| 79. Разработка базовых | 105 | | | 61 | 44 | | создание технологии получения алмазных | | технологий получения | --- | | | -- | -- | | полупроводниковых наноструктур и | | алмазных полупроводниковых | 70 | | | 41 | 29 | | наноразмерных органических покрытий, | | наноструктур и | | | | | | | алмазных полупроводящих пленок для | | наноразмерных органических | | | | | | | конкурентоспособных высокотемпературных и | | покрытий с широким | | | | | | | радиационно стойких устройств и приборов | | диапазоном функциональных | | | | | | | двойного назначения (2011 год) | | свойств | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 80. Исследование и разработка | 141 | 57 | 84 | | | | создание технологии изготовления | | технологии роста | --- | -- | -- | | | | гетероструктур и эпитаксиальных структур | | эпитаксиальных слоев | 93 | 38 | 55 | | | | на основе нитридов для создания | | карбида кремния, структур | | | | | | | радиационно стойких сверхвысокочастотных | | на основе нитридов, а | | | | | | | и силовых приборов нового поколения | | также формирования | | | | | | | (2009 год) | | изолирующих и | | | | | | | | | коммутирующих слоев в | | | | | | | | | приборах экстремальной | | | | | | | | | электроники | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 81. Разработка технологии | 160 | 52 | 108 | | | | создание технологии производства структур | | производства радиационно | --- | -- | --- | | | | "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм | | стойких сверхбольших | 90 | 35 | 55 | | | | с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и | | интегральных схем на | | | | | | | топологическими нормами до 0,18 мкм для | | ультратонких | | | | | | | производства электронной компонентной | | гетероэпитаксиальных | | | | | | | базы специального и двойного назначения | | структурах кремния на | | | | | | | (2009 год) | | сапфировой подложке для | | | | | | | | | производства электронной | | | | | | | | | компонентной базы | | | | | | | | | специального и двойного | | | | | | | | | назначения | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 82. Разработка технологии | 146 | 54 | 92 | | | | создание технологии производства | | производства высокоомного | --- | -- | -- | | | | радиационно облученного кремния и пластин | | радиационно облученного | 96 | 36 | 60 | | | | кремния до 150 мм для выпуска мощных | | кремния, слитков и пластин | | | | | | | транзисторов и сильноточных тиристоров | | кремния диаметром до 150 | | | | | | | нового поколения (2009 год) | | мм для производства | | | | | | | | | силовых полупроводниковых | | | | | | | | | приборов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 83. Разработка технологии | 92 | 36 | 56 | | | | разработка и промышленное освоение | | производства кремниевых | -- | -- | -- | | | | получения высококачественных подложек и | | подложек и структур для | 63 | 24 | 39 | | | | структур для использования в производстве | | силовых полупроводниковых | | | | | | | силовых полупроводниковых приборов, с | | приборов с глубокими | | | | | | | глубокими высоколегированными слоями и | | высоколегированными слоями | | | | | | | скрытыми слоями носителей с повышенной | | p- и n-типов проводимости | | | | | | | рекомбинацией (2009 год) | | и скрытыми слоями | | | | | | | | | носителей с повышенной | | | | | | | | | рекомбинацией | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 84. Разработка технологии | 216 | 72 | 144 | | | | создание технологии производства пластин | | производства электронного | --- | -- | --- | | | | кремния диаметром до 200 мм и | | кремния, кремниевых | 162 | 48 | 114 | | | | эпитаксиальных структур уровня 0,25 - | | пластин диаметром | | | | | | | 0,18 мкм (2009 год) | | до 200 мм и кремниевых | | | | | | | | | эпитаксиальных структур | | | | | | | | | уровня технологии | | | | | | | | | 0,25 - 0,18 мкм | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 85. Разработка методологии, | 232 | | | 109 | 123 | | разработка технологии корпусирования | | конструктивно-технических | --- | | | --- | --- | | интегральных схем и полупроводниковых | | решений и перспективной | 161 | | | 78 | 83 | | приборов на основе использования | | базовой технологии | | | | | | | многослойных кремниевых структур со | | корпусирования | | | | | | | сквозными токопроводящими каналами, | | интегральных схем и | | | | | | | обеспечивающей сокращение состава | | полупроводниковых приборов | | | | | | | сборочных операций и формирование | | на основе использования | | | | | | | трехмерных структур (2010 год, 2011 год) | | многослойных кремниевых | | | | | | | | | структур со сквозными | | | | | | | | | токопроводящими каналами | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 86. Разработка технологии | 220 | | | 85 | 135 | | создание базовой технологии производства | | производства | --- | | | -- | --- | | гетероструктур SiGe для выпуска | | гетероструктур SiGe для | 143 | | | 53 | 90 | | быстродействующих сверхбольших | | разработки сверхбольших | | | | | | | интегральных схем с топологическими | | интегральных схем с | | | | | | | нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011 | | топологическими нормами | | | | | | | год) | | 0,25 - 0,18 мкм | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 87. Разработка технологии | 46 | 28 | 18 | | | | создание технологии выращивания и | | выращивания и обработки, в | -- | -- | -- | | | | обработки пьезоэлектрических материалов | | том числе | 34 | 22 | 12 | | | | акустоэлектроники и акустооптики для | | плазмохимической, новых | | | | | | | обеспечения производства широкой | | пьезоэлектрических | | | | | | | номенклатуры акустоэлектронных устройств | | материалов для | | | | | | | нового поколения (2009 год) | | акустоэлектроники и | | | | | | | | | акустооптики | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 88. Разработка технологий | 87 | | | 32 | 55 | | создание технологии массового | | производства | -- | | | -- | -- | | производства исходных материалов и | | соединений A B и тройных | 58 | | | 22 | 36 | | структур для перспективных приборов | | 3 5 | | | | | | | лазерной и оптоэлектронной техники, в том | | структур для: | | | | | | | числе: | | производства сверхмощных | | | | | | | производства сверхмощных лазерных диодов | | лазерных диодов; | | | | | | | (2010 год); | | высокоэффективных | | | | | | | высокоэффективных светодиодов белого, | | светодиодов белого, | | | | | | | зеленого, синего и ультрафиолетового | | зеленого, синего и | | | | | | | диапазонов (2011 год); | | ультрафиолетового | | | | | | | фотоприемников среднего инфракрасного | | диапазонов; | | | | | | | диапазона (2011 год) | | фотоприемников среднего | | | | | | | | | инфракрасного диапазона | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 89. Исследование и разработка | 48 | 30 | 18 | | | | создание технологии производства | | технологии получения | -- | -- | -- | | | | принципиально новых материалов | | гетероструктур с | 33 | 22 | 11 | | | | полупроводниковой электроники на основе | | вертикальными оптическими | | | | | | | сложных композиций для перспективных | | резонаторами на основе | | | | | | | приборов лазерной и оптоэлектронной | | квантовых ям и квантовых | | | | | | | техники (2009 год) | | точек для производства | | | | | | | | | вертикально излучающих | | | | | | | | | лазеров для устройств | | | | | | | | | передачи информации и | | | | | | | | | матриц для оптоэлектронных | | | | | | | | | переключателей нового | | | | | | | | | поколения | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 90. Разработка технологии | 86 | | | 32 | 54 | | создание технологии производства | | производства современных | -- | | | -- | -- | | компонентов для специализированных | | компонентов для | 57 | | | 22 | 35 | | электронно-лучевых (2010 год), | | специализированных | | | | | | | электронно-оптических и отклоняющих | | фотоэлектронных приборов, | | | | | | | систем (2010 год), | | в том числе: | | | | | | | стеклооболочек и деталей из | | катодов и | | | | | | | электровакуумного стекла различных марок | | газопоглотителей; | | | | | | | (2011 год) | | электронно-оптических и | | | | | | | | | отклоняющих систем; | | | | | | | | | стеклооболочек и деталей | | | | | | | | | из электровакуумного | | | | | | | | | стекла различных марок | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 91. Разработка технологии | 47 | 30 | 17 | | | | создание технологии производства особо | | производства особо тонких | -- | -- | -- | | | | тонких гетерированных нанопримесями | | гетерированных | 32 | 20 | 12 | | | | полупроводниковых структур для | | нанопримесями | | | | | | | изготовления высокоэффективных | | полупроводниковых структур | | | | | | | фотокатодов электронно-оптических | | для высокоэффективных | | | | | | | преобразователей и фотоэлектронных | | фотокатодов, электронно- | | | | | | | умножителей, приемников инфракрасного | | оптических | | | | | | | диапазона, солнечных элементов и других | | преобразователей и | | | | | | | приложений (2009 год) | | фотоэлектронных | | | | | | | | | умножителей, приемников | | | | | | | | | инфракрасного диапазона и | | | | | | | | | солнечных элементов с | | | | | | | | | высокими значениями | | | | | | | | | коэффициента полезного | | | | | | | | | действия | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 92. Разработка базовой | 85 | | | 32 | 53 | | создание технологии монокристаллов AlN | | технологии производства | -- | | | -- | -- | | для изготовления изолирующих и проводящих | | монокристаллов AlN для | 58 | | | 22 | 36 | | подложек для создания полупроводниковых | | изготовления изолирующих и | | | | | | | высокотемпературных и мощных | | проводящих подложек для | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов нового | | гетероструктур | | | | | | | поколения (2011 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 93. Разработка базовой | 47 | 30 | 17 | | | | создание базовой технологии вакуумно- | | технологии производства | -- | -- | -- | | | | плотной спецстойкой керамики из | | наноструктурированных | 32 | 20 | 12 | | | | нанокристаллических порошков и нитридов | | оксидов металлов (корунда | | | | | | | металлов для промышленного освоения | | и т.