| изоляторе" с проектными | | | | | | | | | нормами до 0,18 мкм | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 30. Разработка базовых | 174 | 98 | 76 | | | | создание технологического процесса | | технологических процессов | --- | ---- | ---- | | | | изготовления сверхбольших интегральных | | изготовления радиационно | 116 | 65,3 | 50,7 | | | | схем энергонезависимой, радиационно | | стойкой элементной базы | | | | | | | стойкой сегнетоэлектрической памяти | | для сверхбольших | | | | | | | уровня 0,35 мкм и базовой технологии | | интегральных схем | | | | | | | создания, изготовления и аттестации | | энергозависимой | | | | | | | радиационно стойкой пассивной | | пьезоэлектрической и | | | | | | | электронной компонентной базы (2009 год) | | магниторезистивной памяти | | | | | | | | | с проектными нормами 0,35 | | | | | | | | | мкм и пассивной | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | элементной базы | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 31. Разработка базовых | 261 | | | 56 | 205 | | создание технологического процесса | | технологических процессов | ----- | | |---- | ----- | | изготовления сверхбольших интегральных | | изготовления радиационно | 174,2 | | |37,3 | 136,9 | | схем энергонезависимой радиационно | | стойкой элементной базы | | | | | | | стойкой сегнетоэлектрической памяти | | для сверхбольших | | | | | | | уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, | | интегральных схем | | | | | | | изготовления и аттестации радиационно | | энергозависимой | | | | | | | стойкой пассивной электронной | | пьезоэлектрической и | | | | | | | компонентной базы (2011 год) | | магниторезистивной памяти | | | | | | | | | с проектными нормами 0,18 | | | | | | | | | мкм и пассивной | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | элементной базы | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 32. Разработка технологии | 140,8 | 83,2 | 57,6 | | | | разработка расширенного ряда цифровых | | "кремний на сапфире" | ----- | ---- | ---- | | | | процессоров, микроконтроллеров, | | изготовления ряда | 93,9 | 55,4 | 38,5 | | | | оперативных запоминающих программируемых | | лицензионно-независимых | | | | | | | и перепрограммируемых устройств, | | радиационно стойких | | | | | | | аналого-цифровых преобразователей в | | комплементарных полевых | | | | | | | радиационно стойком исполнении для | | полупроводниковых | | | | | | | создания специальной аппаратуры нового | | сверхбольших интегральных | | | | | | | поколения | | схем цифровых процессоров | | | | | | | | | обработки сигналов, | | | | | | | | | микроконтроллеров и схем | | | | | | | | | интерфейса | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 33. Разработка технологии | 374 | | |74,5 | 299,5 | | создание технологии проектирования и | | структур с ультратонким | ----- | | |---- | ----- | | изготовления микросхем и | | слоем кремния на сапфире | 249,5 | | |49,8 | 199,7 | | сложнофункциональных блоков на основе | | | | | | | | | ультратонких слоев на структуре "кремний | | | | | | | | | на сапфире", позволяющей разрабатывать | | | | | | | | | радиационно стойкие сверхбольшие | | | | | | | | | интегральные схемы с высоким уровнем | | | | | | | | | радиационной стойкости (2011 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 34. Разработка базовой | 152,6 | 80,6 | 72 | | | | разработка конструкции и модели | | технологии и приборно- | ----- | ---- | -- | | | | интегральных элементов и | | технологического базиса | 98,4 | 50,4 | 48 | | | | технологического маршрута изготовления | | производства радиационно | | | | | | | радиационно стойких сверхбольших | | стойких сверхбольших | | | | | | | интегральных схем типа "система на | | интегральных схем | | | | | | | кристалле" с расширенным температурным | | "система на кристалле", | | | | | | | диапазоном, силовых транзисторов и | | радиационно стойкой | | | | | | | модулей для бортовых и промышленных | | силовой электроники для | | | | | | | систем управления с пробивными | | аппаратуры питания и | | | | | | | напряжениями до 75 В и рабочими токами | | управления | | | | | | | коммутации до 10 А (2009 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 35. Разработка элементной | 81,2 | 33,2 | 48 | | | | создание ряда микронанотриодов и | | базы радиационно стойких | ---- | ---- | -- | | | | микронанодиодов с наивысшей радиационной | | интегральных схем на | 57,5 | 25,5 | 32 | | | | стойкостью для долговечной аппаратуры | | основе полевых | | | | | | | космического базирования | | эмиссионных | | | | | | | | | микронанотриодов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 36. Создание информационной | 251 | | |61,1 | 189,9 | | разработка комплекса моделей расчета | | базы радиационно стойкой | ----- | | |---- | ----- | | радиационной стойкости электронной | | электронной компонентной | 167,3 | | |40,7 | 126,6 | | компонентной базы для определения | | базы, содержащей модели | | | | | | | технически обоснованных норм испытаний | | интегральных компонентов, | | | | | | | | | функционирующих в | | | | | | | | | условиях радиационных | | | | | | | | | воздействий, создание | | | | | | | | | математических моделей | | | | | | | | | стойкости электронной | | | | | | | | | компонентной базы, | | | | | | | | | создание методик | | | | | | | | | испытаний и аттестации | | | | | | | | | электронной компонентной | | | | | | | | | базы | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 37. Разработка библиотек | 975 | | | | | 975 | создание технологии проектирования и | | стандартных элементов и | --- | | | | | --- | изготовления микросхем и | | сложнофункциональных | 650 | | | | | 650 | сложнофункциональных блоков на основе | | блоков для создания | | | | | | | ультратонких слоев на структуре "кремний | | радиационно стойких | | | | | | | на сапфире", позволяющей разрабатывать | | сверхбольших интегральных | | | | | | | радиационно стойкие сверхбольшие | | схем | | | | | | | интегральные схемы с высоким уровнем | | | | | | | | | радиационной стойкости (2012 год, 2015 | | | | | | | | | год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 38. Разработка расширенного | 975 | | | | | 975 | разработка расширенного ряда цифровых | | ряда радиационно стойких | --- | | | | | --- | процессоров, микроконтроллеров, | | сверхбольших интегральных | 600 | | | | | 600 | оперативных запоминающих программируемых | | схем для специальной | | | | | | | и перепрограммируемых устройств, | | аппаратуры связи, | | | | | | | аналого-цифровых преобразователей в | | обработки и передачи | | | | | | | радиационно стойком исполнении для | | информации, систем | | | | | | | создания специальной аппаратуры нового | | управления | | | | | | | поколения, разработка конструкции и | | | | | | | | | модели интегральных элементов и | | | | | | | | | технологического маршрута изготовления | | | | | | | | | радиационно стойких сверхбольших | | | | | | | | | интегральных схем типа "система на | | | | | | | | | кристалле" с расширенным температурным | | | | | | | | | диапазоном, силовых транзисторов и | | | | | | | | | модулей для бортовых и промышленных | | | | | | | | | систем управления с пробивными | | | | | | | | | напряжениями до 75 В и рабочими токами | | | | | | | | | коммутации до 10 А, создание ряда | | | | | | | | | микронанотриодов и микронанотриодов с | | | | | | | | | наивысшей радиационной стойкостью для | | | | | | | | | долговечной аппаратуры космического | | | | | | | | | базирования | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 39. Разработка и | 951 | | | | | 951 | разработка комплекса моделей расчета | | совершенствование методов | --- | | | | | --- | радиационной стойкости электронной | | моделирования и | 634 | | | | | 634 | компонентной базы для определения | | проектирования | | | | | | | технически обоснованных норм испытаний | | радиационно стойкой | | | | | | | | | элементной базы | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 40. Разработка и | 975 | | | | | 975 | создание технологического базиса | | совершенствование базовых | --- | | | | | --- | (технология проектирования, базовые | | технологий и конструкций | 650 | | | | | 650 | технологии), позволяющего разрабатывать | | радиационно стойких | | | | | | | радиационно стойкие сверхбольшие | | сверхбольших интегральных | | | | | | | интегральные схемы на структурах "кремний | | схем на структурах | | | | | | | на изоляторе" с проектной нормой не менее | | "кремний на сапфире" и | | | | | | | 0,18 мкм (2014 год), создание | | "кремний на изоляторе" с | | | | | | | технологического базиса (технология | | топологическими нормами | | | | | | | проектирования, базовые технологии), | | не менее 0,18 мкм | | | | | | | позволяющего разрабатывать радиационно | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие интегральные схемы | | | | | | | | | на структурах "кремний на изоляторе" с | | | | | | | | | проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 | | | | | | | | | год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | Всего | 6293 | 437,1 |417,6 |332,5 |1229,4 | 3876 | | | по направлению 2 | ------ | ----- |----- |----- |------ | ---- | | | | 4195,3 | 291,4 |278,6 |221,7 | 819,6 | 2584 | | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 3. Микросистемная техника | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 41. Разработка базовых | 209 | 112 | 97 | | | | создание базовых технологий (2009 год) и | | технологий микро- | --- | --- | -- | | | | комплектов технологической документации | | электромеханических | 105 | 75 | 30 | | | | на изготовление микроэлектромеханических | | систем | | | | | | | систем контроля давления, | | | | | | | | | микроакселерометров