| | | | | | | | | | | | единой системы | | | | | | | | | | | | | конструкторской, | | | | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | | | | производственной | | | | | | | | | | | | | документации, ввод в | | | | | | | | | | | | | эксплуатацию | | | | | | | | | | | | | производственной линии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 21. | Разработка базовой | 133,314 | 63,447 | 69,867 | | | | | | | создание базовой технологии | | | технологии | ------- | ------ | ------ | | | | | | | производства элементов и | | | сверхвысокочастотных | 88 | 42 | 46 | | | | | | | специальных элементов и | | | p-i-n диодов, матриц, | | | | | | | | | | блоков портативной | | | узлов управления и | | | | | | | | | | аппаратуры миллиметрового | | | портативных фазированных | | | | | | | | | | диапазона длин волн для | | | блоков аппаратуры | | | | | | | | | | нового поколения средств | | | миллиметрового диапазона | | | | | | | | | | связи, радиолокационных | | | длин волн на основе | | | | | | | | | | станций, радионавигации, | | | магнитоэлектронных | | | | | | | | | | измерительной техники, | | | твердотельных и | | | | | | | | | | автомобильных радаров, | | | высокоскоростных | | | | | | | | | | охранных и сигнальных | | | цифровых приборов и | | | | | | | | | | устройств (2009 год), | | | устройств с функциями | | | | | | | | | | разработка комплектов | | | адаптации и цифрового | | | | | | | | | | документации в стандартах | | | диаграммообразования | | | | | | | | | | единой системы | | | | | | | | | | | | | конструкторской, | | | | | | | | | | | | | технологической и | | | | | | | | | | | | | производственной | | | | | | | | | | | | | документации, ввод в | | | | | | | | | | | | | эксплуатацию | | | | | | | | | | | | | производственной линии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 22. | Разработка базовых | 2342,933 | 338 | 295,11 | 364,823 | 380,85 | 320 | 189,8 | 218,35 | 236 | создание конструктивных | | | технологий создания | -------- | --- | ------ | ------- | ------ | --- | ----- | ------ | --- | рядов и базовых технологий | | | мощных вакуумных | 1540,66 | 230 | 193,1 | 226,98 | 253,9 | 210 | 124,8 | 145,88 | 156 | проектирования и | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | производства мощных и | | | устройств | | | | | | | | | | сверхмощных вакуумных | | | | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | | | | приборов для аппаратуры | | | | | | | | | | | | | широкого назначения нового | | | | | | | | | | | | | поколения (2009 год, 2011 | | | | | | | | | | | | | год), включая разработку: | | | | | | | | | | | | | конструкций многолучевых | | | | | | | | | | | | | электронно-оптических | | | | | | | | | | | | | систем, включая | | | | | | | | | | | | | автоэмиссионные катоды | | | | | | | | | | | | | повышенной мощности и | | | | | | | | | | | | | долговечности (2012 год); | | | | | | | | | | | | | мощных широкополосных ламп | | | | | | | | | | | | | бегущей волны импульсного и | | | | | | | | | | | | | непрерывного действия, | | | | | | | | | | | | | магнетронов, тетродов | | | | | | | | | | | | | миллиметрового диапазона | | | | | | | | | | | | | (2013 год); | | | | | | | | | | | | | малогабаритных ускорителей | | | | | | | | | | | | | электронов с энергией до 10 | | | | | | | | | | | | | МЭВ для терапевтических и | | | | | | | | | | | | | технических приложений (2014 | | | | | | | | | | | | | год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 23. | Разработка базовых | 1661,182 | 158,001 | 253,012 | 296,269 | 293,55 | 287,35 | 118 | 112 | 143 | создание базовых конструкций | | | технологий создания | -------- | ------- | ------- | ------- | ------ | ------ | ----- | --- | --- | и технологий изготовления | | | мощных твердотельных | 1096,4 | 103 | 166,5 | 192,4 | 195,7 | 189,9 | 78,9 | 75 | 95 | сверхвысокочастотных мощных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | приборов на структурах с | | | устройств на базе | | | | | | | | | | использованием нитрида | | | нитрида