п.) для производства | | | | | | | спецстойких приборов нового поколения | | вакуумно-плотной | | | | | | | (2009 год), в том числе микрочипов, | | нанокерамики, в том числе | | | | | | | сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC- | | с заданными оптическими | | | | | | | матриц, а также особо прочной электронной | | свойствами | | | | | | | компонентной базы оптоэлектроники и | | | | | | | | | фотоники | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 94. Разработка базовой | 86 | | | 33 | 53 | | создание технологии производства | | технологии производства | -- | | | -- | -- | | полимерных и композиционных материалов с | | полимерных и гибридных | 58 | | | 21 | 37 | | использованием поверхностной и объемной | | органо-неорганических | | | | | | | модификации полимеров | | наноструктурированных | | | | | | | наноструктурированными наполнителями для | | защитных материалов для | | | | | | | создания изделий с высокой механической, | | электронных компонентов | | | | | | | термической и радиационной стойкостью при | | нового поколения | | | | | | | работе в условиях длительной эксплуатации | | прецизионных и | | | | | | | и воздействии комплекса специальных | | сверхвысокочастотных | | | | | | | внешних факторов (2011 год) | | резисторов, терминаторов, | | | | | | | | | аттенюаторов и резисторно- | | | | | | | | | индукционно-емкостных | | | | | | | | | матриц, стойких к | | | | | | | | | воздействию комплекса | | | | | | | | | специальных внешних | | | | | | | | | факторов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 95. Исследование и разработка | 1395 | | | | | 1395 | создание базовой технологии производства | | перспективных | ---- | | | | | ---- | гетероструктур, структур и псевдоморфных | | гетероструктурных и | 930 | | | | | 930 | структур на подложках InP для | | наноструктурированных | | | | | | | перспективных полупроводниковых приборов | | материалов с | | | | | | | и сверхвысокочастотных монолитных | | экстремальными | | | | | | | интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц | | характеристиками для | | | | | | | (2012 год), создание технологии получения | | перспективных электронных | | | | | | | алмазных полупроводниковых наноструктур и | | приборов и | | | | | | | наноразмерных органических покрытий (2013 | | радиоэлектронной | | | | | | | год), алмазных полупроводящих пленок для | | аппаратуры специального | | | | | | | конкурентоспособных высокотемпературных и | | назначения | | | | | | | радиационно стойких устройств и приборов | | | | | | | | | двойного назначения, создание технологии | | | | | | | | | изготовления гетероструктур и | | | | | | | | | эпитаксиальных структур на основе | | | | | | | | | нитридов (2015 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 96. Исследование и разработка | 1395 | | | | | 1395 | создание нового класса конструкционных и | | экологически чистых | ---- | | | | | ---- | технологических материалов для уровней | | материалов и методов их | 930 | | | | | 930 | технологии 0,065 - 0,032 мкм и | | использования в | | | | | | | обеспечения высокого процента выхода | | производстве электронной | | | | | | | годных изделий, экологических требований | | компонентной базы и | | | | | | | по международным стандартам (2012 год, | | радиоаппаратуры, включая | | | | | | | 2015 год) | | бессвинцовые композиции | | | | | | | | | для сборки | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 97. Разработка перспективных | 1380 | | | | | 1380 | создание перспективных технологий | | технологий получения | ---- | | | | | ---- | производства компонентов для | | ленточных материалов | 920 | | | | | 920 | специализированных электронно-лучевых, | | (полимерные, | | | | | | | электронно-оптических и отклоняющих | | металлические, | | | | | | | систем, стеклооболочек и деталей из | | плакированные и другие) | | | | | | | электровакуумного стекла различных марок | | для радиоэлектронной | | | | | | | (2013 год), создание технологии | | аппаратуры и сборочных | | | | | | | производства полимерных и композиционных | | операций электронной | | | | | | | материалов с использованием поверхностной | | компонентной базы | | | | | | | и объемной модификации полимеров | | | | | | | | | наноструктурированными наполнителями | | | | | | | | | (2015 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | Всего по направлению 5 | 6864 | 612 | 702 | 663 | 717 | 4170 | | | | ---- | --- | --- | --- | --- | ---- | | | | 4576 | 408 | 468 | 442 | 478 | 2780 | | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 98. Разработка технологии | 33 | 18 | 15 | | | | разработка расширенного ряда резонаторов | | выпуска прецизионных | -- | -- | -- | | | | с повышенной