О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ
В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008 - 2015 ГОДЫ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ
ПРАВИТЕЛЬСТВО РФ
8 сентября 2011 г.
N 763
(Д)
Правительство Российской Федерации постановляет:
Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную
целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и
радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную Постановлением
Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809
(Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361;
2009, N 9, ст. 1130).
Председатель Правительства
Российской Федерации
В. ПУТИН
8 сентября 2011 г.
N 763
УТВЕРЖДЕНЫ
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 8 сентября 2011 года
N 763
ИЗМЕНЕНИЯ,
КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
1. В паспорте Программы:
а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы,
изложить в следующей редакции:
----------------------------------------------------------------------
| "Государственные | - Министерство промышленности и торговли |
| заказчики Программы | Российской Федерации, |
| | Федеральное космическое агентство, |
| | Министерство образования и науки |
| | Российской Федерации, |
| | Федеральная служба по техническому и |
| | экспортному контролю, Государственная |
| | корпорация по атомной энергии "Росатом"; |
----------------------------------------------------------------------
б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и
показателей:
в абзаце втором слова "Ожидается, что в 2008 году в организациях
микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что
обеспечит" заменить словами "В организациях микроэлектроники в 2008
году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило
обеспечить";
в абзаце третьем цифры "0,09" заменить цифрами "0,13";
в абзаце пятом цифры "64" заменить цифрами "62", цифры "117"
заменить цифрами "114";
в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования
Программы:
в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71",
цифры "66000" заменить цифрами "63908,3", цифры "44000" заменить
цифрами "42936,41";
в абзаце третьем цифры "77000" заменить цифрами "72379,656;
г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов
реализации Программы и показателей социально-экономической
эффективности:
в абзаце тринадцатом цифры "198577,2" заменить цифрами
"203443,4", цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
в абзаце четырнадцатом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела,
касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы,
раздела II заменить текстом следующего содержания: "В результате
реализации Программы в 41 организации электронной промышленности
Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут
созданы центры проектирования, а в 96 - осуществлены реконструкция и
техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение
будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной
службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году
центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной
корпорации по атомной энергии "Росатом", Федерального космического
агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации,
производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17
- осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.".
3. В разделе IV:
а) в абзаце первом цифры "187000" заменить цифрами "179224,366";
б) в абзаце втором цифры "110000" заменить цифрами "106844,71";
в) в абзаце третьем цифры "66000" заменить цифрами "63908,3";
г) в абзаце четвертом цифры "44000" заменить цифрами "42936,41";
д) в абзаце пятом цифры "77000" заменить цифрами "72379,656";
е) в абзаце седьмом цифры "33000" заменить цифрами "32500".
4. В абзаце десятом раздела V слова "Федеральное агентство по
науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию" заменить
словами "Министерство образования и науки Российской Федерации,
Федеральная служба по техническому и экспортному контролю".
5. В разделе VI:
а) в абзаце пятом цифры "198577,2" заменить цифрами "203443,4";
б) в абзаце шестом цифры "64374,4" заменить цифрами "64554,9";
в) в абзаце седьмом цифры "125045,9" заменить цифрами "131640";
г) в абзаце девятом цифры "1,52" заменить цифрами "1,54";
д) в абзаце десятом цифры "2,7" заменить цифрами "2,8".
6. Приложения N 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей
редакции:
Приложение N 1
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 года
N 763)
ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
"РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
| | Единица | 2007 год | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
| | измерения | | | | | | | | | |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Индикатор |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Достигаемый технологический | мкм | 0,18 | 0,18 | 0,13 | 0,13 | 0,09 | 0,09 | 0,09 | 0,09 | 0,045 |
| уровень электроники | | | | | | | | | | |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Показатели |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Увеличение объемов продаж | млрд. рублей | 19 | 58 | 70 | 95 | 130 | 170 | 210 | 250 | 300 |
| изделий электронной и | | | | | | | | | | |
| радиоэлектронной техники | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество разработанных | - | 3 - 5 | 16 - 20 | 80 - 90| 125 - 135| 179 - 185| 210 | 230 | 250 | 260 - 270|
| базовых технологий в области | | | | | | | | | | |
| электронной компонентной базы и | | | | | | | | | | |
| радиоэлектроники (нарастающим | | | | | | | | | | |
| итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | 1 | 8 | 10 | 14 | 30 | 30 | 31 | 31 | 42 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | | | | |
| организациях Минпромторга | | | | | | | | | | |
| России (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | 1 | 1 | 1 | 4 | 4 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | | | | |
| организациях Росатома, | | | | | | | | | | |
| производящих продукцию | | | | | | | | | | |
| в интересах радиоэлектронного | | | | | | | | | | |
| комплекса (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | 1 | 3 | 3 | 10 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | | | | |
| организациях Роскосмоса, | | | | | | | | | | |
| производящих продукцию в | | | | | | | | | | |
| интересах радиоэлектронного | | | | | | | | | | |
| комплекса (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | 1 | 1 | 2 | 2 | 3 | 5 | 5 | 7 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения производств для | | | | | | | | | | |
| создания базовых центров | | | | | | | | | | |
| системного проектирования в | | | | | | | | | | |
| организациях Минобрнауки России,| | | | | | | | | | |
| производящих продукцию в | | | | | | | | | | |
| интересах радиоэлектронного | | | | | | | | | | |
| комплекса (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | 1 | 5 | 8 | 18 | 21 | 25 | 25 | 96 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | | | | |
| Минпромторга России | | | | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | | | | |
| ФСТЭК России | | | | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 1 | 9 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | | | | |
| Росатома, производящих | | | | | | | | | | |
| продукцию в интересах | | | | | | | | | | |
| радиоэлектронного комплекса | | | | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество объектов | - | - | - | - | - | - | - | 1 | 1 | 8 |
| реконструкции и технического | | | | | | | | | | |
| перевооружения радиоэлектронных | | | | | | | | | | |
| производств в организациях | | | | | | | | | | |
| Роскосмоса, производящих | | | | | | | | | | |
| продукцию в интересах | | | | | | | | | | |
| радиоэлектронного комплекса | | | | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество завершенных | - | 1 | 3 | 9 | 9 - 10 | 10 - 12 | 12 - 14 | 14 - 16 | 16 - 18 | 20 - 22 |
| поисковых технологических | | | | | | | | | | |
| научно-исследовательских работ | | | | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество реализованных | - | 4 | 11 - 12 | 16 - 20| 22 - 25 | 36 - 40 | 41 - 45 | 45 - 50 | 50 - 55 | 55 - 60 |
| мероприятий по созданию | | | | | | | | | | |
| электронной компонентной базы, | | | | | | | | | | |
| соответствующей мировому уровню | | | | | | | | | | |
| (типов, классов новой | | | | | | | | | | |
| электронной компонентной базы) | | | | | | | | | | |
| (нарастающим итогом) | | | | | | | | | | |
|---------------------------------|---------------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|----------|
| Количество создаваемых | - | 450 | 1020 - | 1800 -| 3000 - | 3800 - | 4100 - | 4400 - | 4700 - | 5000 -|
| рабочих мест (нарастающим | | | 1050 | 2200 | 3800 | 4100 | 4400 | 4700 | 5000 | 6000 |
| итогом) | | | | | | | | | | |
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Приложение N 2
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008 - 2015 годы (в редакции
Постановления Правительства
Российской Федерации
от 8 сентября 2001 года
N 763
ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
НА 2008 - 2015 ГОДЫ
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