галлия | | | | | | | | | | галлия (2008 год, 2010 год), | | | | | | | | | | | | | включая: | | | | | | | | | | | | | создание гетеропереходных | | | | | | | | | | | | | полевых транзисторов с | | | | | | | | | | | | | диодом Шоттки с удельной | | | | | | | | | | | | | мощностью до 30 - 40 Вт/мм и | | | | | | | | | | | | | рабочими напряжениями до | | | | | | | | | | | | | 100 В; | | | | | | | | | | | | | исследования и разработку | | | | | | | | | | | | | технологий получения | | | | | | | | | | | | | гетероструктур на основе | | | | | | | | | | | | | слоев нитрида галлия на | | | | | | | | | | | | | изоляторе и высокоомных | | | | | | | | | | | | | подложках (2013 год); | | | | | | | | | | | | | разработка технологии | | | | | | | | | | | | | получения интегральных схем, | | | | | | | | | | | | | работающих в экстремальных | | | | | | | | | | | | | условиях (2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 24. | Исследование | 1085,2 | | | | 160,2 | 99,5 | 300 | 308 | 217,5 | исследование технологических | | | перспективных типов | ------ | | | | ----- | ----- | ----- | --- | ----- | принципов формирования | | | сверхвысокочастотных | 724,12 | | | | 106,8 | 67,02 | 200,3 | 205 | 145 | перспективных | | | приборов и структур, | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | разработка | | | | | | | | | | приборов и структур, включая | | | технологических | | | | | | | | | | создание наногетероструктур, | | | принципов их | | | | | | | | | | использование | | | изготовления | | | | | | | | | | комбинированных (электронных | | | | | | | | | | | | | и оптических методов | | | | | | | | | | | | | передачи и преобразования | | | | | | | | | | | | | сигналов), определение | | | | | | | | | | | | | перспективных методов | | | | | | | | | | | | | формирования приборных | | | | | | | | | | | | | структур, работающих в | | | | | | | | | | | | | частотных диапазонах до | | | | | | | | | | | | | 200 ГГц | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 25. | Разработка перспективных | 1043,3 | | | | 49,2 | 331,7 | 221,4 | 255 | 186 | создание полного состава | | | методов проектирования и | ------ | | | | ---- | ----- | ----- | --- | --- | прикладных программ | | | моделирования | 699,1 | | | | 32,8 | 224,7 | 147,6 | 170 | 124 | проектирования и оптимизации | | | сложнофункциональной | | | | | | | | | | сверхвысокочастотной | | | сверхвысокочастотной | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | электронной компонентной | | | | | | | | | | базы, включая проектирование | | | базы | | | | | | | | | | активных приборов, | | | | | | | | | | | | | полосковых линий передачи, | | | | | | | | | | | | | согласующих компонентов, | | | | | | | | | | | | | формируемых в едином | | | | | | | | | | | | | технологическом процессе | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | | Всего по направлению 1 | 9787,287 | 1485,57 | 1392,821 |1375,395 | 1603,5 |1205,35 |1048,8 | 893,35 | 782,5 | | | | | -------- | ------- | -------- | ------- | ------ | ------ |------ | ------ | ----- | | | | | 6468,08 | 993,95 | 929,35 | 855,78 | 1069 | 804,12 | 700 | 595,88 | 520 | | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 26. | Разработка базовой | 106,65 | 60 | 46,65 | | | | | | | создание технологии | | | технологии радиационно | ------ | -- | ----- | | | | | | | изготовления микросхем с | | | стойких сверхбольших | 79,65 | 38 | 41,65 | | | | | | | размерами элементов 0,5 мкм | | | интегральных схем уровня | | | | | | | | | | на структурах "кремний на | | | 0,5 мкм на структурах | | | | | | | | | | сапфире" диаметром 150 мм | | | "кремний на сапфире" | | | | | | | | | | (2009 год), разработка | | | диаметром | | | | | | | | | | правил проектирования | | | 150 мм | | | | | | | | | | базовых библиотек элементов | | | | | | | | | | | | | и блоков цифровых и | | | | | | | | | | | | | аналоговых сверхбольших | | | | | | | | | | | | | интегральных схем | | | | | | | | | | | | | расширенной номенклатуры для | | | | | | | | | | | | | организации