | | в) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 | | | | ГГц включительно и имеющие среднюю | | | | выходную мощность, превышающую | | | | 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт); | | | | г) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 | | | | ГГц включительно и имеющие среднюю | | | | выходную мощность, превышающую 1 | | | | Вт (30 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт); или | | | | д) предназначенные для работы на | | | | частотах выше 43,5 ГГц | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | Контрольный статус изделия, | | | | рабочая частота которого | | | | охватывает более одной полосы | | | | частот, указанной в пункте | | | | 3.1.1.2.3, определяется наименьшим | | | | контрольным порогом средней | | | | выходной мощности; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные | 8543 70 900 9 | | | усилители и микроволновые | | | | сборки/модули, содержащие | | | | микроволновые усилители, имеющие | | | | любую из следующих характеристик: | | | | а) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц | | | | включительно и со средней выходной | | | | мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 | | | | дБ, отсчитываемых относительно | | | | уровня 1 мВт), с относительной | | | | шириной полосы частот более 15%; | | | | б) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 6 ГГц до 31,8 | | | | ГГц включительно и со средней | | | | выходной мощностью, превышающей 15 | | | | Вт (42 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт), с | | | | относительной шириной полосы | | | | частот более 10%; | | | | в) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 | | | | ГГц включительно; | | | | г) предназначенные для работы на | | | | частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 | | | | ГГц включительно и со средней | | | | выходной мощностью, превышающей 1 | | | | Вт (30 дБ, отсчитываемых | | | | относительно уровня 1 мВт), с | | | | относительной шириной полосы | | | | частот более 10%; | | | | д) предназначенные для работы на | | | | частотах выше 43,5 ГГц; или | | | | е) предназначенные для работы на | | | | частотах выше 3 ГГц и имеющие все | | | | следующее: | | | | среднюю выходную мощность P (Вт), | | | | большую, чем результат от деления | | | | 2 | | | | величины 150 (Вт x ГГц ) на | | | | максимальную рабочую частоту f | | | | (ГГц) в квадрате, то есть: | | | | 2 | | | | P > 150/f или в единицах | | | | размерности [(Вт) > | | | | 2 2 | | | | (Вт x ГГц ) / (ГГц) ]; | | | | относительную ширину полосы частот | | | | 5% или более; | | | | любые две взаимно перпендикулярные | | | | стороны с длиной d (см), равной | | | | или меньше, чем результат от | | | | деления величины 15 (см x ГГц) на | | | | наименьшую рабочую частоту f | | | | (ГГц), то есть: d <= 15/f или в | | | | единицах размерности | | | | [(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)] | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Особое примечание. | | | | Для оценки ММИС усилителей | | | | мощности должны применяться | | | | критерии, описанные в пункте | | | | 3.1.1.2.2 | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечания: | | | | 1. По пункту 3.1.1.2.4 не | | | | контролируется радиопередающее | | | | спутниковое оборудование, | | | | разработанное или предназначенное | | | | для работы в полосе частот от | | | | 40,5 ГГц до 42,5 ГГц | | | | 2. Контрольный статус изделия, | | | | рабочая частота которого | | | | охватывает более одной полосы | | | | частот, указанной в пункте | | | | 3.1.1.2.4, определяется наименьшим | | | | контрольным порогом средней | | | | выходной мощности; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.5. | Полосовые или заградительные | 8543 70 900 9 | | | фильтры с электронной или | | | | магнитной перестройкой, содержащие | | | | более пяти настраиваемых | | | | резонаторов, обеспечивающих | | | | настройку в полосе частот с | | | | соотношением максимальной и | | | | минимальной частот 1,5:1 (f / | | | | max | | | | f ) менее чем за 10 мкс, и | | | | min | | | | имеющие любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) полосу пропускания частоты | | | | более 0,5% от резонансной частоты; | | | | или | | | | б) полосу подавления частоты менее | | | | 0,5% от резонансной частоты; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.6. | Смесители и преобразователи, | 8543 70 900 9 | | | разработанные для расширения | | | | частотного диапазона аппаратуры, | | | | указанной в пункте 3.1.2.3, | | | | 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.2.7. | Микроволновые