с чувствительностью | | | | | | | | | по двум и трем осям, микромеханических | | | | | | | | | датчиков угловых скоростей, | | | | | | | | | микроактюаторов | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 42. Разработка базовых | 424 | | 75 | 228 | 121 | | разработка базовых конструкций и | | конструкций | --- | | -- | --- | --- | | комплектов необходимой конструкторской | | микроэлектромеханических | 277 | | 60 | 141 | 76 | | документации на изготовление | | систем | | | | | | | чувствительных элементов и микросистем | | | | | | | | | контроля давления, микроакселерометров, | | | | | | | | | микромеханических датчиков угловых | | | | | | | | | скоростей, микроактюаторов с напряжением | | | | | | | | | управления, предназначенных для | | | | | | | | | использования в транспортных средствах, | | | | | | | | | оборудовании | | | | | | | | | топливно-энергетического комплекса, | | | | | | | | | машиностроении, медицинской технике, | | | | | | | | | робототехнике, бытовой технике | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 43. Разработка базовых | 155 | 110 | 45 | | | | создание базовых технологий | | технологий микроакусто- | --- | --- | -- | | | | (2009 год) и комплектов необходимой | | электромеханических систем | 100 | 70 | 30 | | | | технологической документации на | | | | | | | | | изготовление | | | | | | | | | микроакустоэлектромеханических систем, | | | | | | | | | основанных на использовании поверхностных | | | | | | | | | акустических волн (диапазон частот до 2 | | | | | | | | | ГГц) и объемно-акустических волн | | | | | | | | | (диапазон частот до 8 ГГц), | | | | | | | | | пьезокерамических элементов, совместимых | | | | | | | | | с интегральной технологией | | | | | | | | | микроэлектроники | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 44. Разработка базовых | 418 | | 71 | 225 | 122 | | разработка базовых конструкций и | | конструкций | --- | | -- | -- | -- | | комплектов необходимой конструкторской | | микроакустоэлектро- | 280 | | 60 | 143 | 77 | | документации на изготовление пассивных | | механических систем | | | | | | | датчиков физических величин - | | | | | | | | | микроакселерометров, микрогироскопов на | | | | | | | | | поверхностных акустических волнах, | | | | | | | | | датчиков давления и температуры, датчиков | | | | | | | | | деформации, крутящего момента и | | | | | | | | | микроперемещений, резонаторов | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 45. Разработка базовых | 55 | 55 | | | | | создание базовых технологий изготовления | | технологий | -- | -- | | | | | элементов микроаналитических систем, | | микроаналитических систем | 38 | 38 | | | | | чувствительных к газовым, химическим и | | | | | | | | | биологическим компонентам внешней среды, | | | | | | | | | предназначенных для использования в | | | | | | | | | аппаратуре жилищно-коммунального | | | | | | | | | хозяйства, в медицинской и биомедицинской | | | | | | | | | технике для обнаружения токсичных, | | | | | | | | | горючих и взрывчатых материалов | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 46. Разработка базовых | 224 | | 64 | 102 | 58 | | создание базовых конструкций | | конструкций | --- | | -- | --- | -- | | микроаналитических систем, | | микроаналитических систем | 164 | | 30 | 86 | 48 | | предназначенных для аппаратуры жилищно- | | | | | | | | | коммунального хозяйства, медицинской и | | | | | | | | | биомедицинской техники; | | | | | | | | | разработка датчиков и аналитических | | | | | | | | | систем миниатюрных размеров с высокой | | | | | | | | | чувствительностью к сверхмалым | | | | | | | | | концентрациям химических веществ для | | | | | | | | | осуществления мониторинга окружающей | | | | | | | | | среды, контроля качества пищевых | | | | | | | | | продуктов и контроля утечек опасных и | | | | | | | | | вредных веществ в технологических | | | | | | | | | процессах | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 47. Разработка базовых | 94 | 59 | 35 | | | | создание базовых технологий выпуска | | технологий микро- | -- | -- | -- | | | | трехмерных оптических и акустооптических | | оптоэлектромеханических | 71 | 41 | 30 | | | | функциональных элементов, | | систем | | | | | | | микрооптоэлектромеханических систем для | | | | | | | | | коммутации и модуляции оптического | | | | | | | | | излучения, акустооптических | | | | | | | | | перестраиваемых фильтров, двухмерных | | | | | | | | | управляемых матриц микрозеркал | | | | | | | | | микропереключателей и фазовращателей | | | | | | | | | (2009 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 48. Разработка базовых | 208 | | 35 | 112 | 61 | | разработка базовых конструкций и | | конструкций микро- | --- | | -- | --- | -- | | комплектов, конструкторской документации | | оптоэлектромеханических | 145 | | 30 | 75 | 40 | | на