модули отображения информации (табло и экраны стандартных
форматов, в том числе плоские телевизионные дисплеи);
модули позиционирования и ориентирования, отсчета единого
времени;
модули ввода и вывода данных, аналого-цифрового и
цифроаналогового преобразования данных, контроллеров;
модули управления движением (ориентация, стабилизация) и
наведением (в инфракрасном, радиочастотном и телеметрическом режимах);
модули управления бортовыми радиотехническими средствами;
модули охранных систем и блоков управления оптико-электронными и
лазерными средствами наблюдения, измерения и предупреждения об
опасности;
модули контрольно-измерительной радиоэлектронной аппаратуры.
Кроме того, предусматривается разработка базовых конструкторских
решений, обеспечивающих наиболее эффективный способ размещения и
соединения блоков и узлов, повышение механической прочности,
уменьшение габаритных характеристик и оптимизацию тепловых нагрузочных
характеристик радиоаппаратуры. Главными условиями разработки базовых
конструкций являются требование соответствия действующим мировым
стандартам и аналогам, использование магистрально-модульного принципа
при создании аппаратуры двойного и гражданского назначения, учет
требований информационных технологий поддержки жизненного цикла,
обеспечение возможности экспорта аппаратуры с учетом задач
импортозамещения и конкурентоспособности по технико-экономическим
показателям, обеспечение технической и радиотехнической совместимости
с объектами-носителями, использование современных материалов и
технологий формообразования.
В рамках направления "Типовые базовые технологические процессы"
предусматриваются:
разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных
полосковых плат с рабочими частотами до 40 ГГц, адаптированных к новой
электронной компонентной базе сверхвысокочастотного диапазона;
разработка технологии изготовления многослойных высокоплотных
печатных плат, в том числе с прямой металлизацией отверстий;
освоение технологий нанесения новых финишных покрытий
(никель-золото, иммерсионное олово), обеспечивающих повышение
надежности бессвинцовой пайки компонентов, сборку аппаратуры из
электронной компонентной базы в малогабаритных корпусах различного
типа, в том числе с матричным расположением выводов;
освоение производства прецизионных печатных плат 5-го класса;
разработка технологии изготовления печатных плат со встроенными
пассивными интегрированными компонентами, позволяющей сократить на 20
- 30 процентов трудоемкость сборочных работ;
разработка технологии изготовления термонагруженных печатных плат
с большой теплопроводностью и высокими диэлектрическими свойствами;
развитие лазерной технологии изготовления печатных плат;
разработка базовой квазимонолитной технологии монтажа
сверхвысокочастотных специализированных приборов с рабочими частотами
до 5 - 18 ГГц в сочетании с тонкопленочной технологией высокого
уровня;
разработка базовых технологий сборки, монтажа и технологического
контроля унифицированных электронных модулей на основе новой
компонентной базы, новых технологических и конструкционных материалов,
в том числе высокоточное дозирование паст на контактных площадках,
высокоточная установка компонентов без необходимости визуального
контроля и прямого доступа к паяным контактам;
развитие новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе
с применением бессвинцовых припоев;
освоение методов производственного автоматизированного контроля
сборки и пайки элементов различного типа;
разработка новых методов маркировки и нанесения меток
идентификации.
В рамках направления "Развитие технологий создания
радиоэлектронных систем и комплексов" предполагается провести комплекс
исследований и разработок по следующим перспективным направлениям
развития радиоэлектроники:
базовые технологии создания информационно-управляющих систем и
комплексов;
технологии моделирования информационно-управляющих систем,
включая системы реального времени;
технологии обработки информации, адаптации, обучения и
самообучения;
технологии обеспечения информационной безопасности.
В рамках направления "Обеспечивающие работы" предусмотрено
выполнение мероприятий, включающих в себя:
разработку межведомственной информационно-справочной системы и
баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам
проектирования;
разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему
развитию электронной компонентной базы и радиоэлектроники, подготовку
комплектов документов программно-целевого развития радиоэлектронной
техники в интересах обеспечения технологической и информационной
безопасности России;
создание и внедрение методической и научно-технической
документации по проектированию сложной электронной компонентной базы,
унификации электронных модулей и радиоэлектронной аппаратуры,
обеспечению надежности и качества продукции, экологической
безопасности производства, защите интеллектуальной собственности с
учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.
IV. Обоснование ресурсного обеспечения Программы
Расходы на реализацию мероприятий Программы составляют 187000
млн. рублей, в том числе:
за счет средств федерального бюджета - 110000 млн. рублей, из
них:
на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы -
66000 млн. рублей;
на капитальные вложения - 44000 млн. рублей;
за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн. рублей.
Ресурсное обеспечение Программы предусматривает привлечение
средств федерального бюджета и внебюджетных источников.