производства | | | | | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | | | | | элементной базы, | | | | | | | | | | | | | обеспечивающей выпуск | | | | | | | | | | | | | специальной аппаратуры и | | | | | | | | | | | | | систем, работающих в | | | | | | | | | | | | | экстремальных условиях | | | | | | | | | | | | | (атомная энергетика, космос, | | | | | | | | | | | | | военная техника) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 27. | Разработка базовой | 286,65 | | | 39,2 | 170,25 | 53,2 | 24 | | | создание технологии | | | технологии радиационно | ------ | | | ---- | ------ | ---- | ---- | | | изготовления микросхем с | | | стойких сверхбольших | 188,1 | | | 19,6 | 113,5 | 37,2 | 17,8 | | | размерами элементов | | | интегральных схем уровня | | | | | | | | | | 0,35 мкм на структурах | | | 0,35 мкм на структурах | | | | | | | | | | "кремний на сапфире" | | | "кремний на сапфире" | | | | | | | | | | диаметром 150 мм (2013 год), | | | диаметром | | | | | | | | | | разработка правил | | | 150 мм | | | | | | | | | | проектирования базовых | | | | | | | | | | | | | библиотек элементов и блоков | | | | | | | | | | | | | цифровых и аналоговых | | | | | | | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | | | | | | | | | | | схем, обеспечивающих | | | | | | | | | | | | | создание расширенной | | | | | | | | | | | | | номенклатуры | | | | | | | | | | | | | быстродействующей и | | | | | | | | | | | | | высокоинтегрированной | | | | | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | | | | | элементной базы | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 28. | Разработка технологии | 245,904 | 130 | 115,904 | | | | | | | создание технологического | | | проектирования и | ------ | --- | ------- | | | | | | | базиса (технология | | | конструктивно- | 164 | 87 | 77 | | | | | | | проектирования, базовые | | | технологических решений | | | | | | | | | | технологии), позволяющего | | | библиотеки логических и | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | аналоговых элементов, | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | оперативных запоминающих | | | | | | | | | | интегральные схемы на | | | устройств, постоянных | | | | | | | | | | структурах "кремний на | | | запоминающих устройств, | | | | | | | | | | изоляторе" с проектной | | | сложнофункциональных | | | | | | | | | | нормой до 0,25 мкм | | | радиационно стойких | | | | | | | | | | (2009 год) | | | блоков контроллеров по | | | | | | | | | | | | | технологии "кремний на | | | | | | | | | | | | | изоляторе" с проектными | | | | | | | | | | | | | нормами до 0,25 мкм | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 29. | Разработка технологии | 365,35 | | | 108,6 | 166,05 | 67,7 | 23 | | | создание технологического | | | проектирования и | ----- | | | ----- | ------ | ---- | ---- | | | базиса (технология | | | конструктивно- | 235 | | | 54,3 | 110,7 | 52,6 | 17,4 | | | проектирования, базовые | | | технологических решений | | | | | | | | | | технологии), позволяющего | | | библиотеки логических и | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | аналоговых элементов, | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | оперативных запоминающих | | | | | | | | | | интегральные схемы на | | | устройств, постоянных | | | | | | | | | | структурах "кремний на | | | запоминающих устройств, | | | | | | | | | | изоляторе" с проектной | | | сложно функциональных | | | | | | | | | | нормой до 0,18 мкм | | | радиационно стойких | | | | | | | | | | | | | блоков контроллеров по | | | | | | | | | | | | | технологии "кремний на | | | | | | | | | | | | | изоляторе" с проектными | | | | | | | | | | | | | нормами до 0,18 мкм | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 30. | Разработка базовых | 141,75 | 92 | 49,75 | | | | | | | создание технологического | | | технологических | ------ | -- | ----- | | | | | | | процесса изготовления | | | процессов изготовления | 97,65 | 63 | 34,65 | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | | схем