| | уровня технологии | | | | | | | | | | | | | 0,25 - 0,18 мкм | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 85. | Разработка методологии, | 266,35 | | | 81,85 | 124,5 | 30 | 30 | | | разработка технологии | | | конструктивно - | ------ | | | ----- | ----- | -- | -- | | | корпусирования интегральных | | | технических решений и | 161 | | | 38 | 83 | 20 | 20 | | | схем и полупроводниковых | | | перспективной базовой | | | | | | | | | | приборов на основе | | | технологии | | | | | | | | | | использования многослойных | | | корпусирования | | | | | | | | | | кремниевых структур со | | | интегральных схем и | | | | | | | | | | сквозными токопроводящими | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | каналами, обеспечивающей | | | приборов на основе | | | | | | | | | | сокращение состава сборочных | | | использования | | | | | | | | | | операций и формирование | | | многослойных кремниевых | | | | | | | | | | трехмерных структур | | | структур со сквозными | | | | | | | | | | (2013 год) | | | токопроводящими каналами | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 86. | Разработка технологии | 230,141 | | | 35,141 | 135 | 30 | 30 | | | создание базовой технологии | | | производства | ------- | | | ------ | --- | -- | -- | | | производства гетероструктур | | | гетероструктур SiGe для | 143 | | | 13 | 90 | 20 | 20 | | | SiGe для выпуска | | | разработки сверхбольших | | | | | | | | | | быстродействующих | | | интегральных схем с | | | | | | | | | | сверхбольших интегральных | | | топологическими нормами | | | | | | | | | | схем с топологическими | | | 0,25 - 0,18 мкм | | | | | | | | | | нормами 0,25 - 0,18 мкм | | | | | | | | | | | | | (2011 год, 2013 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 87. | Разработка технологии | 46,745 | 28,745 | 18 | | | | | | | создание технологии | | | выращивания и обработки, | ------ | ------ | -- | | | | | | | выращивания и обработки | | | в том числе | 34 | 22 | 12 | | | | | | | пьезоэлектрических | | | плазмохимической, новых | | | | | | | | | | материалов акустоэлектроники | | | пьезоэлектрических | | | | | | | | | | и акустооптики для | | | материалов для | | | | | | | | | | обеспечения производства | | | акустоэлектроники и | | | | | | | | | | широкой номенклатуры | | | акустооптики | | | | | | | | | | акустоэлектронных устройств | | | | | | | | | | | | | нового поколения (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 88. | Разработка технологий | 93,501 | | | 24,001 | 33 | 23 | 13,5 | | | создание технологии | | | производства | ------ | | | ------ | -- | -- | --- | | | массового производства | | | соединений A B и | 58 | | | 12 | 22 | 15 | 9 | | | исходных материалов и | | | 3 5 | | | | | | | | | | структур для перспективных | | | тройных структур для: | | | | | | | | | | приборов лазерной и | | | производства сверхмощных | | | | | | | | | | оптоэлектронной техники, в | | | лазерных диодов; | | | | | | | | | | том числе: | | | высокоэффективных | | | | | | | | | | производства сверхмощных | | | светодиодов белого, | | | | | | | | | | лазерных диодов (2010 год); | | | зеленого, синего и | | | | | | | | | | высокоэффективных | | | ультрафиолетового | | | | | | | | | | светодиодов белого, | | | диапазонов; | | | | | | | | | | зеленого, синего и | | | фотоприемников среднего | | | | | | | | | | ультрафиолетового диапазонов | | | инфракрасного диапазона | | | | | | | | | | (2011 год); | | | | | | | | | | | | | фотоприемников среднего | | | | | | | | | | | | | инфракрасного диапазона | | | | | | | | | | | | | (2013 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 89. | Исследование и | 45,21 | 30,31 | 14,9 | | | | | | | создание технологии | | | разработка технологии | ----- | ----- | ---- | | | | | | | производства принципиально | | | получения гетероструктур | 30 | 22 | 8 | | | | | | | новых материалов | | | с вертикальными | | | | | | | | | | полупроводниковой | | | оптическими резонаторами | | | | | | | | | | электроники на основе | | | на основе квантовых ям и | | | | | | | | | | сложных композиций для | | | квантовых точек для | | | | | | | | | | перспективных приборов | | | производства