| | полученного произведения на общую массу | |
| | элемента (или батареи) в кг. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | б) подзаряжаемые элементы и батареи с | |
| | плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг | |
| | после 75 циклов заряда - разряда при | |
| | токе разряда, равном С/5 ч (С - | |
| | номинальная емкость в ампер - часах), | |
| | при работе в диапазоне температур от | |
| | 253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K | |
| | (60 град. C) и выше; | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) батареи, по техническим условиям | |
| | годные для применения в космосе, и | |
| | радиационно стойкие батареи на | |
| | фотоэлектрических элементах с удельной | |
| | мощностью свыше 160 Вт/кв. м при | |
| | рабочей температуре 301 K (28 град. C) | |
| | и вольфрамовом источнике, нагретом до | |
| | 2800 K (2527 град. C) и создающем | |
| | энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не | |
| | контролируются батареи объемом | |
| | 27 куб. см и меньше (например, | |
| | стандартные угольные элементы или | |
| | батареи типа R14). | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.1.5.2. | Накопители большой энергии, такие как: | 8506; |
| | | 8507; |
| | | 8532 |
| |-----------------------------------------| |
| | а) накопители с частотой повторения | |
| | менее 10 Гц (одноразовые накопители), | |
| | имеющие все следующие характеристики: | |
| | 1) номинальное напряжение 5 кВ или | |
| | более; | |
| | 2) плотность энергии 250 Дж/кг или | |
| | более; и | |
| | 3) общую энергию 25 кДж или более; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) накопители с частотой повторения | |
| | 10 Гц и более (многоразовые | |
| | накопители), имеющие все следующие | |
| | характеристики: | |
| | 1) номинальное напряжение не менее | |
| | 5 кВ; | |
| | 2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг; | |
| | 3) общую энергию не менее 100 Дж; и | |
| | 4) количество циклов заряда - разряда | |
| | не менее 10000; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.1.5.3. | Сверхпроводящие электромагниты и | 8505 19 900 0 |
| | соленоиды, специально спроектированные | |
| | на полный заряд или разряд менее чем за | |
| | одну секунду, имеющие все | |
| | нижеперечисленные характеристики: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) энергию, выделяемую при разряде, | |
| | превышающую 10 кДж за первую секунду; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) внутренний диаметр токопроводящих | |
| | обмоток более 250 мм; и | |
| | в) номинальную магнитную индукцию свыше | |
| | 8 Т или суммарную плотность тока в | |
| | обмотке больше 300 А/кв. мм | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не | |
| | контролируются сверхпроводящие | |
| | электромагниты или соленоиды, | |
| | специально спроектированные для | |
| | медицинской аппаратуры | |
| | магниторезонансной томографии. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.1.6. | Вращающиеся преобразователи абсолютного | 9031 80 310 0 |
| | углового положения вала в код, имеющие | |
| | любую из следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) разрешение лучше 1/265000 от полного | |
| | диапазона (18 бит); или | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) точность лучше +/- 2,5 угл. с | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2. | Нижеперечисленная электронная | |
| | аппаратура общего назначения: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и специально | |
| | разработанная измерительная магнитная | |
| | лента для нее, такие как: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.1.1. | Накопители на магнитной ленте для | 8520 39 900 0; |
| | аналоговой аппаратуры, включая | 8520 90 900 0; |
| | аппаратуру с возможностью записи | 8521 10 300 0; |
| | цифровых сигналов (например, | 8521 10 800 0 |
| | использующие модуль цифровой записи | |
| | высокой плотности), имеющие любую из | |
| | следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) полосу частот, превышающую 4 МГц на | |
| | электронный канал или дорожку; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) полосу частот, превышающую 2 МГц на | |
| | электронный канал или дорожку, при | |
| | числе дорожек более 42; или | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) ошибку рассогласования (основную) | |
| | временной шкалы, измеренную по | |
| | методикам соответствующих руководящих | |
| | материалов Межведомственного совета по | |
| | радиопромышленности (IRIG) или | |
| | Ассоциации электронной промышленности | |
| | (EIA), менее +/- 0,1 мкс; | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. Аналоговые | |
| | видеомагнитофоны, специально | |
| | разработанные для гражданского | |
| | применения, не рассматриваются как | |
| | записывающая аппаратура. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны, имеющие | 8521 10; |
| | максимальную пропускную способность | 8521 90 000 0 |
| | цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с; | |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не | |
| | контролируются цифровые | |
| | видеомагнитофоны, специально | |
| | спроектированные для телевизионной | |
| | записи, использующие стандартный формат | |
| | сигнала для гражданского телевидения, | |
| | рекомендуемый Международным союзом | |
| | электросвязи либо Международной | |
| | электротехнической комиссией (МЭК). | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.1.3. | Накопители на магнитной ленте для | 8521 10 |