усилители мощности | 8543 70 900 9 | | | СВЧ-диапазона, содержащие лампы, | | | | контролируемые по пункту 3.1.1.2, | | | | и имеющие все следующие | | | | характеристики: | | | | а) рабочие частоты выше 3 ГГц; | | | | б) плотность средней выходной | | | | мощности, превышающую 80 Вт/кг; и | | | | в) объем менее 400 куб. см | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.1.2.7 не | | | | контролируется аппаратура, | | | | спроектированная для работы в | | | | любом диапазоне частот, | | | | распределенном Международным | | | | союзом электросвязи для | | | | обслуживания радиосвязи, но не для | | | | радиоопределения; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и | | | | специально разработанные для них | | | | компоненты: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных | 8541 60 000 0 | | | акустических волнах и на | | | | акустических волнах в тонком | | | | поверхностном слое (то есть | | | | приборы для обработки сигналов, | | | | использующие упругие волны в | | | | материале), имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; | | | | б) несущую частоту выше 1 ГГц, но | | | | не превышающую 2,5 ГГц, и | | | | дополнительно имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | частотное подавление боковых | | | | лепестков диаграммы направленности | | | | более 55 дБ; | | | | произведение максимального времени | | | | задержки (в мкс) на ширину полосы | | | | частот (в МГц) более 100; | | | | ширину полосы частот выше 250 МГц; | | | | или | | | | дисперсионную задержку более 10 | | | | мкс; или | | | | в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и | | | | дополнительно имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | произведение максимального времени | | | | задержки (в мкс) на ширину полосы | | | | частот (в МГц) более 100; | | | | дисперсионную задержку более 10 | | | | мкс; или | | | | частотное подавление боковых | | | | лепестков диаграммы направленности | | | | более 55 дБ и ширину полосы | | | | частот, превышающую 50 МГц; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических | 8541 60 000 0 | | | волнах (то есть приборы для | | | | обработки сигналов, использующие | | | | упругие волны в материале), | | | | обеспечивающие непосредственную | | | | обработку сигналов на частотах, | | | | превышающих 1 ГГц; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы обработки | 8541 60 000 0 | | | сигналов, использующие | | | | взаимодействие между акустическими | | | | волнами (объемными или | | | | поверхностными) и световыми | | | | волнами, что позволяет | | | | непосредственно обрабатывать | | | | сигналы или изображения, включая | | | | анализ спектра, корреляцию или | | | | свертку; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.4. | Электронные приборы и схемы, | 8540; | | | содержащие компоненты, | 8541; | | | изготовленные из сверхпроводящих | 8542; | | | материалов, специально | 8543 | | | спроектированные для работы при | | | | температурах ниже критической | | | | температуры хотя бы одной из | | | | сверхпроводящих составляющих, | | | | имеющие хотя бы один из следующих | | | | признаков: | | | | а) токовые переключатели для | | | | цифровых схем, использующие | | | | сверхпроводящие вентили, у которых | | | | произведение времени задержки на | | | | вентиль (в секундах) на | | | | рассеиваемую мощность на вентиль | | | | -14 | | | | (в ваттах) менее 10 Дж; или | | | | б) селекцию частоты на всех | | | | частотах с использованием | | | | резонансных контуров с | | | | добротностью, превышающей 10 000; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5. | Нижеперечисленные мощные | | | | энергетические устройства: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.1. | Батареи и сборки фотоэлектрических | | | | элементов: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.1.1. | Первичные элементы и батареи с | 8506; | | | плотностью энергии, превышающей | 8507; | | | 480 Вт.ч/кг, и пригодные для | 8541 40 900 0 | | | работы в диапазоне температур от | | | | ниже 243 К (-30 град. C) до выше | | | | 343 К (70 град. C); | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.1.2. | Подзаряжаемые элементы и батареи с | 8506; | | | плотностью энергии более 150 | 8507; | | | Вт.