энергонезависимой, | | | элементной базы для | | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | сверхбольших | | | | | | | | | | сегнетоэлектрической памяти | | | интегральных схем | | | | | | | | | | уровня 0,35 мкм и базовой | | | энергозависимой | | | | | | | | | | технологии создания, | | | пьезоэлектрической и | | | | | | | | | | изготовления и аттестации | | | магниторезистивной | | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | памяти с проектными | | | | | | | | | | пассивной электронной | | | нормами 0,35 мкм и | | | | | | | | | | компонентной базы (2009 год) | | | пассивной радиационно | | | | | | | | | | | | | стойкой элементной базы | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 31. | Разработка базовых | 257,45 | | | 74,6 | 130,35 | 42,3 | 10,2 | | | создание технологического | | | технологических | ------ | | | ---- | ----- | ---- | ---- | | | процесса изготовления | | | процессов изготовления | 159,2 | | | 37,3 | 86,9 | 28,2 | 6,8 | | | сверхбольших интегральных | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | | схем энергонезависимой | | | элементной базы для | | | | | | | | | | радиационно стойкой | | | сверхбольших | | | | | | | | | | сегнетоэлектрической памяти | | | интегральных схем | | | | | | | | | | уровня 0,18 мкм (2010 год) и | | | энергозависимой | | | | | | | | | | создания, изготовления и | | | пьезоэлектрической и | | | | | | | | | | аттестации радиационно | | | магниторезистивной | | | | | | | | | | стойкой пассивной | | | памяти с проектными | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | нормами 0,18 мкм и | | | | | | | | | | базы (2013 год) | | | пассивной радиационно | | | | | | | | | | | | | стойкой элементной базы | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 32. | Разработка технологии | 110,736 | 58,609 | 52,127 | | | | | | | разработка расширенного ряда | | | "кремний на сапфире" | ------- | ------ | ------ | | | | | | | цифровых процессоров, | | | изготовления ряда | 73 | 38 | 35 | | | | | | | микроконтроллеров, | | | лицензионно-независимых | | | | | | | | | | оперативных запоминающих | | | радиационно стойких | | | | | | | | | | программируемых и | | | комплементарных полевых | | | | | | | | | | перепрограммируемых | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | устройств, аналого-цифровых | | | сверхбольших | | | | | | | | | | преобразователей в | | | интегральных схем | | | | | | | | | | радиационно стойком | | | цифровых процессоров | | | | | | | | | | исполнении для создания | | | обработки сигналов, | | | | | | | | | | специальной аппаратуры | | | микроконтроллеров и схем | | | | | | | | | | нового поколения | | | интерфейса | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 33. | Разработка технологии | 370,802 | | | 82,952 | 190,35 | 72,6 | 24,9 | | | создание технологии | | | структур с ультратонким | ------ | | | ----- | ------ | ---- | ---- | | | проектирования и | | | слоем кремния на сапфире | 231,7 | | | 39,8 | 126,9 | 48,4 | 16,6 | | | изготовления микросхем и | | | | | | | | | | | | | сложнофункциональных блоков | | | | | | | | | | | | | на основе ультратонких слоев | | | | | | | | | | | | | на структуре "кремний на | | | | | | | | | | | | | сапфире", позволяющей | | | | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | | | | | | | | | | | интегральные схемы с высоким | | | | | | | | | | | | | уровнем радиационной | | | | | | | | | | | | | стойкости (2013 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 34. | Разработка базовой | 92,669 | 51 | 41,669 | | | | | | | разработка конструкции и | | | технологии и приборно- | ------ | -- | ------ | | | | | | | модели интегральных | | | технологического базиса | 73,15 | 40 | 33,15 | | | | | | | элементов и технологического | | | производства радиационно | | | | | | | | | | маршрута изготовления | | | стойких сверхбольших | | | | | | | | | | радиационно стойких | | | интегральных схем | | | | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | "система на кристалле", | | | | | | | | | | схем