| | Мероприятия | 2008 - | В том числе | Ожидаемые результаты |
| | | 2015 годы |-----------------------------------------------------------------------------------| |
| | | - всего | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | |
| | | | год | год | год | год | год | год | год | год | |
|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы |
|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника |
|--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| 1. | Разработка технологии | 128,624 | 66 | 62,624 | | | | | | | создание базовой технологии |
| | производства мощных | ------- | -- | ------ | | | | | | | производства мощных |
| | сверхвысокочастотных | 84 | 44 | 40 | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | транзисторов на основе | | | | | | | | | | транзисторов на основе |
| | гетероструктур | | | | | | | | | | гетероструктур материалов |
| | материалов группы A B | | | | | | | | | | группы A B для бортовой и |
| | 3 5 | | | | | | | | | | 3 5 |
| | | | | | | | | | | | наземной аппаратуры (2009 |
| | | | | | | | | | | | год), разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | | | | | | | | | | | единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 2. | Разработка базовой | 208,25 | | 30,5 | 39,5 | 53,25 | 31,8 | 53,2 | | | создание базовой технологии |
| | технологии производства | ------ | | ---- | ---- | ----- | ---- | ---- | | | производства монолитных |
| | монолитных | 137,7 | | 20 | 26 | 35,5 | 21,2 | 35 | | | сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | микросхем и объемных приемо- |
| | микросхем и объемных | | | | | | | | | | передающих |
| | приемо-передающих | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | субмодулей X-диапазона на |
| | субмодулей X-диапазона | | | | | | | | | | основе гетероструктур |
| | | | | | | | | | | | материалов группы A B для |
| | | | | | | | | | | | 3 5 |
| | | | | | | | | | | | бортовой и наземной |
| | | | | | | | | | | | аппаратуры радиолокации, |
| | | | | | | | | | | | средств связи (2013 год), |
| | | | | | | | | | | | разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | | | | | | | | | | | единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 3. | Разработка базовой | 212,75 | 141,75 | 71 | | | | | | | создание технологии |
| | технологии производства | ------- | ------ | -- | | | | | | | производства мощных |
| | мощных | 134,75 | 87,75 | 47 | | | | | | | транзисторов |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотного |
| | полупроводниковых | | | | | | | | | | диапазона на основе |
| | приборов на основе | | | | | | | | | | нитридных |
| | нитридных гетеро- | | | | | | | | | | гетероэпитаксиальных |
| | эпитаксиальных структур | | | | | | | | | | структур для техники связи, |
| | | | | | | | | | | | радиолокации (2009 год) |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 4. | Разработка базовой | 531 | | 20 | 77,5 | 163,5 | 118 | 152 | | | создание технологии |
| | технологии и библиотеки | --- | | -- | ---- | ---- | --- | --- | | | производства на основе |
| | элементов для | 375 | | 17 | 65 | 109 | 80 | 104 | | | нитридных |
| | проектирования и | | | | | | | | | | гетероэпитаксиальных |
| | производства монолитных | | | | | | | | | | структур мощных |
| | интегральных схем | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотного | | | | | | | | | | монолитных интегральных схем |
| | диапазона на основе | | | | | | | | | | с рабочими частотами до 20 |
| | нитридных | | | | | | | | | | ГГц для техники связи, |
| | гетероэпитаксиальных | | | | | | | | | | радиолокации (2013 год), |
| | структур | | | | | | | | | | разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | | | | | | | | | | | единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 5. | Разработка базовой | 149,257 | 85,757 | 63,5 | | | | | | | создание базовой технологии |
| | технологии производства | ------- | ----- | ---- | | | | | | | производства компонентов для |
| | сверхвысокочастотных | 101,7 | 59,7 | 42 | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | компонентов и | | | | | | | | | | интегральных схем диапазона |
| | сложнофункциональных | | | | | | | | | | 2 - 12 ГГц с высокой |
| | блоков для | | | | | | | | | | степенью интеграции для |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | аппаратуры радиолокации и |
| | интегральных схем | | | | | | | | | | связи бортового и наземного |
| | высокой степени | | | | | | | | | | применения, а также бытовой |
| | интеграции на основе | | | | | | | | | | и автомобильной электроники |
| | гетероструктур "кремний | | | | | | | | | | (2009 год), разработка |
| | - германий" | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 6. | Разработка базовой | 248,55 | | 5,6 | 65,8 | 177,15 | | | | | создание базовой технологии |
| | технологии производства | ------ | | --- | ---- | ----- | | | | | производства |