| | цифровой аппаратуры, использующие | |
| | принципы спирального сканирования или | |
| | принципы фиксированной головки и | |
| | имеющие любую из следующих | |
| | характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) максимальную пропускную способность | |
| | цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; | |
| | или | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) годные для применения в космосе | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не | |
| | контролируются аналоговые накопители на | |
| | магнитной ленте, оснащенные | |
| | электронными блоками для преобразования | |
| | в цифровую запись высокой плотности и | |
| | предназначенные для записи только | |
| | цифровых данных. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной пропускной | 8521 90 000 0 |
| | способностью цифрового интерфейса свыше | |
| | 175 Мбит/с, спроектированная в целях | |
| | переделки цифровых видеомагнитофонов | |
| | для использования их как устройств | |
| | записи данных цифровой аппаратуры; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования сигналов в | 8543 89 900 0 |
| | цифровую форму и записи переходных | |
| | процессов, имеющие все следующие | |
| | характеристики: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) скорость преобразования в цифровую | |
| | форму не менее 200 млн. проб в секунду | |
| | и разрешение 10 или более проб в | |
| | секунду; и | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) пропускную способность не менее | |
| | 2 Гбит/с | |
| |-----------------------------------------| |
| | Техническое примечание. Для таких | |
| | приборов с архитектурой на параллельной | |
| | шине пропускная способность есть | |
| | произведение наибольшего объема слов на | |
| | количество бит в слове. Пропускная | |
| | способность - это наивысшая скорость | |
| | передачи данных аппаратуры, с которой | |
| | информация поступает в запоминающее | |
| | устройство без потерь при сохранении | |
| | скорости выборки и аналого - цифрового | |
| | преобразования. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов | 8543 20 000 0 |
| | частоты, имеющие время переключения с | |
| | одной заданной частоты на другую менее | |
| | 1 мс; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.3. | Анализаторы сигналов: | 9030 83 900 0; |
| |-----------------------------------------| 9030 89 920 0 |
| | а) способные анализировать частоты, | |
| | превышающие 31 ГГц; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) динамические анализаторы сигналов с | |
| | полосой пропускания в реальном времени, | |
| | превышающей 25,6 кГц | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По подпункту "б" пункта | |
| | 3.1.2.3 не контролируются динамические | |
| | анализаторы сигналов, использующие | |
| | только фильтры с полосой пропускания | |
| | фиксированных долей. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | Техническое примечание. Фильтры с | |
| | полосой пропускания фиксированных долей | |
| | известны так же, как октавные или | |
| | дробно - октавные фильтры. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.4. | Генераторы сигналов синтезированных | 8543 20 000 0 |
| | частот, формирующие выходные частоты с | |
| | управлением по параметрам точности, | |
| | кратковременной и долговременной | |
| | стабильности на основе или с помощью | |
| | внутренней эталонной частоты, имеющие | |
| | любую из следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) максимальную синтезируемую частоту | |
| | более 31 ГГц; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) время переключения с одной заданной | |
| | частоты на другую менее 1 мс; или | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) фазовый шум одной боковой полосы | |
| | лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в | |
| | единицах дБ x с/Гц, где F - смещение | |
| | рабочей частоты в Гц, а f - рабочая | |
| | частота в МГц | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.4 не | |
| | контролируется аппаратура, в которой | |
| | выходная частота создается либо путем | |
| | сложения или вычитания частот с двух | |
| | или более кварцевых генераторов, либо | |
| | путем сложения или вычитания с | |
| | последующим умножением результирующей | |
| | частоты. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.5. | Сетевые анализаторы с максимальной | 9030 40 900 0 |
| | рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.6. | Микроволновые приемники - тестеры, | 8527 90 990 0 |
| | имеющие все следующие характеристики: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) максимальную рабочую частоту, | |
| | превышающую 40 ГГц; и | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) способные одновременно измерять | |
| | амплитуду и фазу; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие любую | 8543 20 000 0 |
| | из следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) долговременную стабильность | |
| | (старение) менее (лучше) 1E(-11) в | |
| | месяц; или | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) годные для применения в космосе | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По подпункту "а" пункта | |
| | 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые | |
| | стандарты, не предназначенные для | |
| | космического применения. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2. | Испытательное, контрольное и | |
| | производственное оборудование | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для | |
| | производства полупроводниковых приборов | |
| | или материалов и специально | |
| | разработанные компоненты и оснастка для | |
| | них: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.1. | Установки, управляемые встроенной | |
| | программой, предназначенные для | |
| | эпитаксиального выращивания, такие | |
| | как: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.1.1. | Установки, способные выдерживать | 8479 89 650 0 |
| | толщину слоя с отклонением не более | |
| | +/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.1.2. | Установки химического осаждения паров | 8419 89 200 0 |
| | металлорганических соединений, | |
| | специально разработанные для | |
| | выращивания кристаллов сложных | |
| | полупроводников с помощью химических | |
| | реакций между материалами, которые | |
| | контролируются по пункту 3.3.3 или | |
| | 3.3.4; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.1.3. | Молекулярно - лучевые установки | 8479 89 700 0; |
| | эпитаксиального выращивания, | 8543 89 700 0 |
| | использующие газовые источники | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.2. | Установки, управляемые встроенной | 8543 11 000 0 |
| | программой, специально предназначенные | |
| | для ионной имплантации, имеющие любую | |
| | из следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) специально спроектированные и | |
| | оптимизированные для работы с | |
| | ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ; | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) обладающие способностью | |
| | непосредственной записи; или | |
| |-----------------------------------------| |
| | г) пригодные для высокоэнергетической | |
| | имплантации кислорода в нагретую | |
| | подложку полупроводникового материала; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.3. | Установки сухого травления анизотропной | 8456 91 000 0; |
| | плазмой, управляемые встроенной | 8456 99 900 0 |
| | программой: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) с покассетной обработкой пластин и | |
| | загрузкой через загрузочные шлюзы, | |
| | имеющие любую из следующих | |
| | характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) специально спроектированные для | |
| | оборудования, контролируемого по пункту | |
| | 3.2.1.5, и имеющие любую из следующих | |
| | характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.4. | Установки химического парофазового | 8419 89 200 0; |
| | осаждения и плазменной стимуляции, | 8419 89 300 0 |
| | управляемые встроенной программой: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) с покассетной обработкой пластин и | |
| | загрузкой через загрузочные шлюзы, | |
| | имеющие любую из следующих | |
| | характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) специально спроектированные для | |
| | оборудования, контролируемого по пункту | |
| | 3.2.1.5, имеющие любую из следующих | |
| | характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.5. | Управляемые встроенной программой | 8456 10 00; |
| | автоматически загружаемые многокамерные | 8456 91 000 0; |
| | системы с центральной загрузкой | 8456 99 900 0; |
| | пластин, имеющие все следующие | 8456 99 300 0; |
| | составляющие: | 8479 50 000 0 |
| |-----------------------------------------| |
| | а) интерфейсы для загрузки и выгрузки | |
| | пластин, к которым присоединяется более | |
| | двух единиц оборудования для обработки | |
| | полупроводников; и | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) предназначенные для интегрированной | |
| | системы последовательной | |
| | многопозиционной обработки пластин в | |
| | вакуумной среде | |
| | Примечание. По пункту 3.2.1.5 не | |
| | контролируются автоматические | |
| | робототехнические системы загрузки | |
| | пластин, не предназначенные для работы | |
| | в вакууме. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.6. | Установки литографии, управляемые | |
| | встроенной программой, такие как: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.6.1. | Установки многократного совмещения и | 9009 22 900 0 |
| | экспонирования для обработки пластин | |
| | методом фотооптической или | |
| | рентгеновской литографии, имеющие любую | |
| | из следующих составляющих: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) источник света с длиной волны короче | |
| | 400 нм; или | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) способность воспроизводить рисунок с | |
| | минимальным размером разрешения от | |
| | 0,7 мкм и менее | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. Минимальный размер | |
| | разрешения (МРР) рассчитывается по | |
| | следующей формуле: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | (экспозиция источника освещения с | |
| | длиной волны в мкм) x (К фактор) | |
| | МРР = --------------------------------- | |
| | цифровая апертура | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | где К фактор = 0,7. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.6.2. | Установки, специально спроектированные | 8456 10 00; |
| | для производства шаблонов или обработки | 8456 99 |
| | полупроводниковых приборов с | |
| | использованием отклоняемого | |
| | фокусируемого электронного луча, пучка | |
| | ионов или лазерного луча, имеющие любую | |
| | из следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) размер пятна менее 0,2 мкм; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) способность производить рисунок с | |
| | минимальными разрешенными проектными | |
| | нормами менее 1 мкм; или | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) точность совмещения лучше | |
| | +/- 0,20 мкм (3 сигма) | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.7. | Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, | |
| | разработанные для интегральных схем, | |
| | контролируемых по пункту 3.1.1; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с фазосдвигающим | 9010 90 000 0 |
| | слоем | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.2. | Аппаратура испытаний, управляемая | |
| | встроенной программой, специально | |
| | спроектированная для испытания готовых | |
| | или находящихся в разной степени | |
| | изготовления полупроводниковых | |
| | приборов, и специально спроектированные | |
| | компоненты и приспособления для нее: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.2.1. | Для измерения S-параметров | 9031 80 390 0 |
| | транзисторных приборов на частотах | |
| | свыше 31 ГГц; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.2.2. | Для испытаний интегральных схем, | 9031 80 390 0 |
| | способная выполнять функциональное | |
| | тестирование (по таблицам истинности) с | |
| | частотой тестирования строк более | |
| | 60 МГц; | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.2 не | |
| | контролируется аппаратура испытаний, | |
| | специально спроектированная для | |
| | испытаний: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) электронных сборок или класса | |
| | электронных сборок для бытовой или | |
| | игровой электронной аппаратуры; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) неконтролируемых электронных | |
| | компонентов, электронных сборок или | |
| | интегральных схем. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.2.3. | Для испытаний микроволновых | 9031 80 390 0 |
| | интегральных схем на частотах, | |
| | превышающих 3 ГГц; | |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.3 не | |
| | контролируется аппаратура испытаний, | |
| | специально спроектированная для | |
| | испытания микроволновых интегральных | |
| | микросхем для оборудования, | |
| | предназначенного или пригодного по | |
| | техническим условиям для работы в | |
| | стандартном диапазоне частот, | |
| | установленном Международным союзом | |
| | электросвязи, с частотами, не | |
| | превышающими 31 ГГц. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.2.2.4. | Электронно - лучевые системы, | 9031 80 390 0 |
| | спроектированные для работы на уровне | |
| | 3 кэВ или менее, или лазерные лучевые | |
| | системы для бесконтактного зондирования | |
| | запитанных полупроводниковых приборов, | |
| | имеющие все следующие составляющие: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) стробоскопический режим либо с | |
| | затенением луча, либо с детекторным | |
| | стробированием; и | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) электронный спектрометр для замера | |
| | напряжений менее 0,5 В | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.4 не | |
| | контролируются сканирующие электронные | |
| | микроскопы, кроме тех, которые | |
| | специально спроектированы и оснащены | |
| | для бесконтактного зондирования | |
| | запитанных полупроводниковых приборов. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3. | Материалы | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.1. | Гетероэпитаксиальные материалы, | |
| | состоящие из подложки с несколькими | |
| | последовательно наращенными | |
| | эпитаксиальными слоями, имеющими любую | |
| | из следующих составляющих: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.1.1. | Кремний; | 3818 00 100 0; |
| | | 3818 00 900 0 |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.1.2. | Германий; или | 3818 00 900 0 |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.1.3. | Соединения III/V на основе галлия или | 3818 00 900 0 |
| | индия | |
| | Техническое примечание. Соединения | |
| | III/V - это поликристаллические или | |
| | двухэлементные или сложные | |
| | монокристаллические продукты, состоящие | |
| | из элементов групп IIIA и VA | |
| | периодической системы Менделеева (по | |
| | отечественной классификации это | |
| | группы A3 и B5) (арсенид галлия, | |
| | алюмоарсенид галлия, фосфид индия | |
| | и т.п.) | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.2. | Материалы резистов и подложки, покрытые | |
| | контролируемыми резистами, такие как: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.2.1. | Позитивные резисты, предназначенные для | 3824 90 900 0 |
| | полупроводниковой литографии, | |
| | специально приспособленные | |
| | (оптимизированные) для использования на | |
| | спектральную чувствительность менее | |
| | 370 нм; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для | 3824 90 900 0 |
| | использования при экспонировании | |
| | электронными или ионными пучками, с | |
| | чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или | |
| | лучше; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для | 3824 90 900 0 |
| | использования при экспонировании | |
| | рентгеновскими лучами, с | |
| | чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или | |
| | лучше; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под | 3824 90 900 0 |
| | технологии формирования рисунка, | |
| | включая силицированные резисты | |
| | Техническое примечание. Методы | |
| | силицирования - это процессы, | |
| | включающие оксидирование поверхности | |
| | резиста, для повышения качества мокрого | |
| | и сухого проявления. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.3. | Органо - неорганические компаунды, | |
| | такие как: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.3.1. | Органо - металлические соединения на | 2931 00 800 0 |
| | основе алюминия, галлия или индия с | |
| | чистотой металлической основы свыше | |
| | 99,999%; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.3.2. | Органо - мышьяковистые, органо - | 2931 00 800 0 |
| | сурьмянистые и органо - фосфорные | |
| | соединения с чистотой органической | |
| | элементной основы свыше 99,999% | |
| | Примечание. По пункту 3.3.3 | |
| | контролируются только соединения, чей | |
| | металлический, частично металлический | |
| | или неметаллический элемент | |
| | непосредственно связан с углеродом в | |
| | органической части молекулы. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, | 2848 00 000 0; |
| | имеющие чистоту свыше 99,999% даже | 2850 00 100 0 |
| | после растворения в инертных газах или | |
| | водороде | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.3.4 не | |
| | контролируются гидриды, содержащие 20% | |
| | и более молей инертных газов или | |
| | водорода. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4. | Программное обеспечение | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4.1. | Программное обеспечение, специально | |
| | созданное для разработки или | |
| | производства оборудования, | |
| | контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - | |
| | 3.1.2.7 или по пункту 3.2 | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4.2. | Программное обеспечение, специально | |
| | созданное для применения в | |
| | оборудовании, управляемом встроенной | |
| | программой и контролируемом по | |
| | пункту 3.2 | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4.3. | Программное обеспечение систем | |
| | автоматизированного проектирования | |
| | (САПР), предназначенное для | |
| | полупроводниковых приборов или | |
| | интегральных схем, имеющее любую из | |
| | следующих составляющих: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4.3.1. | Правила проектирования или правила | |
| | проверки (верификации) схем; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4.3.2. | Моделирование схем по их физической | |
| | топологии; или | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.4.3.3. | Имитаторы литографических процессов для | |
| | проектирования. | |
| | Техническое примечание. Имитатор | |
| | литографических процессов - это пакет | |
| | программного обеспечения, используемый | |
| | на этапе проектирования для определения | |
| | последовательности операций литографии, | |
| | травления и осаждения в целях | |
| | воплощения маскирующих шаблонов в | |
| | конкретные топологические рисунки | |
| | проводников, диэлектриков или | |
| | полупроводникового материала. | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.4.3 не | |
| | контролируется программное обеспечение, | |
| | специально созданное для описания | |
| | принципиальных схем, логического | |
| | моделирования, раскладки и | |
| | маршрутизации (трассировки), проверки | |
| | топологии или размножения шаблонов. | |
| |-----------------------------------------| |
| | Особое примечание. Библиотеки, | |
| | проектные атрибуты или сопутствующие | |
| | данные для проектирования | |
| | полупроводниковых приборов или | |
| | интегральных схем рассматриваются как | |
| | технология. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.5. | Технология | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.5.1. | Технологии, в соответствии с общим | |
| | технологическим примечанием | |
| | предназначенные для разработки или | |
| | производства оборудования или | |
| | материалов, контролируемых по пунктам | |
| | 3.1, 3.2 или 3.5 | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 3.5.1 не | |
| | контролируются технологии разработки | |
| | или производства: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) микроволновых транзисторов, | |
| | работающих на частотах ниже 31 ГГц; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) интегральных схем, контролируемых по | |
| | пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих | |
| | оба нижеперечисленных признака: | |
| | 1) использующие проектные нормы 1 мкм | |
| | или выше; и | |
| | 2) не содержащие многослойных структур. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | Особое примечание. Термин | |
| | "многослойные структуры" в подпункте 2 | |
| | пункта "б" примечания не включает | |
| | приборы, содержащие максимум два | |
| | металлических слоя и два слоя | |
| | поликремния. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 3.5.2. | Прочие технологии для разработки или | |
| | производства: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) вакуумных микроэлектронных приборов; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) полупроводниковых приборов на | |
| | гетероструктурах, таких как | |
| | транзисторы с высокой подвижностью | |
| | электронов, биполярных транзисторов на | |
| | гетероструктуре, приборов с квантовыми | |
| | ямами или приборов на сверхрешетках; | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) сверхпроводящих электронных | |
| | приборов; | |
| |-----------------------------------------| |
| | г) подложек пленок алмаза для | |
| | электронных компонентов | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | Категория 4. Вычислительная техника | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | Примечания. 1. ЭВМ, сопутствующее | |
| | оборудование или программное | |
| | обеспечение, задействованные в | |
| | телекоммуникациях или локальных | |
| | вычислительных сетях, должны быть также | |
| | проанализированы на соответствие | |
| | характеристикам, указанным в части 1 | |
| | Категории 5 (Телекоммуникации). | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| | Особые примечания. а) Устройства | |
| | управления, которые непосредственно | |
| | связывают шины или каналы центральных | |
| | процессоров, оперативную память или | |
| | контроллеры накопителей на магнитных | |
| | дисках, не входят в понятие | |
| | телекоммуникационной аппаратуры, | |
| | рассматриваемой в части 1 Категории 5 | |
| | (Телекоммуникации); | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) для определения контрольного статуса | |
| | программного обеспечения, которое | |
| | специально создано для коммутации | |
| | пакетов, следует использовать | |
| | пункт 5.4.1. | |
| |-----------------------------------------| |
| | 2. ЭВМ, сопутствующее оборудование | |
| | или программное обеспечение, | |
| | выполняющие функции криптографии, | |
| | криптоанализа, сертифицируемой | |
| | многоуровневой защиты информации или | |
| | сертифицируемые функции изоляции | |
| | пользователей либо ограничивающие | |
| | электромагнитную совместимость (ЭМС), | |
| | должны быть также проанализированы на | |
| | соответствие характеристикам, указанным | |
| | в части 2 Категории 5 (Защита | |
| | информации). | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.1. | Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее | |
| | оборудование, а также электронные | |
| | сборки и специально разработанные для | |
| | них компоненты: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.1.1. | Специально созданные для достижения | 8471 |
| | любой из следующих характеристик: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) по техническим условиям пригодные | |
| | для работы при температуре внешней | |
| | среды ниже 228 K (-45 град. C) или выше | |
| | 358 K (85 град. C) | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По подпункту "а" пункта | |
| | 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, | |
| | специально созданные для гражданских | |
| | автомобилей или железнодорожных | |
| | поездов; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) радиационно стойкие, превышающие | |
| | любое из следующих требований: | |
| | 1) поглощенная доза 5 x 1E3 Гр | |
| | (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)]; | |
| | 2) мощность дозы на сбой 5 x 1E6 Гр/с | |
| | (кремний) [5 x 1E8 рад (кремний)/с]; | |
| | или | |
| | 3) сбой от высокоэнергетической частицы | |
| | 1E(-7) ошибок/бит/день; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.1.2. | Имеющие характеристики или | 8471 |
| | функциональные особенности, | |
| | превосходящие пределы, указанные в | |
| | части 2 Категории 5 (Защита информации) | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.2. | Гибридные ЭВМ, электронные сборки и | 8471 10 |
| | специально разработанные для них | |
| | компоненты: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) имеющие в своем составе цифровые | |
| | ЭВМ, которые контролируются по пункту | |
| | 4.1.3; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) имеющие в своем составе | |
| | аналого - цифровые преобразователи, | |
| | обладающие всеми следующими | |
| | характеристиками: | |
| | 1) 32 каналами или более; и | |
| | 2) разрешающей способностью 14 бит | |
| | (плюс знаковый разряд) или выше со | |
| | скоростью 200000 преобразований/с или | |
| | выше | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3. | Цифровые ЭВМ, электронные сборки и | |
| | сопутствующее оборудование, а также | |
| | специально разработанные для них | |
| | компоненты, такие как: | |
| | Примечания. 1. Пункт 4.1.3 | |
| | включает: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) векторные процессоры; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) матричные процессоры; | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) цифровые центральные процессоры; | |
| |-----------------------------------------| |
| | г) логические процессоры; | |
| |-----------------------------------------| |
| | д) оборудование для улучшения качества | |
| | изображения; | |
| |-----------------------------------------| |
| | е) оборудование для обработки сигналов. | |
| |-----------------------------------------| |
| | 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ | |
| | или сопутствующего оборудования, | |
| | описанных в пункте 4.1.3, определяется | |
| | контрольным статусом другого | |
| | оборудования или других систем в том | |
| | случае, если: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) цифровые ЭВМ или сопутствующее | |
| | оборудование необходимы для работы | |
| | другого оборудования или других систем; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) цифровые ЭВМ или сопутствующее | |
| | оборудование не являются основным | |
| | элементом другого оборудования или | |
| | других систем; и | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) технология для цифровых ЭВМ и | |
| | сопутствующего оборудования подпадает | |
| | под действие пункта 4.5. | |
| |-----------------------------------------| |
| | Особые примечания. 1. Контрольный | |
| | статус оборудования обработки сигналов | |
| | или улучшения качества изображения, | |
| | специально спроектированного для | |
| | другого оборудования с функциями, | |
| | ограниченными функциональным | |
| | назначением другого оборудования, | |
| | определяется контрольным статусом | |
| | другого оборудования, даже если первое | |
| | соответствует критерию основного | |
| | элемента. | |
| |-----------------------------------------| |
| | 2. Для определения контрольного | |
| | статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего | |
| | оборудования для телекоммуникационной | |
| | аппаратуры см. часть 1 Категории 5 | |
| | (Телекоммуникации). | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.1. | Спроектированные или модифицированные | 8471 |
| | для обеспечения отказоустойчивости | (кроме 8471 10) |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. Применительно к пункту | |
| | 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее | |
| | оборудование не считаются | |
| | спроектированными или модифицированными | |
| | для обеспечения отказоустойчивости, | |
| | если в них используется любое из | |
| | следующего: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) алгоритмы обнаружения или | |
| | исправления ошибок, хранимые в | |
| | оперативной памяти; | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая, | |
| | что если активный центральный процессор | |
| | отказывает, ждущий, но отслеживающий | |
| | центральный процессор может продолжить | |
| | функционирование системы; | |
| |-----------------------------------------| |
| | в) взаимосвязь двух центральных | |
| | процессоров посредством каналов | |
| | передачи данных или с применением общей | |
| | памяти, чтобы обеспечить одному | |
| | центральному процессору возможность | |
| | выполнять другую работу, пока не | |
| | откажет второй центральный процессор, | |
| | тогда первый центральный процессор | |
| | принимает его работу на себя, чтобы | |
| | продолжить функционирование системы; | |
| | или | |
| |-----------------------------------------| |
| | г) синхронизация двух центральных | |
| | процессоров, объединенных посредством | |
| | программного обеспечения так, что один | |
| | центральный процессор распознает, когда | |
| | отказывает другой центральный | |
| | процессор, и восстанавливает задачи | |
| | отказавшего устройства; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.2. | Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную | 8471 |
| | теоретическую производительность (СТП) | (кроме |
| | свыше 2000 Мтопс; | 8471 10) |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.3. | Электронные сборки, специально | 8471 |
| | спроектированные или модифицированные | (кроме |
| | для повышения производительности путем | 8471 10) |
| | объединения вычислительных элементов | |
| | таким образом, чтобы совокупная | |
| | теоретическая производительность | |
| | объединенных сборок превышала пределы, | |
| | указанные в пункте 4.1.3.2; | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3 | |
| | распространяется только на электронные | |
| | сборки и программируемые взаимосвязи, | |
| | не превышающие пределы, указанные в | |
| | пункте 4.1.3.2, при поставке в виде | |
| | необъединенных электронных сборок. Он | |
| | не применим к электронным сборкам, | |
| | конструкция которых пригодна только для | |
| | использования в качестве сопутствующего | |
| | оборудования, контролируемого по | |
| | пунктам 4.1.3.4, 4.1.3.5 или 4.1.3.6. | |
| | 2. По пункту 4.1.3.3 не | |
| | контролируются электронные сборки, | |
| | специально спроектированные для | |
| | продукции или целого семейства | |
| | продукции, максимальная конфигурация | |
| | которых не превышает пределы, указанные | |
| | в пункте 4.1.3.2. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.4. | Графические акселераторы или | 8473 30 100 0 |
| | графические сопроцессоры, превышающие | |
| | скорость исчисления трехмерных | |
| | векторов, равную 3000000; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.5. | Оборудование, выполняющее | 8543 89 900 0 |
| | аналого - цифровые преобразования, | |
| | превосходящее пределы, указанные в | |
| | пункте 3.1.1.1.5; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.6. | Оборудование, содержащее терминальный | 8471 90 000 0 |
| | интерфейс, превосходящий пределы, | |
| | указанные в пункте 5.1.1.2.3 | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. Применительно к пункту | |
| | 4.1.3.6 оборудование терминального | |
| | интерфейса включает интерфейсы | |
| | локальных вычислительных сетей и другие | |
| | коммуникационные интерфейсы. Интерфейсы | |
| | локальных вычислительных сетей | |
| | оцениваются как контроллеры доступа к | |
| | сети. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.3.7. | Аппаратура, специально разработанная | 8471 90 000 0 |
| | для обеспечения экстернальной | |
| | интерконнекции цифровых компьютеров или | |
| | сопутствующего оборудования, которые в | |
| | коммуникациях имеют скорость передачи | |
| | данных свыше 80 Мбайт/с | |
| |-----------------------------------------| |
| | Примечание. По пункту 4.1.3.7 не | |
| | контролируется внешняя интерконнекция | |
| | оборудования (например, видимый план, | |
| | шины) или пассивное интерконнекторное | |
| | оборудование. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.4. | Нижеперечисленные ЭВМ, специально | 8471 |
| | спроектированное сопутствующее | |
| | оборудование, электронные сборки и | |
| | компоненты для них: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.4.1. | ЭВМ с систолической матрицей; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.4.2. | Нейронные ЭВМ; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.1.4.3. | Оптические ЭВМ | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.2. | Испытательное, контрольное и | |
| | производственное оборудование - нет | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.3. | Материалы - нет | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4. | Программное обеспечение | |
| | Примечание. Контрольный статус | |
| | программного обеспечения для | |
| | разработки, производства или | |
| | использования оборудования, указанного | |
| | в других категориях, определяется по | |
| | описанию соответствующей категории. В | |
| | данной категории дается контрольный | |
| | статус программного обеспечения для | |
| | оборудования этой категории. | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.1. | Программное обеспечение, специально | |
| | спроектированное или модифицированное | |
| | для разработки, производства или | |
| | использования оборудования или | |
| | программного обеспечения, | |
| | контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.2. | Программное обеспечение, специально | |
| | спроектированное или модифицированное | |
| | для поддержки технологии, | |
| | контролируемой по пункту 4.5 | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.3. | Специальное программное обеспечение, | |
| | такое как: | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.3.1. | Программное обеспечение операционных | |
| | систем, инструментарий разработки | |
| | программного обеспечения и компиляторы, | |
| | специально разработанные для | |
| | оборудования многопоточной обработки | |
| | данных в исходных кодах; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.3.2. | Экспертные системы или программное | |
| | обеспечение для механизмов логического | |
| | вывода экспертных систем, обладающие | |
| | одновременно следующими признаками: | |
| |-----------------------------------------| |
| | а) правилами, зависящими от времени; и | |
| |-----------------------------------------| |
| | б) примитивами для работы с временными | |
| | характеристиками правил и факторов; | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.3.3. | Программное обеспечение, имеющее | |
| | характеристики или выполняющее функции, | |
| | которые превосходят пределы, указанные | |
| | в части 2 Категории 5 (Защита | |
| | информации); | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.4.3.4. | Операционные системы, специально | |
| | разработанные для оборудования | |
| | обработки в реальном масштабе времени, | |
| | гарантирующие время обработки полного | |
| | прерывания менее 20 мкс | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.5. | Технология | |
|---------------|-----------------------------------------|---------------------|
| 4.5.1. | Технологии, в соответствии с общим | |
| | технологическим примечанием | |
| | предназначенные для разработки, | |
| | производства или использования | |
| | оборудования или программного | |
| | обеспечения, контролируемых по пункту | |
| | 4.1 или 4.4 | |
---------------------------------------------------------------------------------
Техническое примечание (по вычислению совокупной
теоретической производительности)
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое
устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного
элемента);
СТП - совокупная теоретическая производительность (всех
вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
x - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП
выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается
в битах.
Основной метод вычисления СТП
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах
теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной
теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов
(ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого
вычислительного элемента (ВЭ).
2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости
(R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для
каждого вычислительного элемента (ВЭ).
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной
конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента.
Подробное описание этих процедур приведено ниже.
Примечания. 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных
элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы,
вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью
объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода
вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена
скоростью работы устройства ввода - вывода данных и периферийных
функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы
передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета
эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного
элемента:
Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)
-----------------------------------------------------------------------
| Для вычислительных | Эффективная скорость |
| элементов, реализующих: | вычислений |
|--------------------------------|------------------------------------|
| только ФЗ | 1/[3 x (время сложения ФЗ)] |
|--------------------------------|------------------------------------|
| | если операции сложения нет, |
| | то через умножение: |
| | 1/(время умножения ФЗ) |
| (Rфз) | если нет ни операции сложения, |
| | ни операции умножения, то Rфз |
| | рассчитывается через самую |
| | быструю из имеющихся |
| | арифметических операций: |
| | 1/[3 x (время операции ФЗ)] |
|--------------------------------|------------------------------------|
|