типа "система на | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | | кристалле" с расширенным | | | силовой электроники для | | | | | | | | | | температурным диапазоном, | | | аппаратуры питания и | | | | | | | | | | силовых транзисторов и | | | управления | | | | | | | | | | модулей для бортовых и | | | | | | | | | | | | | промышленных систем | | | | | | | | | | | | | управления с пробивными | | | | | | | | | | | | | напряжениями до 75 В и | | | | | | | | | | | | | рабочими токами коммутации | | | | | | | | | | | | | до 10 А (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 35. | Разработка элементной | 74,471 | 36,2 | 38,271 | | | | | | | создание ряда | | | базы радиационно стойких | ------ | ---- | ------ | | | | | | | микронанотриодов и | | | интегральных схем на | 50,6 | 26,1 | 24,5 | | | | | | | микронанодиодов с наивысшей | | | основе полевых | | | | | | | | | | радиационной стойкостью для | | | эмиссионных | | | | | | | | | | долговечной аппаратуры | | | микронанотриодов | | | | | | | | | | космического базирования | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 36. | Создание информационной | 256,6 | | | 21,4 | 25 | 92,4 | 117,8 | | | разработка комплекса моделей | | | базы радиационно стойкой | ----- | | | ---- | ---- | ---- | ----- | | | расчета радиационной | | | электронной компонентной | 167,3 | | | 10,7 | 16,6 | 61,6 | 78,4 | | | стойкости электронной | | | базы, содержащей модели | | | | | | | | | | компонентной базы для | | | интегральных | | | | | | | | | | определения технически | | | компонентов, | | | | | | | | | | обоснованных норм испытаний | | | функционирующих в | | | | | | | | | | | | | условиях радиационных | | | | | | | | | | | | | воздействий, создание | | | | | | | | | | | | | математических моделей | | | | | | | | | | | | | стойкости электронной | | | | | | | | | | | | | компонентной базы, | | | | | | | | | | | | | создание методик | | | | | | | | | | | | | испытаний и аттестации | | | | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | | | | | | | | | | | базы | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 37. | Разработка библиотек | 975,5 | | | | 105 | 184,5 | 281,5 | 209,5 | 195 | создание технологии | | | стандартных элементов и | ----- | | | | --- | ----- | ----- | ----- | --- | проектирования и | | | сложнофункциональных | 650 | | | | 70 | 123 | 187,5 | 139,5 | 130 | изготовления микросхем и | | | блоков для создания | | | | | | | | | | сложнофункциональных блоков | | | радиационно стойких | | | | | | | | | | на основе ультратонких слоев | | | сверхбольших | | | | | | | | | | на структуре "кремний на | | | интегральных схем | | | | | | | | | | сапфире", позволяющей | | | | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | | | | | | | | | | | интегральные схемы с высоким | | | | | | | | | | | | | уровнем радиационной | | | | | | | | | | | | | стойкости (2012 год, | | | | | | | | | | | | | 2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 38. | Разработка расширенного | 978,75 | | | | 187,5 | 185 | 163 | 242,75 | 200,5 | разработка расширенного ряда | | | ряда радиационно стойких | ------ | | | | ----- | --- | ----- | ------ | ----- | цифровых процессоров, | | | сверхбольших | 650 | | | | 125 | 123 | 108,5 | 160 | 133,5 | микроконтроллеров, | | | интегральных схем для | | | | | | | | | | оперативных запоминающих | | | специальной аппаратуры | | | | | | | | | | программируемых и | | | связи, обработки и | | | | | | | | | | перепрограммируемых | | | передачи информации, | | | | | | | | | | устройств, аналого-цифровых | | | систем управления | | | | | | | | | | преобразователей в | | | | | | | | | | | | | радиационно стойком | | | | | | | | | | | | | исполнении для создания | | | | | | | | | | | | | специальной аппаратуры | | | | | | | | | | | | | нового поколения, разработка | | | | | | | | | | | | | конструкции и модели | | | | | | | | | | | | | интегральных элементов и | | | | | | | | | | | | | технологического маршрута | | | | | | | | | | | | | изготовления радиационно | | | | | | | | | | | | | стойких сверхбольших | | | | | | | | | | | | | интегральных схем типа | | | | | | | | | | | | | "система на кристалле" с | | | | | | | | | | | | | расширенным температурным | | | | | | | | | | | | | диапазоном, силовых | | | | | | | | | | | | | транзисторов и модулей для | | | | | | | | | | | | | бортовых и промышленных | | | | | | | | | | | | | систем управления с пробивными| | | | | | | | | | | | | напряжениями до 75 В и | | | | | | | | | | | | | рабочими токами коммутации | | | | | | | | | | | | | до 10 А, создание ряда | | | | | | | | | | | | | микронанотриодов и | | | | | | | | | | | | | микронанотриодов с наивысшей | | | | | | | | | | | | | радиационной стойкостью для | | | | | | | | | | | | | долговечной аппаратуры | | | | | | | | | | | | | космического базирования | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 39. | Разработка и | 953 | | | | 75 | 275 | 230 | 196 | 177 | разработка комплекса моделей | | | совершенствование | --- | | | | -- | --- | ----- | ----- | --- | расчета радиационной | | | методов моделирования и | 634 | | | | 50 | 183 | 153,5 | 130,5 | 117 | стойкости электронной | | | проектирования | | | | | | | | | | компонентной базы для | | | радиационно стойкой | | | | | | | | | | определения технически | | | элементной базы | | | | | | | | | | обоснованных норм испытаний | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 40. | Разработка и | 988,15 | | | | 180 | 191 | 177,5 | 233,65 | 206 | создание технологического | | | совершенствование | ------ | | | | --- | --- | ----- | ------ | ----- | базиса (технология | | | базовых технологий и | 650 | | | | 120 | 123 | 113,5 | 160 | 133,5 | проектирования, базовые | | | конструкций радиационно | | | | | | | | | | технологии), позволяющего | | | стойких сверхбольших | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | интегральных схем на | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | структурах "кремний на | | | | | | | | | | интегральные схемы на | | | сапфире" и "кремний на | | | | | | | | | | структурах "кремний на | | | изоляторе" с | | | | | | | | | | изоляторе" с проектной | | | топологическими нормами | | | | | | | | | | нормой не менее | | | не менее 0,18 мкм | | | | | | | | | | 0,18 мкм (2014 год), | | | | | | | | | | | | | создание технологического | | | | | | | | | | | | | базиса (технология | | | | | | | | | | | | | проектирования, базовые | | | | | | | | | | | | | технологии), позволяющего | | | | | | | | | | | | | разрабатывать радиационно | | | | | | | | | | | | | стойкие сверхбольшие | | | | | | | | | | | | | интегральные схемы на | | | | | | | | | | | | | структурах "кремний на | | | | | | | | | | | | | изоляторе" с проектной | | | | | | | | | | | | | нормой не менее | | | | | | | | | | | | | 0,18 мкм (2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | | Всего по направлению 2 | 6204,432 | 427,809 | 344,371 | 326,752 | 1229,5 | 1163,7 |1051,9 | 881,9 | 778,5 | | | | | -------- | ------- | ------- | ------- | ----- | ----- | ----- | ----- | ----- | | | | | 4103,35 | 292,1 | 245,95 | 161,7 | 819,6 | 780 | 700 | 590 | 514 | | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 3. Микросистемная техника | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 41. | Разработка базовых | 184,215 | 165,053 | 19,162 | | | | | | | создание базовых технологий | | | технологий микро - | ------- | ------- | ------ | | | | | | | (2009 год) и комплектов | | | электромеханических | 117,9 | 105,9 | 12 | | | | | | | технологической документации | | | систем | | | | | | | | | | на изготовление | | | | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | | | | систем контроля давления, | | | | | | | | | | | | | микроакселерометров с | | | | | | | | | | | | | чувствительностью по двум и | | | | | | | | | | | | | трем осям, микромеханических | | | | | | | | | | | | | датчиков угловых скоростей, | | | | | | | | | | | | | микроактюаторов | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 42. | Разработка