вертикально | | | | | | | | | | лазерной и оптоэлектронной | | | излучающих лазеров для | | | | | | | | | | техники (2009 год) | | | устройств передачи | | | | | | | | | | | | | информации и матриц для | | | | | | | | | | | | | оптоэлектронных | | | | | | | | | | | | | переключателей нового | | | | | | | | | | | | | поколения | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 90. | Разработка технологии | 32,305 | | | 24,805 | 7,5 | | | | | создание технологии | | | производства современных | ------ | | | ------ | --- | | | | | производства компонентов для | | | компонентов для | 17 | | | 12 | 5 | | | | | специализированных | | | специализированных | | | | | | | | | | электронно-лучевых | | | фотоэлектронных | | | | | | | | | | (2010 год), | | | приборов, в том числе: | | | | | | | | | | электронно-оптических и | | | катодов и | | | | | | | | | | отклоняющих систем | | | газопоглотителей; | | | | | | | | | | (2010 год), | | | электронно-оптических и | | | | | | | | | | стеклооболочек и деталей из | | | отклоняющих систем; | | | | | | | | | | электровакуумного стекла | | | стеклооболочек и деталей | | | | | | | | | | различных марок (2011 год) | | | из электровакуумного | | | | | | | | | | | | | стекла различных марок | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 91. | Разработка технологии | 39,505 | 27,505 | 12 | | | | | | | создание технологии | | | производства особо | ------ | ------ | -- | | | | | | | производства особо тонких | | | тонких гетерированных | 32 | 20 | 12 | | | | | | | гетерированных нанопримесями | | | нанопримесями | | | | | | | | | | полупроводниковых структур | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | для изготовления | | | структур для | | | | | | | | | | высокоэффективных | | | высокоэффективных | | | | | | | | | | фотокатодов электронно- | | | фотокатодов, электронно - | | | | | | | | | | оптических преобразователей | | | оптических | | | | | | | | | | и фотоэлектронных | | | преобразователей и | | | | | | | | | | умножителей, приемников | | | фотоэлектронных | | | | | | | | | | инфракрасного диапазона, | | | умножителей, приемников | | | | | | | | | | солнечных элементов и других | | | инфракрасного диапазона | | | | | | | | | | приложений (2009 год) | | | и солнечных элементов с | | | | | | | | | | | | | высокими значениями | | | | | | | | | | | | | коэффициента полезного | | | | | | | | | | | | | действия | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 92. | Разработка базовой | 42,013 | | | 24,013 | 18 | | | | | создание технологии | | | технологии производства | ------ | | | ------ | -- | | | | | монокристаллов AlN для | | | монокристаллов AlN для | 24 | | | 12 | 12 | | | | | изготовления изолирующих и | | | изготовления изолирующих | | | | | | | | | | проводящих подложек для | | | и проводящих подложек | | | | | | | | | | создания полупроводниковых | | | для гетероструктур | | | | | | | | | | высокотемпературных и мощных | | | | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | | | | приборов нового поколения | | | | | | | | | | | | | (2011 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 93. | Разработка базовой | 44,559 | 29,694 | 14,905 | | | | | | | создание базовой технологии | | | технологии производства | ------ | ------ | ------ | | | | | | | вакуумно-плотной спецстойкой | | | наноструктурированных | 29,2 | 19,85 | 9,35 | | | | | | | керамики из | | | оксидов металлов | | | | | | | | | | нанокристаллических порошков | | | (корунда и т.п.) для | | | | | | | | | | и нитридов металлов для | | | производства вакуумно - | | | | | | | | | | промышленного освоения | | | плотной нанокерамики, в | | | | | | | | | | спецстойких приборов нового | | | том числе с заданными | | | | | | | | | | поколения (2009 год), в том | | | оптическими свойствами | | | | | | | | | | числе микрочипов, | | | | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | | | | аттенюаторов, RLC-матриц, а | | | | | | | | | | | | | также особо прочной | | | | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | | | | | | | | | | | базы оптоэлектроники и | | | | | | | | | | | | | фотоники | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 