| | сверхвысокочастотных | 158,1 | | 5 | 35 | 118,1 | | | | | сверхвысокочастотных |
| | интегральных схем | | | | | | | | | | интегральных схем диапазона |
| | высокой степени | | | | | | | | | | 2 - 12 ГГц с высокой |
| | интеграции на основе | | | | | | | | | | степенью интеграции для |
| | гетероструктур | | | | | | | | | | аппаратуры радиолокации и |
| | "кремний - германий" | | | | | | | | | | связи бортового и наземного |
| | | | | | | | | | | | применения, а также бытовой |
| | | | | | | | | | | | и автомобильной электроники |
| | | | | | | | | | | | (2011 год), разработка |
| | | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 7. | Разработка аттестованных | 448,408 | 253 | 195,408 | | | | | | | разработка аттестованных |
| | библиотек | ------ | --- | ------- | | | | | | | библиотек |
| | сложнофункциональных | 308,75 | 169 | 139,75 | | | | | | | сложнофункциональных блоков |
| | блоков для | | | | | | | | | | для проектирования широкого |
| | проектирования | | | | | | | | | | спектра сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных и | | | | | | | | | | интегральных схем на SiGe с |
| | радиочастотных | | | | | | | | | | рабочими частотами до 150 |
| | интегральных | | | | | | | | | | ГГц, разработка комплектов |
| | схем на основе | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | гетероструктур "кремний | | | | | | | | | | единой системы |
| | - германий" | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, |
| | | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 8. | Разработка базовых | 217,44 | | 47 | 80,09 | 58,95 | 17 | 14,4 | | | создание базовых технологий |
| | технологий | ------ | | -- | ----- | ----- | ---- | ---- | | | проектирования на основе |
| | проектирования кремний- | 142 | | 30 | 52 | 39,3 | 11,3 | 9,4 | | | библиотеки |
| | германиевых | | | | | | | | | | сложнофункциональных блоков |
| | сверхвысокочастотных и | | | | | | | | | | широкого спектра |
| | радиочастотных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | интегральных схем на | | | | | | | | | | интегральных схем на SiGe с |
| | основе аттестованной | | | | | | | | | | рабочими частотами до 150 |
| | библиотеки | | | | | | | | | | ГГц (2013 год), разработка |
| | сложнофункциональных | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | блоков | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 9. | Разработка базовых | 114,9 | 60 | 54,9 | | | | | | | создание базовых технологий |
| | технологий производства | ----- | -- | ---- | | | | | | | производства элементной базы |
| | элементной базы для ряда | 74 | 40 | 34 | | | | | | | для высокоплотных источников |
| | силовых герметичных | | | | | | | | | | вторичного электропитания |
| | модулей высокоплотных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | источников вторичного | | | | | | | | | | приборов и узлов аппаратуры |
| | электропитания вакуумных | | | | | | | | | | (2009 год), разработка |
| | и твердотельных | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | приборов и узлов | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | аппаратуры | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 10. | Разработка базовых | 126,913 | | | 79,513 | 47,4 | | | | | создание базовых конструкций |
| | технологий производства | ------- | | | ------ | ---- | | | | | и технологии производства |
| | ряда силовых герметичных | 73,1 | | | 41,5 | 31,6 | | | | | высокоэффективных, |
| | модулей высокоплотных | | | | | | | | | | высокоплотных источников |
| | источников вторичного | | | | | | | | | | вторичного электропитания |
| | электропитания вакуумных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | и твердотельных | | | | | | | | | | приборов и узлов аппаратуры |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | на основе гибридно-пленочной |
| | приборов и узлов | | | | | | | | | | технологии с применением |
| | аппаратуры | | | | | | | | | | бескорпусной элементной базы |
| | | | | | | | | | | | (2011 год), разработка |
| | | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 11. | Разработка базовых | 226 | 151,2 | 74,8 | | | | | | | создание технологии |
| | конструкций и технологии | --- | ----- | ---- | | | | | | | массового производства ряда |
| | производства корпусов | 152 | 102 | 50 | | | | | | | корпусов мощных |
| | мощных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | приборов для "бессвинцовой" |
| | транзисторов X- , C-, S-, | | | | | | | | | | сборки (2009 год), |
| | L- и P-диапазонов из | | | | | | | | | | разработка комплектов |
| | малотоксичных материалов | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | с высокой | | | | | | | | | | единой системы |
| | теплопроводностью | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 12. | Разработка базовых | 83,5 | | 13 | 40,5 | 30 | | | | | создание базовых |