кратковременной и | | температуростабильных | 22 | 12 | 10 | | | | долговременной стабильностью для создания | | высокочастотных | | | | | | | контрольной аппаратуры и техники связи | | до 1,5 - 2 ГГц резонаторов | | | | | | | двойного назначения | | на поверхностно | | | | | | | | | акустических волнах до 1,5 | | | | | | | | | ГГц с полосой до 70 | | | | | | | | | процентов и длительностью | | | | | | | | | сжатого сигнала до 2 - 5 | | | | | | | | | нс | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 99. Разработка в лицензируемых | 120 | | 21 | 48 | 51 | | создание технологии и конструкции | | и нелицензируемых | --- | | -- | -- | -- | | акустоэлектронных пассивных и активных | | международных частотных | 80 | | 14 | 32 | 34 | | меток-транспондеров для применения в | | диапазонах 860 МГц и 2,45 | | | | | | | логистических приложениях на транспорте, | | ГГц ряда радиочастотных | | | | | | | в торговле и промышленности (2010 год, | | пассивных и активных | | | | | | | 2011 год) | | акустоэлектронных меток- | | | | | | | | | транспондеров, в том числе | | | | | | | | | работающих в реальной | | | | | | | | | помеховой обстановке, для | | | | | | | | | систем радиочастотной | | | | | | | | | идентификации и систем | | | | | | | | | управления доступом | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 100. Разработка базовой | 32 | 17 | 15 | | | | создание технологии проектирования и | | конструкции и промышленной | -- | -- | -- | | | | базовых конструкций пьезоэлектрических | | технологии производства | 21 | 11 | 10 | | | | фильтров в малогабаритных корпусах для | | пьезокерамических фильтров | | | | | | | поверхностного монтажа при изготовлении | | в корпусах для | | | | | | | техники связи массового применения (2009 | | поверхностного монтажа | | | | | | | год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 101. Разработка технологии | 39 | 39 | | | | | создание базовой технологии | | проектирования, базовой | -- | -- | | | | | акустоэлектронных приборов для | | технологии производства и | 26 | 26 | | | | | перспективных систем связи, измерительной | | конструирования | | | | | | | и навигационной аппаратуры нового | | акустоэлектронных | | | | | | | поколения - подвижных, спутниковых, | | устройств нового поколения | | | | | | | тропосферных и радиорелейных линий связи, | | и фильтров промежуточной | | | | | | | цифрового интерактивного телевидения, | | частоты с высокими | | | | | | | радиоизмерительной аппаратуры, | | характеристиками для | | | | | | | радиолокационных станций, спутниковых | | современных систем связи, | | | | | | | навигационных систем (2008 год) | | включая | | | | | | | | | высокоизбирательные | | | | | | | | | высокочастотные устройства | | | | | | | | | частотной селекции на | | | | | | | | | поверхностных и | | | | | | | | | приповерхностных волнах и | | | | | | | | | волнах Гуляева-Блюштейна с | | | | | | | | | предельно низким уровнем | | | | | | | | | вносимого затухания для | | | | | | | | | частотного диапазона до 5 | | | | | | | | | ГГц | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 102. Разработка технологии | 96 | | 33 | 63 | | | создание технологии производства | | проектирования и базовой | -- | | -- | -- | | | высокоинтегрированной электронной | | технологии производства | 64 | | 22 | 42 | | | компонентной базы типа "система в | | функциональных законченных | | | | | | | корпусе" для вновь разрабатываемых и | | устройств стабилизации, | | | | | | | модернизируемых сложных радиоэлектронных | | селекции частоты и | | | | | | | систем и комплексов (2010 год) | | обработки сигналов типа | | | | | | | | | "система в корпусе" | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 103. Разработка базовой | 69 | | | 48 | 21 | | создание базовой технологии (2010 год) и | | конструкции и технологии | -- | | | -- | -- | | базовой конструкции микроминиатюрных | | изготовления | 46 | | | 32 | 14 | | высокодобротных фильтров для | | высокочастотных | | | | | | | малогабаритной и носимой аппаратуры | | резонаторов и фильтров на | | | | | | | навигации и связи | | объемных акустических | | | | | | | | | волнах для | | | | | | | | | телекоммуникационных и | | | | | | | | | навигационных систем | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 104. Разработка технологии и | 30 | 30 | | | | | создание нового поколения оптоэлектронных | | базовой конструкции | -- | -- | | | | | приборов для обеспечения задач | | фоточувствительных | 20 | 20 | | | | | предотвращения аварий и контроля | | приборов с матричными | | | | | | | | | приемниками высокого | | | | | | | | | разрешения для видимого и | | | | | | | | | ближнего инфракрасного | | | | | | | | | диапазона для аппаратуры | | | | | | | | | контроля изображений | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 105. Разработка базовой | 37 | 16 | 21 | | | | создание базовой технологии нового | | технологии унифицированных | -- | -- | -- | | | | поколения приборов контроля тепловых | | электронно-оптических | 24 | 10 | 14 | | | | полей для задач теплоэнергетики, | | преобразователей, | | | | | | | медицины, поисковой и контрольной | | микроканальных пластин, | | | | | | | аппаратуры на транспорте, | | пироэлектрических матриц и | | | | | | | продуктопроводах и в охранных системах | | камер на их основе с | | | | | | | (2009 год) | | чувствительностью до 0,1 К | | | | | | | | | и широкого инфракрасного | | | | | | | | | диапазона | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 106. Разработка базовой | 84 | 45 | 39 | | | | создание базовой технологии (2008 год) и | | технологии создания | -- | -- | -- | | | | конструкции новых типов приборов, | | интегрированных гибридных | 55 | 30 | 25 | | | | сочетающих фотоэлектронные и | | фотоэлектронных | | | | | | | твердотельные технологии, с целью | | высокочувствительных и | | | | | | | получения экстремально достижимых | | высокоразрешающих приборов | | | | | | | характеристик для задач контроля и | | и усилителей для задач | | | | | | | наблюдения в системах двойного назначения | | космического мониторинга и | | | | | | | | | специальных систем | | | | | | | | | наблюдения, научной и | | | | | | | | | метрологической аппаратуры | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 107. Разработка базовых | 96 | 45 | 51 | | | | создание базовой технологии (2008 год) и | | технологий мощных | -- | -- | -- | | | | конструкций принципиально новых мощных | | полупроводниковых лазерных | 64 | 30 | 34 | | | | диодных лазеров, предназначенных для | | диодов (непрерывного и | | | | | | | широкого применения в изделиях двойного | | импульсного излучения), | | | | | | | назначения, медицины, полиграфического | | специализированных | | | | | | | оборудования и системах открытой | | лазерных полупроводниковых | | | | | | | оптической связи | | диодов, фотодиодов и | | | | | | | | | лазерных волоконно- | | | | | | | | | оптических модулей для | | | | | | | | | создания аппаратуры и | | | | | | | | | систем нового поколения | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 108. Разработка и освоение | 98 | | 15 | 60 | 23 | | разработка базового комплекта основных | | базовых технологий для | -- | | -- | -- | -- | | оптоэлектронных компонентов для лазерных | | лазерных навигационных | 65 | | 10 | 40 | 15 | | гироскопов широкого применения (2010 | | приборов, включая | | | | | | | год), создание комплекса технологий | | интегральный оптический | | | | | | | обработки и формирования структурных и | | модуль лазерного гироскопа | | | | | | | приборных элементов, оборудования | | на базе | | | | | | | контроля и аттестации, обеспечивающих | | сверхмалогабаритных | | | | | | | новый уровень технико-экономических | | кольцевых | | | | | | | показателей производства | | полупроводниковых лазеров | | | | | | | | | инфракрасного диапазона, | | | | | | | | | оптоэлектронные компоненты | | | | | | | | | для широкого класса | | | | | | | | | инерциальных лазерных | | | | | | | | | систем управления | | | | | | | | | движением гражданских и | | | | | | | | | специальных средств | | | | | | | | | транспорта | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 109. Разработка базовых | 47 | 22 | 25 | | | | создание базовой технологии твердотельных | | конструкций и технологий | -- | -- | -- | | | | чип-лазеров для лазерных дальномеров, | | создания квантово- | 32 | 15 | 17 | | | | твердотельных лазеров с пикосекундными | | электронных приемо- | | | | | | | длительностями импульсов для установок по | | передающих модулей для | | | | | | | прецизионной обработке композитных | | малогабаритных лазерных | | | | | | | материалов, для создания элементов и | | дальномеров нового | | | | | | | изделий микромашиностроения и в | | поколения на основе | | | | | | | производстве электронной компонентной | | твердотельных чип-лазеров | | | | | | | базы нового поколения, мощных лазеров для | | с полупроводниковой | | | | | | | применения в машиностроении, | | накачкой, технологических | | | | | | | авиастроении, автомобилестроении, | | лазерных установок | | | | | | | судостроении, в составе промышленных | | широкого спектрального | | | | | | | технологических установок обработки и | | диапазона | | | | | | | сборки, систем экологического мониторинга | | | | | | | | | окружающей среды, контроля выбросов | | | | | | | | | патогенных веществ, контроля утечек в | | | | | | | | | продуктопроводах (2008 год, 2009 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 110. Разработка базовых | 67 | 55 | 12 | | | | создание технологии получения | | технологий формирования | -- | -- | -- | | | | широкоапертурных элементов на основе | | конструктивных узлов и | 45 | 37 | 8 | | | | алюмоиттриевой легированной керамики | | блоков для лазеров нового | | | | | | | композитных составов для лазеров с | | поколения и технологии | | | | | | | диодной накачкой (2008 год), | | создания полного комплекта | | | | | | | высокоэффективных преобразователей | | электронной