Объем финансирования научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ по всем направлениям Программы за счет
внебюджетных источников составляет не менее 33000 млн. рублей.
Средствами внебюджетных источников являются средства организаций
- исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные
средства, средства потенциальных потребителей технологий и средства,
полученные от эмиссии акций).
Капитальные вложения направляются на создание и освоение
перспективных технологических процессов изготовления электронной
компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, развитие производств
нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание
объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации
проектов, связанных с техническим перевооружением, организации
привлекают внебюджетные средства в объеме государственных капитальных
вложений. Замещение средств внебюджетных источников, привлекаемых для
выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и
работ по реконструкции и техническому перевооружению организаций,
средствами федерального бюджета не допускается.
Распределение объемов финансирования за счет средств федерального
бюджета по государственным заказчикам Программы приведено в приложении
N 3.
Объемы финансирования Программы за счет средств федерального
бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 4.
V. Механизм реализации Программы
С учетом сложившейся структуры федеральных органов исполнительной
власти и общепромышленного значения выполнения Программы
государственным заказчиком - координатором Программы определено
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, а
государственными заказчиками - Федеральное агентство по
промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное
космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и
Федеральное агентство по образованию.
Управление реализацией Программы, а также контроль за ее
выполнением будет осуществлять государственный заказчик Программы -
Федеральное агентство по промышленности.
Программа имеет межотраслевой характер и отвечает интересам
развития большинства отраслей промышленности, производящих и
потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию.
Управление реализацией Программы будет осуществляться в
соответствии с порядком разработки и реализации федеральных целевых
программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении
которых участвует Российская Федерация, утвержденным Постановлением
Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и
положением об управлении реализацией программ, утверждаемым
Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации.
Для осуществления контроля за выполнением работ создается
научно-технический координационный совет, в состав которого включаются
ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной
базы и радиоэлектроники, представители государственных заказчиков
Программы, а также организаций промышленности, использующих
разрабатываемые в рамках Программы изделия электронной техники и
технологии для создания и производства радиоэлектронных и
радиотехнических систем.
Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по
планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам,
а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.
Для осуществления текущего контроля и анализа хода выполнения
работ в рамках Программы, подготовки материалов и рекомендаций по
управлению реализацией Программы создается автоматизированная
информационно-аналитическая система.
Головные исполнители (исполнители) мероприятий Программы
определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.
Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом
обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации
мероприятий Программы, организуют деятельность соисполнителей.
Федеральное агентство по промышленности, Федеральное космическое
агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное
агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию
ежегодно представляют в Министерство промышленности и энергетики
Российской Федерации отчеты о результатах выполнения работ за
прошедший год и предложения по формированию плана работ на следующий
год.
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации в
установленном порядке представляет в Министерство экономического
развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов
Российской Федерации отчет о выполнении годовых планов и Программы в
целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию
Программы в предстоящем году.
VI. Оценка социально-экономической и экологической
эффективности Программы
За начальный год расчетного периода принимается 1-й год
осуществления инвестиций - 2008 год.
Конечным годом расчетного периода считается год полного освоения
в серийном производстве разработанной за время реализации Программы
продукции на созданных в этот период мощностях.
С учетом того что обновление производственных мощностей
осуществляется в течение всего срока реализации Программы и
завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных
мощностей составляет 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода
принят 2017 год.
Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется
следующими показателями:
налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 198577,2
млн. рублей;
чистый дисконтированный доход - 64374,4 млн. рублей;
бюджетный эффект - 125045,9 млн. рублей.
Индекс доходности (рентабельность) составит:
для всех инвестиций - 1,52;
для бюджетных ассигнований - 2,7.
Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что
свидетельствует об эффективности и устойчивости Программы к возможным
изменениям условий ее реализации.
Расчет показателей социально-экономической эффективности
реализации Программы приведен в приложении N 5. Методика оценки
социально-экономической эффективности реализации Программы приведена в
приложении N 6.
Социальная эффективность реализации Программы обусловлена
количеством создаваемых рабочих мест (6500 - 7000 мест на дату
завершения Программы), а также существенным повышением
технологического уровня новой электронной компонентной базы, который
обеспечит снижение трудовых затрат на создание радиоэлектронной
аппаратуры нового класса и систем и улучшение условий труда.
Разработка электронной компонентной базы нового класса и изделий
радиоэлектроники обеспечит создание широкой номенклатуры аппаратуры и
систем для технического обеспечения решения государственных социальных
программ.