ч/кг после 75 циклов | 8541 40 900 0 | | | заряд-разряда при токе разряда, | | | | равном С/5 (С - номинальная | | | | емкость в ампер-часах, 5 - время | | | | разряда в часах), при работе в | | | | диапазоне температур от ниже 253 К | | | | (-20 град. C) до выше 333 К | | | | (60 град. C) | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Плотность энергии определяется | | | | путем умножения средней мощности в | | | | ваттах (произведение среднего | | | | напряжения в вольтах на средний | | | | ток в амперах) на длительность | | | | цикла разряда в часах, при котором | | | | напряжение на разомкнутых клеммах | | | | падает до 75% от номинала, и | | | | деления полученного произведения | | | | на общую массу элемента (или | | | | батареи) в килограммах; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.1.3. | Батареи, пригодные для применения | 8506; | | | в космосе, и радиационно стойкие | 8507; | | | сборки фотоэлектрических элементов | 8541 40 900 0 | | | с удельной мощностью более 160 | | | | Вт/кв. м при рабочей температуре | | | | 301 К (28 град. C) и облучении от | | | | вольфрамового источника, нагретого | | | | до температуры 2800 К (2527 град. | | | | С) с плотностью мощности излучения | | | | 1 кВт/кв. м | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пунктам 3.1.1.5.1.1 - | | | | 3.1.1.5.1.3 не контролируются | | | | батареи объемом 27 куб. см или | | | | менее (например, стандартные | | | | элементы с угольными стержнями или | | | | батареи типа R14); | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.2. | Высокоэнергетические | | | | накопительные конденсаторы: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.2.1. | Конденсаторы с частотой повторения | 8506; | | | ниже 10 Гц (одноразрядные | 8507; | | | конденсаторы), имеющие все | 8532 | | | следующие характеристики: | | | | а) номинальное напряжение 5 кВ или | | | | более; | | | | б) плотность энергии 250 Дж/кг или | | | | более; и | | | | в) полную энергию 25 кДж или | | | | более; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.2.2. | Конденсаторы с частотой повторения | 8506; | | | 10 Гц и выше (многоразрядные | 8507; | | | конденсаторы), имеющие все | 8532 | | | следующие характеристики: | | | | а) номинальное напряжение 5 кВ или | | | | более; | | | | б) плотность энергии 50 Дж/кг или | | | | более; | | | | в) полную энергию 100 Дж или | | | | более; и | | | | г) количество циклов заряд-разряда | | | | 10 000 или более; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.5.3. | Сверхпроводящие электромагниты | 8504 50; | | | и соленоиды, специально | 8505 90 100 0 | | | разработанные на полный заряд или | | | | разряд менее чем за 1 с, имеющие | | | | все нижеперечисленные | | | | характеристики: | | | | а) энергию, выделяемую при | | | | разряде, превышающую 10 кДж за | | | | первую секунду; | | | | б) внутренний диаметр токонесущих | | | | обмоток более 250 мм; и | | | | в) номинальную магнитную индукцию | | | | больше 8 Т или суммарную плотность | | | | тока в обмотке более 300 А/кв. мм | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.1.5.3 не | | | | контролируются сверхпроводящие | | | | электромагниты или соленоиды, | | | | специально разработанные для | | | | медицинской аппаратуры | | | | магниторезонансной томографии; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.1.6. | Цифровые преобразователи | 9031 80 320 0; | | | абсолютного углового положения | 9031 80 340 0 | | | вращающегося вала, имеющие любую | | | | из следующих характеристик: | | | | а) разрешение лучше 1/265 000 от | | | | полного диапазона (18 бит); или | | | | б) точность лучше +/- 2,5 угл. с | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2. | Нижеперечисленная электронная | | | | аппаратура общего назначения: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и | | | | специально разработанная | | | | измерительная магнитная лента | | | | для нее: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1.1. | Устройства записи на магнитной | 8519 81 540 1; | | | ленте показаний аналоговой | 8519 81 580; | | | аппаратуры, включая аппаратуру с | 8519 81 900 0; | | | возможностью записи цифровых | 8519 89 900 0; | | | сигналов (например, использующие | 8521 10 200 0; | | | модуль цифровой записи высокой | 8521 10 950 0 | | | плотности), имеющие любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) полосу частот, превышающую 4 | | | | МГц на электронный канал или | | | | дорожку; | | | | б) полосу частот, превышающую 2 | | | | МГц на электронный канал или | | | | дорожку, при количестве дорожек | | | | более 42; или | | | | в) ошибку рассогласования | | | | (основную) временной шкалы, | | | | измеренную по методикам | | | | соответствующих руководящих | | | | материалов Межведомственного | | | | совета по радиопромышленности | | | | (IRIG) или Ассоциации электронной | | | | промышленности (EIA), менее | | | | +/- 0,1 мкс | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | Аналоговые видеомагнитофоны на | | | | магнитной ленте, специально | | | | разработанные для гражданского | | | | применения, не рассматриваются как | | | | записывающие устройства, | | | | использующие ленту; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны на | 8521 10; | | | магнитной ленте, имеющие | 8521 90 000 9 | | | максимальную пропускную | | | | способность цифрового интерфейса | | | | более 360 Мбит/с | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.1.2 не | | | | контролируются цифровые | | | | видеомагнитофоны на магнитной | | | | ленте, специально разработанные | | | | для телевизионной записи, | | | | использующие формат сигнала, | | | | который может включать сжатие | | | | формата сигнала, | | | | стандартизированный или | | | | рекомендуемый для применения в | | | | гражданском телевидении | | | | Международным союзом электросвязи, | | | | Международной электротехнической | | | | комиссией, Организацией инженеров | | | | по развитию кино и телевидения, | | | | Европейским союзом радиовещания, | | | | Европейским институтом стандартов | | | | по телекоммуникациям или | | | | Институтом инженеров по | | | | электротехнике и радиоэлектронике; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1.3. | Устройства записи на магнитной | 8471 70 800 0; | | | ленте показаний цифровой | 8521 10 | | | аппаратуры, использующие принципы | | | | спирального сканирования или | | | | принципы фиксированной головки и | | | | имеющие любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) максимальную пропускную | | | | способность цифрового интерфейса | | | | более 175 Мбит/с; или | | | | б) пригодные для применения в | | | | космосе | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.1.3 не | | | | контролируются устройства записи | | | | данных на магнитной ленте, | | | | оснащенные электронными блоками | | | | для преобразования в цифровую | | | | запись высокой плотности и | | | | предназначенные для записи только | | | | цифровых данных; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной | 8521 90 000 9 | | | пропускной способностью цифрового | | | | интерфейса, превышающей 175 | | | | Мбит/с, разработанная в целях | | | | переделки цифровых | | | | видеомагнитофонов на магнитной | | | | ленте для использования их как | | | | устройств записи данных цифровой | | | | аппаратуры; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования | 8471 90 000 0; | | | сигналов в цифровую форму и | 8543 70 900 9 | | | записи переходных процессов, | | | | имеющие все следующие | | | | характеристики: | | | | а) скорость преобразования в | | | | цифровую форму 200 млн. проб в | | | | секунду или более и разрешение 10 | | | | бит или более; и | | | | б) непрерывную пропускную | | | | способность 2 Гбит/с или более | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Для таких приборов с | | | | архитектурой на параллельной шине | | | | непрерывная пропускная способность | | | | есть произведение наибольшего | | | | объема слов на количество бит в | | | | слове. Непрерывная пропускная | | | | способность - это наивысшая | | | | скорость передачи данных | | | | аппаратуры, с которой информация | | | | поступает в запоминающее | | | | устройство без потерь при | | | | сохранении скорости выборки и | | | | аналого-цифрового преобразования; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.1.6. | Устройства записи данных цифровой | 8471 50 000 0; | | | аппаратуры, использующие способ | 8471 60; | | | хранения на магнитном диске, | 8471 70 200 0; | | | имеющие все следующие | 8471 70 300 0; | | | характеристики: | 8471 70 500 0; | | | а) скорость преобразования в | 8519 81 900 0; | | | цифровую форму 100 млн. проб в | 8519 89 900 0; | | | секунду и разрешение 8 бит или | 8521 90 000 9; | | | более; и | 8522 90 400 0; | | | б) непрерывную пропускную | 8522 90 800 0 | | | способность не менее 1 Гбит/с или | | | | более; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов | 8543 20 000 0 | | | частот, имеющие время переключения | | | | частоты менее 1 мс; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.3. | Анализаторы сигналов радиочастот: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.3.1. | Анализаторы сигналов, способные | 9030 84 000 9; | | | анализировать любые сигналы с | 9030 89 300 0 | | | частотой выше 31,8 ГГц, но не | | | | превышающей 37,5 ГГц, и имеющие | | | | разрешающую способность 3 дБ для | | | | ширины полосы пропускания более 10 | | | | МГц; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.3.2. | Анализаторы сигналов, способные | 9030 