изготовление | | систем | | | | | | | микрооптоэлектромеханических систем | | | | | | | | | коммутации и модуляции оптического | | | | | | | | | излучения | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 49. Разработка базовых | 55 | 55 | | | | | создание базовых технологий изготовления | | технологий микросистем | -- | -- | | | | | микросистем анализа магнитных полей на | | анализа магнитных полей | 38 | 38 | | | | | основе анизотропного и гигантского | | | | | | | | | магниторезистивного эффектов, | | | | | | | | | квазимонолитных и монолитных | | | | | | | | | гетеромагнитных пленочных структур (2008 | | | | | | | | | год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 50. Разработка базовых | 214 | | 54 | 104 | 56 | | разработка базовых конструкций и | | конструкций микросистем | --- | | -- | --- | -- | | комплектов конструкторской документации | | анализа магнитных полей | 137 | | 30 | 69 | 38 | | на магниточувствительные микросистемы для | | | | | | | | | применения в электронных системах | | | | | | | | | управления приводами, в датчиках | | | | | | | | | положения и потребления, бесконтактных | | | | | | | | | переключателях | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 51. Разработка базовых | 77 | 45 | 32 | | | | разработка и освоение в производстве | | технологий радиочастотных | -- | -- | -- | | | | базовых технологий изготовления | | микроэлектромеханических | 61 | 31 | 30 | | | | радиочастотных микроэлектромеханических | | систем | | | | | | | систем и компонентов, включающих | | | | | | | | | микрореле, коммутаторы, | | | | | | | | | микропереключатели (2009 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 52. Разработка базовых | 166 | | 32 | 87 | 47 | | разработка базовых конструкций и | | конструкций радиочастотных | --- | | -- | -- | -- | | комплектов конструкторской документации | | микроэлектромеханических | 119 | | 30 | 58 | 31 | | на изготовление радиочастотных | | систем | | | | | | | микроэлектромеханических систем - | | | | | | | | | компонентов, позволяющих получить резкое | | | | | | | | | улучшение массогабаритных характеристик, | | | | | | | | | повышение технологичности и снижение | | | | | | | | | стоимости изделий | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 53. Разработка методов и | 40 | 40 | | | | | создание методов и средств контроля и | | средств обеспечения | -- | -- | | | | | измерения параметров и характеристик | | создания и производства | 24 | 24 | | | | | изделий микросистемотехники, разработка | | изделий микросистемной | | | | | | | комплектов стандартов и нормативных | | техники | | | | | | | документов по безопасности и | | | | | | | | | экологии | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 54. Разработка перспективных | 1155 | | | | | 1155 | создание базовых технологий выпуска | | технологий и конструкций | ---- | | | | | ---- | трехмерных оптических и акустооптических | | микрооптоэлектромехани- | 770 | | | | | 770 | функциональных элементов, | | ческих систем для | | | | | | | микрооптоэлектромеханических систем для | | оптической аппаратуры, | | | | | | | коммутации и модуляции оптического | | систем отображения | | | | | | | излучения (2012 год), | | изображений, научных | | | | | | | акустооптических перестраиваемых фильтров | | исследований и специальной | | | | | | | (2012 год), двухмерных управляемых матриц | | техники | | | | | | | микрозеркал микропереключателей и | | | | | | | | | фазовращателей (2013 год), разработка | | | | | | | | | базовых технологий, конструкций и | | | | | | | | | комплектов, конструкторской документации | | | | | | | | | на изготовление | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | | | | | | | систем коммутации и модуляции оптического | | | | | | | | | излучения (2015 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 55. Разработка и | 1155 | | | | | 1155 | создание методов и средств контроля и | | совершенствование методов | ---- | | | | | ---- | измерения параметров и характеристик | | и средств контроля, | 770 | | | | | 770 | изделий микросистемотехники, разработка | | испытаний и аттестации | | | | | | | комплектов стандартов и нормативных | | изделий | | | | | | | документов по безопасности и экологии | | микросистемотехники | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 56. Разработка перспективных | 1170 | | | | | 1170 | создание перспективных технологий | | технологий и конструкций | ---- | | | | | ---- | изготовления элементов микроаналитических | | микроаналитических систем | 780 | | | | | 780 | систем, чувствительных к газовым, | | для аппаратуры контроля и | | | | | | | химическим и биологическим компонентам | | обнаружения токсичных, | | | | | | | внешней среды, предназначенных для | | горючих, взрывчатых и | | | | | | | использования в аппаратуре жилищно- | | наркотических веществ | | | | | | | коммунального хозяйства (2012 год, 2013 | | | | | | | | | год, 2014 год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | Всего по направлению 3 | 5818,5 | 475,5 | 540 | 858 | 465 | 3480 | | | | ------ | ----- | --- | --- | --- | ---- | | | | 3879 | 317 | 360 | 572 | 310 | 2320 | | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 4. Микроэлектроника | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 57. Разработка технологии и | 270 | 148,9 |121,1 | | | | разработка комплекта нормативно- | | развитие методологии | ----- | ----- |----- | | | | технической документации по | | проектирования изделий | 125,6 | 76,6 | 49 | | | | проектированию изделий микроэлектроники, | | микроэлектроники: | | | | | | | создание отраслевой базы данных с | | разработка и освоение | | | | | | | каталогами библиотечных элементов и | | современной технологии | | | | | | | сложнофункциональных блоков с | | проектирования | | | | | | | каталогизированными результатами | | универсальных | | | | | | | аттестации на физическом уровне, | | микропроцессоров, | | | | | | | разработка комплекта нормативно- | | процессоров обработки | | | | | | | технической и технологической | | сигналов, микро- | | | | | | | документации по взаимодействию центров | | контроллеров и "системы на | | | | | | | проектирования в сетевом режиме | | кристалле" на основе | | | | | | | | | каталогизированных | | | | | | | | | сложнофункциональных | | | | | | | | | блоков и библиотечных | | | | | | | | | элементов, в том числе | | | | | | | | | создание отраслевой базы | | | | | | | | | данных и технологических | | | | | | | | | файлов для | | | | | | | | | автоматизированных систем | | | | | | | | | проектирования; | | | | | | | | | освоение и развитие | | | | | | | | | технологии проектирования | | | | | | | | | для обеспечения | | | | | | | | | технологичности | | | | | | | | | производства и стабильного | | | | | | | | | выхода годных с целью | | | | | | | | | размещения заказов на | | | | | | | | | современной базе | | | | | | | | | контрактного производства | | | | | | | | | с технологическим уровнем | | | | | | | | | до 0,13 мкм | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 58. Разработка и освоение | 34 | 22 | 12 | | | | разработка комплекта технологической | | базовой технологии | ---- | ---- | -- | | | | документации и организационно- | | производства фотошаблонов | 22,7 | 14,7 | 8 | | | | распорядительной документации по | | с технологическим уровнем | | | | | | | взаимодействию центров проектирования и | | до 0,13 мкм с целью | | | | | | | центра изготовления фотошаблонов | | обеспечения информационной | | | | | | | | | защиты проектов изделий | | | | | | | | | микроэлектроники при | | | | | | | | | использовании контрактного | | | | | | | | | производства | | | | | | | | | (отечественного и | | | | | | | | | зарубежного) | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 59. Разработка семейств и | 766,9 | 336,7 |430,2 | | | | разработка комплектов документации в | | серий изделий | ----- | ----- |----- | | | | стандартах единой системы | | микроэлектроники: | 466,8 | 180 |286,8 | | | | конструкторской, технологической и | | универсальных | | | | | | | производственной документации, | | микропроцессоров для | | | | | | | изготовление опытных образцов изделий и | | встроенных применений; | | | | | | | организация серийного производства | | универсальных | | | | | | | | | микропроцессоров для | | | | | | | | | серверов и рабочих | | | | | | | | | станций; | | | | | | | | | цифровых процессоров | | | | | | | | | обработки сигналов; | | | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | | | | | | | схем, программируемых | | | | | | | | | логических интегральных | | | | | | | | | схем; | | | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | | | | | | | схем быстродействующей | | | | | | | | | динамической и статической | | | | | | | | | памяти; | | | | | | | | | микроконтроллеров со | | | | | | | | | встроенной | | | | | | | | | энергонезависимой | | | | | | | | | электрически | | | | | | | | | программируемой памятью; | | | | | | | | | схем интерфейса | | | | | | | | | дискретного ввода/вывода; | | | | | | | | | схем аналогового | | | | | | | | | интерфейса; | | | | | | | | | цифроаналоговых и аналого- | | | | | | | | | цифровых преобразователей | | | | | | | | | на частотах | | | | | | | | | выше 100 МГц с | | | | | | | | | разрядностью более 8 - 12 | | | | | | | | | бит; | | | | | | | | | схем приемопередатчиков | | | | | | | | | шинных интерфейсов; | | | | | | | | | изделий интеллектуальной | | | | | | | | | силовой микроэлектроники | | | | | | | | | для применения в | | | | | | | | | аппаратуре промышленного и | | | | | | | | | бытового назначения; | | | | | | | | | встроенных интегральных | | | | | | | | | источников питания | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 60. Разработка базовых | 1801,6 | | |799,8 |1001,8 | | разработка комплектов документации в | | серийных технологий | ------ | | |----- |------ | | стандартах единой системы | | изделий микроэлектроники: | 1200,9 | | |533,1 | 667,8 | | конструкторской, технологической и | | цифроаналоговых и аналого- | | | | | | | производственной документации, | | цифровых преобразователей | | | | | | | изготовление опытных образцов изделий и | | на частотах выше 100 МГц с | | | | | | | организация серийного производства | | разрядностью более 14 - 16 | | | | | | | | | бит; | | | | | | | | | микроэлектронных устройств | | | | | | | | | различных типов, включая | | | | | | | | | сенсоры с применением | | | | | | | | | наноструктур и | | | | | | | | | биосенсоров; | | | | | | | | | сенсоров на основе | | | | | | | | | магнито-электрических и | | | | | | | | | пьезоматериалов; | | | | | | | | | встроенных интегральных | | | | | | | | | антенных элементов для | | | | | | | | | диапазонов частот 5 ГГц, | | | | | | | | | 10 - 12 ГГц; | | | | | | | | | систем на кристалле, в том | | | | | | | | | числе в гетероинтеграции | | | | | | | | | сенсорных и исполнительных | | | | | | | | | элементов методом | | | | | | | | | беспроводной сборки с | | | | | | | | | применением технологии | | | | | | | | | матричных жестких | | | | | | | | | выводов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 61. Разработка технологии и | 462,4 | 252,4 | 210 | | | | разработка комплектов документации в | | освоение производства | ----- | ----- | --- | | | | стандартах единой системы | | изделий микроэлектроники с | 308,3 | 168,3 | 140 | | | | конструкторской, технологической | | технологическим уровнем | | | | | | | документации и ввод в эксплуатацию | | 0,13 мкм | | | | | | | производственной линии | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 62. Разработка базовой | 894,8 | | |146,3 |748,5 | | разработка комплектов документации в | | технологии формирования | ----- | | |----- |----- | | стандартах единой системы | | многослойной разводки | 596,2 | | | 97,3 |498,9 | | конструкторской, технологической и | | (7 - 8 уровней) | | | | | | | производственной документации, | | сверхбольших интегральных | | | | | | | ввод в эксплуатацию производственной | | схем на основе Al и Cu | | | | | | | линии | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 63. Разработка технологии и | 494,2 | |211,1 |166,4 |116,7 | | разработка комплектов документации в | | организация производства | ----- | |----- |----- |----- | | стандартах единой системы | | многокристальных | 294,2 | |105,6 |110,9 |77,7 | | конструкторской, технологической и | | микроэлектронных модулей | | | | | | | производственной документации, | | для мобильных применений с | | | | | | | ввод в эксплуатацию производственной | | использованием полимерных | | | | | | | линии | | и металлополимерных | | | | | | | | | микроплат и носителей | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 64. Разработка новых методов | 173 | 68 | 105 | | | | разработка технологической и | | технологических испытаний | --- | -- | --- | | | | производственной документации, ввод в | | изделий микроэлектроники, | 173 | 68 | 105 | | | | эксплуатацию специализированных участков | | гарантирующих их | | | | | | | | | повышенную надежность в | | | | | | | | | процессе долговременной | | | | | | | | | (более 100 000 часов) | | | | | | | | | эксплуатации, на основе | | | | | | | | | использования типовых | | | | | | | | | оценочных схем и тестовых | | | | | | | | | кристаллов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 65. Разработка современных | 227 | 132 | 95 | | | | разработка комплектов документации, | | методов анализа отказов | --- | --- | -- | | | | включая утвержденные отраслевые методики, | | изделий микроэлектроники с | 227 | 132 | 95 | | | | ввод в эксплуатацию модернизированных | | применением | | | | | | | участков и лабораторий анализа отказов | | ультраразрешающих методов | | | | | | | | | (ультразвуковая | | | | | | | | | гигагерцовая микроскопия, | | | | | | | | | сканирование синхротронным | | | | | | | | | излучением, атомная | | | | | | | | | и туннельная силовая | | | | | | | | | микроскопия, электронно- и | | | | | | | | | ионно-лучевое зондирование | | | | | | | | | и другие) | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 66. Разработка базовых | 1200 | | | | | 1200 | разработка и освоение базовой технологии | | субмикронных технологий | ---- | | | | | ---- | производства фотошаблонов с | | уровней 0,065 - 0,045 мкм | 800 | | | | | 800 | технологическим уровнем до 0,045 мкм с | | | | | | | | | целью обеспечения информационной защиты | | | | | | | | | проектов изделий микроэлектроники при | | | | | | | | | использовании контрактного производства | | | | | | | | | (отечественного