| | механических систем | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | | | | систем и компонентов, | | | | | | | | | | | | | включающих микрореле, | | | | | | | | | | | | | коммутаторы, | | | | | | | | | | | | | микропереключатели | | | | | | | | | | | | | (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 52. | Разработка базовых | 142,577 | | 35,6 | 63,477 | 43,5 | | | | | разработка базовых | | | конструкций | ------- | | ---- | ------ | ---- | | | | | конструкций и комплектов | | | радиочастотных | 96 | | 25 | 42 | 29 | | | | | конструкторской документации | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | на изготовление | | | систем | | | | | | | | | | радиочастотных | | | | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | | | | систем - компонентов, | | | | | | | | | | | | | позволяющих получить резкое | | | | | | | | | | | | | улучшение массогабаритных | | | | | | | | | | | | | характеристик, повышение | | | | | | | | | | | | | технологичности и снижение | | | | | | | | | | | | | стоимости изделий | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 53. | Разработка методов и | 38,915 | 38,915 | | | | | | | | создание методов и средств | | | средств обеспечения | ------ | ------ | | | | | | | | контроля и измерения | | | создания и производства | 22,8 | 22,8 | | | | | | | | параметров и характеристик | | | изделий микросистемной | | | | | | | | | | изделий микросистемотехники, | | | техники | | | | | | | | | | разработка комплектов | | | | | | | | | | | | | стандартов и нормативных | | | | | | | | | | | | | документов по безопасности и | | | | | | | | | | | | | экологии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 54. | Разработка перспективных | 1155 | | | | | 345 | 315 | 270 | 225 | создание базовых технологий | | | технологий и конструкций | ---- | | | | | --- | --- | --- | --- | выпуска трехмерных | | | микро- | 770 | | | | | 230 | 210 | 180 | 150 | оптических и | | | оптоэлектромеханических | | | | | | | | | | акустооптических | | | систем для оптической | | | | | | | | | | функциональных элементов, | | | аппаратуры, систем | | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | отображения изображений, | | | | | | | | | | систем для коммутации и | | | научных исследований и | | | | | | | | | | модуляции оптического | | | специальной техники | | | | | | | | | | излучения (2012 год), | | | | | | | | | | | | | акустооптических | | | | | | | | | | | | | перестраиваемых фильтров | | | | | | | | | | | | | (2012 год), двухмерных | | | | | | | | | | | | | управляемых матриц | | | | | | | | | | | | | микрозеркал | | | | | | | | | | | | | микропереключателей и | | | | | | | | | | | | | фазовращателей (2013 год), | | | | | | | | | | | | | разработка базовых | | | | | | | | | | | | | технологий, конструкций и | | | | | | | | | | | | | комплектов, конструкторской | | | | | | | | | | | | | документации на изготовление | | | | | | | | | | | | | микрооптоэлектромеханических | | | | | | | | | | | | | систем коммутации и | | | | | | | | | | | | | модуляции оптического | | | | | | | | | | | | | излучения (2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 55. | Разработка и | 1140 | | | | 150 | 262,5 | 232,5 | 270 | 225 | создание методов и средств | | | совершенствование | ---- | | | | --- | ----- | ----- | --- | --- | контроля и измерения | | | методов и средств | 760 | | | | 100 | 175 | 155 | 180 | 150 | параметров и характеристик | | | контроля, испытаний и | | | | | | | | | | изделий микросистемотехники, | | | аттестации изделий | | | | | | | | | | разработка комплектов | | | микросистемотехники | | | | | | | | | | стандартов и нормативных | | | | | | | | | | | | | документов по безопасности и | | | | | | | | | | | | | экологии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 56. | Разработка перспективных | 1170 | | | | | 360 | 315 | 255 | 240 | создание перспективных | | | технологий и конструкций | ---- | | | | | --- | --- | --- | --- | технологий изготовления | | | микроаналитических | 780 | | | | | 240 | 210 | 170 | 160 | элементов микроаналитических | | | систем для аппаратуры | | | | | | | | | | систем, чувствительных к | | | контроля и обнаружения | | | | | | | | | | газовым, химическим и | | | токсичных, горючих, | | | | | | | | | | биологическим компонентам | | | взрывчатых и | | | | | | | | | | внешней среды, | | | наркотических веществ | | | | | | | | | | предназначенных для | | | | | | | | | | | | | использования в аппаратуре | | | | | | | | | | | | | жилищно-коммунального | | | | | | | | | | | | | хозяйства (2012 год, | | | | | | | | | | | | | 2013 год, 2014 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | | Всего по направлению 3 | 5330,301 | 476,964 | 466,233 | 442,103 | 465 | 1050 | 945 | 795 | 690 | | | | | -------- | ------- | ------- | ------- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | | 3490,63 | 306,9 | 268,73 | 285 | 310 | 700 | 630 | 530 | 460 | | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 4. Микроэлектроника | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 57. | Разработка технологии и | 308,667 | 219,3 | 89,367 | | | | | | | разработка комплекта | | | развитие методологии | ------- | ----- | ------ | | | | | | | нормативно-технической | | | проектирования изделий | 178,4 | 129,5 | 48,9 | | | | | | | документации по | | | микроэлектроники: | | | | | | | | | | проектированию изделий | | | разработка и освоение | | | | | | | | | | микроэлектроники, создание | | | современной технологии | | | | | | | | | | отраслевой базы данных с | | | проектирования | | | | | | | | | | каталогами библиотечных | | | универсальных | | | | | | | | | | элементов и | | | микропроцессоров, | | | | | | | | | | сложнофункциональных блоков | | | процессоров обработки | | | | | | | | | | с каталогизированными | | | сигналов, микро- | | | | | | | | | | результатами аттестации на | | | контроллеров и "системы | | | | | | | | | | физическом уровне, | | | на кристалле" на основе | | | | | | | | | | разработка комплекта | | | каталогизированных | | | | | | | | | | нормативно-технической и | | | сложнофункциональных | | | | | | | | | | технологической документации | | | блоков и библиотечных | | | | | | | | | | по взаимодействию центров | | | элементов, в том числе | | | | | | | | | | проектирования в сетевом | | | создание отраслевой базы | | | | | | | | | | режиме | | | данных и технологических | | | | | | | | | | | | | файлов для | | | | | | | | | | | | | автоматизированных | | | | | | | | | | | | | систем проектирования; | | | | | | | | | | | | | освоение и развитие | | | | | | | | | | | | | технологии | | | | | | | | | | | | | проектирования для | | | | | | | | | | | | | обеспечения | | | | | | | | | | | | | технологичности | | | | | | | | | | | | | производства и | | | | | | | | | | | | | стабильного выхода | | | | | | | | | | | | | годных изделий с целью | | | | | | | | | | | | | размещения заказов на | | | | | | | | | | | | | современной базе | | | | | | | | | | | | | контрактного | | | | | | | | | | | | | производства с | | | | | | | | | | | | | технологическим уровнем | | | | | | | | | | | | | до 0,13 мкм | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 58. | Разработка и освоение | 34,569 | 22,7 | 11,869 | | | | | | | разработка комплекта | | | базовой технологии | ------ | ---- | ----- | | | | | | | технологической документации | | | производства | 22,7 | 14,7 | 8 | | | | | | | и организационно- | | | фотошаблонов с | | | | | | | | | | распорядительной | | | технологическим уровнем | | | | | | | | | | документации по | | | до 0,13 мкм с целью | | | | | | | | | | взаимодействию центров | | | обеспечения | | | | | | | | | | проектирования и центра | | | информационной защиты | | | | | | | | | | изготовления фотошаблонов | | | проектов изделий | | | | | | | | | | | | | микроэлектроники при | | | | | | | | | | | | | использовании | | | | | | | | | | | | | контрактного | | | | | | | | | | | | | производства | | | | | | | | | | | | | (отечественного и | | | | | | | | | | | | | зарубежного) | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 59. | Разработка семейств и | 852,723 | 350,836 | 501,887 | | | | | | | разработка комплектов | | | серий изделий | ------- | ------- | ------- | | | | | | | документации в стандартах | | | микроэлектроники: | 490,2 | 190,1 | 300,1 | | | | | | | единой системы | | | универсальных | | | | | | | | | | конструкторской, | | | микропроцессоров для | | | | | | | | | | технологической и | | | встроенных применений; | | | | | | | | | | производственной | | | универсальных | | | | | | | | | | документации, изготовление | | | микропроцессоров для | | | | | | | | | | опытных образцов изделий и | | | серверов и рабочих | | | | | | | | | | организация серийного | | | станций; цифровых | | | | | | | | | | производства | | | процессоров обработки | | | | | | | | | | | | | сигналов; сверхбольших | | | | | | | | | | | | | интегральных схем, | | | | | | | | | | | | | программируемых | | | | | | | | | | | | | логических интегральных | | | | | | | | | | | | | схем; сверхбольших | | | | | | | | | | | | | интегральных схем | | | | | | | | | | | | | быстродействующей | | | | | | | | | | | | | динамической и | | | | | | | | | | | | | статической памяти; | | | | | | | | | | | | | микроконтроллеров со | | | | | | | | | | | | | встроенной | | | | | | | | | | | | | энергонезависимой | | | | | | | | | | | | | электрически | | | | | | | | | | | | | программируемой памятью; | | | | | | | | | | | | | схем интерфейса | | | | | | | | | | | | | дискретного | | | | | | | | | | | | | ввода/вывода; схем | | | | | | | | | | | | | аналогового интерфейса; | | | | | | | | | | | | | цифроаналоговых и | | | | | | | | | | | | | аналого-цифровых | | | | | | | | | | | | | преобразователей на | | | | | | | | | | | | | частотах выше 100 МГц с | | | | | | | | | | | | | разрядностью более | | | | | | | | | | | | | 8 - 12 бит; схем | | | | | | | | | | | | | приемопередатчиков | | | | | | | | | | | | | шинных интерфейсов; | | | | | | | | | | | | | изделий интеллектуальной | | | | | | | | | | | | | силовой микро- | | | | | | | | | | | | | электроники для | | | | | | | | | | | | | применения в аппаратуре | | | | | | | | | | | | | промышленного и бытового | | | | | | | | | | | | | назначения; встроенных | | | | | | | | | | | | | интегральных источников | | | | | | | | | | | | | питания | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 60. | Разработка базовых | 2236,828 | | |1129,878 | 971,95 | 135 | | | | разработка комплектов | | | серийных технологий | -------- | | | ------- | ------ | --- | | | | документации в стандартах | | | изделий | 1299 | | | 592,3 | 616,7 | 90 | | | | единой системы | | | микроэлектроники: | | | | | | | | | | конструкторской, | | | цифроаналоговых и | | | | | | | | | | технологической и | | | аналого-цифровых | | | | | | | | | | производственной | | | преобразователей на | | | | | | | | | | документации, изготовление | | | частотах выше 100 МГц с | | | | | | | | | | опытных образцов изделий и | | | разрядностью более | | | | | | | | | | организация серийного | | | 14 - 16 бит; | | | | | | | | | | производства | | | микроэлектронных | | | | | | | | | | | | | устройств различных | | | | | | | | | | | | | типов, включая сенсоры с | | | | | | | | | | | | | применением наноструктур | | | | | | | | | | | | | и биосенсоров; сенсоров | | | | | | | | | | | | | на основе магнито- | | | | | | | | | | | | | электрических и | | | | | | | | | | | | | пьезоматериалов; | | | | | | | | | | | | | встроенных интегральных | | | | | | | | | | | | | антенных элементов для | | | | | | | | | | | | | диапазонов частот 5 ГГц, | | | | | | | | | | | | | 10 - 12 ГГц; систем на | | | | | | | | | | | | | кристалле, в том числе в | | | | | | | | | | | | | гетероинтеграции | | | | | | | | | | | | | сенсорных и | | | | | | | | | | | | | исполнительных элементов | | | | | | | | | | | | | методом беспроводной | | | | | | | | | | | | | сборки с применением | | | | | | | | | | | | | технологии матричных | | | | | | | | | | | | | жестких выводов | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 61. | Разработка технологии и | 545,397 | 304,9 | 240,497 | | | | | | | разработка комплектов | | | освоение производства | ------- | ----- | ------- | | | | | | | документации в стандартах | | | изделий микроэлектроники | 308,8 | 168,3 | 140,5 | | | | | | | единой системы | | | с технологическим | | | | | | | | | | конструкторской, | | | уровнем 0,13 мкм | | | | | | | | | | технологической документации | | | | | | | | | | | | | и ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | | | | производственной линии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 62. | Разработка базовой | 939,45 | | | 196 | 360 | 154 |229,45 | | | разработка комплектов | | | технологии формирования | ------ | | | --- | --- | --- |------ | | | документации в стандартах | | | многослойной разводки | 587,3 | | | 102 | 240 | 99 | 146,3 | | | единой системы | | | (7 - 8 уровней) | | | | | | | | | | конструкторской, | | | сверхбольших | | | | | | | | | | технологической и | | | интегральных схем на | | | | | | | | | | производственной | | | основе Al и Cu | | | | | | | | | | документации, | | | | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | | | | | | | | | | | производственной линии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 63. | Разработка технологии и | 519,525 | | 235,513 | 168,512 | 115,5 | | | | | разработка комплектов | | | организация производства | ------- | | ------- | ------- | ---- | | | | | документации в стандартах | | | многокристальных | 288,9 | | 101 | 110,9 | 77 | | | | | единой системы | | | микроэлектронных модулей | | | | | | | | | | конструкторской, | | | для мобильных применений | | | | | | | | | | технологической и | | | с использованием | | | | | | | | | | производственной | | | полимерных и | | | | | | | | | | документации, | | | металлополимерных | | | | | | | | | | ввод в эксплуатацию | | | микроплат и носителей | | | | | | | | | | производственной линии | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 64. | Разработка новых методов | 133,8 | 67 | 66,8 | | | | | | | разработка технологической и | | | технологических | ----- | -- | ---- | | | | | | | производственной | | | испытаний изделий | 133,8 | 67 | 66,8 | | | | | | | документации, ввод в | | | микроэлектроники, | | | | | | | | | | эксплуатацию | | | гарантирующих их | | | | | | | | | | специализированных участков | | | повышенную надежность в | | | | | | | | | | | | | процессе долговременной | | | | | | | | | | | | | (более 100 000 часов) | | | | | | | | | | | | | эксплуатации, на основе | | | | | | | | | | | | | использования типовых | | | | | | | | | | | | | оценочных схем и | | | | | | | | | | | | | тестовых кристаллов | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 65. | Разработка современных | 243,77 | 131,9 | 111,87 | | | | | | | разработка комплектов | | | методов анализа отказов | ------ | ----- | ------ | | | | | | | документации, включая | | | изделий микроэлектроники | 243,77 | 131,9 | 111,87 | | | | | | | утвержденные отраслевые | | | с применением | | | | | | | | | | методики, ввод в | | | ультраразрешающих | | | | | | | | | | эксплуатацию | | | методов (ультразвуковая | | | | | | | | | | модернизированных участков и | | | гигагерцовая | | | | | | | | | | лабораторий анализа отказов | | | микроскопия, | | | | | | | | | | | | | сканирование | | | | | | | | | | | | | синхротронным | | | | | | | | | | | | | излучением, атомная и | | | | | | | | | | | | | туннельная силовая | | | | | | | | | | | | | микроскопия, электронно - | | | | | | | | | | | | | и ионно-лучевое | | | | | | | | | | | | | зондирование и другие) | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 66. | Разработка базовых | 1240,5 | | | | | 310 | 380 | 310 | 240,5 | создание технологии | | | субмикронных технологий | ------ | | | | | --- | --- | --- | ----- | сверхбольших интегральных | | | уровней | 800 | | | | | 200 | 245 | 200 | 155 | схем; | | | 0,065 - 0,045 мкм | | | | | | | | | | создание базовой технологии | | | | | | | | | | | | | формирования многослойной | | | | | | | | | | | | | разводки сверхбольших | | | | | | | | | | | | | интегральных схем | | | | | | | | | | | | | топологического уровня | | | | | | | | | | | | | 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), | | | | | | | | | | | | | освоение и развитие | | | | | | | | | | | | | технологии проектирования и | | | | | | | | | | | | | изготовления для обеспечения | | | | | | | | | | | | | технологичности производства | | | | | | | | | | | | | и стабильного выхода годных | | | | | | | | | | | | | изделий, а также с целью | | | | | | | | | | | | | размещения заказов на | | | | | | | | | | | | | современной базе | | | | | | | | | | | | | контрактного производства с | | | | | | | | | | | | | технологическим уровнем до | | | | | | | | | | | | | 0,045 мкм, разработка | | | | | | | | | | | | | комплекта технологической | | | | | | | | | | | | | документации и | | | | | | | | | | | | | организационно- | | | | | | | | | | | | | распорядительной | | | | | | | | | | | | | документации по | | | | | | | | | | | | | взаимодействию центров | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 67. | Исследование | 1424,45 | | | | | 383 |383,45 | 368 | 290 | создание технологии | | | технологических | ------- | | | | | --- |------ | --- | --- | сверхбольших интегральных | | | процессов и структур для | 915,7 | | | | | 245 | 245,7 | 235 | 190 | схем технологических уровней | | | субмикронных технологий | | | | | | | | | | 65 - 45 нм, организация | | | уровней 0,032 мкм | | | | | | | | | | опытного производства и | | | | | | | | | | | | | исследование технологических | | | | | | | | | | | | | уровней 0,032 мкм | | | | | | | | | | | | | (2015 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 68. | Разработка перспективных | 1479,55 | | | | 166,05 | 402,7 | 355 | 317,5 | 238,3 | создание технологий и | | | технологий и конструкций | ------- | | | | ------ | ------ | --- | ----- | ----- | конструкций перспективных | | | изделий интеллектуальной | 959,7 | | | | 110,7 | 261,8 | 230 | 205 | 152,2 | изделий интеллектуальной | | | силовой электроники для | | | | | | | | | | силовой микроэлектроники для | | | применения в аппаратуре | | | | | | | | | | применения в аппаратуре | | | бытового и промышленного | | | | | | | | | | промышленного и бытового | | | применения, на | | | | | | | | | | назначения; | | | транспорте, в топливно- | | | | | | | | | | создание встроенных | | | энергетическом комплексе | | | | | | | | | | интегральных источников | | | и в специальных системах | | | | | | | | | | питания (2013 - 2015 годы) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 69. | Разработка перспективных | 1730,6 | | | | 300 | 356,4 | 205 | 455 | 414,2 | разработка перспективной | | | технологий сборки | ------ | | | | --- | ----- | --- | --- | ----- | технологии многокристальных | | | сверхбольших | 1100 | | | | 200 | 224,2 | 123 | 290 | 262,8 | микроэлектронных модулей для | | | интегральных схем в | | | | | | | | | | мобильных применений с | | | многовыводные корпуса, в | | | | | | | | | | использованием полимерных и | | | том числе корпуса с | | | | | | | | | | металлополимерных микроплат | | | матричным расположением | | | | | | | | | | и носителей (2015 год) | | | выводов и технологий | | | | | | | | | | | | | многокристальной сборки, | | | | | | | | | | | | | включая создание "систем | | | | | | | | | | | | | в корпусе" | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | | Всего по направлению 4 | 11689,829 | 1096,636 | 1257,803 | 1494,39 | 1913,5 | 1741,1 |1552,9 | 1450,5 | 1183 | | | | | -------- | ------- | -------- | ------- | ------ | ------ |------ | ------ | ---- | | | | | 7328,27 | 701,5 | 777,17 | 805,2 | 1244,4 | 1120 | 990 | 930 | 760 | | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Направление 5. Электронные материалы и структуры | |--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | 70. | Разработка технологии | 78 | 51 | 27 | | | | | | | внедрение новых | | | производства новых | -- | -- | -- | | | | | | | диэлектрических материалов | | | диэлектрических | 49 | 32 | 17 | | | | | | | на основе ромбоэдрической | | | материалов на основе | | | | | | | | | | модификации нитрида бора и | | | ромбоэдрической | | | | | | | | | | подложек из | | | модификации нитрида бора | | | | | | | | | | поликристаллического алмаза | | | и подложек из | | | | | | | | | | с повышенной | | | поликристаллического | | | | | | | | | | теплопроводностью и | | | алмаза | | | | | | | | | | электропроводностью для | | | | | | | | | | | | | создания нового поколения | | | | | | | | | | | | | высокоэффективных и надежных | | | | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | | | | приборов | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 71. | Разработка технологии | 93,663 | | | 46,233 | 47,43 | | | | | создание технологии | | | производства | ------ | | | ------ | ----- | | | | | производства | | | гетероэпитаксиальных | 54,24 | | | 22,62 | 31,62 | | | | | гетероэпитаксиальных | | | структур и структур | | | | | | | | | | структур и структур | | | гетеробиполярных | | | | | | | | | | гетеробиполярных | | | транзисторов на основе | | | | | | | | | | транзисторов на основе | | | нитридных соединений | | | | | | | | | | нитридных соединений A B | | | A B для мощных | | | | | | | | | | 3 5 | | | 3 5 | | | | | | | | | | для обеспечения разработок и | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | изготовления | | | приборов и | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | монолитных интегральных схем | | | монолитных интегральных | | | | | | | | | | и мощных транзисторов | | | схем | | | | | | | | | | (2011 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 72. | Разработка базовой | 78,047 | 50,147 | 27,9 | | | | | | | создание базовой технологии | | | технологии производства | ------ | ------ | ---- | | | | | | | производства гетероструктур | | | метаморфных структур на | 49,8 | 32 | 17,8 | | | | | | | и псевдоморфных структур на | | | основе GaAs и | | | | | | | | | | подложках InP для | | | псевдоморфных структур | | | | | | | | | | перспективных | | | на подложках InP для | | | | | | | | | | полупроводниковых приборов и | | | приборов | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | сверхвысокочастотной | | | | | | | | | | монолитных интегральных схем | | | электроники диапазона 60 | | | | | | | | | | диапазона 60 - 90 ГГц (2009 | | | - 90 ГГц | | | | | | | | | | год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 73. | Разработка технологии | 132,304 | | | 33,304 | 45 | 54 | | | | создание спинэлектронных | | | производства | ------- | | | ------ | -- | -- | | | | магнитных материалов и | | | спинэлектронных | 82 | | | 16 | 30 | 36 | | | | микроволновых структур со | | | магнитных материалов, | | | | | | | | | | спиновым управлением для | | | радиопоглощающих и | | | | | | | | | | создания перспективных | | | мелкодисперсных | | | | | | | | | | микроволновых | | | ферритовых материалов | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | для сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | приборов повышенного | | | приборов | | | | | | | | | | быстродействия и низкого | | | | | | | | | | | | | энергопотребления | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 74. | Разработка технологии | 76,4 | 50,1 | 26,3 | | | | | | | создание технологии | | | производства | ---- | ---- | ---- | | | | | | | массового производства | | | высокочистых химических | 47,3 | 31 | 16,3 | | | | | | | высокочистых химических | | | материалов (аммиака, | | | | | | | | | | материалов (аммиака, арсина, | | | арсина, фосфина, | | | | | | | | | | фосфина, тетрахлорида | | | тетрахлорида кремния) | | | | | | | | | | кремния) для выпуска | | | для обеспечения | | | | | | | | | | полупроводниковых подложек | | | производства | | | | | | | | | | нитрида галлия, арсенида | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | галлия, фосфида индия, | | | подложек нитрида галлия, | | | | | | | | | | кремния и | | | арсенида галлия, фосфида | | | | | | | | | | гетероэпитаксиальных | | | индия, кремния и | | | | | | | | | | структур на их основе | | | гетероэпитаксиальных | | | | | | | | | | (2009 год) | | | структур на их основе | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 75. | Разработка технологии | 62,07 | | | 12 | 35,07 | 15 | | | | создание технологии | | | производства | ----- | | | -- | ----- | -- | | | | производства | | | поликристаллических | 45,38 | | | 12 | 23,38 | 10 | | | | поликристаллических алмазов | | | алмазов и их пленок для | | | | | | | | | | и его пленок для мощных | | | теплопроводных | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | конструкций мощных | | | | | | | | | | приборов (2012 год) | | | выходных транзисторов и | | | | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных | | | | | | | | | | | | | приборов | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 76. | Исследование путей и | 57 | 36 | 21 | | | | | | | создание технологии | | | разработка технологии | -- | -- | -- | | | | | | | изготовления новых | | | изготовления новых | 38 | 24 | 14 | | | | | | | микроволокон на основе | | | микроволокон на основе | | | | | | | | | | двухмерных диэлектрических и | | | двухмерных | | | | | | | | | | металлодиэлектрических | | | диэлектрических и | | | | | | | | | | микро- и наноструктур для | | | металлодиэлектрических | | | | | | | | | | новых классов | | | микро- и наноструктур, а | | | | | | | | | | микроструктурных приборов, | | | также полупроводниковых | | | | | | | | | | магниторезисторов, | | | нитей с наноразмерами | | | | | | | | | | осцилляторов, устройств | | | при вытяжке стеклянного | | | | | | | | | | оптоэлектроники (2009 год) | | | капилляра, заполненного | | | | | | | | | | | | | жидкой фазой | | | | | | | | | | | | | полупроводника | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 77. | Разработка технологии | 64,048 | | 4,5 | 32,548 | 27 | | | | | создание базовой пленочной | | | выращивания слоев | ------ | | --- | ------ | -- | | | | | технологии пьезокерамических | | | пьезокерамики на | 39 | | 3 | 18 | 18 | | | | | элементов, совместимой с | | | кремниевых подложках для | | | | | | | | | | комплементарной металло- | | | формирования | | | | | | | | | | оксидной полупроводниковой | | | комплексированных | | | | | | | | | | технологией для разработки | | | устройств микросистемной | | | | | | | | | | нового класса активных | | | техники | | | | | | | | | | пьезокерамических устройств, | | | | | | | | | | | | | интегрированных с | | | | | | | | | | | | | микросистемами (2011 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 78. | Разработка методологии и | 63,657 | 42,657 | 21 | | | | | | | создание технологии | | | базовых технологий | ------ | ------ | -- | | | | | | | травления и изготовления | | | создания многослойных | 38 | 24 | 14 | | | | | | | кремниевых трехмерных | | | кремниевых структур с | | | | | | | | | | базовых элементов | | | использованием | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | "жертвенных" и | | | | | | | | | | систем с использованием | | | "стопорных" диффузионных | | | | | | | | | | "жертвенных" и "стопорных" | | | и диэлектрических слоев | | | | | | | | | | слоев для серийного | | | для производства силовых | | | | | | | | | | производства элементов | | | приборов и элементов | | | | | | | | | | микроэлектромеханических | | | микроэлектромеханических | | | | | | | | | | систем (2009 год) кремниевых | | | систем | | | | | | | | | | структур с использованием | | | | | | | | | | | | | силикатных стекол, моно-, | | | | | | | | | | | | | поликристаллического и | | | | | | | | | | | | | пористого кремния и диоксида | | | | | | | | | | | | | кремния | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 79. | Разработка базовых | 45,85 | | | 29,35 | 16,5 | | | | | создание технологии | | | технологий получения | ----- | | | ----- | ---- | | | | | получения алмазных | | | алмазных | 22 | | | 11 | 11 | | | | | полупроводниковых | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | наноструктур и наноразмерных | | | наноструктур и | | | | | | | | | | органических покрытий, | | | наноразмерных | | | | | | | | | | алмазных полупроводящих | | | органических покрытий с | | | | | | | | | | пленок для | | | широким диапазоном | | | | | | | | | | конкурентоспособных | | | функциональных свойств | | | | | | | | | | высокотемпературных и | | | | | | | | | | | | | радиационно стойких | | | | | | | | | | | | | устройств и приборов | | | | | | | | | | | | | двойного назначения | | | | | | | | | | | | | (2011 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 80. | Исследование и | 136,716 | 57,132 | 79,584 | | | | | | | создание технологии | | | разработка технологии | ------- | ------ | ------ | | | | | | | изготовления гетероструктур | | | роста эпитаксиальных | 88,55 | 38 | 50,55 | | | | | | | и эпитаксиальных структур на | | | слоев карбида кремния, | | | | | | | | | | основе нитридов для создания | | | структур на основе | | | | | | | | | | радиационно стойких | | | нитридов, а также | | | | | | | | | | сверхвысокочастотных и | | | формирования изолирующих | | | | | | | | | | силовых приборов нового | | | и коммутирующих слоев в | | | | | | | | | | поколения (2009 год) | | | приборах экстремальной | | | | | | | | | | | | | электроники | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 81. | Разработка технологии | 159,831 | 52 | 107,831 | | | | | | | создание технологии | | | производства радиационно | ------- | -- | ------- | | | | | | | производства структур | | | стойких сверхбольших | 90 | 35 | 55 | | | | | | | "кремний на сапфире" | | | интегральных схем на | | | | | | | | | | диаметром до 150 мм с | | | ультратонких | | | | | | | | | | толщиной приборного слоя до | | | гетероэпитаксиальных | | | | | | | | | | 0,1 мкм и топологическими | | | структурах кремния на | | | | | | | | | | нормами до 0,18 мкм для | | | сапфировой подложке для | | | | | | | | | | производства электронной | | | производства электронной | | | | | | | | | | компонентной базы | | | компонентной базы | | | | | | | | | | специального и двойного | | | специального и двойного | | | | | | | | | | назначения (2009 год) | | | назначения | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 82. | Разработка технологии | 138,549 | 54 | 84,549 | | | | | | | создание технологии | | | производства | ------- | -- | ------ | | | | | | | производства радиационно | | | высокоомного радиационно | 89,7 | 36 | 53,7 | | | | | | | облученного кремния и | | | облученного кремния, | | | | | | | | | | пластин кремния до 150 мм | | | слитков и пластин | | | | | | | | | | для выпуска мощных | | | кремния диаметром до | | | | | | | | | | транзисторов и сильноточных | | | 150 мм для производства | | | | | | | | | | тиристоров нового поколения | | | силовых | | | | | | | | | | (2009 год) | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | | | | приборов | | | | | | | | | | | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 83. | Разработка технологии | 90,4 | 38,5 | 51,9 | | | | | | | разработка и промышленное | | | производства кремниевых | ---- | ---- | ---- | | | | | | | освоение получения | | | подложек и структур для | 58,9 | 24 | 34,9 | | | | | | | высококачественных подложек | | | силовых | | | | | | | | | | и структур для использования | | | полупроводниковых | | | | | | | | | | в производстве силовых | | | приборов с глубокими | | | | | | | | | | полупроводниковых приборов, | | | высоколегированными | | | | | | | | | | с глубокими | | | слоями p- и n-типов | | | | | | | | | | высоколегированными слоями и | | | проводимости и скрытыми | | | | | | | | | | скрытыми слоями носителей с | | | слоями носителей с | | | | | | | | | | повышенной рекомбинацией | | | повышенной рекомбинацией | | | | | | | | | | (2009 год) | |-------|---------------------------|------------|----------|-----------|----------|----------|---------|--------|----------|--------|-------------------------------| | 84. | Разработка технологии | 220,764 | 73,964 | 146,8 | | | | | | | создание технологии | | | производства | ------- | ------ | ----- | | | | | | | производства пластин кремния | | | электронного кремния, | 162 | 48 | 114 | | | | | | | диаметром до 200 мм и | | | кремниевых пластин | | | | | | | | | | эпитаксиальных структур | | | диаметром | | | | | | | | | | уровня 0,25 - 0,18 мкм | | | до 200 мм и кремниевых | | | | | | | | | | (2009 год) | | | эпитаксиальных структур | | | | | | | | | | | |