84 000 9; | | | анализировать сигналы с частотой | 9030 89 300 0 | | | выше 43,5 ГГц; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.3.3. | Динамические анализаторы сигналов | 9030 20 200 9; | | | с полосой частот в реальном | 9030 32 000 9; | | | масштабе времени, превышающей 500 | 9030 39 000 9; | | | кГц | 9030 84 000 9; | | | | 9030 89 300 0 | | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.3.3 не | | | | контролируются динамические | | | | анализаторы сигналов, использующие | | | | только фильтры с полосой | | | | пропускания фиксированных долей | | | | (известны также как октавные или | | | | дробно-октавные фильтры); | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.4. | Генераторы сигналов | 8543 20 000 0 | | | синтезированных частот, | | | | формирующие выходные частоты с | | | | управлением по параметрам | | | | точности, кратковременной и | | | | долговременной стабильности на | | | | основе или с помощью внутренней | | | | эталонной частоты и имеющие любую | | | | из следующих характеристик: | | | | а) максимальную синтезируемую | | | | частоту выше 31,8 ГГц, но не | | | | превышающую 43,5 ГГц, и | | | | предназначенные для создания | | | | длительности импульса менее | | | | 100 нс; | | | | б) максимальную синтезируемую | | | | частоту выше 43,5 ГГц; | | | | в) время переключения с одной | | | | выбранной частоты на другую менее | | | | 1 мс; или | | | | г) фазовый шум одной боковой | | | | полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 | | | | lgf) в единицах (дБ по шкале C | | | | шумомера)/Гц, где F - смещение от | | | | рабочей частоты в Гц, а f - | | | | рабочая частота в МГц | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.1.2.4 не | | | | контролируется аппаратура, | | | | в которой выходная | | | | частота создается либо путем | | | | сложения или вычитания частот с | | | | двух или более кварцевых | | | | генераторов, либо путем сложения | | | | или вычитания с последующим | | | | умножением результирующей частоты | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Для целей подпункта "а" пункта | | | | 3.1.2.4 длительность импульса | | | | определяется как временной | | | | интервал между передним фронтом | | | | импульса, достигающим 90% от | | | | максимума, и задним фронтом | | | | импульса, достигающим 10% от | | | | максимума | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.5. | Схемные анализаторы (панорамные | 9030 40 000 0 | | | измерители полных сопротивлений; | | | | измерители амплитуды, фазы и | | | | групповой задержки двух сигналов | | | | относительно опорного сигнала) с | | | | максимальной рабочей частотой, | | | | превышающей 43,5 ГГц; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.6. | Микроволновые приемники-тестеры, | 8517 69 390 0 | | | имеющие все следующие | | | | характеристики: | | | | а) максимальную рабочую частоту, | | | | превышающую 43,5 ГГц; и | | | | б) способные одновременно измерять | | | | амплитуду и фазу; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие | 8543 20 000 0 | | | любую из следующих характеристик: | | | | а) долговременную стабильность | | | | (старение) меньше (лучше) | | | | -11 | | | | 1 x 10 в месяц; или | | | | б) пригодные для применения в | | | | космосе | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не | | | | контролируются рубидиевые эталоны, | | | | непригодные для применения в | | | | космосе | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Особое примечание. | | | | В отношении атомных эталонов | | | | частоты, указанных в подпункте "б" | | | | пункта 3.1.2.7, см. также пункт | | | | 3.1.1 раздела 2 | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.1.3. | Терморегулирующие системы | 8419 89 989 0; | | | охлаждения диспергированной | 8424 89 000 9; | | | жидкостью, использующие | 8479 89 970 9 | | | оборудование с замкнутым контуром | | | | для перемещения и регенерации | | | | жидкости в герметичной камере, в | | | | которой жидкий диэлектрик | | | | распыляется на электронные | | | | компоненты при помощи специально | | | | разработанных распыляющих сопел, | | | | применяемых для поддержания | | | | температуры электронных | | | | компонентов в пределах их | | | | рабочего диапазона, а также | | | | специально разработанные для них | | | | компоненты | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2. | Испытательное, контрольное и | | | | производственное оборудование | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для | | | | производства полупроводниковых | | | | приборов или материалов и | | | | специально разработанные | | | | компоненты и оснастка для них: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.1. | Оборудование для эпитаксиального | | | | выращивания: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.1.1. | Оборудование, обеспечивающее | 8486 10 000 9 | | | производство любого из следующего: | | | | а) силиконового слоя с отклонением | | | | равномерности его толщины менее | | | | +/- 2,5% на расстоянии 200 мм или | | | | более; или | | | | б) слоя из любого материала, | | | | отличного от силикона, с | | | | отклонением равномерности толщины | | | | менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм | | | | или более; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.1.2. | Установки (реакторы) для | 8486 20 900 9 | | | химического осаждения из паровой | | | | фазы металлоорганических | | | | соединений, специально | | | | разработанные для выращивания | | | | кристаллов полупроводниковых | | | | соединений с использованием | | | | материалов, контролируемых по | | | | пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве | | | | исходных | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Особое примечание. | | | | В отношении оборудования, | | | | указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. | | | | также пункт 3.2.1 раздела 2; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.1.3. | Оборудование для | 8486 10 000 9 | | | молекулярно-эпитаксиального | | | | выращивания с использованием | | | | газообразных или твердых | | | | источников; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.2. | Оборудование, предназначенное для | 8486 20 900 9 | | | ионной имплантации, имеющее любую | | | | из следующих характеристик: | | | | а) энергию пучка (ускоряющее | | | | напряжение) более 1 МэВ; | | | | б) специально спроектированное и | | | | оптимизированное для работы с | | | | энергией пучка (ускоряющим | | | | напряжением) менее 2 кэВ; | | | | в) имеет возможность | | | | непосредственного формирования | | | | рисунка; или | | | | г) энергию пучка 65 кэВ или более | | | | и силу тока пучка 45 мА или более | | | | для высокоэнергетической | | | | имплантации кислорода в нагретую | | | | подложку полупроводникового | | | | материала; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.3. | Оборудование для сухого | | | | анизотропного плазменного | | | | травления: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.3.1. | Оборудование с подачей заготовок | 8486 20 900 2; | | | из кассеты в кассету и шлюзовой | 8456 90 000 0 | | | загрузкой, имеющее любую из | | | | следующих характеристик: | | | | а) разработанное или | | | | оптимизированное для производства | | | | структур с критическим размером | | | | 180 нм или менее и погрешностью | | | | (3 сигма), равной +/- 5%; или | | | | б) разработанное для обеспечения | | | | чистоты лучше 0,04 частицы на | | | | кв. см, при этом измеряемый размер | | | | частицы более 0,1 мкм в диаметре; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.3.2. | Оборудование, специально | 8486 20 900 2; | | | спроектированное для систем, | 8456 90 000 0 | | | контролируемых по пункту 3.2.1.5, | | | | и имеющее любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) разработанное или | | | | оптимизированное для производства | | | | структур с критическим размером | | | | 180 нм или менее и погрешностью | | | | (3 сигма), равной +/- 5%; или | | | | б) разработанное для обеспечения | | | | чистоты лучше 0,04 частицы на | | | | кв. см, при этом измеряемый размер | | | | частицы более 0,1 мкм в диаметре; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.4. | Оборудование химического осаждения | 8486 20 900 9; | | | из паровой фазы с применением | 8419 89 300 0 | | | плазменного разряда, ускоряющего | | | | процесс: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.4.1. | Оборудование с подачей заготовок | | | | из кассеты в кассету и шлюзовой | | | | загрузкой, разработанное в | | | | соответствии с техническими | | | | условиями производителя | | | | или оптимизированное для | | | | использования в производстве | | | | полупроводниковых устройств с | | | | критическим размером 180 нм | | | | или менее; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.4.2. | Оборудование, специально | | | | спроектированное для систем, | | | | контролируемых по пункту 3.2.1.5, | | | | и разработанное в соответствии с | | | | техническими условиями | | | | производителя или оптимизированное | | | | для использования в производстве | | | | полупроводниковых устройств с | | | | критическим размером 180 нм | | | | или менее; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.5. | Автоматически загружаемые | 8456 10 00; | | | многокамерные системы с | 8486 20 900 2; | | | центральной загрузкой | 8456 90 000 0; | | | полупроводниковых пластин | 8486 20 900 3; | | | (подложек), имеющие все следующие | 8479 50 000 0 | | | характеристики: | | | | а) интерфейсы для загрузки и | | | | выгрузки пластин (подложек), к | | | | которым присоединяется более двух | | | | единиц оборудования для обработки | | | | полупроводников; и | | | | б) предназначенные для | | | | интегрированной системы | | | | последовательной многопозиционной | | | | обработки пластин (подложек) в | | | | вакууме | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.2.1.5 не | | | | контролируются автоматические | | | | робототехнические системы | | | | управления загрузкой пластин | | | | (подложек), не предназначенные для | | | | работы в вакууме; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.6. | Оборудование для литографии: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.6.1. | Оборудование для обработки пластин | 8443 39 290 0 | | | с использованием методов | | | | оптической или рентгеновской | | | | литографии с пошаговым совмещением | | | | и экспозицией (непосредственно на | | | | пластине) или сканированием | | | | (сканер), имеющее любое из | | | | следующего: | | | | а) источник света с длиной волны | | | | короче 245 нм; или | | | | б) возможность формирования | | | | рисунка с минимальным разрешаемым | | | | размером элемента 180 нм и менее | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Минимальный разрешаемый размер | | | | элемента (МРР) рассчитывается по | | | | следующей формуле: | | | | МРР = (длина волны источника света | | | | в нанометрах) x (К фактор) / | | | | (числовая апертура), | | | | где К фактор = 0,45; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.6.2. | Оборудование, специально | 8456 10 00; | | | разработанное для изготовления | 8486 20 900 3; | | | шаблонов или производства | 8486 40 000 1 | | | полупроводниковых приборов с | | | | использованием отклоняемого | | | | сфокусированного электронного, | | | | ионного или лазерного пучка, | | | | имеющее любую из следующих | | | | характеристик: | | | | а) размер пятна менее 0,2 мкм; | | | | б) возможность формирования | | | | рисунка с размером элементов менее | | | | 1 мкм; или | | | | в) точность совмещения слоев лучше | | | | +/- 0,20 мкм (3 сигма); | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.7. | Маски и промежуточные шаблоны, | 8486 90 900 3 | | | разработанные для производства | | | | интегральных схем, контролируемых | | | | по пункту 3.1.1; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с | 8486 90 900 3 | | | фазосдвигающим слоем | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.2.1.8 не | | | | контролируются многослойные | | | | шаблоны с фазосдвигающим | | | | слоем, разработанные для | | | | изготовления запоминающих | | | | устройств, не контролируемых по | | | | пункту 3.1.1 | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.2. | Оборудование, специально | | | | разработанное для испытания | | | | готовых или находящихся в разной | | | | степени изготовления | | | | полупроводниковых приборов, и | | | | специально разработанные для этого | | | | компоненты и приспособления: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.2.1. | Для измерения S-параметров | 9031 80 380 0 | | | транзисторных приборов на частотах | | | | выше 31,8 ГГц; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.2.2.2. | Для испытания микроволновых | 9030; | | | интегральных схем, контролируемых | 9031 20 000 0; | | | по пункту 3.1.1.2.2 | 9031 80 380 0 | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3. | Материалы | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.1. | Гетероэпитаксиальные структуры | | | | (материалы), состоящие из подложки | | | | с несколькими последовательно | | | | наращенными эпитаксиальными слоями | | | | любого из следующих материалов: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.1.1. | Кремний; | 3818 00 100 0; | | | | 3818 00 900 0 | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.1.2. | Германий; | 3818 00 900 0 | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.1.3. | Карбид кремния; или | 3818 00 900 0 | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.1.4. | Соединения III/V на основе галлия | 3818 00 900 0 | | | или индия | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Соединения III/V - это либо | | | | поликристаллические, либо бинарные | | | | или многокомпонентные | | | | монокристаллические