94. | Разработка базовой | 25,006 | | | 22,006 | 3 | | | | | создание технологии | | | технологии производства | ------ | | | ------ | - | | | | | производства полимерных и | | | полимерных и гибридных | 13 | | | 11 | 2 | | | | | композиционных материалов с | | | органо-неорганических | | | | | | | | | | использованием поверхностной | | | наноструктурированных | | | | | | | | | | и объемной модификации | | | защитных материалов для | | | | | | | | | | полимеров | | | электронных компонентов | | | | | | | | | | наноструктурированными | | | нового поколения | | | | | | | | | | наполнителями для создания | | | прецизионных и | | | | | | | | | | изделий с высокой | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | механической, термической и | | | резисторов, | | | | | | | | | | радиационной стойкостью при | | | терминаторов, | | | | | | | | | | работе в условиях длительной | | | аттенюаторов и | | | | | | | | | | эксплуатации и воздействии | | | резисторно-индукционно- | | | | | | | | | | комплекса специальных | | | емкостных матриц, | | | | | | | | | | внешних факторов (2011 год) | | | стойких к воздействию | | | | | | | | | | | | | комплекса специальных | | | | | | | | | | | | | внешних факторов | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 95. | Исследование и | 1395,5 | | | | 225 | 269 | 309 | 322,5 | 270 | создание базовой технологии | | | разработка перспективных | ------ | | | | ---- | ---- | --- | ----- | --- | производства гетероструктур, | | | гетероструктурных и | 930 | | | | 150 | 179 | 206 | 215 | 180 | структур и псевдоморфных | | | наноструктурированных | | | | | | | | | | структур на подложках InP | | | материалов с | | | | | | | | | | для перспективных | | | экстремальными | | | | | | | | | | полупроводниковых приборов и | | | характеристиками для | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | перспективных | | | | | | | | | | монолитных интегральных схем | | | электронных приборов и | | | | | | | | | | диапазона 60 - 90 ГГц (2012 | | | радиоэлектронной | | | | | | | | | | год), создание технологии | | | аппаратуры специального | | | | | | | | | | получения алмазных | | | назначения | | | | | | | | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | | | | наноструктур и наноразмерных | | | | | | | | | | | | | органических покрытий (2013 | | | | | | | | | | | | | год), алмазных | | | | | | | | | | | | | полупроводящих пленок для | | | | | | | | | | | | | конкурентоспособных | | | | | | | | | | | | | высокотемпературных и | | | | | | | | | | | | | радиационно стойких | | | | | | | | | | | | | устройств и приборов | | | | | | | | | | | | | двойного назначения, | | | | | | | | | | | | | создание технологии | | | | | | | | | | | | | изготовления гетероструктур | | | | | | | | | | | | | и эпитаксиальных структур на | | | | | | | | | | | | | основе нитридов (2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 96. | Исследование и | 1395 | | | | | 435 | 382,5 | 277,5 | 300 | создание нового класса | | | разработка экологически | ---- | | | | | --- | ----- | ----- | --- | конструкционных и | | | чистых материалов и | 930 | | | | | 290 | 255 | 185 | 200 | технологических материалов | | | методов их использования | | | | | | | | | | для уровней технологии 0,065 | | | в производстве | | | | | | | | | | - 0,032 мкм и обеспечения | | | электронной компонентной | | | | | | | | | | высокого процента выхода | | | базы и радиоаппаратуры, | | | | | | | | | | годных изделий, | | | включая бессвинцовые | | | | | | | | | | экологических требований по | | | композиции для сборки | | | | | | | | | | международным стандартам | | | | | | | | | | | | | (2012 год, 2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 97. | Разработка перспективных | 1379 | | | | | 404 | 367,5 | 307,5 | 300 | создание перспективных | | | технологий получения | ---- | | | | | --- | ----- | ----- | ---- | технологий производства | | | ленточных материалов | 920 | | | | | 270 | 245 | 205 | 200 | компонентов для | | | (полимерные, | | | | | | | | | | специализированных | | | металлические, | | | | | | | | | | электронно-лучевых, | | | плакированные и другие) | | | | | | | | | | электронно-оптических и | | | для радиоэлектронной | | | | | | | | | | отклоняющих систем, | | | аппаратуры и сборочных | | | | | | | | | | стеклооболочек и деталей из | | | операций электронной | | | | | | | | | | электровакуумного стекла | | | компонентной базы | | | | | | | | | | различных марок (2013 год), | | | | | | | | | | | | | создание технологии | | | | | | | | | | | | | производства полимерных и | | | | | | | | | | | | | композиционных материалов с | | | | | | | | | | | | | использованием поверхностной | | | | | | | | | | | | | и объемной модификации | | | | | | | | | | | | | полимеров | | | | | | | | | | | | | наноструктурированными | | | | | | | | | | | | | наполнителями (2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | | Всего по направлению 5 | 6532,174 | 621,754 | 658,169 | 365,251 | 717 | 1260 |1132,5 | 907,5 | 870 | | | | | -------- | ------- | ------- | ------- | --- | ---- |------ | ----- | --- | | | | | 4275,07 | 407,85 | 431,6 | 177,62 | 478 | 840 | 755 | 605 | 580 | | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 98. | Разработка технологии | 30,928 | 18 | 12,928 | | | | | | | разработка расширенного ряда | | | выпуска прецизионных | ------ | -- | ------ | | | | | | | резонаторов с повышенной | | | температуростабильных | 20 | 12 | 8 | | | | | | | кратковременной и | | | высокочастотных | | | | | | | | | | долговременной стабильностью | | | до 1,5 - 2 ГГц | | | | | | | | | | для создания контрольной | | | резонаторов на | | | | | | | | | | аппаратуры и техники связи | | | поверхностно | | | | | | | | | | двойного назначения | | | акустических волнах до | | | | | | | | | | | | | 1,5 ГГц с полосой до | | | | | | | | | | | | | 70 процентов и | | | | | | | | | | | | | длительностью сжатого | | | | | | | | | | | | | сигнала до 2 - 5 нс | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 99. | Разработка в | 78,5 | | 32 | 33 | 13,5 | | | | | создание технологии и | | | лицензируемых и | ---- | | -- | -- | ---- | | | | | конструкции | | | нелицензируемых | 45 | | 14 | 22 | 9 | | | | | акустоэлектронных пассивных | | | международных частотных | | | | | | | | | | и активных меток- | | | диапазонах | | | | | | | | | | транспондеров для применения | | | 860 МГц и 2,45 ГГц ряда | | | | | | | | | | в логистических приложениях | | | радиочастотных пассивных | | | | | | | | | | на транспорте, в торговле и | | | и активных | | | | | | | | | | промышленности (2010 год, | | | акустоэлектронных меток - | | | | | | | | | | 2011 год) | | | транспондеров, в том | | | | | | | | | | | | | числе работающих в | | | | | | | | | | | | | реальной помеховой | | | | | | | | | | | | | обстановке, для систем | | | | | | | | | | | | | радиочастотной | | | | | | | | | | | | | идентификации и систем | | | | | | | | | | | | | управления доступом | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 100. | Разработка базовой | 30,5 | 17 | 13,5 | | | | | | | создание технологии | | | конструкции и | ---- | -- | ---- | | | | | | | проектирования и базовых | | | промышленной технологии | 19,5 | 11 | 8,5 | | | | | | | конструкций | | | производства | | | | | | | | | | пьезоэлектрических фильтров | | | пьезокерамических | | | | | | | | | | в малогабаритных корпусах | | | фильтров в корпусах для | | | | | | | | | | для поверхностного монтажа | | | поверхностного монтажа | | | | | | | | | | при изготовлении техники | | | | | | | | | | | | | связи массового применения | | | | | | | | | | | | | (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 101. | Разработка технологии | 37,73 | 37,73 | | | | | | | | создание базовой технологии | | | проектирования, базовой | ----- | ----- | | | | | | | | акустоэлектронных приборов | | | технологии производства | 23 | 23 | | | | | | | | для перспективных систем | | | и конструирования | | | | | | | | | | связи, измерительной и | | | акустоэлектронных | | | | | | | | | | навигационной аппаратуры | | | устройств нового | | | | | | | | | | нового поколения: подвижных, | | | поколения и фильтров | | | | | | | | | | спутниковых, тропосферных и | | | промежуточной частоты с | | | | | | | | | | радиорелейных линий связи, | | | высокими | | | | | | | | | | цифрового интерактивного | | | характеристиками для | | | | | | | | | | телевидения, | | | современных систем | | | | | | | | | | радиоизмерительной | | | связи, включая | | | | | | | | | | аппаратуры, радиолокационных | | | высокоизбирательные | | | | | | | | | | станций, спутниковых | | | высокочастотные | | | | | | | | | | навигационных систем | | | устройства частотной | | | | | | | | | | (2008 год) | | | селекции на | | | | | | | | | | | | | поверхностных и | | | | | | | | | | | | | приповерхностных волнах | | | | | | | | | | | | | и волнах Гуляева - | | | | | | | | | | | | | Блюштейна с предельно | | | | | | | | | | | | | низким уровнем вносимого | | | | | | | | | | | | | затухания для частотного | | | | | | | | | | | | | диапазона до 5 ГГц | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 102. | Разработка технологии | 97,416 | | 35,001 | 62,415 | | | | | | создание технологии | | | проектирования и базовой | ------ | | ------ | ------ | | | | | | производства | | | технологии производства | 60,9 | | 22 | 38,9 | | | | | | высокоинтегрированной | | | функциональных | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | законченных устройств | | | | | | | | | | базы типа "система в | | | стабилизации, селекции | | | | | | | | | | корпусе" для вновь | | | частоты и обработки | | | | | | | | | | разрабатываемых и | | | сигналов типа "система в | | | | | | | | | | модернизируемых сложных | | | корпусе" | | | | | | | | | | радиоэлектронных систем и | | | | | | | | | | | | | комплексов (2010 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 103. | Разработка базовой | 63 | | | | 21 | 21 | 21 | | | создание базовой технологии | | | конструкции и технологии | -- | | | | -- | -- | -- | | | и базовой конструкции | | | изготовления | 42 | | | | 14 | 14 | 14 | | | микроминиатюрных | | | высокочастотных | | | | | | | | | | высокодобротных фильтров для | | | резонаторов и фильтров | | | | | | | | | | малогабаритной и носимой | | | на объемных акустических | | | | | | | | | | аппаратуры навигации и связи | | | волнах для | | | | | | | | | | (2013 год) | | | телекоммуникационных и | | | | | | | | | | | | | навигационных систем | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 104. | Разработка технологии и | 35 | 35 | | | | | | | | создание нового поколения | | | базовой конструкции | -- | -- | | | | | | | | оптоэлектронных приборов для | | | фоточувствительных | 23 | 23 | | | | | | | | обеспечения задач | | | приборов с матричными | | | | | | | | | | предотвращения аварий и | | | приемниками высокого | | | | | | | | | | контроля | | | разрешения для видимого | | | | | | | | | | | | | и ближнего инфракрасного | | | | | | | | | | | | | диапазона для аппаратуры | | | | | | | | | | | | | контроля изображений | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 105. | Разработка базовой | 35,309 | 16,009 | 19,3 | | | | | | | создание базовой технологии | | | технологии | ------ | ------ | ---- | | | | | | | нового поколения приборов | | | унифицированных | 21,9 | 10 | 11,9 | | | | | | | контроля тепловых полей для | | | электронно-оптических | | | | | | | | | | задач теплоэнергетики, | | | преобразователей, | | | | | | | | | | медицины, поисковой и | | | микроканальных пластин, | | | | | | | | | | контрольной аппаратуры на | | | пироэлектрических матриц | | | | | | | | | | транспорте, продуктопроводах | | | и камер на их основе с | | | | | | | | | | и в охранных системах | | | чувствительностью до 0,1 | | | | | | | | | | (2009 год) | | | К и широкого | | | | | | | | | | | | | инфракрасного диапазона | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 106. | Разработка базовой | 82 | 45 | 37 | | | | | | | создание базовой технологии | | | технологии создания | -- | -- | -- | | | | | | | (2008 год) и конструкции | | | интегрированных | 53 | 30 | 23 | | | | | | | новых типов приборов, | | | гибридных | | | | | | | | | | сочетающих фотоэлектронные и | | | фотоэлектронных | | | | | | | | | | твердотельные технологии, с | | | высокочувствительных и | | | | | | | | | | целью получения экстремально | | | высокоразрешающих | | | | | | | | | | достижимых характеристик для | | | приборов и усилителей | | | | | | | | | | задач контроля и наблюдения | | | для задач космического | | | | | | | | | | в системах двойного | | | мониторинга и | | | | | | | | | | назначения | | | специальных систем | | | | | | | | | | | | | наблюдения, научной и | | | | | | | | | | | | | метрологической | | | | | | | | | | | | | аппаратуры | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 107. | Разработка базовых | 96,537 | 48,136 | 48,401 | | | | | | | создание базовой технологии | | | технологий мощных | ------ | ------ | ------ | | | | | | | (2008 год) и конструкций | | | полупроводниковых | 64 | 30 | 34 | | | | | | | принципиально новых мощных | | | лазерных диодов | | | | | | | | | | диодных лазеров, | | | (непрерывного и | | | | | | | | | | предназначенных для широкого | | | импульсного излучения), | | | | | | | | | | применения в изделиях | | | специализированных | | | | | | | | | | двойного назначения, | | | лазерных | | | | | | | | | | медицины, полиграфического | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | оборудования и системах | | | диодов, фотодиодов и | | | | | | | | | | открытой оптической связи | | | лазерных волоконно- | | | | | | | | | | | | | оптических модулей для | | | | | | | | | | | | | создания аппаратуры и | | | | | | | | | | | | | систем нового поколения | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 108. | Разработка и освоение | 56,5 | | 16 | 30 | 10,5 | | | | | разработка базового | | | базовых технологий для | ---- | | -- | -- | ---- | | | | | комплекта основных | | | лазерных навигационных | 37 | | 10 | 20 | 7 | | | | | оптоэлектронных компонентов | | | приборов, включая | | | | | | | | | | для лазерных гироскопов | | | интегральный оптический | | | | | | | | | | широкого применения (2010 | | | модуль лазерного | | | | | | | | | | год), создание комплекса | | | гироскопа на базе | | | | | | | | | | технологий обработки и | | | сверхмалогабаритных | | | | | | | | | | формирования структурных и | | | кольцевых | | | | | | | | | | приборных элементов, | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | оборудования контроля и | | | лазеров инфракрасного | | | | | | | | | | аттестации, обеспечивающих | | | диапазона, | | | | | | | | | | новый уровень технико- | | | оптоэлектронные | | | | | | | | | | экономических показателей | | | компоненты для широкого | | | | | | | | | | производства | | | класса инерциальных | | | | | | | | | | | | | лазерных систем | | | | | | | | | | | | | управления движением | | | | | | | | | | | | | гражданских и | | | | | | | | | | | | | специальных средств | | | | | | | | | | | | | транспорта | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 109. | Разработка базовых | 22 | 22 | | | | | | | | создание базовой технологии | | | конструкций и технологий | -- | -- | | | | | | | | твердотельных чип-лазеров | | | создания квантово - | 15 | 15 | | | | | | | | для лазерных дальномеров, | | | электронных приемо - | | | | | | | | | | твердотельных лазеров с | | | передающих модулей для | | | | | | | | | | пикосекундными | | | малогабаритных лазерных | | | | | | | | | | длительностями импульсов для | | | дальномеров нового | | | | | | | | | | установок по прецизионной | | | поколения на основе | | | | | | | | | | обработке композитных | | | твердотельных чип-лазеров | | | | | | | | | | материалов, для создания | | | с полупроводниковой | | | | | | | | | | элементов и изделий | | | накачкой, | | | | | | | | | | микромашиностроения и в | | | технологических лазерных | | | | | | | | | | производстве электронной | | | установок широкого | | | | | | | | | | компонентной базы нового | | | спектрального диапазона | | | | | | | | | | поколения, мощных лазеров | | | | | | | | | | | | | для применения в | | | | | | | | | | | | | машиностроении, | | | | | | | | | | | | | авиастроении, | | | | | | | | | | | | | автомобилестроении, | | | | | | | | | | | | | судостроении, в составе | | | | | | | | | | | | | промышленных технологических | | | | | | | | | | | | | установок обработки и | | | | | | | | | | | | | сборки, систем | | | | | | | | | | | | | экологического мониторинга | | | | | | | | | | | | | окружающей | | | | | | | | | | | | | среды, контроля выбросов | | | | | | | | | | | | | патогенных веществ, контроля | | | | | | | | | | | | | утечек в продуктопроводах | | | | | | | | | | | | | (2008 год, 2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 110. | Разработка базовых | 66,305 | 56,27 | 10,035 | | | | | | | создание технологии | | | технологий формирования | ------ | ----- | ------ | | | | | | | получения широкоапертурных | | | конструктивных узлов и | 43 | 37 | 6 | | | | | | | элементов на основе | | | блоков для лазеров | | | | | | | | | | алюмоиттриевой легированной | | | нового поколения и | | | | | | | | | | керамики композитных | | | технологии создания | | | | | | | | | | составов для лазеров с | | | полного комплекта | | | | | | | | | | диодной накачкой (2008 год), | | | электронной компонентной | | | | | | | | | | высокоэффективных | | | базы для производства | | | | | | | | | | преобразователей частоты | | | лазерного устройства | | | | | | | | | | лазерного излучения, | | | определения наличия | | | | | | | | | | организация промышленного | | | опасных, взрывчатых, | | | | | | | | | | выпуска оптических изделий и | | | отравляющих и | | | | | | | | | | лазерных элементов широкой | | | наркотических веществ в | | | | | | | | | | номенклатуры | | | контролируемом | | | | | | | | | | | | | пространстве | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 111. | Разработка базовых | 35 | 17 | 18 | | | | | | | разработка расширенной серии | | | технологий, базовой | -- | -- | -- | | | | | | | низковольтных | | | конструкции и | 35 | 17 | 18 | | | | | | | катодолюминесцентных и | | | организация производства | | | | | | | | | | других дисплеев с широким | | | интегрированных | | | | | | | | | | диапазоном эргономических | | | катодолюминесцентных и | | | | | | | | | | характеристик и свойств по | | | других дисплеев двойного | | | | | | | | | | условиям применения для | | | назначения со встроенным | | | | | | | | | | информационных и контрольных | | | микроэлектронным | | | | | | | | | | систем | | | управлением | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 112. | Разработка технологии и | 38,354 | 23,73 | 14,624 | | | | | | | создание ряда принципиально | | | базовых конструкций | ------ | ----- | ------ | | | | | | | новых светоизлучающих | | | высокояркостных | 29 | 16 | 13 | | | | | | | приборов с минимальными | | | светодиодов и | | | | | | | | | | геометрическими размерами, | | | индикаторов основных | | | | | | | | | | высокой надежностью и | | | цветов свечения для | | | | | | | | | | устойчивостью к механическим | | | систем подсветки в | | | | | | | | | | и климатическим | | | приборах нового | | | | | | | | | | воздействиям, обеспечивающих | | | поколения | | | | | | | | | | энергосбережение за счет | | | | | | | | | | | | | замены ламп накаливания в | | | | | | | | | | | | | системах подсветки | | | | | | | | | | | | | аппаратуры и освещения | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 113. | Разработка базовой | 100,604 | | 21,554 | 61,05 | 18 | | | | | создание базовой технологии | | | технологии и конструкции | ------- | | ------ | ----- | -- | | | | | производства нового | | | оптоэлектронных приборов | 59 | | 10 | 37 | 12 | | | | | поколения оптоэлектронной | | | (оптроны, оптореле, | | | | | | | | | | высокоэффективной и надежной | | | светодиоды) в | | | | | | | | | | электронной компонентной | | | миниатюрных корпусах для | | | | | | | | | | базы для промышленного | | | поверхностного монтажа | | | | | | | | | | оборудования и систем связи | | | | | | | | | | | | | (2010 год, 2011 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 114. | Разработка | 51,527 | 24 | 27,527 | | | | | | | создание технологии новых | | | схемотехнических решений | ------ | -- | ------ | | | | | | | классов носимой и | | | и унифицированных | 33,5 | 16 | 17,5 | | | | | | | стационарной аппаратуры, | | | базовых конструкций и | | | | | | | | | | экранов отображения | | | технологий формирования | | | | | | | | | | информации коллективного | | | твердотельных | | | | | | | | | | пользования повышенных | | | видеомодулей на | | | | | | | | | | емкости и формата (2009 год) | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | | | | светоизлучающих | | | | | | | | | | | | | структурах для носимой | | | | | | | | | | | | | аппаратуры, экранов | | | | | | | | | | | | | индивидуального и | | | | | | | | | | | | | коллективного | | | | | | | | | | | | | пользования с бесшовной | | | | | | | | | | | | | стыковкой | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 115. | Разработка базовой | 57,304 | 31,723 | 25,581 | | | | | | | создание технологии | | | технологии изготовления | ------ | ------ | ------ | | | | | | | массового производства | | | высокоэффективных | 37 | 20 | 17 | | | | | | | солнечных элементов для | | | солнечных элементов на | | | | | | | | | | индивидуального и | | | базе использования | | | | | | | | | | коллективного использования | | | кремния, полученного по | | | | | | | | | | в труднодоступных районах, | | | "бесхлоридной" | | | | | | | | | | развития солнечной | | | технологии и технологии | | | | | | | | | | энергетики в жилищно- | | | "литого" кремния | | | | | | | | | | коммунальном хозяйстве для | | | прямоугольного сечения | | | | | | | | | | обеспечения задач | | | | | | | | | | | | | энергосбережения (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 116. | Разработка базовой | 32 | 18 | 14 | | | | | | | создание технологии | | | технологии и освоение | -- | -- | -- | | | | | | | массового производства | | | производства | 19 | 12 | 7 | | | | | | | нового класса | | | оптоэлектронных реле с | | | | | | | | | | оптоэлектронных приборов для | | | повышенными техническими | | | | | | | | | | широкого применения в | | | характеристиками для | | | | | | | | | | радиоэлектронной аппаратуре | | | поверхностного монтажа | | | | | | | | | | (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 117. | Комплексное исследование | 136,7 | | 50 | 63 | 23,7 | | | | | создание базовой технологии | | | и разработка технологий | ----- | | -- | -- | ---- | | | | | массового производства | | | получения новых классов | 71,8 | | 22 | 34 | 15,8 | | | | | экранов с предельно низкой | | | органических | | | | | | | | | | удельной стоимостью для | | | (полимерных) | | | | | | | | | | информационных и обучающих | | | люминофоров, пленочных | | | | | | | | | | систем (2010 год, 2011 год) | | | транзисторов на основе | | | | | | | | | | | | | "прозрачных" материалов, | | | | | | | | | | | | | полимерной пленочной | | | | | | | | | | | | | основы и технологий | | | | | | | | | | | | | изготовления | | | | | | | | | | | | | крупноформатных гибких и | | | | | | | | | | | | | особо плоских экранов, в | | | | | | | | | | | | | том числе на базе | | | | | | | | | | | | | высокоразрешающих | | | | | | | | | | | | | процессов струйной | | | | | | | | | | | | | печати и непрерывного | | | | | | | | | | | | | процесса изготовления | | | | | | | | | | | | | типа "с катушки на | | | | | | | | | | | | | катушку" | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 118. | Разработка базовых | 145,651 | 45 | 13,526 | 87,125 | | | | | | создание технологии и | | | конструкций и технологии | ------- | -- | ------ | ------ | | | | | | конструкции активно- | | | активных матриц и | 100,5 | 30 | 8,5 | 62 | | | | | | матричных органических | | | драйверов плоских | | | | | | | | | | электролюминесцентных, | | | экранов на основе | | | | | | | | | | жидкокристаллических и | | | аморфных, | | | | | | | | | | катодолюминесцентных | | | поликристаллических и | | | | | | | | | | дисплеев, стойких к внешним | | | кристаллических | | | | | | | | | | специальным и климатическим | | | кремниевых интегральных | | | | | | | | | | воздействиям (2010 год) | | | структур на различных | | | | | | | | | | | | | подложках и создание на | | | | | | | | | | | | | их основе перспективных | | | | | | | | | | | | | видеомодулей, включая | | | | | | | | | | | | | органические | | | | | | | | | | | | | электролюминесцентные, | | | | | | | | | | | | | жидкокристаллические и | | | | | | | | | | | | | катодолюминесцентные, | | | | | | | | | | | | | создание базовой | | | | | | | | | | | | | технологии серийного | | | | | | | | | | | |