Экологическая эффективность реализации Программы выражается:
в разработке и освоении экологически чистых технологий
производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники
в процессе их производства;
в создании новых видов химической обработки на базе
плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот
и органических растворителей, а также экологически чистых технологий
нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизации и
нейтрализации отходов непосредственно в технологическом цикле;
в применении технологий бессвинцовой сборки и монтажа
радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и
специализированных больших интегрированных схем;
в использовании высокоэффективных методов подготовки чистых сред
и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, применении систем
экологического мониторинга окружающей территории для производства
электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерных
технологических систем обработки структур и приборов в технологических
объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов
контролируемого минимального количества;
в разработке технологий утилизации электронной компонентной базы,
радиоэлектронной аппаратуры в рамках развиваемых технологий
поддержания жизненного цикла.
Новые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные
датчики, сенсоры) и радиоэлектронной аппаратуры контроля и охранных
систем, а также аппаратура, созданная на их основе, будут использованы
при создании более эффективных систем экологического контроля и
мониторинга, раннего предупреждения аварий и техногенных катастроф.
Радиоэлектронная промышленность является самой экологически
чистой отраслью экономики, и положительные результаты, полученные
вследствие улучшения экологической обстановки при совершенствовании
производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники,
могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации,
технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по
замкнутым циклам, получения сверхчистой воды и сверхчистых реактивов,
экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры).
Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
| | Единица | 2007 год | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2015 год |
| | измерения | | | | | | |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Индикатор |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Достигаемый технологический | мкм | 0,18 | 0,18 | 0,13 | 0,13 | 0,1 - 0,09 | 0,045 |
| уровень электроники | | | | | | | |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Показатели |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Увеличение объемов продаж | млрд. рублей | 19 | 58 | 70 | 95 | 130 | 300 |
| изделий электронной и | | | | | | | |
| радиоэлектронной техники | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество разработанных | - | 3 - 5 | 16 - 20 | 80 - 90 | 125 - 135 | 179 - 185 |260 - 270 |
| базовых технологий в области | | | | | | | |
| электронной компонентной базы и | | | | | | | |
| радиоэлектроники (нарастающим | | | | | | | |
| итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество завершенных и | - | - | 6 | 8 | 14 | 27 | 35 |
| разрабатываемых проектов | | | | | | | |
| базовых центров проектирования | | | | | | | |
| функционально сложной | | | | | | | |
| электронной компонентной базы в | | | | | | | |
| организациях электронной | | | | | | | |
| промышленности Роспрома, в том | | | | | | | |
| числе сверхбольших интегральных | | | | | | | |
| схем "система на кристалле" | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | 2 | 2 | 2 | 4 | 7 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | |
| организациях приборостроения и | | | | | | | |
| промышленности средств связи | | | | | | | |
| Роспрома (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | 1 | 4 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | |
| организациях Росатома, | | | | | | | |
| производящих продукцию в | | | | | | | |
| интересах радиоэлектронного | | | | | | | |
| комплекса (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | 11 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | |
| организациях Роскосмоса, | | | | | | | |
| производящих продукцию в | | | | | | | |
| интересах радиоэлектронного | | | | | | | |
| комплекса (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | 1 | 1 | 2 | 2 | 7 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | |
| организациях Рособразования, | | | | | | | |
| производящих продукцию в | | | | | | | |
| интересах радиоэлектронного | | | | | | | |
| комплекса (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | 1 | 1 | 5 | 10 | 23 | 89 |
| технологического перевооружения | | | | | | | |
| электронных производств на | | | | | | | |
| основе передовых технологий в | | | | | | | |
| организациях электронной | | | | | | | |
| промышленности (нарастающим | | | | | | | |
| итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | 11 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | |
| приборостроения и | | | | | | | |
| промышленности средств связи | | | | | | | |
| Роспрома (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | 1 | 9 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | |
| Росатома, производящих | | | | | | | |
| продукцию в интересах | | | | | | | |
| радиоэлектронного комплекса | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | 8 |