продукты, | | | | состоящие из элементов групп IIIA | | | | и VA (по отечественной | | | | классификации это группы A3 и B5) | | | | Периодической системы Менделеева | | | | (например, арсенид галлия, | | | | алюмоарсенид галлия, фосфид индия | | | | и тому подобное) | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.2. | Материалы резистов, а также | | | | подложки, покрытые контролируемыми | | | | резистами: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.2.1. | Позитивные резисты, | 3824 90 980 0 | | | предназначенные для | | | | полупроводниковой литографии, | | | | специально приспособленные | | | | (оптимизированные) для | | | | использования на длине волны менее | | | | 350 нм; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для | 3824 90 980 0 | | | использования при экспонировании | | | | электронными или ионными пучками, | | | | с чувствительностью 0,01 | | | | мкКл/кв. мм или лучше; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для | 3824 90 980 0 | | | использования при экспонировании | | | | рентгеновскими лучами, с | | | | чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм | | | | или лучше; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под | 3824 90 980 0 | | | технологии формирования рисунка, | | | | включая силилированные резисты | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Технология силилирования - это | | | | процесс, включающий окисление | | | | поверхности резиста, для повышения | | | | качества мокрого и сухого | | | | проявления | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.3. | Следующие органо-неорганические | | | | соединения: | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.3.1. | Металлоорганические соединения | 2931 00 950 0 | | | алюминия, галлия или индия с | | | | чистотой металлической основы | | | | более 99,999%; | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.3.2. | Органические соединения мышьяка, | 2931 00 950 0 | | | сурьмы и фосфорорганические | | | | соединения с чистотой основы | | | | неорганического элемента более | | | | 99,999% | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.3.3 контролируются | | | | только соединения, металлический, | | | | частично металлический или | | | | неметаллический элемент в которых | | | | непосредственно связан с углеродом | | | | органической части молекулы | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или | 2848 00 000 0; | | | сурьмы, имеющие чистоту более | 2850 00 200 0 | | | 99,999%, даже будучи растворенными | | | | в инертных газах или водороде | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | По пункту 3.3.4 не | | | | контролируются гидриды, содержащие | | | | 20% и более молей инертных газов | | | | или водорода | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.4. | Программное обеспечение | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.4.1. | Программное обеспечение, | | | | специально разработанное для | | | | разработки или производства | | | | оборудования, контролируемого по | | | | пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по | | | | пункту 3.2 | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.4.2. | Программное обеспечение, | | | | специально разработанное для | | | | применения в любом нижеследующем | | | | оборудовании: | | | | а) контролируемом по пунктам | | | | 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или | | | | б) контролируемом по пункту 3.2.2 | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | 3.4.3. | Физически обоснованное программное | | | | обеспечение моделирования, | | | | специально разработанное для | | | | разработки процессов литографии, | | | | травления или осаждения с целью | | | | воплощения маскирующих шаблонов | | | | в конкретные топографические | | | | рисунки на проводниках, | | | | диэлектриках или полупроводниках | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Техническое примечание. | | | | Под термином "физически | | | | обоснованное" в пункте 3.4.3 | | | | понимается использование | | | | вычислений для определения | | | | последовательности физических | | | | факторов и результатов | | | | воздействия, основанных на | | | | физических свойствах (например, | | | | температура, давление, коэффициент | | | | диффузии и полупроводниковые | | | | свойства материалов) | | |-------------------|-------------------------------------|----------------| | | Примечание. | | | | Библиотеки, проектные атрибуты или | | | | сопутствующие данные для | | | | проектирования полупроводниковых | | | | приборов или интегральных схем | | | | рассматриваются как технология | | |