компонентной | | | | | | | частоты лазерного излучения, организация | | базы для производства | | | | | | | промышленного выпуска оптических изделий | | лазерного устройства | | | | | | | и лазерных элементов широкой номенклатуры | | определения наличия | | | | | | | | | опасных, взрывчатых, | | | | | | | | | отравляющих и | | | | | | | | | наркотических веществ в | | | | | | | | | контролируемом | | | | | | | | | пространстве | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 111. Разработка базовых | 52 | 25 | 27 | | | | разработка расширенной серии | | технологий, базовой | -- | -- | -- | | | | низковольтных катодолюминесцентных и | | конструкции и организация | 35 | 17 | 18 | | | | других дисплеев с широким диапазоном | | производства | | | | | | | эргономических характеристик и свойств по | | интегрированных | | | | | | | условиям применения для информационных и | | катодолюминесцентных и | | | | | | | контрольных систем | | других дисплеев двойного | | | | | | | | | назначения со встроенным | | | | | | | | | микроэлектронным | | | | | | | | | управлением | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 112. Разработка технологии и | 45 | 24 | 21 | | | | создание ряда принципиально новых | | базовых конструкций | -- | -- | -- | | | | светоизлучающих приборов с минимальными | | высокояркостных | 30 | 16 | 14 | | | | геометрическими размерами, высокой | | светодиодов и индикаторов | | | | | | | надежностью и устойчивостью к | | основных цветов свечения | | | | | | | механическим и климатическим | | для систем подсветки в | | | | | | | воздействиям, обеспечивающих | | приборах нового поколения | | | | | | | энергосбережение за счет замены ламп | | | | | | | | | накаливания в системах подсветки | | | | | | | | | аппаратуры и освещения | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 113. Разработка базовой | 90 | | 15 | 57 | 18 | | создание базовой технологии производства | | технологии и конструкции | -- | | -- | -- | -- | | нового поколения оптоэлектронной | | оптоэлектронных приборов | 60 | | 10 | 38 | 12 | | высокоэффективной и надежной электронной | | (оптроны, оптореле, | | | | | | | компонентной базы для промышленного | | светодиоды) в миниатюрных | | | | | | | оборудования и систем связи (2010 год, | | корпусах для | | | | | | | 2011 год) | | поверхностного монтажа | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 114. Разработка | 51 | 24 | 27 | | | | создание технологии новых классов носимой | | схемотехнических решений и | -- | -- | -- | | | | и стационарной аппаратуры, экранов | | унифицированных базовых | 34 | 16 | 18 | | | | отображения информации коллективного | | конструкций и технологий | | | | | | | пользования повышенных емкости и формата | | формирования твердотельных | | | | | | | (2009 год) | | видеомодулей на | | | | | | | | | полупроводниковых | | | | | | | | | светоизлучающих структурах | | | | | | | | | для носимой аппаратуры, | | | | | | | | | экранов индивидуального и | | | | | | | | | коллективного пользования | | | | | | | | | с бесшовной стыковкой | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 115. Разработка базовой | 60 | 30 | 30 | | | | создание технологии массового | | технологии изготовления | -- | -- | -- | | | | производства солнечных элементов для | | высокоэффективных | 40 | 20 | 20 | | | | индивидуального и коллективного | | солнечных элементов на | | | | | | | использования в труднодоступных районах, | | базе использования | | | | | | | развития солнечной энергетики в жилищно- | | кремния, полученного по | | | | | | | коммунальном хозяйстве для обеспечения | | "бесхлоридной" технологии | | | | | | | задач энергосбережения (2009 год) | | и технологии "литого" | | | | | | | | | кремния прямоугольного | | | | | | | | | сечения | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 116. Разработка базовой | 38 | 18 | 20 | | | | создание технологии массового | | технологии и освоение | -- | -- | -- | | | | производства нового класса | | производства | 25 | 12 | 13 | | | | оптоэлектронных приборов для широкого | | оптоэлектронных реле с | | | | | | | применения в радиоэлектронной аппаратуре | | повышенными техническими | | | | | | | (2009 год) | | характеристиками для | | | | | | | | | поверхностного монтажа | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 117. Комплексное исследование и | 162 | | 33 | 99 | 30 | | создание базовой технологии массового | | разработка технологий | --- | | -- | -- | -- | | производства экранов с предельно низкой | | получения новых классов | 108 | | 22 | 66 | 20 | | удельной стоимостью для информационных и | | органических (полимерных) | | | | | | | обучающих систем (2010 год, 2011 год) | | люминофоров, пленочных | | | | | | | | | транзисторов на основе | | | | | | | | | "прозрачных" материалов, | | | | | | | | | полимерной пленочной | | | | | | | | | основы и технологий | | | | | | | | | изготовления | | | | | | | | | крупноформатных гибких и | | | | | | | | | особо плоских экранов, в | | | | | | | | | том числе на базе | | | | | | | | | высокоразрешающих | | | | | | | | | процессов струйной печати | | | | | | | | | и непрерывного процесса | | | | | | | | | изготовления типа "с | | | | | | | | | катушки на катушку" | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 118. Разработка базовых | 183 | 45 | 33 | 105 | | | создание технологии и конструкции | | конструкций и технологии | --- | -- | -- | --- | | | активно-матричных органических | | активных матриц и | 122 | 30 | 22 | 70 | | | электролюминесцентных, | | драйверов плоских экранов | | | | | | | жидкокристаллических и | | на основе аморфных, | | | | | | | катодолюминесцентных дисплеев, стойких к | | поликристаллических и | | | | | | | внешним специальным и климатическим | | кристаллических кремниевых | | | | | | | воздействиям (2010 год) | | интегральных структур на | | | | | | | | | различных подложках и | | | | | | | | | создание на их основе | | | | | | | | | перспективных | | | | | | | | | видеомодулей, включая | | | | | | | | | органические | | | | | | | | | электролюминесцентные, | | | | | | | | | жидкокристаллические и | | | | | | | | | катодолюминесцентные, | | | | | | | | | создание базовой | | | | | | | | | технологии серийного | | | | | | | | | производства монолитных | | | | | | | | | модулей двойного | | | | | | | | | назначения | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 119. Разработка базовой | 162 | | 33 | 99 | 30 | | создание технологии и базовых конструкций | | конструкции и технологии | --- | | -- | -- | -- | | полноцветных газоразрядных видеомодулей | | крупноформатных полно- | 108 | | 22 | 66 | 20 | | специального и двойного назначения для | | цветных газоразрядных | | | | | | | наборных экранов коллективного | | видеомодулей | | | | | | | пользования (2010 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 120. Разработка технологии | 72 | 24 | 18 | 30 | | | разработка расширенного ряда | | сверхпрецизионных | -- | -- | -- | -- | | | сверхпрецизионных резисторов, гибридных | | резисторов и гибридных | 48 | 16 | 12 | 20 | | | интегральных схем цифроаналоговых и | | интегральных схем цифро- | | | | | | | аналого-цифровых преобразователей с | | аналоговых и аналого- | | | | | | | параметрами, превышающими уровень | | цифровых преобразователей | | | | | | | существующих отечественных и зарубежных | | на их основе в | | | | | | | изделий, для аппаратуры связи, | | металлокерамических | | | | | | | диагностического контроля, медицинского | | корпусах для аппаратуры | | | | | | | оборудования, авиастроения, | | двойного назначения | | | | | | | станкостроения, измерительной техники | | | | | | | | | (2010 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 121. Разработка базовой | 105 | | | 45 | 60 | | разработка расширенного ряда | | технологии особо | --- | | | -- | -- | | сверхпрецизионных резисторов с повышенной | | стабильных и особо точных | 70 | | | 30 | 40 | | удельной мощностью рассеяния, | | резисторов широкого | | | | | | | высоковольтных высокоомных резисторов для | | диапазона сопротивления, | | | | | | | измерительной техники, приборов ночного | | прецизионных датчиков тока | | | | | | | видения и аппаратуры контроля (2011 год) | | для измерительной и | | | | | | | | | контрольной аппаратуры и | | | | | | | | | освоение их производства | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 122. Разработка технологии и | 192 | | 24 | 78 | 90 | | создание базовой технологии и конструкции | | базовых конструкций | --- | | -- | -- | -- | | резисторов с повышенными значениями | | резисторов и резистивных | 128 | | 16 | 52 | 60 | | стабильности, удельной мощности в чип- | | структур нового поколения | | | | | | | исполнении на основе многослойных | | для поверхностного | | | | | | | монолитных структур (2010 год, 2011 год) | | монтажа, в том числе | | | | | | | | | резисторов с повышенными | | | | | | | | | характеристиками, | | | | | | | | | ультранизкоомных | | | | | | | | | резисторов, малогабаритных | | | | | | | | | подстроечных резисторов, | | | | | | | | | интегральных сборок серии | | | | | | | | | нелинейных | | | | | | | | | полупроводниковых | | | | | | | | | резисторов в многослойном | | | | | | | | | исполнении чип-конструкции | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 123. Разработка технологий | 48 | 36 | 12 | | | | создание базовой технологии производства | | формирования | -- | -- | -- | | | | датчиков на резистивной основе с высокими | | интегрированных | 32 | 24 | 8 | | | | техническими характеристиками и | | резистивных структур с | | | | | | | надежностью (2009 год) | | повышенными технико- | | | | | | | | | эксплуатационными | | | | | | | | | характеристиками на основе | | | | | | | | | микроструктурированных | | | | | | | | | материалов и методов | | | | | | | | | групповой сборки | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 124. Создание групповой | 60 | 30 | 30 | | | | создание технологии автоматизированного | | технологии | -- | -- | -- | | | | производства чип- и микрочип-резисторов | | автоматизированного | 40 | 20 | 20 | | | | (в габаритах 0402, 0201 и менее) для | | производства | | | | | | | применения в массовой аппаратуре (2009 | | толстопленочных чип- и | | | | | | | год) | | микрочип-резисторов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 125. Разработка новых базовых | 129 | 24 | 30 | 75 | | | создание базовой технологии производства | | технологий и | --- | -- | -- | -- | | | конденсаторов с качественно улучшенными | | конструктивных решений | 86 | 16 | 20 | 50 | | | характеристиками с электродами из | | изготовления танталовых | | | | | | | неблагородных металлов при сохранении | | оксидно-полупроводниковых | | | | | | | высокого уровня надежности (2010 год) | | и оксидно- | | | | | | | | | электролитических | | | | | | | | | конденсаторов и чип- | | | | | | | | | конденсаторов и | | | | | | | | | организация производства | | | | | | | | | конденсаторов с повышенным | | | | | | | | | удельным зарядом, | | | | | | | | | сверхнизким значением | | | | | | | | | внутреннего сопротивления | | | | | | | | | и улучшенными | | | | | | | | | потребительскими | | | | | | | | | характеристиками | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 126. Разработка комплексной | 41 | 20 | 21 | | | | создание базовых технологий конденсаторов | | базовой технологии и | -- | -- | -- | | | | и ионисторов на основе полимерных | | организация производства | 27 | 13 | 14 | | | | материалов с повышенным удельным зарядом | | конденсаторов с | | | | | | | и энергоемких накопительных конденсаторов | | органическим диэлектриком | | | | | | | с повышенной удельной энергией (2009 год) | | и повышенными удельными | | | | | | | | | характеристиками и | | | | | | | | | ионисторов с повышенным | | | | | | | | | током разряда | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 127. Разработка технологии, | 115 | | 25 | 60 | 30 | | создание технологии и базовых конструкций | | базовых конструкций | --- | | -- | -- | -- | | нового поколения выключателей для | | высоковольтных | 77 | | 17 | 40 | 20 | | радиоэлектронной аппаратуры с повышенными | | (быстродействующих, | | | | | | | тактико-техническими характеристиками и | | мощных) вакуумных | | | | | | | надежностью (2011 год) | | выключателей нового | | | | | | | | | поколения с предельными | | | | | | | | | характеристиками для | | | | | | | | | радиотехнической | | | | | | | | | аппаратуры с высокими | | | | | | | | | сроками службы | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 128. Разработка технологий | 49 | 24 | 25 | | | | создание технологии изготовления | | создания газонаполненных | -- | -- | -- | | | | коммутирующих устройств для токовой | | высоковольтных | 33 | 16 | 17 | | | | коммутации цепей в широком диапазоне | | высокочастотных | | | | | | | напряжений и токов для радиоэлектронных и | | коммутирующих устройств | | | | | | | электротехнических систем (2009 год) | | для токовой коммутации | | | | | | | | | цепей с повышенными | | | | | | | | | техническими | | | | | | | | | характеристиками | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 129. Разработка полного | 27 | 27 | | | | | создание технологии выпуска устройств | | комплекта электронной | -- | -- | | | | | грозозащиты в индивидуальном, | | компонентной базы для | 18 | 18 | | | | | промышленном и гражданском строительстве, | | создания модульного | | | | | | | строительстве пожароопасных объектов | | устройства грозозащиты | | | | | | | (2008 год) | | зданий и сооружений с | | | | | | | | | обеспечением требований по | | | | | | | | | международным стандартам | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 130. Разработка базовых | 97 | 46 | 51 | | | | создание базовой технологии формирования | | конструкций и технологий | -- | -- | -- | | | | высококачественных гальванических | | изготовления | 65 | 31 | 34 | | | | покрытий, технологии прецизионного | | малогабаритных | | | | | | | формирования изделий для | | переключателей с | | | | | | | автоматизированных систем изготовления | | повышенными сроками службы | | | | | | | коммутационных устройств широкого | | для печатного монтажа | | | | | | | назначения (2009 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 131. Комплексное исследование и | 825 | | | | | 825 | комплексное исследование и разработка | | разработка пленочных | --- | | | | | --- | технологий получения новых классов | | технологий изготовления | 550 | | | | | 550 | органических (полимерных) люминофоров, | | высокоэкономичных | | | | | | | пленочных транзисторов на основе | | крупноформатных гибких и | | | | | | | "прозрачных" материалов, полимерной | | особо плоских экранов | | | | | | | пленочной основы и технологий | | | | | | | | | изготовления крупноформатных гибких и | | | | | | | | | особо плоских экранов в том числе на базе | | | | | | | | | высокоразрешающих процессов струйной | | | | | | | | | печати и непрерывного процесса | |