| | конструкций | ---- | | -- | ---- | -- | | | | | конструктивных рядов |
| | теплоотводящих элементов | 55 | | 8 | 27 | 20 | | | | | элементов систем охлаждения |
| | систем охлаждения | | | | | | | | | | аппаратуры Х- и С-диапазонов |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | наземных, корабельных и |
| | приборов X- и C- | | | | | | | | | | воздушно-космических |
| | диапазонов на основе | | | | | | | | | | комплексов |
| | новых материалов | | | | | | | | | | |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 13. | Разработка базовой | 109 | | | 64 | 45 | | | | | создание технологии |
| | технологии производства | --- | | | -- | -- | | | | | массового производства |
| | теплоотводящих элементов | 62 | | | 32 | 30 | | | | | конструктивного ряда |
| | систем охлаждения | | | | | | | | | | элементов систем охлаждения |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | аппаратуры X- и C-диапазонов |
| | приборов X- и C- | | | | | | | | | | наземных, корабельных и |
| | диапазонов на основе | | | | | | | | | | воздушно-космических |
| | новых материалов | | | | | | | | | | комплексов (2011 год), |
| | | | | | | | | | | | разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | | | | | | | | | | | единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 14. | Разработка базовых | 13 | | 13 | | | | | | | создание технологии |
| | технологий производства | -- | | -- | | | | | | | массового производства |
| | суперлинейных кремниевых | 8 | | 8 | | | | | | | конструктивного ряда |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | транзисторов S- и L- | | | | | | | | | | транзисторов S- и L- |
| | диапазонов | | | | | | | | | | диапазонов для техники |
| | | | | | | | | | | | связи, локации и контрольной |
| | | | | | | | | | | | аппаратуры (2009 год), |
| | | | | | | | | | | | разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | | | | | | | | | | | единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 15. | Разработка | 208,9 | | | 139,9 | 69 | | | | | создание конструктивно- |
| | конструктивно- | ----- | | | ----- | -- | | | | | параметрического ряда |
| | параметрического ряда | 115,9 | | | 69,9 | 46 | | | | | сверхвысокочастотных |
| | суперлинейных | | | | | | | | | | транзисторов S- и L- |
| | кремниевых | | | | | | | | | | диапазонов для техники |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | связи, локации и контрольной |
| | транзисторов S- и L- | | | | | | | | | | аппаратуры, разработка |
| | диапазонов | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 16. | Разработка технологии | 32 | 18 | 14 | | | | | | | разработка метрологической |
| | измерений и базовых | -- | -- | -- | | | | | | | аппаратуры нового поколения |
| | конструкций установок | 22 | 12 | 10 | | | | | | | для исследования и контроля |
| | автоматизированного | | | | | | | | | | параметров полупроводниковых |
| | измерения параметров | | | | | | | | | | структур, активных элементов |
| | нелинейных моделей | | | | | | | | | | и сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | монолитных интегральных схем |
| | полупроводниковых | | | | | | | | | | в производстве и при их |
| | структур, мощных | | | | | | | | | | использовании |
| | транзисторов и | | | | | | | | | | |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | |
| | монолитных интегральных | | | | | | | | | | |
| | схем X-, C-, S-, L- и P- | | | | | | | | | | |
| | диапазонов для их | | | | | | | | | | |
| | массового производства | | | | | | | | | | |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 17. | Исследование и | 149,416 | 84,916 | 64,5 | | | | | | | создание технологии |
| | разработка базовых | ------- | ------ | ---- | | | | | | | унифицированных |
| | технологий для создания | 102 | 59 | 43 | | | | | | | сверхширокополосных приборов |
| | нового поколения мощных | | | | | | | | | | среднего и большого уровня |
| | вакуумно-твердотельных | | | | | | | | | | мощности сантиметрового |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | диапазона длин волн и |
| | приборов и гибридных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | малогабаритных | | | | | | | | | | магнитоэлектрических |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | приборов для перспективных |
| | модулей с улучшенными | | | | | | | | | | радиоэлектронных систем и |
| | массогабаритными | | | | | | | | | | аппаратуры связи |
| | характеристиками, | | | | | | | | | | космического базирования |
| | магнитоэлектрических | | | | | | | | | | (2009 год), разработка |
| | приборов | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | сверхвысокочастотного | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | диапазона, в том числе | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | циркуляторов и | | | | | | | | | | технологической и |
| | фазовращателей, | | | | | | | | | | производственной |
| | вентилей, | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | высокодобротных | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | резонаторов, | | | | | | | | | | производственной линии |
| | перестраиваемых | | | | | | | | | | |
| | фильтров, микроволновых | | | | | | | | | | |
| | приборов со спиновым | | | | | | | | | | |
| | управлением для | | | | | | | | | | |
| | перспективных | | | | | | | | | | |
| | радиоэлектронных систем | | | | | | | | | | |
| | двойного назначения | | | | | | | | | | |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 18. | Разработка базовых | 118,45 | | | 77,5 | 40,95 | | | | | разработка конструктивных |
| | конструкций и технологии | ------ | | | ---- | ----- | | | | | рядов и базовых технологий |
| | производства нового | 85,3 | | | 58 | 27,3 | | | | | производства |
| | поколения мощных | | | | | | | | | | сверхширокополосных приборов |
| | вакуумно-твердотельных | | | | | | | | | | среднего и большого уровня |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | мощности сантиметрового |
| | приборов и гибридных | | | | | | | | | | диапазона длин волн и |
| | малогабаритных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | магнитоэлектрических |
| | модулей с улучшенными | | | | | | | | | | приборов для перспективных |
| | массогабаритными | | | | | | | | | | радиоэлектронных систем и |
| | характеристиками, | | | | | | | | | | аппаратуры связи |
| | магнитоэлектрических | | | | | | | | | | космического базирования |
| | приборов | | | | | | | | | | (2011 год), разработка |
| | сверхвысокочастотного | | | | | | | | | | комплектов документации в |
| | диапазона, в том числе | | | | | | | | | | стандартах единой системы |
| | циркуляторов и | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | фазовращателей, | | | | | | | | | | технологической и |
| | вентилей, | | | | | | | | | | производственной |
| | высокодобротных | | | | | | | | | | документации, ввод в |
| | резонаторов, | | | | | | | | | | эксплуатацию |
| | перестраиваемых | | | | | | | | | | производственной линии |
| | фильтров, микроволновых | | | | | | | | | | |
| | приборов со спиновым | | | | | | | | | | |
| | управлением для | | | | | | | | | | |
| | перспективных | | | | | | | | | | |
| | радиоэлектронных систем | | | | | | | | | | |
| | двойного назначения | | | | | | | | | | |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 19. | Исследование и | 110,5 | 65,5 | 45 | | | | | | | создание технологических |
| | разработка процессов и | ----- | ---- | -- | | | | | | | процессов производства |
| | базовых технологий | 75,5 | 45,5 | 30 | | | | | | | нанопленочных малогабаритных |
| | нанопленочных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | малогабаритных | | | | | | | | | | резисторно-индуктивно- |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | емкостных матриц |
| | резисторно-индуктивно- | | | | | | | | | | многофункционального |
| | емкостных матриц | | | | | | | | | | назначения для печатного |
| | многофункционального | | | | | | | | | | монтажа (2008 год), создание |
| | назначения для печатного | | | | | | | | | | базовой технологии получения |
| | монтажа и | | | | | | | | | | сверхбыстродействующих (до |
| | сверхбыстродействующих | | | | | | | | | | 150 ГГц) приборов на |
| | (до 150 ГГц) приборов на | | | | | | | | | | наногетероструктурах с |
| | наногетероструктурах с | | | | | | | | | | квантовыми эффектами (2009 |
| | квантовыми дефектами | | | | | | | | | | год), разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
| | | | | | | | | | | | единой системы |
| | | | | | | | | | | | конструкторской, |
| | | | | | | | | | | | технологической и |
| | | | | | | | | | | | производственной |
| | | | | | | | | | | | документации, |
| | | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию |
| | | | | | | | | | | | производственной линии |
|-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------|
| 20. | Разработка базовых | 84,5 | | | 50 | 34,5 | | | | | создание конструктивных |
| | конструкций и технологии | ---- | | | -- | ---- | | | | | рядов и базовых технологий |
| | производства | 53 | | | 30 | 23 | | | | | производства нанопленочных |
| | нанопленочных | | | | | | | | | | малогабаритных |
| | малогабаритных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных |
| | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | резисторно-индуктивно- |
| | резисторно-индуктивно- | | | | | | | | | | емкостных матриц |
| | емкостных матриц | | | | | | | | | | многофункционального |
| | многофункционального | | | | | | | | | | назначения для печатного |
| | назначения для печатного | | | | | | | | | | монтажа (2011 год), |
| | монтажа | | | | | | | | | | разработка комплектов |
| | | | | | | | | | | | документации в стандартах |
|