| реконструкции и технического | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | |
| Роскосмоса, производящих | | | | | | | |
| продукцию в интересах | | | | | | | |
| радиоэлектронного комплекса | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество завершенных | - | 1 | 3 | 9 | 15 - 17 | 18 - 21 | 32 - 37 |
| поисковых технологических | | | | | | | |
| научно-исследовательских работ | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество реализованных | - | 4 | 11 - 12 | 16 - 20 | 22 - 25 | 36 - 40 | 55 - 60 |
| мероприятий по созданию | | | | | | | |
| электронной компонентной базы, | | | | | | | |
| соответствующей мировому уровню | | | | | | | |
| (типов, классов новой | | | | | | | |
| электронной компонентной базы) | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество создаваемых рабочих | - | 450 | 1020 - | 1800 - | 3000 - | 3800 - | 5000 - |
| мест (нарастающим итогом) | | | 1050 | 2200 | 3800 | 4100 | 6000 |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Приложение N 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
| Мероприятия | 2008 - 2015 | В том числе | Ожидаемые результаты |
| |годы - всего |-------------------------------------------| |
| | | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 |2012 - 2015| |
| | | год | год | год | год | годы | |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| 1. Разработка технологии | 207 | 147 | 60 | | | | создание базовой технологии производства |
| производства мощных | --- | --- | --- | | | | мощных сверхвысокочастотных транзисторов |
| сверхвысокочастотных | 138 | 98 | 40 | | | | на основе гетероструктур материалов |
| транзисторов на основе | | | | | | | группы A B для бортовой и наземной |
| гетероструктур материалов | | | | | | | 3 5 |
| группы A B | | | | | | | аппаратуры (2009 год), разработка |
| 3 5 | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| | | | | | | | технологической и производственной |
| | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| | | | | | | | производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 2. Разработка базовой | 265 | | 60 | 120 | 85 | | создание базовой технологии производства |
| технологии производства | --- | | -- | --- | -- | | монолитных сверхвысокочастотных микросхем |
| монолитных | 175 | | 40 | 79 | 56 | | и объемных приемо-передающих |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | сверхвысокочастотных субмодулей X- |
| микросхем и объемных | | | | | | | диапазона на основе гетероструктур |
| приемо-передающих | | | | | | | материалов группы A B для бортовой и |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | 3 5 |
| субмодулей X-диапазона | | | | | | | наземной аппаратуры радиолокации, средств |
| | | | | | | | связи (2011 год), разработка комплектов |
| | | | | | | | документации в стандартах единой системы |
| | | | | | | | конструкторской, производственной |
| | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| | | | | | | | производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 3. Разработка базовой | 314 | 214 | 100 | | | | создание технологии производства мощных |
| технологии производства | --- | --- | --- | | | | транзисторов сверхвысокочастотного |
| мощных сверх- | 210 | 143 | 67 | | | | диапазона на основе нитридных |
| высокочастотных | | | | | | | гетероэпитаксиальных структур для техники |
| полупроводниковых приборов | | | | | | | связи, радиолокации (2009 год) |
| на основе нитридных | | | | | | | |
| гетеро-эпитаксиальных | | | | | | | |
| структур | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 4. Разработка базовой | 770 | | 136 | 337 | 297 | | создание технологии производства на |
| технологии и библиотеки | --- | | --- | --- | --- | | основе нитридных гетероэпитаксиальных |
| элементов для | 512 | | 90 | 225 | 197 | | структур мощных сверхвысокочастотных |
| проектирования и | | | | | | | монолитных интегральных схем с рабочими |
| производства монолитных | | | | | | | частотами до 20 ГГц для техники связи, |
| интегральных схем | | | | | | | радиолокации (2011 год), разработка |
| сверхвысокочастотного | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| диапазона на основе | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| нитридных | | | | | | | технологической и производственной |
| гетероэпитаксиальных | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| структур | | | | | | | производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 5. Разработка базовой | 237 | 166 | 71 | | | | создание базовой технологии производства |
| технологии производства | --- | --- | -- | | | | компонентов для сверхвысокочастотных |
| сверхвысокочастотных | 151 | 111 | 40 | | | | интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с |
| компонентов и | | | | | | | высокой степенью интеграции для |
| сложнофункциональных | | | | | | | аппаратуры радиолокации и связи бортового |
| блоков для | | | | | | | и наземного применения, а также бытовой и |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | автомобильной электроники (2009 год), |
| интегральных схем высокой | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| степени интеграции на | | | | | | | стандартах единой системы |
| основе гетероструктур | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| "кремний - германий" | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 6. Разработка базовой | 532 | | 100 | 246 | 186 | | создание базовой технологии производства |
| технологии производства | --- | | --- | --- | --- | | сверхвысокочастотных интегральных схем |
| сверхвысокочастотных | 352 | | 64 | 164 | 124 | | диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью |
| интегральных схем высокой | | | | | | | интеграции для аппаратуры радиолокации и |
| степени интеграции на | | | | | | | связи бортового и наземного применения, а |
| основе гетероструктур | | | | | | | также бытовой и автомобильной электроники |
| "кремний - германий" | | | | | | | (2011 год), разработка комплектов |
| | | | | | | | документации в стандартах единой системы |
| | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 7. Разработка аттестованных | 111 | 76 | 35 | | | | разработка аттестованных библиотек |
| библиотек | --- | --- | -- | | | | сложнофункциональных блоков для |
| сложнофункциональных | 81 | 51 | 30 | | | | проектирования широкого спектра |
| блоков для проектирования | | | | | | | сверхвысокочастотных интегральных схем на |
| сверхвысокочастотных и | | | | | | | SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, |
| радиочастотных | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| интегральных | | | | | | | стандартах единой системы |
| схем на основе | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| гетероструктур "кремний - | | | | | | | производственной документации, |
| германий" | | | | | | | ввод в эксплуатацию производственной |
| | | | | | | | линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 8. Разработка базовых | 207 | | 40 | 100 | 67 | | создание базовых технологий |
| технологий проектирования | --- | | -- | --- | -- | | проектирования на основе библиотеки |
| кремний-германиевых | 142 | | 30 | 67 | 45 | | сложнофункциональных блоков широкого |
| сверхвысокочастотных и | | | | | | | спектра сверхвысокочастотных интегральных |
| радиочастотных | | | | | | | схем на SiGe с рабочими частотами до 150 |
| интегральных схем на | | | | | | | ГГц (2011 год), разработка комплектов |
| основе аттестованной | | | | | | | документации в стандартах единой системы |
| библиотеки | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| сложнофункциональных | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| блоков | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 9. Разработка базовых | 120 | 60 | 60 | | | | создание базовых технологий производства |
| технологий производства | --- | -- | -- | | | | элементной базы для высокоплотных |
| элементной базы для ряда | 80 | 40 | 40 | | | | источников вторичного электропитания |
| силовых герметичных | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов и узлов |
| модулей высокоплотных | | | | | | | аппаратуры (2009 год), разработка |
| источников вторичного | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| электропитания вакуумных и | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| твердотельных | | | | | | | технологической и производственной |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| приборов и узлов | | | | | | | производственной линии |
| аппаратуры | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 10. Разработка базовых | 153 | | | 89 | 64 | | создание базовых конструкций и |
| технологий производства | --- | | | -- | -- | | технологии производства |
| ряда силовых герметичных | 102 | | | 60 | 42 | | высокоэффективных, высокоплотных |
| модулей высокоплотных | | | | | | | источников вторичного электропитания |
| источников вторичного | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов и узлов |
| электропитания вакуумных | | | | | | | аппаратуры на основе гибридно-пленочной |
| и твердотельных | | | | | | | технологии с применением бескорпусной |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | элементной базы (2011 год), разработка |
| приборов и узлов | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| аппаратуры | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| | | | | | | | технологической и производственной |
| | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| | | | | | | | производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 11. Разработка базовых | 124 | 74 | 50 | | | | создание технологии массового |
| конструкций и технологии | --- | -- | -- | | | | производства ряда корпусов мощных |
| производства корпусов | 85 | 52 | 33 | | | | сверхвысокочастотных приборов для |
| мощных | | | | | | | "бессвинцовой" сборки (2009 год), |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| транзисторов X-, C-, S-, | | | | | | | стандартах единой системы |
| L- и P-диапазонов из | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| малотоксичных материалов с | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| высокой теплопроводностью | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 12. Разработка базовых | 150 | | 45 | 60 | 45 | | создание базовых конструктивных рядов |
| конструкций | --- | | -- | -- | -- | | элементов систем охлаждения аппаратуры |
| теплоотводящих элементов | 97 | | 30 | 40 | 27 | | X- и C-диапазонов наземных, корабельных |
| систем охлаждения | | | | | | | и воздушно-космических комплексов |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | |
| приборов X- и C- | | | | | | | |
| диапазонов на основе | | | | | | | |
| новых материалов | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 13. Разработка базовой | 93 | | | 60 | 33 | | создание технологии массового |
| технологии производства | -- | | | -- | -- | | производства конструктивного ряда |
| теплоотводящих элементов | 62 | | | 32 | 30 | | элементов систем охлаждения аппаратуры |
| систем охлаждения | | | | | | | X- и C-диапазонов наземных, корабельных |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | и воздушно-космических комплексов (2011 |
| приборов X- и C- | | | | | | | год), разработка комплектов документации |
| диапазонов на основе | | | | | | | в стандартах единой системы |
| новых материалов | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 14. Разработка базовых | 96 | 53 | 43 | | | | создание технологии массового |
| технологий производства | -- | -- | -- | | | | производства конструктивного ряда |
| суперлинейных кремниевых | 62 | 35 | 27 | | | | сверхвысокочастотных транзисторов S- и |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | L-диапазонов для техники связи, локации |
| транзисторов S- и L- | | | | | | | и контрольной аппаратуры (2009 год), |
| диапазонов | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| | | | | | | | стандартах единой системы |
| | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 15. Разработка конструктивно- | 170 | | | 95 | 75 | | создание конструктивно-параметрического |
| параметрического ряда | --- | | | -- | -- | | ряда сверхвысокочастотных транзисторов |
| суперлинейных | 116 | | | 70 | 46 | | S- и L-диапазонов для техники связи, |
| кремниевых | | | | | | | локации и контрольной аппаратуры, |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| транзисторов S- и L- | | | | | | | стандартах единой системы |
| диапазонов | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 16. Разработка технологии | 87 | 45 | 42 | | | | разработка метрологической аппаратуры |
| измерений и базовых | -- | -- | -- | | | | нового поколения для исследования и |
| конструкций установок | 57 | 27 | 30 | | | | контроля параметров полупроводниковых |
| автоматизированного | | | | | | | структур, активных элементов и |
| измерения параметров | | | | | | | сверхвысокочастотных монолитных |
| нелинейных моделей | | | | | | | интегральных схем в производстве и при |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | их использовании |
| полупроводниковых | | | | | | | |
| структур, мощных | | | | | | | |
| транзисторов и | | | | | | | |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | |
| монолитных интегральных | | | | | | | |
| схем X-, C-, S-, L- и | | | | | | | |
| P-диапазонов для их | | | | | | | |
| массового производства | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 17. Исследование и разработка | 104 | 54 | 50 | | | | создание технологии унифицированных |
| базовых технологий для | --- | -- | -- | | | | сверхширокополосных приборов среднего и |
| создания нового поколения | 69 | 36 | 33 | | | | большого уровня мощности сантиметрового |
| мощных вакуумно- | | | | | | | диапазона длин волн и |
| твердотельных | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | магнитоэлектрических приборов для |
| приборов и гибридных | | | | | | | перспективных радиоэлектронных систем и |
| малогабаритных | | | | | | | аппаратуры связи космического |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | базирования (2009 год), разработка |
| модулей с улучшенными | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| массогабаритными | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| характеристиками, | | | | | | | технологической и производственной |
| магнитоэлектрических | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| приборов | | | | | | | производственной линии |
| сверхвысокочастотного | | | | | | | |
| диапазона, в том числе | | | | | | | |
| циркуляторов и | | | | | | | |
| фазовращателей, вентилей, | | | | | | | |
| высокодобротных | | | | | | | |
| резонаторов, | | | | | | | |
| перестраиваемых фильтров, | | | | | | | |
| микроволновых приборов со | | | | | | | |
| спиновым управлением для | | | | | | | |
| перспективных | | | | | | | |
| радиоэлектронных систем | | | | | | | |
| двойного назначения | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 18. Разработка базовых | 141 | | | 89 | 52 | | разработка конструктивных рядов и |
| конструкций и технологии | --- | | | -- | -- | | базовых технологий производства |
| производства нового | 95 | | | 60 | 35 | | сверхширокополосных приборов среднего и |
| поколения мощных | | | | | | | большого уровня мощности сантиметрового |
| вакуумно-твердотельных | | | | | | | диапазона длин волн и |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| приборов и гибридных | | | | | | | магнитоэлектрических приборов для |
| малогабаритных | | | | | | | перспективных радиоэлектронных систем и |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | аппаратуры связи космического |
| модулей с улучшенными | | | | | | | базирования (2011 год), разработка |
| массогабаритными | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| характеристиками, | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| магнитоэлектрических | | | | | | | технологической и производственной |
| приборов | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| сверхвысокочастотного | | | | | | | производственной линии |
| диапазона, в том числе | | | | | | | |
| циркуляторов и | | | | | | | |
| фазовращателей, вентилей, | | | | | | | |
| высокодобротных | | | | | | | |
| резонаторов, | | | | | | | |
| перестраиваемых фильтров, | | | | | | | |
| микроволновых приборов со | | | | | | | |
| спиновым управлением для | | | | | | | |
| перспективных | | | | | | | |
| радиоэлектронных систем | | | | | | | |
| двойного назначения | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 19. Исследование и разработка | 85 | 45 | 40 | | | | создание технологических процессов |
| процессов и базовых | -- | -- | -- | | | | производства нанопленочных |
| технологий нанопленочных | 57 | 30 | 27 | | | | малогабаритных сверхвысокочастотных |
| малогабаритных | | | | | | | резисторно-индуктивно-емкостных матриц |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | многофункционального назначения для |
| резисторно-индуктивно- | | | | | | | печатного монтажа (2008 год), создание |
| емкостных матриц | | | | | | | базовой технологии получения |
| многофункционального | | | | | | | сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) |
| назначения для печатного | | | | | | | приборов на наногетероструктурах с |
| монтажа и | | | | | | | квантовыми эффектами (2009 год), |
| сверхбыстродействующих | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| (до 150 ГГц) приборов на | | | | | | | стандартах единой системы |
| наногетероструктурах с | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| квантовыми дефектами | | | | | | | производственной документации, |
| | | | | | | | ввод в эксплуатацию производственной |
| | | | | | | | линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 20. Разработка базовых | 85 | | | 45 | 40 | | создание конструктивных рядов и базовых |
| конструкций и технологии | -- | | | -- | -- | | технологий производства нанопленочных |
| производства | 57 | | | 30 | 27 | | малогабаритных сверхвысокочастотных |
| нанопленочных | | | | | | | резисторно-индуктивно-емкостных матриц |
| малогабаритных | | | | | | | многофункционального назначения для |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | печатного монтажа (2011 год), разработка |
| резисторно-индуктивно- | | | | | | | комплектов документации в стандартах |
| емкостных матриц | | | | | | | единой системы конструкторской, |
| многофункционального | | | | | | | технологической и производственной |
| назначения для печатного | | | | | | | документации, ввод в эксплуатацию |
| монтажа | | | | | | | производственной линии |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 21. Разработка базовой | 156 | 86 | 70 | | | | создание базовой технологии производства |
| технологии | --- | -- | -- | | | | элементов и специальных элементов и |
| сверхвысокочастотных p-i- | 104 | 57 | 47 | | | | блоков портативной аппаратуры |
| n диодов, матриц, узлов | | | | | | | миллиметрового диапазона длин волн для |
| управления и портативных | | | | | | | нового поколения средств связи, |
| фазированных блоков | | | | | | | радиолокационных станций, |
| аппаратуры миллиметрового | | | | | | | радионавигации, измерительной техники, |
| диапазона длин волн на | | | | | | | автомобильных радаров, охранных и |
| основе магнитоэлектронных | | | | | | | сигнальных устройств (2009 год), |
| твердотельных и | | | | | | | разработка комплектов документации в |
| высокоскоростных цифровых | | | | | | | стандартах единой системы |
| приборов и устройств с | | | | | | | конструкторской, технологической и |
| функциями адаптации и | | | | | | | производственной документации, ввод в |
| цифрового | | | | | | | эксплуатацию производственной линии |
| диаграммообразования | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 22. Разработка базовых | 2670 | 375 | 420 | 450 | 525 | 900 | создание конструктивных рядов и базовых |
| технологий создания | ---- | --- | --- | --- | --- | --- | технологий проектирования и производства |
| мощных вакуумных | 1780 | 250 | 280 | 300 | 350 | 600 | мощных и сверхмощных вакуумных |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов для |
| устройств | | | | | | | аппаратуры широкого назначения нового |
| | | | | | | | поколения (2009 год, 2011 год), включая |
| | | | | | | | разработку: |
| | | | | | | | конструкций многолучевых |
| | | | | | | | электронно-оптических систем, включая |
| | | | | | | | автоэмиссионные катоды повышенной |
| | | | | | | | мощности и долговечности (2012 год); |
| | | | | | | | мощных широкополосных ламп бегущей |
| | | | | | | | волны импульсного и непрерывного |
| | | | | | | | действия, магнетронов, тетродов |
| | | | | | | | миллиметрового диапазона (2013 год); |
| | | | | | | | малогабаритных ускорителей |
| | | | | | | | электронов с энергией до 10 МЭВ для |
| | | | | | | | терапевтических и технических приложений |
| | | | | | | | (2014 год) |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 23. Разработка базовых | 1785 | 150 | 300 | 300 | 135 | 900 | создание базовых конструкций и |
| технологий создания | ---- | --- | --- | --- | --- | --- | технологий изготовления |
| мощных твердотельных | 1190 | 100 | 200 | 200 | 90 | 600 | сверхвысокочастотных мощных приборов на |
| сверхвысокочастотных | | | | | | | структурах с использованием нитрида |
| устройств на базе нитрида | | | | | | | галлия (2008 год, 2010 год), включая: |
| галлия | | | | | | | создание гетеропереходных полевых |
| | | | | | | | транзисторов с диодом Шоттки с удельной |
| | | | | | | | мощностью до 30 - 40 Вт/мм и рабочими |
| | | | | | | | напряжениями до 100 В; |
| | | | | | | | исследования и разработку |
| | | | | | | | технологий получения гетероструктур на |
| | | | | | | | основе слоев нитрида галлия на изоляторе |
| | | | | | | | и высокоомных подложках (2013 год); |
| | | | | | | | разработка технологии получения |
| | | | | | | | интегральных схем, работающих в |
| | | | | | | | экстремальных условиях (2015 год) |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 24. Исследование | 1080 | | | | | 1080 | исследование технологических принципов |
| перспективных типов | ---- | | | | | ---- | формирования перспективных |
| сверхвысокочастотных | 720 | | | | | 720 | сверхвысокочастотных приборов и |
| приборов и структур, | | | | | | | структур, включая создание |
| разработка | | | | | | | наногетероструктур, использование |
| технологических принципов | | | | | | | комбинированных (электронных и |
| их изготовления | | | | | | | оптических методов передачи и |
| | | | | | | | преобразования сигналов), определение |
| | | | | | | | перспективных методов формирования |
| | | | | | | | приборных структур, работающих в |
| | | | | | | | частотных диапазонах до 200 ГГц |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 25. Разработка перспективных | 1050 | | | | | 1050 | создание полного состава прикладных |
| методов проектирования и | ---- | | | | | ---- | программ проектирования и оптимизации |
| моделирования | 700 | | | | | 700 | сверхвысокочастотной электронной |
| сложнофункциональной | | | | | | | компонентной базы, включая |
| сверхвысокочастотной | | | | | | | проектирование активных приборов, |
| электронной компонентной | | | | | | | полосковых линий передачи, согласующих |
| базы | | | | | | | компонентов, формируемых в едином |
| | | | | | | | технологическом процессе |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| Всего по направлению 1 | 10791 | 1545 | 1722 |1930,5 |1603,5 | 3930 | |
| | ---- | ---- | ---- |------ |------ | ---- | |
| | 7194 | 1030 | 1148 | 1327 | 1069 | 2620 | |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| 26. Разработка базовой | 151 | 71 | 80 | | | | создание технологии изготовления |
| технологии радиационно | ----- | ---- | ---- | | | | микросхем с размерами элементов 0,5 мкм |
| стойких сверхбольших | 100,8 | 47,4 | 53,4 | | | | на структурах "кремний на сапфире" |
| интегральных схем уровня | | | | | | | диаметром 150 мм (2009 год), разработка |
| 0,5 мкм на структурах | | | | | | | правил проектирования базовых библиотек |
| "кремний на сапфире" | | | | | | | элементов и блоков цифровых и аналоговых |
| диаметром 150 мм | | | | | | | сверхбольших интегральных схем |
| | | | | | | | расширенной номенклатуры для организации |
| | | | | | | | производства радиационно стойкой |
| | | | | | | | элементной базы, обеспечивающей выпуск |
| | | | | | | | специальной аппаратуры и систем, |
| | | | | | | | работающих в экстремальных условиях |
| | | | | | | | (атомная энергетика, космос, военная |
| | | | | | | | техника) |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 27. Разработка базовой | 315,4 | | | 59,4 | 256 | | создание технологии изготовления |
| технологии радиационно | ----- | | | ---- | ----- | | микросхем с размерами элементов |
| стойких сверхбольших | 210,3 | | | 39,6 | 170,7 | | 0,35 мкм на структурах "кремний на |
| интегральных схем уровня | | | | | | | сапфире" диаметром 150 мм (2011 год), |
| 0,35 мкм на структурах | | | | | | | разработка правил проектирования базовых |
| "кремний на сапфире" | | | | | | | библиотек элементов и блоков цифровых и |
| диаметром 150 мм | | | | | | | аналоговых сверхбольших интегральных |
| | | | | | | | схем, обеспечивающих создание расширенной |
| | | | | | | | номенклатуры быстродействующей и |
| | | | | | | | высокоинтегрированной радиационно стойкой |
| | | | | | | | элементной базы |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 28. Разработка технологии | 155 | 71 | 84 | | | | создание технологического базиса |
| проектирования и | ----- | ---- | -- | | | | (технология проектирования, базовые |
| конструктивно- | 103,4 | 47,4 | 56 | | | | технологии), позволяющего разрабатывать |
| технологических решений | | | | | | | радиационно стойкие сверхбольшие |
| библиотеки логических и | | | | | | | интегральные схемы на структурах |
| аналоговых элементов, | | | | | | | "кремний на изоляторе" с проектной |
| оперативных запоминающих | | | | | | | нормой до 0,25 мкм (2009 год) |
| устройств, постоянных | | | | | | | |
| запоминающих устройств, | | | | | | | |
| сложнофункциональных | | | | | | | |
| радиационно стойких | | | | | | | |
| блоков контроллеров по | | | | | | | |
| технологии "кремний на | | | | | | | |
| изоляторе" с проектными | | | | | | | |
| нормами до 0,25 мкм | | | | | | | |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 29. Разработка технологии | 360,1 | | |81,5 | 278,6 | | создание технологического базиса |
| проектирования и | ----- | | |---- | ----- | | (технология проектирования, базовые |
| конструктивно- | 240 | | |54,3 | 185,7 | | технологии), позволяющего разрабатывать |
| технологических решений | | | | | | | радиационно стойкие сверхбольшие |
| библиотеки логических и | | | | | | | интегральные схемы на структурах |
| аналоговых элементов, | | | | | | | "кремний на изоляторе" с проектной |
| оперативных запоминающих | | | | | | | нормой до 0,18 мкм |
| устройств, постоянных | | | | | | | |
| запоминающих устройств, | | | | | | | |
| сложнофункциональных | | | | | | | |
| радиационно стойких | | | | | | | |
| блоков контроллеров по | | | | | | | |
| технологии "кремний на | | | | | | | |
| изоляторе" с проектными | | | | | | | |
|