и зарубежного) (2014 | | | | | | | | | год). Создание отраслевой базы данных и | | | | | | | | | технологических файлов для | | | | | | | | | автоматизированных систем проектирования | | | | | | | | | сверхбольших интегральных схем; | | | | | | | | | создание базовой технологии формирования | | | | | | | | | многослойной разводки (7 - 8 уровней) | | | | | | | | | сверхбольших интегральных схем на основе | | | | | | | | | Al и Cu (2015 год), освоение и развитие | | | | | | | | | технологии проектирования и изготовления | | | | | | | | | для обеспечения технологичности | | | | | | | | | производства и стабильного выхода годных | | | | | | | | | изделий, а также с целью размещения | | | | | | | | | заказов на современной базе контрактного | | | | | | | | | производства с технологическим уровнем до | | | | | | | | | 0,045 мкм, разработка комплекта | | | | | | | | | технологической документации и | | | | | | | | | организационно-распорядительной | | | | | | | | | документации по взаимодействию центров | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 67. Исследование | 1425 | | | | | 1425 | создание технологии сверхбольших | | технологических процессов | ---- | | | | | ---- | интегральных схем технологических уровней | | и структур для | 950 | | | | | 950 | 65 - 32 нм, организация опытного | | субмикронных технологий | | | | | | | производства (2015 год) | | уровней 0,032 мкм | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 68. Разработка перспективных | 1425 | | | | | 1425 | создание технологий и конструкций | | технологий и конструкций | ---- | | | | | ---- | перспективных изделий интеллектуальной | | изделий интеллектуальной | 950 | | | | | 950 | силовой микроэлектроники для применения в | | силовой электроники для | | | | | | | аппаратуре промышленного и бытового | | применения в аппаратуре | | | | | | | назначения; | | бытового и промышленного | | | | | | | создание встроенных интегральных | | применения, на транспорте, | | | | | | | источников питания (2013 - 2015 годы) | | в топливно-энергетическом | | | | | | | | | комплексе и в специальных | | | | | | | | | системах | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 69. Разработка перспективных | 1650 | | | | | 1650 | разработка перспективной технологии | | технологий сборки | ---- | | | | | ---- | многокристальных микроэлектронных модулей | | сверхбольших интегральных | 1100 | | | | | 1100 | для мобильных применений с использованием | | схем в многовыводные | | | | | | | полимерных и металлополимерных микроплат | | корпуса, в том числе | | | | | | | и носителей (2015 год) | | корпуса с матричным | | | | | | | | | расположением выводов и | | | | | | | | | технологий | | | | | | | | | многокристальной сборки, | | | | | | | | | включая создание "систем | | | | | | | | | в корпусе" | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | Всего по направлению 4 | 11222 | 993,4 |1236,4 |1151 |1913,6 | 5927,5 | | | | ------ | ----- |------ |----- |------ | ------ | | | | 7214,7 | 639,6 |789,4 |741,3 |1244,4 | 3800 | | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 5. Электронные материалы и структуры | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 70. Разработка технологии | 78 | 51 | 27 | | | | внедрение новых диэлектрических | | производства новых | -- | -- | -- | | | | материалов на основе ромбоэдрической | | диэлектрических материалов | 49 | 32 | 17 | | | | модификации нитрида бора и подложек из | | на основе ромбоэдрической | | | | | | | поликристаллического алмаза с повышенной | | модификации нитрида бора и | | | | | | | теплопроводностью и электропроводностью | | подложек из | | | | | | | для создания нового поколения | | поликристаллического | | | | | | | высокоэффективных и надежных | | алмаза | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 71. Разработка технологии | 131 | | | 77 | 54 | | создание технологии производства | | производства | --- | | | -- | -- | | гетероэпитаксиальных структур и структур | | гетероэпитаксиальных | 87 | | | 51 | 36 | | гетеробиполярных транзисторов на основе | | структур и структур | | | | | | | нитридных соединений A B для обеспечения | | гетеробиполярных | | | | | | | 3 5 | | транзисторов на основе | | | | | | | разработок и изготовления | | нитридных соединений A B | | | | | | | сверхвысокочастотных монолитных | | 3 5 | | | | | | | интегральных схем и мощных транзисторов | | для мощных | | | | | | | (2011 год) | | полупроводниковых приборов | | | | | | | | | и сверхвысокочастотных | | | | | | | | | монолитных интегральных | | | | | | | | | схем | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 72. Разработка базовой | 77 | 50 | 27 | | | | создание базовой технологии производства | | технологии производства | -- | -- | -- | | | | гетероструктур и псевдоморфных структур | | метаморфных структур на | 50 | 32 | 18 | | | | на подложках InP для перспективных | | основе GaAs и | | | | | | | полупроводниковых приборов и | | псевдоморфных структур на | | | | | | | сверхвысокочастотных монолитных | | подложках InP для приборов | | | | | | | интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц | | сверхвысокочастотной | | | | | | | (2009 год) | | электроники диапазона 60 - | | | | | | | | | 90 ГГц | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 73. Разработка технологии | 133 | | | 79 | 54 | | создание спинэлектронных магнитных | | производства | --- | | | -- | -- | | материалов и микроволновых структур со | | спинэлектронных магнитных | 88 | | | 52 | 36 | | спиновым управлением для создания | | материалов, | | | | | | | перспективных микроволновых | | радиопоглощающих и | | | | | | | сверхвысокочастотных приборов повышенного | | мелкодисперсных ферритовых | | | | | | | быстродействия и низкого | | материалов для | | | | | | | энергопотребления | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | приборов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 74. Разработка технологии | 77 | 50 | 27 | | | | создание технологии массового | | производства высокочистых | -- | -- | -- | | | | производства высокочистых химических | | химических материалов | 49 | 31 | 18 | | | | материалов (аммиака, арсина, фосфина, | | (аммиака, арсина, фосфина, | | | | | | | тетрахлорида кремния) для выпуска | | тетрахлорида кремния) для | | | | | | | полупроводниковых подложек нитрида | | обеспечения производства | | | | | | | галлия, арсенида галлия, фосфида индия, | | полупроводниковых подложек | | | | | | | кремния и гетероэпитаксиальных структур | | нитрида галлия, арсенида | | | | | | | на их основе (2009 год) | | галлия, фосфида индия, | | | | | | | | | кремния и | | | | | | | | | гетероэпитаксиальных | | | | | | | | | структур на их основе | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 75. Разработка технологии | 134 | | | 79 | 55 | | создание технологии производства | | производства | --- | | | -- | -- | | поликристаллических алмазов и его пленок | | поликристаллических | 88 | | | 52 | 36 | | для мощных сверхвысокочастотных приборов | | алмазов и их пленок для | | | | | | | (2011 год) | | теплопроводных конструкций | | | | | | | | | мощных выходных | | | | | | | | | транзисторов и | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | приборов | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 76. Исследование путей и | 57 | 36 | 21 | | | | создание технологии изготовления новых | | разработка технологии | -- | -- | -- | | | | микроволокон на основе двухмерных | | изготовления новых | 38 | 24 | 14 | | | | диэлектрических и металлодиэлектрических | | микроволокон на основе | | | | | | | микро- и наноструктур для новых классов | | двухмерных диэлектрических | | | | | | | микроструктурных приборов, | | и металлодиэлектрических | | | | | | | магниторезисторов, осцилляторов, | | микро- и наноструктур, а | | | | | | | устройств оптоэлектроники | | также полупроводниковых | | | | | | | (2009 год) | | нитей с наноразмерами при | | | | | | | | | вытяжке стеклянного | | | | | | | | | капилляра, заполненного | | | | | | | | | жидкой фазой | | | | | | | | | полупроводника | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 77. Разработка технологии | 106 | | 25 | 44 | 37 | | создание базовой пленочной технологии | | выращивания слоев | --- | | -- | -- | -- | | пьезокерамических элементов, совместимой | | пьезокерамики на | 69 | | 17 | 28 | 24 | | с комплементарной металло-оксидной | | кремниевых подложках для | | | | | | | полупроводниковой технологией для | | формирования | | | | | | | разработки нового класса активных | | комплексированных | | | | | | | пьезокерамических устройств, | | устройств микросистемной | | | | | | | интегрированных с микросистемами (2011 | | техники | | | | | | | год) | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| | 78. Разработка методологии и | 57 | 36 | 21 | | | | создание технологии травления и | | базовых технологий | -- | -- | -- | | | | изготовления кремниевых трехмерных | | создания многослойных | 38 | 24 | 14 | | | | базовых элементов | | кремниевых структур с | | | | | | | микроэлектромеханических систем с | | использованием | | | | | | | использованием "жертвенных" и "стопорных" | | "жертвенных" и "стопорных" | | | | | | | слоев для серийного производства | | диффузионных и | | | | | | | элементов микроэлектромеханических систем | | диэлектрических слоев для | | | | | | | (2009 год) кремниевых структур | | производства силовых | | | | | | | с использованием силикатных стекол, моно-, | | приборов и элементов | | | | | | | поликристаллического и пористого кремния | | микроэлектромеханических | | | | | | | и диоксида кремния | | систем | | | | | | | | |---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------| |