базовых | 433,712 | | 87,239 | 73,473 | 108 | 82,5 | 82,5 | | | разработка базовых | | | конструкций | ------- | | ------ | ------ | --- | ---- | ---- | | | конструкций и комплектов | | | микроэлектромеханических | 273,8 | | 42,1 | 49,7 | 72 | 55 | 55 | | | необходимой конструкторской | | | систем | | | | | | | | | | документации на изготовление | | | | | | | | | | | | | чувствительных элементов и | | | | | | | | | | | | | микросистем контроля | | | | | | | | | | | | | давления, | | | | | | | | | | | | | микроакселерометров, | | | | | | | | | | | | | микромеханических датчиков | | | | | | | | | | | | | угловых скоростей, | | | | | | | | | | | | | микроактюаторов с | | | | | | | | | | | | | напряжением управления, | | | | | | | | | | | | | предназначенных для | | | | | | | | | | | | | использования в транспортных | | | | | | | | | | | | | средствах, оборудовании | | | | | | | | | | | | | топливно-энергетического | | | | | | | | | | | | | комплекса, машиностроении, | | | | | | | | | | | | | медицинской технике, | | | | | | | | | | | | | робототехнике, бытовой | | | | | | | | | | | | | технике | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 43. | Разработка базовых | 166,784 | 122,356 | 44,428 | | | | | | | создание базовых технологий | | | технологий микроакусто - | ------- | ------- | ------ | | | | | | | (2009 год) и комплектов | | | электромеханических | 108,15 | 78,55 | 29,6 | | | | | | | необходимой технологической | | | систем | | | | | | | | | | документации на изготовление | | | | | | | | | | | | | микроакустоэлектромеханических| | | | | | | | | | | | | систем, основанных на | | | | | | | | | | | | | использовании поверхностных | | | | | | | | | | | | | акустических волн (диапазон | | | | | | | | | | | | | частот до 2 ГГц) и объемно- | | | | | | | | | | | | | акустических волн (диапазон | | | | | | | | | | | | | частот до 8 ГГц), | | | | | | | | | | | | | пьезокерамических элементов, | | | | | | | | | | | | | совместимых с интегральной | | | | | | | | | | | | | технологией микроэлектроники | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 44. | Разработка базовых | 244,325 | | 52 | 103,825 | 88,5 | | | | | разработка базовых | | | конструкций микро - | ------- | | -- | ------ | ---- | | | | | конструкций и комплектов | | | акустоэлектромеханических | 147,3 | | 28 | 60,3 | 59 | | | | | необходимой конструкторской | | | систем | | | | | | | | | | документации на изготовление | | | | | | | | | | | | | пассивных датчиков | | | | | | | | | | | | | физических величин | | | | | | | | | | | | | микроакселерометров, | | | | | | | | | | | | | микрогироскопов на | | | | | | | | | | | | | поверхностных акустических | | | | | | | | | | | | | волнах, датчиков давления и | | | | | | | | | | | | | температуры, датчиков | | | | | | | | | | | | | деформации, крутящего | | | | | | | | | | | | | момента и микроперемещений, | | | | | | | | | | | | | резонаторов | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 45. | Разработка базовых | 37 | 37 | | | | | | | | создание базовых технологий | | | технологий | -- | -- | | | | | | | | изготовления элементов | | | микроаналитических | 25 | 25 | | | | | | | | микроаналитических систем, | | | систем | | | | | | | | | | чувствительных к газовым, | | | | | | | | | | | | | химическим и биологическим | | | | | | | | | | | | | компонентам внешней среды, | | | | | | | | | | | | | предназначенных для | | | | | | | | | | | | | использования в аппаратуре | | | | | | | | | | | | | жилищно-коммунального | | | | | | | | | | | | | хозяйства, в медицинской и | | | | | | | | | | | | | биомедицинской технике для | | | | | | | | | | | | | обнаружения токсичных, | | | | | | | | | | | | | горючих и взрывчатых | | | | | | | | | | | | | материалов | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 46. | Разработка базовых | 134 | | 47 | 60 | 27 | | | | | создание базовых конструкций | | | конструкций | --- | | -- | -- | -- | | | | | микроаналитических систем, | | | микроаналитических | 78 | | 20 | 40 | 18 | | | | | предназначенных для | | | систем | | | | | | | | | | аппаратуры жилищно- | | | | | | | | | | | | | коммунального хозяйства, | | | | | | | | | | | | | медицинской и биомедицинской | | | | | | | | | | | | | техники; | | | | | | | | | | | | | разработка датчиков и | | | | | | | | | | | | | аналитических систем | | | | | | | | | | | | | миниатюрных размеров с | | | | | | | | | | | | | высокой чувствительностью к | | | | | | | | | | | | | сверхмалым концентрациям | | | | | | | | | | | | | химических веществ для | | | | | | | | | | | | | осуществления мониторинга | | | | | | | | | | | | | окружающей среды, контроля | | | | | | | | | | | | | качества пищевых продуктов и | | | | | | | | | | | | | контроля утечек опасных и | | | | | | | | | | | | | вредных веществ в | | | | | | | | | | | | | технологических процессах | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 47. | Разработка базовых | 42,444 | 15,358 | 27,086 | | | | | | | создание базовых технологий | | | технологий микро- | ----- | ----- | ------ | | | | | | | выпуска трехмерных | | | оптоэлектромеханических | 27 | 10,2 | 16,8 | | | | | | | оптических и | | | систем | | | | | | | | | | акустооптических | | | | | | | | | | | | | функциональных элементов, | | | | | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | | | | | | | | | | | систем для коммутации и | | | | | | | | | | | | | модуляции оптического | | | | | | | | | | | | | излучения, акустооптических | | | | | | | | | | | | | перестраиваемых фильтров, | | | | | | | | | | | | | двухмерных управляемых | | | | | | | | | | | | | матриц микрозеркал, | | | | | | | | | | | | | микропереключателей и | | | | | | | | | | | | | фазовращателей (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 48. | Разработка базовых | 109,278 | | 33,95 | 48,328 | 27 | | | | | разработка базовых | | | конструкций микро - | ------- | | ----- | ------ | -- | | | | | конструкций и комплектов | | | оптоэлектромеханических | 70 | | 21 | 31 | 18 | | | | | конструкторской документации | | | систем | | | | | | | | | | на изготовление | | | | | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | | | | | | | | | | | систем коммутации и | | | | | | | | | | | | | модуляции оптического | | | | | | | | | | | | | излучения | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 49. | Разработка базовых | 55,008 | 55,008 | | | | | | | | создание базовых технологий | | | технологий микросистем | ------ | ------ | | | | | | | | изготовления микросистем | | | анализа магнитных полей | 36 | 36 | | | | | | | | анализа магнитных полей на | | | | | | | | | | | | | основе анизотропного и | | | | | | | | | | | | | гигантского | | | | | | | | | | | | | магниторезистивного | | | | | | | | | | | | | эффектов, квазимонолитных и | | | | | | | | | | | | | монолитных гетеромагнитных | | | | | | | | | | | | | пленочных структур (2008 | | | | | | | | | | | | | год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 50. | Разработка базовых | 153,518 | | 39,518 | 93 | 21 | | | | | разработка базовых | | | конструкций микросистем | ------- | | ------ | -- | -- | | | | | конструкций и комплектов | | | анализа магнитных полей | 98,018 | | 22,018 | 62 | 14 | | | | | конструкторской документации | | | | | | | | | | | | | на магниточувствительные | | | | | | | | | | | | | микросистемы для применения | | | | | | | | | | | | | в электронных системах | | | | | | | | | | | | | управления приводами, в | | | | | | | | | | | | | датчиках положения и | | | | | | | | | | | | | потребления, бесконтактных | | | | | | | | | | | | | переключателях | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 51. | Разработка базовых | 123,525 | 43,274 | 80,251 | | | | | | | разработка и освоение в | | | технологий | ------- | ------ | ------ | | | | | | | производстве базовых | | | радиочастотных | 80,662 | 28,45 | 52,212 | | | | | | | технологий изготовления | | | микроэлектро- | | | | | | | | | | радиочастотных | | | механических систем | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | |